模拟电路第四、五章复习题
模电综合复习题
模电综合复习题中国石油大学现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件dfadasfds 一、选择sdasdasda[ A ]asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN型硅管PNP型硅管NPN型锗管2V 6V PNP型锗管1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]asdasdasdas A.饱和 B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ] =2mA 2mA D.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ] A.放大特性 B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ] A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM 8、温度升高时，三极管的β值将[ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]中国石油大学现代远程教育A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。
已量出I1=-，I2=-，I3=。
此可知：1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模拟电路第四章习题解答
用 SPICE 分析： （1） 求电路的静态工作点； （2） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 10 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
输出电压 vo1 和 vo2 的波形，并绘出 vo vo1 vo2 的波形； （3） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 100 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
vo
而同相输入端的电位为：
u
R2 R1 R2
v1
因为“虚短”，即 u u ，所以
R2 R1 R2
v2
R1 R1 R2
vo
R2 R1 R2
v1 ，整理可求得差分放大器的输入输出关系为
vo
R2 R1
(v1
v2 )
。
题目中，电路增益为-10，因此 R2 10 。 R1
设：IIB 为运放输入偏置电流，IB1，IB2 分别是运放两个输入端的输入偏置电 流，IOs 为输入失调电流。有
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
+ U1
R5 1KΩ
R2 10KΩ R3 1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
图 P4.8 解：U1 组成积分电路，U2 组成比例放大电路。
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
-
U1
+
R5 1KΩ
vo1
R2
10KΩ
R3
1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
+
M4 Vo1 vo1
-
VEE
这是一个带有密勒补偿的两级运算放大器。放大器采用 PMOS 管输入。 a、低频电压增益；
大学模拟电子技术基础练习题第五章 放大电子技术基础的频率响应
第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 。
A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，o U 与iU 的相位关系是 。
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。
已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, 0＝80。
试求解：（1）中频电压放大倍数smu A ； （2）'C ；（3）f H 和f L ；（4）画出波特图。
图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQR g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u（2）估算'C ：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0TC R g C C C f r C C C r f（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20smu A 频率特性曲线如解图T5.2所示。
模拟电子复习题
模拟电路复习题 第一章一：填空题1.半导体三极管处在饱和状态时，e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为PN 结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN 结加正偏导通，加反偏截止，称为PN 结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其I E ＝2.04mA ，忽略穿透电流，则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时，应该是P 区的电位比N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的，其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管，知I B =0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则I E =_________mA 。
