中子照相多路准直器优化设计与应用
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MC模 拟研究 。
1 原 理 与 优 化 设 计
1 . 1 基本 原 理
器使 中子 图像 畸 变模 糊 , 这 样 将使 得 利用 中子 图像 的灰 度信 息 进行 定 量 分 析 变得 困难 , 故需 寻求 一种 有效 的散 射 中子 消 除 方 式 。通 常 . 热 中子照 相 散射 中子 消 除 方 法 主要 有 : ( 1 ) 增
的材料 及 结构 进 行 了 优化 设 计 . 利 用 所设 计 的
到达探测器 , 而散射中子 的方 向与人射 中子的 方 向不同 , 这样散射中子将入射到准直器的强 中子 吸收材 料涂层 上从 而 被 吸收 _ 9 J 。
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收 稿 日期 : 2 0 1 6一l 0— 2 6
同时会 造成 图 像 的 几 何 不 锐 度 增 大 【 2 ; ( 2 )
散射校正数值算法。该方法需要一系列的先验
信息 , 而且需 要在样 品探测器 距离大 于 2 c m 时, 才会取得较好的校正效果 ; ( 3 ) 加入多
路 准直 器法 。该方 法 能够有 效地 克服 前两 种方 法 的缺 点 , 利用 准 直器 能 在 较 小 的样 品探测 器 距 离下 获得 较好地 消 除散射 中子 的效 果 。 本工作 利 用蒙特 卡 罗 ( MC) 程 序 对 准 直 器
际在 涂层 中穿 透 的 距 离 是 大 于 2 5/ x m 的 。 故
选用 2 5 p , m的 G d作 为 中子 吸收 涂层 完ห้องสมุดไป่ตู้全 可 以 到达 散射 中子 吸收 效果 。
图 3 模拟所使用 的入射中子能谱
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I 1 e8 Z
图 4 准直器长度 与散 射中子强度关 系
图1 多路准直器 消除散射 中子原理示意图
基 金项 目: 核技术应用 教育部 工程 研究 中心 开放基
金( H J S J Y B 2 0 1 5—1 ) 资助 。
作 者简介 : 杜洋 ( 1 9 9 1 一) , 男. 四川 阆中人 , 在读硕 i
生, 攻 读 方 向为 MC方 法 及 其 中 子照 相 。
大样 品 与探测 器距离 法 。该 方 法在 消 除散射 的
多路 准直 器消 除散 射 中子 的原理 如 图 1 所 示, 一 般 多路 准 直 器都 是 以散 射 截 面较 小 的材 料( 如: 铝) 作 为 网格 骨 架 , 在 骨 架 上 用 强 中子 吸 收 材料 作 为涂 层 , 多路 准 直 器 的通 道 与 中子 入 射 方 向平 行 , 以保证 透 射 中子 能够 穿 透 网格
材料 、 长度进行了优化设计 , 利用该准直器对不 同厚度的水层样 品在不 同样 品探测器距 离下进行 了 中子
照相的 M C 模拟计算 。计算结 果表 明选用 2 5 t x m的 G d 作 为准直器 的中子 吸收涂层 , 准直器 长度 为 1 c m
时可消除 9 8 % 的散 射中子 , 使用 该准直器可以有效提高中子照相定量分析的精度。 关键词 : 中子照相 ; 多路准直器 ; 定量分析 ; 散射 中子 ; 蒙 特卡罗 中图分类号 : T L 9 9 文献标 志码 : A 文章编号 : 0 2 5 8 - 0 9 3 4 ( 2 0 1 6 ) 1 0 — 1 0 0 8 - 0 4
除的_ 1 ¨ 。而随着数字成像技术 的引入使得 准 直器影像可 以有效的消除且不影响定量分析结 果 。首先 在不 放 人 样 品 只加 入 准 直 器 时 , 设探
数字 成像 技术 的引人 使 得 中子 照相成 为一 种备受 青 睐的定量 分析 技术 。若 检 测样 品 中含
