《集成电路》模拟题1
1+X集成电路理论练习题含参考答案
1+X集成电路理论练习题含参考答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、在电子产品测试中需保证测试环境稳定，其中使用环境稳定是指（）。
A、使用人员操作得当B、硬件的工作参数稳定C、软件的工作参数稳定D、模拟真实用户使用时的场景正确答案：D2、以全自动探针台为例，关于上片的步骤，下列所述正确的是：( )。
A、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮到位→花篮固定→合上盖子B、打开盖子→花篮放置→花篮到位→花篮下降→花篮固定→合上盖子C、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮固定→花篮到位→合上盖子D、打开盖子→花篮放置→花篮固定→花篮下降→花篮到位→合上盖子正确答案：D答案解析：以全自动探针台为例，上片的步骤为：打开盖子→花篮放置→花篮固定→花篮下降→花篮到位→合上盖子。
3、转塔式分选机设备进行编带后，进入( )环节。
A、上料B、测试C、外观检查D、真空包装正确答案：C答案解析：转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→编带→外观检查→真空包装。
4、通常情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片( )颗。
A、3000B、1000C、5000D、2000正确答案：D答案解析：一般情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片2000颗。
5、元器件的引线直径与印刷焊盘孔径应有（）的合理间隙。
A、0.1~0.4mmB、0.2~0.3mmC、0.1~0.3mmD、0.2~0.4mm正确答案：D6、在电子电路方案设计中最简单的显示平台是（）。
A、OLEDB、LCDC、LEDD、数码管正确答案：C7、平移式分选机进行料盘上料时，在上料架旁的红色指示灯亮的含义是( )。
A、上料机构故障B、上料架上有料盘C、上料架上有空料盘D、上料架上没有料盘正确答案：B答案解析：平移式分选机进行料盘上料时，上料架上是否有料盘可以通过上料架旁的传感器进行检测。
当传感器指示灯为红色时，表明上料架上还有料盘，可以继续进行上料，当传感器指示灯为绿色时，表明上料架上无料盘，停止上料。
【精品】集成电路试题
集成电路试题二、选择题（14分，每小题2分）1、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A减小温漂B增大放大倍数C提高输入电阻2、为提高集成运放的放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。
A共射极放大电路B共集放大电路C共基放大电路3、现有电路：A反相运算电路B同相运算电路C积分运算电路D微分运算电路E加法运算电路F乘方运算电路（1）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用（）。
（2）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用（）。
（3）欲实现Au＝－100的放大电路，应选用（）。
（4）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（）。
（5）欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用（）。
下列关于74LS245的用途,不正确的说法是（）A.常用于数据锁存B.常用于数据双向传送C.常用于数据驱动D.常用于数据缓冲一、RS-232C标准的电气特性中数据"0"规定为（）二、 A.-3～-15V三、 B.-5～0V四、 C.0～+5V五、 D.+3～+15V六、选择题；1一个理想运放的基本条件是()。
(a)A ud=∞；(b)r od=∞；(c)r id=0；(d)K CMRR=0。
2集成运放在应用中出现自激，这一般是由于下述原因之一所致()。
(a)退耦电容太大；(b)分布电容太小；(c)负载电容太大；(d)耦合电容太大。
3在下列几种典型的积分电路中，哪个是比较积分电路？()。
4模拟电路的非线性应用之一是()。
(a)比例放大；(b)求和放大；(c)积分器；(d)对数器。
5模例乘法器的应用电路之一是()。
(a)加法器；(b)减法器；(c)整流器；(d)鉴频器。
6在下例比较器中，抗干扰能力最强的是()。