9.图示电路中，二极管导通时压降为0.7V ，若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时，应该是N 区的电位比P 区的电位__________11.某放大状态的晶体三极管，当I B =20μA 时，I C =1mA ，当I B =60μA 时，I C =3mA 。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路，二极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为_________伏。
二：选择题1．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将（ ） A ．变宽B ．变窄C ．不变D ．不能确定2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（ ）A ．-10VB ．-6VC ．-4VD ．0V3．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（ ） A ．U BE <0,U BC <0 B ．U BE >0,U BC >0 C ．U BE >0,U BC <0 D ．U BE <0,U BC >04．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U 1=2.3V ，②脚电位U 2=3V ，③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ ） A ．Ge 管①为e B ．Si 管③为e C ．Si 管①为eD ．Si 管②为e5、在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体是（ ） A ）带正电 B ）带负电 C ）不带电 D ）不能确定6、如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ）A ）放大状态B ）截止状态C ）饱和状态D ）不能确定7.加在二极管上的正向电压从0.65V 增大10%，流过的电流增大量为（ ） A ）大于10% B ）小于10% C ）等于10% D ）不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流 9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5Ｖ,U 3=12Ｖ,则( )A.该管为硅管B.1为基极，2为发射极，3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极，2为基极，3为发射极10.理想二极管构成的电路如题2图，该图是( )A.V截止U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截止U=+12VD.V导通U11．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（）A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．无法确定伏态12. 对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )。
模拟电子书后习题答案第5章(1)
VCC U CES 1 2 Pom ( )2 2.25W RL 2
2. 晶体管必须满足的条件 最大集电极电流
I CM
反向击穿电压
VCC 12 0.75A 2 RL 16
U BR(CBO) VCC 12V
最大管耗
PTM 0.2P【5-2】电路如图 5.12.1 所示 U 1．写出 Au o 及 Ri，Ro 的表达式，设 β1、β2、rbe1、rbe2 及电路中各电阻均为已知。 Ui 2．设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的 Q 点不合 适，问第一级产生了什么失真？如何消除？若原因是第二级 Q 点不合适，问第二级产生了 什么失真？又如何消除？ 解： 1． Au
Au Au1 Au 2 ＝ －460.8
【5-7】在图 5.12.6 功放电路中，已知 VCC=12V，RL=8Ω。ui 为正弦电压，求： 1．在 UCES=0 的情况下，负载上可能得到的最大输出功率； 2．每个管子的管耗 PCM 至少应为多少？ 3．每个管子的耐压 U (BR)CEO 至少应为多少？ 解： 1. POmax=VCC2/2RL=9W； 2. PCM≥0.2Pomax=1.8W，| U＜BR＞CEO |≥2VCC=24V。 【5-8】电路如图 5.12.7 所示，已知 VT1，VT2 的饱和压降为 2V，A 为理想运算放大器且输 出电压幅度足够大，且能提供足够的驱动电流。ui 为正弦输入电压。 1．计算负载上所能得到的最大不失真功率； 2．求输出最大时输入电压幅度值 Uim； 3．说明二极管 VD1，VD2 在电路中的作用。
2.
在不考虑共模输出的条件下，第一级差分电路单端输入，双端输出。定义 U O1 的
参考方向 C1 端为 + 。
模电试题及答案
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术课程习题-第五章--放大电路的频率响应
模拟电⼦技术课程习题-第五章--放⼤电路的频率响应第五章放⼤电路的频率响应5.1具有相同参数的两级放⼤电路在组成它的各个单管的截⽌频率处,幅值下降[ ]A. 3dBB. 6dBC. 10dBD. 20dB5.2在出现频率失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 [ ] A. 正弦波 B. 三⾓波 C. 矩形波 D. ⽅波5.3 多级放⼤电路放⼤倍数的波特图是 [ ] A. 各级波特图的叠加 B. 各级波特图的乘积C. 各级波特图中通频带最窄者D. 各级波特图中通频带最宽者 5.4 当输⼊信号频率为f L 或f H 时，放⼤倍数的幅值约为中频时的 [ ]倍。