有 中子 散 射 截 面 较 大 的物 质 ( 如: 水、 聚 乙烯 等) 时, 那 么 将 会 有 大 量 的散 射 中子 达 到探 测
准 直 器对含 水样 品 的散射 中子 消 除情况 进行 了
1 0 0 8
1 . 2 材料选 择及 厚度 确定
采用 MC N P 5对几 种 常见 的热 中子 吸 收 材 料G d 、 加 B以及 C d进行 了模 拟 计 算 , 计 算 的 人
射 中子能 量为 0 . 0 2 5 e V。其计 算结 果 如 图 2所
示, 由 图 2可 以看 出 , G d的 热 中子 吸 收 能力 明 显强 于 旧 B以及 C d 。而 且 可 以看 出 当 G d的厚
度为 2 5 I x m时 , 热 中子 的透 射 率 的变 化 已经趋
于平 缓 。当 G d厚 度 为 2 5 I . z m时 , 热 中子 透 射
率为 3 . 1 %, 而当 G ( i 厚度增加大到 3 0 m时 , 中子透射 率 为 1 . 6 %。可 见 当 G d厚 度为 2 5 l a , m时 , 继续增大 G c I 的厚度 已经不能明显减少 热 中子 。并且 由图 l 可 以看 出在 多路准 直 器实 际应用中由于散射中子并不是垂直入射到涂层 表面, 而是 有一定 的入射 角 度 , 所 以散 射 中子 实
中 子 照 相 多 路 准 直 器 优 化 设 计 与 应 用
杜洋, 张雄杰 , 汤彬 , 王仁 波 , 瞿 金辉
( 东华理 工大学核技术应用教育部工程研究 中心 , 南昌 3 3 0 0 1 3 )
摘要 : 设计 了一种多路准直器 用于消除中子照相 中的散射中子 , 利用 MC N P 5对准 直器 的中子 吸收
第3 6卷
2 0 1 6年
第1 0期
1 O月
核 电子 学与探 测 技术
Nuc l e a r El e c t r o n i c s& De t e c t i o n Te c h n o l o g y
V0 1 . 3 6 N o . 1 0 0c t . 2 0 1 6
1 原 理 与 优 化 设 计
1 . 1 基本 原 理
器使 中子 图像 畸 变模 糊 , 这 样 将使 得 利用 中子 图像 的灰 度信 息 进行 定 量 分 析 变得 困难 , 故需 寻求 一种 有效 的散 射 中子 消 除 方 式 。通 常 . 热 中子照 相 散射 中子 消 除 方 法 主要 有 : ( 1 ) 增
的材料 及 结构 进 行 了 优化 设 计 . 利 用 所设 计 的
到达探测器 , 而散射中子 的方 向与人射 中子的 方 向不同 , 这样散射中子将入射到准直器的强 中子 吸收材 料涂层 上从 而 被 吸收 _ 9 J 。
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同时会 造成 图 像 的 几 何 不 锐 度 增 大 【 2 ; ( 2 )
散射校正数值算法。该方法需要一系列的先验
信息 , 而且需 要在样 品探测器 距离大 于 2 c m 时, 才会取得较好的校正效果 ; ( 3 ) 加入多
路 准直 器法 。该方 法 能够有 效地 克服 前两 种方 法 的缺 点 , 利用 准 直器 能 在 较 小 的样 品探测 器 距 离下 获得 较好地 消 除散射 中子 的效 果 。 本工作 利 用蒙特 卡 罗 ( MC) 程 序 对 准 直 器
际在 涂层 中穿 透 的 距 离 是 大 于 2 5/ x m 的 。 故
选用 2 5 p , m的 G d作 为 中子 吸收 涂层 完ห้องสมุดไป่ตู้全 可 以 到达 散射 中子 吸收 效果 。
图 3 模拟所使用 的入射中子能谱
扫~ 誓 譬c ~
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图 4 准直器长度 与散 射中子强度关 系
图1 多路准直器 消除散射 中子原理示意图