(a)单门限比较器；(b)迟滞比较器；(c)窗口比较器；(d)三态比较器。
7在集成变换器中，属于周期性变换器的是()。
(a)U/I变换器；(b)I/U变换器；(c)U/F变换器；(d)阻抗变换器。
8DAC0832的转换位数是()。
1+X集成电路理论试题库(附参考答案)
1+X集成电路理论试题库（附参考答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、若想取下蓝膜上的晶圆或晶粒，需要照射适量（），能降低蓝膜的黏着力。
A、红外线B、太阳光C、蓝色光源D、紫外线正确答案：D答案解析：对需要重新贴膜或加工结束后的晶圆，需要从蓝膜上取下，此时只需照射适量紫外线，就能瞬间降低蓝膜黏着力，轻松取下晶圆或晶粒。
2、一般情况下，待编至( )颗时，需更换卷盘，并在完成编带的卷盘上贴上小标签，便于后期识别。
A、2000B、4000C、6000D、8000正确答案：B答案解析：一般情况下，待编至4000颗左右时，需要更换卷盘，即一盘编带一般装有4000颗的芯片。
3、晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般为（）分钟。
A、20B、1C、10D、5正确答案：D4、用编带机进行编带前预留空载带的原因是( )。
A、比较美观B、防止芯片散落C、确认编带机正常运行D、节省人工检查时间正确答案：B答案解析：空余载带预留设置是为了防止卷盘上编带的两端在操作过程中可能会出现封口分离的情况，导致端口的芯片散落。
5、使用化学机械抛光进行粗抛时,抛光区域温度- 般控制在()A、38~50°CB、20~50°CC、20~30°CD、20~38°C正确答案：A答案解析：一般抛光区的温度控制在38~50°C (粗抛)和20~30°C (精抛)。
6、用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。
A、反射B、干涉C、衍射D、二氧化硅膜本身的正确答案：B答案解析：硅片表面生成的二氧化硅本身是无色透明的膜，当有白光照射时，二氧化硅表面与硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。
不同的氧化层厚度的干涉色彩不同，因此可以利用干涉色彩来估计氧化层的厚度。
7、芯片检测工艺中，进行管装包装时，将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后，需要在内盒的封口边（）处贴上“合格”标签。
电子线路单元测试题(集成运放部分1)
电子线路单元测试题（集成运放部分1）根据湖北技能高考考纲命题 2017年秋一判断题：（每题2分，共60分）1.各级静态工作点互相干扰的耦合电路是阻容耦合或变压器耦合。
（）2.反馈是把电路的输出信号的部分送回到放大电路的输入端的过程. （）3.为减小放大电路的非线性失真的措施采用引入负反馈的方法。
（）4. 直接耦合时,各级静态工作点互相干扰。
（）5.多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带都要宽,级数愈多,通频带愈宽。
（）6.若一个放大电路具有电流并联负反馈，则可以稳定输出电压，增大输入电阻。
（）7. 若一个放大电路具有电压并联负反馈，则可以稳定输出电压. 减小输出电阻。
（）8.瞬时极性法在信号的各作用点标记的“＋”、“－”是表示电流的流入和流出极性。
（）9.若接入反馈后与未接反馈时相比输出量变大,则引入的反馈为负反馈. （）10.多级放大器是牺牲通频带的宽度来提高放大倍数. （）11.负反馈电路改善电子电路的工作状态和性能，正反馈电路可以做自激振荡器。
（）12.低频放大电路中，主要采用直接耦合方式。
（）13.变压器耦合放大器中的变压器起电压变换作用，使前后级的静态工作点互不干扰。
（）14.直接耦合放大器可以阻止直流使信号变得缓慢。
（）15.变压器耦合放大器的优点是既能放大交流信号，也能放大直流信号还可变换电压。
（）16.多级放大器总增益的表达式为Gu =Gu1 + Gu2 + Gu3 + ………+ Gun 。
（）17.多级放大器总电压放大倍数的表达式为AU =AU1×AU2×AU3×………×AUn。
（）18.多级放大器总电压放大倍数的表达式为AU =AU1 + AU2 + AU3 + …… + AUn。
（）19. 负反馈电路可以减小放大器的外部噪声和干扰。
（）20.并联负反馈可以使放大器输入电阻减小，串联负反馈可以使放大器输入电阻增大。
（）21.直流放大器不只能放大直流信号，还能放大交流信号。
(整理)集成电路设计习题答案1-5章