A.0.7 B.0.5 C.0.9D.0.15.5 在阻容耦合放⼤器中，下列哪种⽅法能够降低放⼤器的下限频率？[ ]A ．增⼤耦合电容B ．减⼩耦合电容C ．选⽤极间电容⼩的晶体管D ．选⽤极间电容⼤的晶体管 5.6 当我们将两个带宽均为BW 的放⼤器级联后，级联放⼤器的带宽 [ ] A ⼩于BW B 等于BW C ⼤于BW D 不能确定 5.7 填空：已知某放⼤电路电压放⼤倍数的频率特性为6100010(1)(1)1010u fjA f f j j =++ （式中f 单位：Hz ）表明其下限频率为，上限频率为，中频电压增益为 dB ，输出电压与输⼊电压在中频段的相位差为。
5.8 选择正确的答案填空。
幅度失真和相位失真统称为失真(a.交越b.频率)，它属于失真(a.线性b.⾮线性)，在出现这类失真时，若u i为正弦波，则u o为波(a.正弦b.⾮正弦)，若u i为⾮正弦波，则u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。
饱和失真、截⽌失真、交越失真都属于失真(a.线性b.⾮线性)，在出现这类失真时，若u i为⾮正弦波，则u o为波(a.正弦b.⾮正弦)，u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。
5.9 选择正确的答案填空。
晶体管主要频率参数之间的关系是。
模拟电子技术复习题
（ 2） 若 测 得 U i 和 U o 的 有 效 值 分 别 为 1 mV 和 100 mV， 则 负 载 电 阻 R L 为 多 少 千 欧 ？
2. 下图所示电路中，已知晶体管的β=100，UBEQ=0.6V，rbb＇=100Ω，Vcc=10V。 （1） 求静态工作点； （2） 画中频微变等效电路图； （3） 求 Au 和 Aus；
(2)晶体管的 rbe 为 rbe= rbb + (1 + 放大电路的电压放大倍数为
)
I2E（6（Q mmVA））
300
+
61
26 1.32
1502W
Au
Ui
Ic (RC // RL ) I b rbe
RL rbe
60
放大电路的输入电阻和输出电阻为
Ri= Rb1// Rb2// rbe =1.36 kW Ro Rc =3 kW
3. 电 路 如 图 所 示 ， 晶 体 管 的 ＝ 80， rbe=1kΩ 。 （1）求 出 Q 点； （ 2） 分 别 求 出 R L＝ ∞ 和 R L＝ 3kΩ 时 电 路 的 Au 和 R i； （3）求出 Ro。
4. 电路如图所示，设ＶCC＝１５Ｖ，Ｒb1＝6０ｋΩ，Ｒb2＝２0ＫΩ，ＲC＝3ｋΩ，Ｒe＝2ｋΩ, ＲS＝600Ω,电容 C1,C2 和 C3 都足够大，β=60，UBE=0.7V,RL=3KΩ。试计算：
I BQ
I CQ
20μA
Rb
VCC U BEQ I BQ
565kW
（ 2） 求 解 RL：
A u
Uo Ui
100
Au
RL'
《模拟电子技术》复习题综合(第5章)
《模拟电子技术》复习题综合（第5章）一、填空题1.集成运算放大器工作在线性区时，两输入端的电位可以近似为U+U-。
2.理想运算放大器的“虚短”和“虚断”的概念，就是流进运放的电流为，两个输入端的电压为，为保证运放工作在线性状态，必须引入反馈。
3.为了工作在线性工作区，应使集成运放电路处于状态；为了工作在非线性区，应使集成运放电路处于状态。
4.输入电阻很大的运算电路是比例运算放大器，电路中引入的是负反馈。
5.电压比较器中的集成运放通常工作在区，电路工作在状态或引入反馈。
6.在模拟运算电路时，集成运算放大器工作在区，而在比较器电路中，集成运算放大器工作在区。
7.过零比较器可将正弦波变为波，积分器可将方波变为波。
二、选择题1.为了工作在线性工作区，应使集成运放电路处于状态；为了工作在非线性区，应使集成运放电路处于状态。
A.正反馈B.负反馈C.正反馈或无反馈D.负反馈或无反馈2.关于理想集成运放的输入电阻和输出电阻论述正确的是。
A.输入电阻为∞，输出电阻为0B.输入电阻为0，输出电阻为∞C.输入电阻和输出电阻均为∞D.输入电阻和输出电阻均为03.右图所示电路的反馈类型和极性是。
A.电压串联负反馈B.电压串联正反馈C.电压并联负反馈D.电压并联正反馈4.右图所示电路的电压放大倍数为。
A.RRA Fuf-= B.RRA Fuf= C.RRA Fuf+=1 D.RRA Fuf-=17.为了从信号中提取高频部分，应选用。
A.低通滤波器B.带通滤波器C.高通滤波器D.带阻滤波器8.为防止50Hz电网电压干扰混入信号之中，应选用。
A.低通滤波器B.带通滤波器C.高通滤波器D.带阻滤波器9.为获取信号中的直流成分，应选用。
A.低通滤波器B.带通滤波器C.高通滤波器D.带阻滤波器三、判断题：1.在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（）2.运算电路中一般均引入负反馈。
（）3.电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。
模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第4章集成运算放大电路题解（童诗白）（精）
第四章集成运算放大电路（童诗白）自测题一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。
( )（2）运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。
