一种低温下生长GaAs纳米线的方法[发明专利]

专利名称：一种低温下生长GaAs纳米线的方法专利类型：发明专利
发明人：张曙光,林早阳
申请号：CN201811531046.0
申请日：20181214
公开号：CN109801835A
公开日：
20190524
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种低温下生长GaAs纳米线的方法，包括以下步骤：(1)衬底以及晶向选取；
(2)对衬底表面进行清洗，除掉自然氧化层；(3)对衬底进行退火处理，除去残留在硅表面的水合物以及有机物；(4)GaAs纳米线的制备：采用分子束外延生长工艺，利用交替生长法在处理后的衬底上生长GaAs纳米线。

本发明具有生长工艺简单，制备成本低，可以在低温下生长出密度高，形貌好的GaAs 纳米线的优点。

同时本发明制备的GaAs纳米线晶体质量好，比表面积大，没有引入异质元素杂质，具有较高的发光效率和光吸收率。

申请人：华南理工大学
地址：510640 广东省广州市天河区五山路381号
国籍：CN
代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司
代理人：王东东
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