单结晶体管原理(UJT-基极二极管)

单结晶体管原理(UJT-基极二极管)
单结晶体管原理(UJT-基极二极管)单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN 结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为
条状的高阻N 型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1 和b2。

在硅片中间略偏b2 一侧用合金法制作一个P 区作为发射极e。

其结构、符号和等效电呼如图1 所示。

图1、单结晶体管
一、单结晶体管的特性从图1 可以看出，两基极b1 与b2 之间的电阻称为基极电阻：rbb=rb1+rb2 式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie 而变化，rb2 为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie 无关；发射结是PN 结，与二极管等效。

若在两面三刀基极b2、b1 间加上正电压Vbb，则A 点电压为：VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85 之间，如果发射极电压VE 由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2
图2、单结晶体管的伏安特性
（1）当Ve＜ηVbb 时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。

（2）当Ve≥ηVbb+VD VD 为二极管正向压降（约为0.7 伏），PN 结正向导通，Ie 显著增加，rb1 阻值迅速减小，Ve 相应下降，这种电压随
电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。

管子由截止区进入负阻区的临界P
称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp 和峰点电流
Ip 和峰点电流Ip。

Ip 是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb（3）随着发射极电流ie 不断上升，Ve 不断下降，降到V 点后，。