( )（3）运放的共模抑制比KCMR Ad ( ) Ac（4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( )（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( ) 解：（1）×（2）√（3）√ （4）√ （5）×第四章题解－1三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的UBE均为0.7V，求IC2的值。
图T4.3解：分析估算如下：IVCC-UBE2-UBE1R=R=100μA IC0=IC1=ICIE2=IE1IICR=IC0+IB2=IC0+IB1=IC+βIC=β1+β⋅IR≈IR=100μA四、电路如图T4.4所示。
图T4.4第四章题解－2 试（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻……）。
解：（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
复旦微电子-模拟电路-第4章习题答案
第4章习题解答1. 在图4-9(a)所示的基本电流镜电路中，已知场效应管的参数12n n OX W K C Lμ=和V TH ，电源电压V DD 以及电阻R 的值，试求参考电流I ref 的表达式。
解：图4-9(a)电路如下：VI O221()2D n OX GS TH WI C V V L μ=-DD GS D V V I R-=ref D I I =解以上方程即可求得I ref ，注意在两个解中取使场效应管工作在饱和区的解。
2. 若在图4-9(a)所示的基本电流镜电路中，要求I O ＝1mA 。
已知场效应管T 1的沟道宽长比是T 2的5倍，两管的V TH ＝0.75V ，电源电压V DD ＝5V ，T 1的212/n K mA V =。
试求电阻R 的值。
解：211()DD GSD n GS TH V V I k V V R-=-=222()1D n GS TH I k V V mA =-=125D D I I = 解以上方程即可求得R 的值，注意在两个解中取使场效应管工作在饱和区的解。
3. 试证明图4-14(b)电路中，电流源的输出电阻为44(1)O ce R r β≈+。
证明：在图4-14(b)电路中，为求电路的输出电阻，可以将电路进行交流等效然后用电路分析的方法求。
解，但这样求解比较烦琐，可以通过分析电路的结构用简化的分析方法求解。
VI refO分析电路的结构得知，T 2管的集电极与发射极间的输出电阻为2ce r ，这样求解电路的输出电阻可以近似为T 4发射极接电阻的共发射极放大器的输出电阻的求解，这样图4-14(b)电路的简化交流等效电路如下：R则：'442'431'2'4'42'431'2'431'2(){//[//(//)]}{//[//(//)]}//(//)o o m b e ce o ce b e e e b e b e b e o ce b e e e b e b e e e b e v i g v r i r r R r r r r v i r r R r r r r R r r r =-+++=-++++ 在 2'431'2//(//)ce b e e e b e r r R r r r ++ 且忽略2'431'2{//[//(//)]}o ce b e e e b e i r r R r r r ++情况下，可求得：44(1)oo ce ov r r i β=≈+ 4. 若已知下图中R 1＝600Ω，R 2＝200Ω，I ref ＝0.5mA ，试求I O的值，并讨论由此结果可以得出I O 与I ref 之间有什么近似关系？在什么条件下此近似关系成立？I O2解：这是比例电流镜。
模拟电路复习(1、2、3、4、5、6、8章)康华光
（3）输出电阻Ro
Ro→0
2.3.2 反相放大电路
2. 几项技术指标的近似计算 （1）电压增益Av
根据虚短和虚断的概念有
vn≈ vp＝ 0 ， ii＝0 所以 i1＝i2
即
v i vn vn vo R1 R2 vo R2 Av （可作为公式直接使用） vi R1
（a）V-I特性 （b）电路模型
（a）V-I特性 （b）电路模型
3.5 特殊二极管
3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件
4.1 BJT
4.1.1 BJT的结构简介
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数
2.3.2 反相放大电路
2. 几项技术指标的近似计算 （2）输入电阻Ri
vi vi Ri R1 ii vi / R1
（3）输出电阻Ro Ro→0
2.4.1 求差电路
从结构上看， 它是反相 输入和同相输入相结合的放 大电路。 根据虚短、虚断和n 、 p 点的KCL得：
vn vp vi1 v n v n vo R1 R4 vi2 v p v p 0 R2 R3
vi1 - vn vi2 - vn vn - vo R1 R2 R3
R3 R3 - vo vi 1 vi 2 R1 R2
若 R1 R2 R3 则有 - vo vi1 vi 2
（该电路也称为加法电路）
3.1 半导体的基本知识
3.2 PN结的形成及特性
3.3 二极管
电子技术基础-模拟电路 (康华光)第五章习题
电子技术基础-模拟电路 （康华光）第五章习题.doc P220—222 5.5.1：在输入正弦信号的一个周期中，通过三极管的集电极电流C i 不出现截止状态（即导通角=θπ2）的称为“甲类”；在输入正弦信号的一个周期中，三极管只有半个周期导通（=θπ）的称为“乙类”；在输入正弦信号的一个周期中，三极管的导通时间大于半周而小于全周（πθπ2 ）的称为“甲乙类”。
其中，工作于“乙类”放大电路的效率最高，在双电源互补对称电路中，理想情况下的最高效率为78.5%。
5.2.2：解：该电路属于“双电源乙类互补对称放大电路（OCL ）”。
（1）输出功率：CC om L V P .W R ==2452（2）每管允许的功耗：CM om P .P .W ≥=0209（3）每管的耐压：(BR )CEO CC V V V ≥=2245.2.4：解：（1）Vi=10 V 时。