CH11．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。
MOORE定律2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。
特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。
环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。
意义：降低成本。
4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？系统，电路，工具，工艺方面的知识CH21．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用 ?原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。
P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点?SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。
特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。
欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。
P19,21CH31．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。
外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。
模拟集成电路复习题1
模拟集成电路复习题1⼀.选择题(每题2分,共30分)1.下列关于双极型模拟集成电路隔离区划分原则中不正确的说法是( ) A．NPN管V C相同时, 可以放在同⼀隔离区B. NPN管V C和PNP管的V E相同时, 可以放在同⼀隔离区C. MOS电容需要单独⼀个隔离区D. 硼扩散电阻原则上可以放在同⼀隔离区2.在版图设计中, 设计规则检查称为（）A. EXTRACTB. ERCC. DRCD. LVS3.差分对中, 不影响其共模抑制⽐的因素为( )A．差分管的对称性B.电流源的交流阻抗C.输⼊电压幅度D.电阻R C1和R C2的对称性4.在PMOS中, 衬底上加上正电压偏置, 会使阈值电压( )A. 增⼤ B 不变 C 减⼩ D 可⼤可⼩5.随着微电⼦⼯艺⽔平提⾼, 特征尺⼨不断减⼩, 这时电路的⼯作电压会（）A不断提⾼ B. 不变 C. 可⼤可⼩ D. 不断降低6.下列（）技术指标不能描述集成电路⼯艺⽔平？A．集成度 B.特征尺⼨ C. 芯⽚⾯积 D. 输⼊阻抗7.CMOS推挽放⼤器NMOS管和PMOS管分别⼯作于( ).A . NMOS管⼯作于截⽌区和线性区; PMOS管⼯作于截⽌区和线性区B. NMOS管⼯作于饱和区和线性区; PMOS管⼯作于饱和区和线性区C. NMOS管⼯作于饱和区; PMOS管⼯作于饱和区D. NMOS管⼯作于饱和区和线性区; PMOS管⼯作于截⽌区和线性区8.CMOS放⼤器的电压增益( ) E/E, E/D放⼤器.(所⽤器件相同情况下)A. ⾼于B.等于C. ⼩于D. 可能⾼也可能低9.对于电流镜的要求, 那种说法正确( )A. 输出阻抗⾼B输出阻抗低C交流输出阻抗⾼D直流输出阻抗⾼10.Cascode电流镜的最⼩输出电压V MIN(out)的值为( )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN11.正偏⼆级管具有( )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负12.差分放⼤器差模电压增益与( )有关A.双端输⼊还是单端输出;B.双端输出还是单端输出C.双端输⼊还是单端输⼊D.与输⼊输出形式⽆关13.在模拟和数字混合电路中, 关于电源和地线的说法正确的是( )A．模拟和数字部分可共⽤地线, 不能共⽤电源线B．模拟和数字部分不能共⽤地线, 不能共⽤电源线C．模拟和数字部分不能共⽤地线, 能共⽤电源线D．模拟和数字部分能共⽤地线, 也能共⽤电源线14.下图⽰出的剖⾯图ABA. A 是纵向npn, B 是纵向pnpB. A 是横向npn, B 是纵向pnpC. A 是纵向npn, B 是横向pnpD. A 是横向npn, B 是横向pnp15. 在下列防⽌CMOS IC 中闩锁效应的办法中，（）不可采⽤。
模拟集成电路复习1.
