第01章_光辐射探测的理论基础
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A 辐射照度
B 辐射强度
C 辐射出度
D 辐射亮度
6.光谱辐射量
氘灯的光谱能量分布图
辐射源 -- 多波长的辐射
6.光谱辐射量
荧光灯的光谱能量分布图
辐射源 -- 多波长的辐射
6.光谱辐射量
光谱辐射量是该辐射量在波长λ处的单位波长间隔
内的大小,又叫辐射量的光谱密度,是辐射量随波 长的变化率。
光谱辐射通量Φe(λ):
1.原子能级与晶体能带
1.2 半导体的基础知识
N个原子
……
电子能 量
自由电子 最外层电子
导带 Ec
禁 带 Eg
禁带
价带 Ev
a)单个原子
b)N个原子
电子共有化,能级扩展为能带
1.原子能级与晶体能带
1.2.1 能带理论
电子能量
…N个…原子
导带 Ec
禁 带 Eg
价带 Ev
禁带
导带Ec 禁带Eg
1.原子能级与晶体能带
1.2.1 能带理论
…N个…原子
电子能量
导带 Ec
禁 带 Eg
价带 Ev
禁带
导带Ec 禁带Eg
(a)
(b)
价带Ev
为什么只考虑导带与价带之间的禁带?
电磁波谱与 原子内部电子运动
(a)
Ec
禁 带 Eg
价带 Ev
禁带
(b)
绝缘体、半导体、金属的能带图
1.2 半导体的基础知识
1.2.1 能带理论 1.2.2 热平衡状态下的载流子 1.2.3 半导体对光的吸收 1.2.4 非平衡状态下的载流子 1.2.4 载流子的扩散与漂移
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College Of Optoelectric Science and Engineering
1.2.1 能带理论
或视见函数
最大值在555 nm 表1-1
1.光谱光视效率或视见函数 2.光度量的基本物理量
光度量的基本物理量与辐射度量一一对应
辐射度量 符号
辐[射]能
Qe
辐[射]通量
或
Φe
辐[射]功率
辐[射]照度 Ee
辐[射]出度 Me
单位名称 焦耳 (J)
瓦 (W)
瓦/平方米 (W·m-2) 瓦/平方米 (W·m-2)
包括N型半导体 和 P型半导体
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2.半导体能带
以硅晶体为例
共价键
电子—空穴对 --载流子
--本征激发
1.2.1能带理论
室温或光照射
2.半导体能带
室温或光照射
1.2.1能带理论
Ec
导带
Eg
3.辐射强度 Ie(,)
在给定方向上的立体角元内,辐射源发出的辐射 通量与立体角元之比
Ie,
dΦe dΩ
单位:W/sr(瓦/球面度)
辐射强度反映了辐射源 能量分布的什么特点?
3.辐射强度 Ie(,)
辐射源多为各向异性的,即Ie随 (,) 方向而改变
超高压球形氙灯辐射强度分布
3.辐射度量与光度量间的换算关系
λ=555 nm时 1W 683lm
λ=? nm时 1W V683lm
任意波长:
Φ v() 6 8 3 V ()Φ e()
--其光度量
3.辐射度量与光度量间的换算关系
Iv
1c
d1lm 1 W/s sr 683
r
光度量
辐射度量
Φ v() 6 8 3 V ()Φ e()
光谱辐射通量与波长的关系:
1.1. 2 辐射度量
1.辐射能Qe 2.辐射通量Φe 3.辐射强度 Ie(,) 4.辐射出射度Me与辐射亮度Le 5.辐射照度Ee 6.光谱辐射量
光电技术中最常用:
辐射通量 辐射照度
1.1.3 光度量
人眼只能感知波长在0.38~0.78μm之间的辐射 人眼对不同波长的感光灵敏度不同 1.光谱光视效率
N型半导体
1.2.1能带理论
P P
含有三种载流子:
(本征)自由电子
(本征)空穴
(
杂
质)
自
由
电
子
自由电子数>>空穴数目 ? (多子) (少子)
“Negative”——N型半导体
N型半导体
1.2.1能带理论
P P
含有三种载流子:
(本征)自由电子
(本征)空穴
(
杂
质)
自
由
电
子
(a)
(b)
价带Ev
价电子(最外层电子)能级相对应的能带
1.原子能级与晶体能带
1.2.1 能带理论
…N个…原子
电子能量
导带 Ec
禁 带 Eg
价带 Ev
禁带
导带Ec 禁带Eg
(a)
(b)
价带Ev
特别指出:1.价带中电子,价电子--不能参与导电
2.导带中电子,自由电子--能参与导电
3.价电子--自由电子, 要吸收能量
日元
美元
光度量单位举例:
例1:教室投影仪器 光通量2000lm~2500lm 高档的 光通量3500lm
例2:无月夜天光 照度~3×10-4lx (微光夜视) 白天办公室光 照度 2~100lx 对CCD摄像机 黑白图像照度≥0.02lx 彩色图像照度≥2lx
例3: 海平面太阳光平均 亮度 1.6×109 cd.m-2 10mW氦-氖激光器亮度6.66×1011cd.m-2
Ee
d Φ e dS
Me
dΦe dS
单位:W/m2 (瓦/平方米)
辐射接收面上单位面积 接受的辐射通量
比 较: 辐射照度Ee
辐射出度Me
例:常见的几种显示器
为了反映显示屏的特性,用上述哪个参数描述 合适?为什么?