im i v om v im V V A V A V V ===∴==14114输出功率：om cem o L L V V P .W R R ===⨯=22211412252228每管的管耗；CC om om T T L V V V P P ().W R π==-≈21215024两管的管耗：T T T P =P P =.W =12221004电源的供给功率：V o T P P P =12.25+10.04=22.29W =+效率：oVP =%.%P η⨯≈1005496（2）Vim=Vcc=20V 时。
v om v im A V A V V=∴==120输出功率：om CC o om cem L L V V P WV V R R ===⨯==222120252228每管的管耗；CC om om CC CC T T L L V V V V V P P ()().W R R ππ==-=-≈222121134344两管的管耗：T T T P =P P .W =≈1222685电源的供给功率：V o T P P P =25+6.85=31.85W =+效率：oVP =%.%P η⨯≈100785 5.3.1：解：由CC AB CC om L L LCC V V V P ,R R R V V===≥2222222824（）（）（）（OTL）5.3.3：解：（1）静态时，电容C 2两端电压应为：C CC V V V ==2162，调整R 1、R 3可满族这一要求。
（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案
（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案《模电》第⼀章重点掌握内容：⼀、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产⽣本征激发，形成电⼦和空⽳，电⼦带负电，空⽳带正电。
它们在外电场作⽤下均能移动⽽形成电流，所以称载流⼦。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺⼊三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，空⽳为多数载流⼦（称多⼦）⽽电⼦为少⼦。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺⼊五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，电⼦为多⼦、⽽空⽳为少⼦。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截⽌。
所以正向电流主要由多⼦的扩散运动形成的，⽽反向电流主要由少⼦的漂移运动形成的。
8、⼆极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、⼆极管由⼀个PN结组成，所以⼆极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈⼩电阻，⼤电流，反偏时截⽌，呈⼤电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是⼯作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的⼆极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截⽌，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满⾜U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、⼆极管主要⽤途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
⼆、应⽤举例：（判⼆极管是导通或截⽌、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第⼆章再判）参考答案：a、因阳极电位⽐阴极⾼，即⼆极管正偏导通。
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模拟电路第四（场效应管放大电路）、五章（功率放大电路）复习题（1-3）
一、判断题
1、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻。
[ ]
2、功率放大电路与电压放大电路的最大区别是功率放大电路的输出功率比较大而且效率比
较高[ ]
3、场效应管的突出优点是具有特别高的输入电阻。
[ ]
4、功率放大器，在激励信号不变的情况下，集电极负载越大输出功率越大。
[ ] 6、某一晶体管收音机，输出级采用单管甲类功率放大电路。
在理想情况下，其效率最大可
达75% [ ]
二、选择题
1、甲类功率放大器，管子极限运用时，理想情况下，其效率最大为______。
（Ａ）７０％（Ｂ）２５％（Ｃ）５０％（Ｄ）４０％
2、功率放大器考虑的主要问题是如何减小______及提高放大电路的______。
(Ａ)非线性失真 (Ｂ)零点漂移 (Ｃ)稳定工作点 (Ｄ)效率 (Ｅ)输出电压
3、功率放大器中一般使三极管在_____状态下工作。
(Ａ)小信号 (Ｂ)大信号 (Ｃ)饱和 (Ｄ)截止
4、对于串联负反馈放大电路，为使反馈作用强，应使信号源内阻______；对于并联负反馈放大电路，为使反馈作用强，应使信号源内阻______。
(Ａ) 尽可能小， (Ｂ) 尽可能大， (Ｃ) 与输入电阻接近。
(D)不能确定
三、填空题
1、在场效应晶体管中参与导电的载流子有_________, 它们的导电方式为_________。
2、Ｎ沟道ＪＦＥＴ组成放大电路时,必须保证ＰＮ结______偏置。
3、场效应三极管是______控制元件, 而双极型三极管是________控制元件。
四、分析及设计题
五、计算题
1。