线性区：
W 1 2 VGS VTH VDS VDS I D μ nCox L 2
I D μnCox W VGS VTH VDS L R on 1 μnCox W VGS VTH L
深线性区
工艺跨导参数 过驱动电压
k μ n Cox
g m μ n Cox
2β I D
2ID VGS VTH
饱和区输出电阻
1 VE L ro λI D ID
L λ , ro
R on 1 βVeff
I D ro
导通电阻：
β Ron
Veff Ron
gmb
饱和区衬底跨导： γ gm ηgm 2 2ΦF VSB
m
MOS管交流小信号模型
完整的MOS小信号模型
MOS小信号模型中的电容
MOST fT
MOST fT where iDS = iGS
MOS管交流小信号特性
确定gm
1 W VGS VTH 2 I D μ n Cox 2 L
g m μ n Cox W VGS VTH L
ID
2ε 0ε si qN sub ,
1 W Vin Vout VTH 2 μ n Cox 2 L
N γ
γ ~ 0.3 0.4V1 2
Vin Vin
Vin
Vout Vout
I1
Vout
速度饱和
速度饱和区
1 W I D μ n Cox 2 L
VGS VT 2
+ VDS _
gm 2I D ,
模拟题1、2
模拟题1基础知识必做题(共45题)一．选择题[1]. 存储在U盘和硬盘中的文字、图像等信息，都采用________代码表示。
A．十进制B．二进制C．八进制D．十六进制[2]. 三个比特的编码可以表示________种不同的状态。
A．3 B．6 C．8 D．9[3]. 集成电路是现代信息产业的基础。
目前PC机中CPU芯片采用的集成电路属于__。
A．小规模集成电路B．中规模集成电路C．大规模集成电路D．超（极）大规模集成电路[4]. 冯诺伊曼式计算机是按照________的原理进行工作的。
A．存储程序控制B．电子线路控制C．集成电路控制D．操作系统控制[5]. 同一台计算机的下列存储器中，________存取时间最短。
A．RAM B．ROM C．Cache D．Flash ROM [6]. 某PC机广告中标有"P4/1.7G/256M/40G"，其中P4/1.7G的含义为________。
A．微机的品牌和CPU的主频B．微机的品牌和内存容C．CPU的品牌和主频D．CPU的品牌和内存容量[7]. 下列关于台式PC机主板的叙述，正确的是_________。
A．PC主板的尺寸可按需确定，并无一定的规格B．主板上安装有存储器芯片，例如ROM芯片、CMOS芯片等C．CPU是直接固定在主板上的，不可更换D．主板上安装有电池，在计算机断开交流电后，临时给计算机供电，供计算机继续工作[8]. 目前超市中打印票据所使用的打印机属于________。
A．压电喷墨打印机B．激光打印机C．针式打印机D．热喷墨打印机[9]. 显示器分辨率是衡量显示器性能的一个重要指标，它指的是整屏可显示多少_______。
A．颜色B．ASCII字符C．中文字符D．像素[10]. 在公共服务性场所，提供给用户输入信息最适用的设备是________。
A．USB接口B．软盘驱动器C．触摸屏D．笔输入[11]. 下面有关计算机输入输出操作的叙述中，错误的是________。
集成电路设计基础作业题解答（1～4）
集成电路设计基础作业题解答（1～4）第⼀次作业：1、为什么PN 结会有单向导电性？答PN 结是由P 型半导体和N 型半导体结合在⼀起形成的。
P 型半导体多⼦是空⽳，N 型半导体多⼦是电⼦。
当形成PN 结后由于载流⼦的浓度差，电⼦会向P 型侧扩散，空⽳会向N 型侧扩散。
随着扩散的进⾏，会在接触处形成⼀定厚度的空间电荷区，电荷区中的正负离化中⼼形成内建电场。
随着空间耗尽区的扩展和内建电场的增强，电场作⽤下的漂移得到加强，扩散随之减弱，最后漂移电流和扩散电流达到平衡。
若给PN 结两端加上正电压，外加电场将会削弱内建电场从⽽加强扩散削弱漂移，此时扩散电流电流⼤于漂移电流从⽽形成正向导通电流。
当PN 结加上反向偏压后，外加电场和内建电场同向，此时扩散进⼀步收到抑制，漂移得到加强。
但漂移的少数载流⼦⾮常少，所以没能形成⼤的反向导通电流。
这就是PN 结的单向导电性。
2、为什么半导体掺杂后导电能⼒⼤⼤增强答：本征半导体在常温情况下由于热激发产⽣的空⽳电⼦对浓度⼤约在1010量级。
⽽在常温下本征半导体的导电能⼒⾮常弱。
