基于SiC-MOSFET的温度检测电路及电子设备[发明专利]

专利名称：基于SiC-MOSFET的温度检测电路及电子设备专利类型：发明专利
发明人：郝炳贤,王云,郑鲲鲲,王飞,薛静,杨娜,任广辉,严文瑞,马玫娟
申请号：CN202010920554.9
申请日：20200904
公开号：CN112050959A
公开日：
20201208
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种基于SiC‑MOSFET的温度检测电路及电子设备，在对待测器件进行温度检测的基础上，通过SiC‑MOSFET温度感应模块将检测电流转换为温度检测电压，进而能够减小温度检测电路对电流的依赖特性而提高检测精度。

并且迟滞比较模块通过对上限电压和下限电压两个门限电压与温度检测电压进行比较，以通过上限电压和下限电压等效产生一个温度迟滞空间，避免出现温度检测电路频繁交替输出高温报警信号和解除高温报警信号的情况。

申请人：中国科学院微电子研究所,广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆宗力
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