基 金项 目: 核技术应用 教育部 工程 研究 中心 开放基
金( H J S J Y B 2 0 1 5—1 ) 资助 。
作 者简介 : 杜洋 ( 1 9 9 1 一) , 男. 四川 阆中人 , 在读硕 i
生, 攻 读 方 向为 MC方 法 及 其 中 子照 相 。
大样 品 与探测 器距离 法 。该 方 法在 消 除散射 的
多路 准直 器消 除散 射 中子 的原理 如 图 1 所 示, 一 般 多路 准 直 器都 是 以散 射 截 面较 小 的材 料( 如: 铝) 作 为 网格 骨 架 , 在 骨 架 上 用 强 中子 吸 收 材料 作 为涂 层 , 多路 准 直 器 的通 道 与 中子 入 射 方 向平 行 , 以保证 透 射 中子 能够 穿 透 网格
材料 、 长度进行了优化设计 , 利用该准直器对不 同厚度的水层样 品在不 同样 品探测器距 离下进行 了 中子
照相的 M C 模拟计算 。计算结 果表 明选用 2 5 t x m的 G d 作 为准直器 的中子 吸收涂层 , 准直器 长度 为 1 c m
时可消除 9 8 % 的散 射中子 , 使用 该准直器可以有效提高中子照相定量分析的精度。 关键词 : 中子照相 ; 多路准直器 ; 定量分析 ; 散射 中子 ; 蒙 特卡罗 中图分类号 : T L 9 9 文献标 志码 : A 文章编号 : 0 2 5 8 - 0 9 3 4 ( 2 0 1 6 ) 1 0 — 1 0 0 8 - 0 4
除的_ 1 ¨ 。而随着数字成像技术 的引入使得 准 直器影像可 以有效的消除且不影响定量分析结 果 。首先 在不 放 人 样 品 只加 入 准 直 器 时 , 设探
数字 成像 技术 的引人 使 得 中子 照相成 为一 种备受 青 睐的定量 分析 技术 。若 检 测样 品 中含
有 中子 散 射 截 面 较 大 的物 质 ( 如: 水、 聚 乙烯 等) 时, 那 么 将 会 有 大 量 的散 射 中子 达 到探 测
准 直 器对含 水样 品 的散射 中子 消 除情况 进行 了
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1 . 2 材料选 择及 厚度 确定
采用 MC N P 5对几 种 常见 的热 中子 吸 收 材 料G d 、 加 B以及 C d进行 了模 拟 计 算 , 计 算 的 人
射 中子能 量为 0 . 0 2 5 e V。其计 算结 果 如 图 2所
示, 由 图 2可 以看 出 , G d的 热 中子 吸 收 能力 明 显强 于 旧 B以及 C d 。而 且 可 以看 出 当 G d的厚
度为 2 5 I x m时 , 热 中子 的透 射 率 的变 化 已经趋
于平 缓 。当 G d厚 度 为 2 5 I . z m时 , 热 中子 透 射
率为 3 . 1 %, 而当 G ( i 厚度增加大到 3 0 m时 , 中子透射 率 为 1 . 6 %。可 见 当 G d厚 度为 2 5 l a , m时 , 继续增大 G c I 的厚度 已经不能明显减少 热 中子 。并且 由图 l 可 以看 出在 多路准 直 器实 际应用中由于散射中子并不是垂直入射到涂层 表面, 而是 有一定 的入射 角 度 , 所 以散 射 中子 实
中 子 照 相 多 路 准 直 器 优 化 设 计 与 应 用
杜洋, 张雄杰 , 汤彬 , 王仁 波 , 瞿 金辉
( 东华理 工大学核技术应用教育部工程研究 中心 , 南昌 3 3 0 0 1 3 )
摘要 : 设计 了一种多路准直器 用于消除中子照相 中的散射中子 , 利用 MC N P 5对准 直器 的中子 吸收
第3 6卷
2 0 1 6年
第1 0期
1 O月
核 电子 学与探 测 技术
Nuc l e a r El e c t r o n i c s& De t e c t i o n Te c h n o l o g y
V0 1 . 3 6 N o . 1 0 0c t . 2 0 1 6