当掺⼊B 或P 等杂质后，在常温下的掺杂杂质基本全部离化，杂质的离化⽽会在价带或导带产⽣⼤量的能做共有化运动的空⽳或电⼦。
在杂质没有补偿的情况下，载流⼦浓度近似等于杂质浓度，半导体掺杂后n,p ⼤⼤增加。
根据电导率σ=nqµ(n)+pqµ(p)可知，掺杂半导体的电导率⼤⼤增加，即导电能⼒明显增强。
3、为什么晶体管有放⼤作⽤？答：我们定义晶体管集电极电流和基极电流的⽐值为晶体管放⼤倍数。
只有当晶体管处于放⼤状态时才具有线性放⼤能⼒。
当BE 结正偏，BC 结反偏时管⼦处于放⼤状态。
因为发射极⾼掺杂，在BE 正向导通时，发射极的⼤量电⼦（以NPN 管为例）扩散到基区。
基区空⽳扩散到发射极，⽽基区浓度远⽐发射极来得低，所以电⼦扩散电流占主要部分。
因为基区很薄且载流⼦寿命很长，到达基区的电⼦只有⼀⼩部分和基区注⼊得空⽳复合，绝⼤部分要在反偏的集电结内建电场作⽤下⽽漂移到集电极。
集成电路技术题库1-0-8
集成电路技术题库1-
0-8
问题：
[问答题,简答题]什么叫半导体集成电路？
问题：
[问答题,简答题]按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写。
问题：
[问答题,简答题]按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？(11选5 )
问题：
[问答题,简答题]按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？
问题：
[问答题,简答题]什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？
问题：
[问答题,简答题]简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。
问题：
[问答题,简答题]在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是？
问题：
[问答题,简答题]简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。
1+X集成电路理论模拟练习题+答案
1+X集成电路理论模拟练习题+答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、芯片完成编带并进行清料后，会将完成编带的芯片放在( )上。
A、已检查品货架B、待检查品货架C、待外检货架D、合格品货架正确答案：B答案解析：芯片完成编带并进行清料后，将将编带盘、随件单放入对应的中转箱中，并将中转箱放在待检查品货架上等待外观检查。
2、利用平移式分选设备进行芯片检测时，芯片在该区域的操作完成后会进入（）区域。
A、分选B、待测C、上料D、测试正确答案：A3、晶圆检测工艺对环境的其中一项——温度的要求范围是( )℃。
A、22±3B、20±5C、25±3D、20±3正确答案：A答案解析：晶圆检测工艺对环境的要求：测试车间符合10万级洁净区标准，温度常年保持在22±3℃，湿度保持在45±15%。
4、编带过程中，在进行热封处理后，需要进行( )环节。
A、芯片放入载带B、密封C、编带收料D、光检正确答案：C答案解析：转塔式分选机进行编带的步骤是：芯片光检→载带移动→热封处理→编带收料→清料。
5、平移式分选机设备的上料步骤正确的是：( )。
A、待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换B、吸嘴转移芯片→待测芯片上料→空料盘替换C、空料盘替换→待测芯片上料→吸嘴转移芯片D、吸嘴转移芯片→空料盘替换→待测芯片上料正确答案：A答案解析：平移式分选机设备的上料步骤为：待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换。
6、单晶炉中籽晶轴的作用是( )。
A、保证炉内温度均匀分布及散热B、带动籽晶上下移动和旋转C、起支撑作用D、提供一个原子重新排列标准正确答案：B答案解析：籽晶轴的作用是带动籽晶上下移动和旋转；籽晶的作用是提供一个原子重新排列的标准；坩埚外的高纯石墨坩埚托起支撑作用；炉腔可以保证炉内温度均匀分布及散热。
7、晶圆贴膜过程中，需要外加一个（），它起到支撑的作用。
A、晶圆基底圆片B、晶圆贴片环C、蓝膜支撑架D、固定挂钩正确答案：B答案解析：在贴膜过程中，需要外加一个厚度与晶圆一致但环内径比晶圆直径大的金属环，也就是晶圆贴片环。
1+X集成电路理论知识模拟题与答案
1+X集成电路理论知识模拟题与答案1、重力式分选机的测试环节是在（）进行。
A、主转塔中B、旋转台上C、测试轨道中D、水平面上答案：C2、（）分选工序依靠主转盘执行，上料后主转盘旋转，每转动一格，都会将产品送到各个工位，每个工位对应不同的作用，包括上料位、光检位、旋转纠姿位、功能测试位等，从而实现芯片的测试与分选。
A、重力式分选机B、平移式分选机C、转塔式分选机D、真空螺旋分选机答案：C3、晶圆检测工艺中，在进行打点工序以后，需要进行的工序是（）。
A、真空入库B、扎针测试C、打点D、外观检查答案：D导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库4、扎针测试时，测试机将测试结果通过( )传输给探针台。
A、 USBB、 GPIBC、 HDMID、 VGA答案：B扎针测试时，测试机将测试结果通过GPIB传输给探针台。
5、转塔式分选机设备的上料步骤正确的是：( )。
A、待测芯片上料→芯片筛选→芯片吸取B、芯片筛选→待测芯片上料→芯片吸取C、待测芯片上料→芯片吸取→芯片筛选D、芯片筛选→芯片吸取→待测芯片上料答案：A转塔式分选机设备的上料步骤为：待测芯片上料→芯片筛选→芯片吸取。
6、单晶炉的开机顺序正确的是( )。
A、电源开关→加热器开关→坩埚开关→籽晶开关B、电源开关→坩埚开关→加热器开关→籽晶开关C、电源开关→籽晶开关→坩埚开关→加热器开关D、籽晶开关→坩埚开关→加热器开关→电源开关答案：A单晶炉的开机顺序为：电源开关→加热器开关→坩埚开关→籽晶开关。
7、用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时，通过( )可以得到高纯度的四氯化硅。
A、高温还原炉B、精馏塔C、多晶沉积设备D、单晶炉答案：B用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时，通常使用精馏法，精馏法是在精馏塔中实现的。
8、单晶炉中籽晶轴的作用是( )。
A、保证炉内温度均匀分布及散热B、带动籽晶上下移动和旋转C、起支撑作用D、提供一个原子重新排列标准答案：B籽晶轴的作用是带动籽晶上下移动和旋转；籽晶的作用是提供一个原子重新排列的标准；坩埚外的高纯石墨坩埚托起支撑作用；炉腔可以保证炉内温度均匀分布及散热。
1+X集成电路理论知识模拟题含答案
1+X集成电路理论知识模拟题含答案1、重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料管，应采取( )的处理方式。
A、人工加待测料管B、人工换料管C、人工加空料管D、人工将卡料取出答案：A重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料，需要人工加待测料管。
2、探针台上的( )处于( )状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死机，导致晶圆撞击探针测试卡。
A、红色指示灯、亮灯B、指示灯、亮灯C、绿色指示灯、亮灯D、红色指示灯、灭灯答案：B探针台上的指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死机，导致晶圆撞击探针测试卡。
其中红色指示灯表示下降，绿色指示灯表示上升，当至少有一盏指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作。
3、以下选项中切筋与成型步骤模具运动顺序正确的是（）。
A、模具下压→成型冲头下压→切模→框架进料→管脚成型B、框架进料→成型冲头下压→切模→模具下压→管脚成型C、模具下压→框架进料→切模→成型冲头下压→管脚成型D、框架进料→模具下压→切模→成型冲头下压→管脚成型答案：D略4、晶圆检测工艺中，在进行烘烤之后，需要进行的操作是( )。
A、真空入库B、扎针测试C、打点D、外检答案：D晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。
5、“6s”的管理方式相较于“5s” ，多的一项内容是（）。
A、整理B、整顿C、清洁D、安全答案：D5S即整理、整顿、清扫、清洁、素养。
6S管理是5S的升级，6S即整理、整顿、清扫、清洁、素养、安全(SECURITY)。
6、重力式分选机进行芯片检测时，芯片测试完成后，下一个环节需要进行( )操作。
A、上料B、分选C、外观检查D、真空入库答案：B重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→外观检查→真空包装。
7、添加连线时，在先的起点处（）鼠标，移动光标，在线的终点（）鼠标完成连线绘制。
A、单击、单击B、单击、双击C、双击、单击D、双击、双击答案：B8、若进行打点的晶圆规格为5英寸，应选择的墨盒规格为？（）A、 5milB、 8milC、 10milD、 30mil答案：A9、避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后，用( )遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。
数字集成电路5章[1]习题1
![数字集成电路5章[1]习题1](https://img.taocdn.com/s3/m/1d84a8ea710abb68a98271fe910ef12d2af9a9cc.png)
说明：[难度等级（E容易M中等C难），需要的设计工具，与之相关的章节]第5章CMOS反相器4. [E, None, 3.3.3]对于图5.3中的输出负载为3pF的反相器：a. 计算t plh，t phl和t pb. 上升延时和下降延时是否相等？为什么？c. 计算静态和动态功耗，假设门的时钟频率尽可能的快。
图5.3 电阻负载反相器7. 考虑图5.5中的电路。
器件M1是一个标准的NMOS器件。
器件M2除了阈值电压为负并且其值为-0.4V之外，和M1有共同的特性。
假设耗尽型器件M2的所有电流公式和不等式（来决定工作模式）与规范的NMOS器件相同。
并假设输入IN有0V到2.5V的摆幅。
图5.5 一个耗尽型负载的NMOS反相器a.器件M2的栅极和源极相连。
如果V IN =0V，那么输出电压是多少？在稳态，对于这个输入，器件M2的工作模式是什么？b.计算V IN =2.5V时的输出电压。
为简化计算，你可以假设V OUT很小。
在稳态，对于这个输入，器件M2的工作模式是什么？c.假设Pr(LN=0)=0.3，这个电路的静态功耗是多少？8. [M, None, 3.3.3]一个NMOS晶体管用来向一个大电容充电，如图5.6所示：a. 确定这个电路的t pLH，假设输入节点有一个0到2.5V的理想阶跃信号。
b. 假设一个5kΩ的电阻R S用来对电容放电至地，确定t pHL的值。
c. 确定在对电容充电期间从电源得到多少能量。
其中多少能量在M1中被消耗？在放电期间，多少能量在下拉电阻上消耗？当R S减小至1kΩ时又是多少？d. NMOS晶体管用一个PMOS器件代替，k p和原先NMOS的k n相等。
替换后的结构是否比以前快？解释为什么。
图5.6 注明W/L比的电路图12. 考虑图5.9的低摆幅驱动：a. 输出节点（V out）的电压摆幅是多少？假设γ =0。
b. 输入端有一个从0V 到2.5V的翻转，估算（i）来自于电源的能量和（ii）能量损耗。
《集成电路设计(第2版)》习题答案1-5章
CH3
1． 写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法: 液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在 IC 制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制 造方法。P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？ 作用： 把掩膜上的图形转换成晶圆上的器 件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X 射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子
影响，界面势阱的影响 6． 什么是 MOS 器件的体效应？ 由于衬底与源端未连接在一起，而引起的阈值电压的变化叫做体效应。 7． 说明 L、W 对 MOSFET 的速度、功耗、驱动能力的影响。 P70，71 8． MOSFET 按比例收缩后对器件特性有什么影响?
I DS
不变，器件占用面积减少，提高电路集成度，减少功耗
CH1
1． 按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定 律，请说出是什么定律？ 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE 定律 2． 什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。 环境：IC 产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 3． 多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列 到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4． 集成电路设计需要哪四个方面的知识？ 系统，电路，工具，工艺方面的知识
集成电路测试技术题库1-电源模块系列
集成电路测试技术题库-电源模块系列作者：李雷一、 填空题：1、 通常元器件焊接时，耐焊温度为300℃以下，焊接时间不超过10s2、 焊接器件时，烙铁头要保证。
接地良好3、 焊接电路时若温度过高，时间过长，器件的，没有漏电。
结温会随之上升，可能导致器件性能退化4、 焊接器件时，应避免使用酸性或碱性强的或热破坏。
助焊剂，否则会腐蚀引线，影响可靠性5、 焊接器件时，建议采用。
中性助焊剂，同时进行清洗6、 输入纹波电流是指流过DC/DC 变换器输入电流的，除去多余的助焊剂。
交流分量，反映的是DC/DC 变换器对供电电源7、 DC/DC 变换器负载阶跃响应是一种输出的影响。
动态响应，反应的是负载突变引起产品输出电压8、 DC/DC 变换器输出纹波电压是指输出电压的交流分量，反映的是输出电压的质量。
的最大变化量。
9、 DC/DC 变换器是将一直流电压值变换为另一个直流电压值的电路。
10、 DC/DC 变换器的电参数由两大部分组成，分为静态参数和动态参数。
11、 静态参数为DC/DC 变换器工作稳定后的直流参数，动态参数为DC/DC 变换器启动时，或输入电压变化，负载变化时的交流参数12、 DC/DC 变换器输入阶跃响应是指，。
输入电压突变引起产品输出电压的最大变化量13、 DC/DC 变换器的输出电压参数是指：在规定的输入。
电压和输出负载14、 DC/DC 变换器电压调整率参数的定义是：被测器件在规定的条件下，的条件下，器件输出端之间的电压。
输出电流和环境温度保持不变时，由输入电压15、 DC/DC 变换器电流调整率参数的定义是：被测器件在规定条件下，变化引起的输出电压的相对变化量。
输入电压和环境温度保持不变时，由输出电流16、 DC/DC 变换器的效率测试是指：测试DC/DC 变换器的的变化引起的输出电压的相对变化量。
输出功率和输入17、 DC/DC 变换器的绝缘电阻测试是指：测试DC/DC 变换器功率的百分比。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
1
15分）基于运放设计一个宽带滤波器，要求下限截止频率4L f KHz =4=。
．画出电路图；
．选择1C nF =，确定其它阻容参数值。
15分）利用运放和T/U 变换器LM35设计一个摄氏温度测量电路，实现灵敏度为00C 时输出电压0O U V =，0
100C 时输出电压100O U mV =273.15K =-）。
确定电路形式； 确定关键元件参数值。
15分）分析下图信号发生器，说明：
．说明运放LF353所组成的电路类型，计算输出u的信号频率，；
15分）画出琐相环频率合成器的电路框图，并以产生6GHz正弦信号为例选取各分频器的取值。
2
武汉理工大学教务处
试题标准答案及评分标准用纸
课程名称：集成电路及其应用（ A 卷）
一、简答题（每问5分，共10分）
1．线性稳压电路优点：纹波小，缺点：效率低、体积大
开关稳压电路的缺点：纹波大，优点：效率高、体积小-------------------------5分
2．对称双电源、非对称双电源、单电源三种供电形式--------------------------5分
二、分析及设计题（1 5分）
1．U0=(1+RP/R1)X1.25V=1.25~37V，三极管3CD8的作用是扩流------------------------------7分2．电路：
参数：R1+RP =1.25V/(0.1~2)A=0. 625~12.5Ω---------------------------------8分三、（15分）
1．电路-形式------------------------------------7分
2．关键元件参数值----------------------------8分
四、(15分)
1．电路形式-------------------------------------7分
2．关键元件参数值----------------------------8分
五、（1 5分）
3
I的输出电流范围------------------------5分
1．
1o
I的输出电流范围------------------------5分
2．
o
2
3．电路的功能：U/I变换器------------------5分
六、（1 5分）
u的信号频率略---------------------------7分1．运放LF353所组成施密特电路，输出
1o
u的输出幅度略，整个电路实现的功能为负压发生器---------------------8分2．输出
2
o
七、（1 5分）
1．琐相环频率合成器的电路框图----------------------8分
2．分频器的取值-------------------------------------------7分
4。