为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力,最适合的辐射度量是 ( )
可见光(Visible light ) --光度量, Xv
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1.1. 2 辐射度量
1.辐射能Qe
2.辐射通量Φe 又称辐射功率, 简称功率
单位: J 单位: W
计算光电探测器的光电转换能力常用辐射功率 分析强光对光电探测器破坏机理常用辐射能量
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1.1.1 光的基本概念 国家安全新概念:
领土安全、领空安全、领海安全、太空安全、电磁空间安全
1.1.1光的基本概念 国家安全新概念:
电磁空间安全 --光学波段
1.1.1光的基本概念
4.辐射出度Me与辐射亮度Le
辐射出度Me
Me
dΦe dS
面辐射源元的辐射 能力
4.辐射出度Me与辐射亮度Le
辐射出度Me
Me
dΦe dS
面辐射源元的辐射 能力
辐射亮度Le
Le, dSdcIeosdSd dΩ 2Φ ecos
面辐射源沿不同方向的辐射能力 的差异
5.辐射照度Ee
Ev
价带
共价键结构示意图
本征半导体能带图
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N型半导体能带
1.2.1能带理论
本征半导体
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N型半导体 施主能级?
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第01章 光辐射探测的理论基础
辐射度量学基础
了解
半导体基础
理解
光电探测器概述
掌握
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1.1 辐射度学与光度学的基础知识
1.1.1 光的基本概念 1.1.2 辐射度量 1.1.3 光度量 1.1.4 两条基本定律
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1.1.4辐射度学与光度学的两条基本定律
1.辐射强度余弦定律 2.距离平方反比定律
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1.1. 2 辐射度量
辐射度学是一门研究电磁辐射能测量 的学科。
本课程限于光学波段的研究讨论。
辐射度学 电磁波 客观 光度学 可见光 主观(生理、心理)
1.1. 2 辐射度量
电磁波(Emission ) --辐射度量, Xe
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半导体基础
许多光电探测器都是 由半导体材料制作的
半导体材料具有许多 独特物理性质-专门 学科:半导体物理学
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光电技术常用的光波波段
远近紫外波段 近红外波段 远红外波段 8
可见光波段 中红外波段
已开发利用波段
待开发利用波段
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1.辐射强度余弦定律
两条基本定律
“余弦辐射体”或“朗伯辐射体”
特点:各方向的辐射亮度是一样的
L I0 I
dS dScos
N I0
I
dS
I I0cos
例如:太阳 荧光屏 毛玻璃灯罩 坦克表面
1.辐射强度余弦定律
两条基本定律
“余弦辐射体”或“朗伯辐射体”
特点:各方向的辐射亮度是一样的
光度量 符号
光能
Qv
光通量或 光功率
Φv
单位名称 流明秒 (lm·s)
流明 (lm)
[光]照度 Ev 勒克斯 (lx=lm·m-2)
[光]出度
Mv
流明/平方米 (lm·m2)
辐[射]强度 辐[射]亮度
Ie
瓦/球面度 (W·sr-1) 发光强度
Le
瓦/平方米球面度 (W·m-2 sr-1)
[光]亮度
Iv 坎德拉 (cd=lm·sr-1)
L I0 I
dS dScos
N I0
I
dS
I I0cos
重要结论:(自行推导)
MπL
2.距离平方反比定律
两条基本定律
点光源A,距离光源为R微面元dS,照度:
E
dΦ dS
Icos
R2
意义: 计算面元接收到光能量
应用条件: 光源尺寸远小于距离R
第01章 光辐射探测的理论基础
辐射度量学基础 半导体基础 光电探测器概述
3.光子能量公式
1.1.1光的基本概念
光既是电磁波(波动性)又是光子流(粒子性)
可见光光子的能量范围为3.2~1.6eV 太赫兹波30~3000μm
能量范围为?~?eV
hc 1.24(eV)
太赫兹波30~3000μm 与X射线比较:
1.1 辐射度学与光度学的基础知识
1.1.1 光的基本概念 1.1.2 辐射度量 1.1.3 光度量 1.1.4 两条基本定律
辐射度与光度量总结:
S Φe
Ω
S Φv
Ω
Me
cos
Le
I e Φ v() 6 8 3 V ()Φ e()
Mv
cos
Lv Iv
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1.1 辐射度学与光度学的基础知识
1.1.1 光的基本概念 1.1.2 辐射度量 1.1.3 光度量 1.1.4 两条基本定律
Lv
坎德拉/平方米 (cd·m-2)
3.辐射度量与光度量间的换算关系
国际单位制中七个基本单位之一 :
发光强度单位—坎德拉(Candela),记作cd。
即λ=555 nm时,有
Iv
1cd1lm 1 W/sr sr 683
λ=555 nm时
1W683lm
λ=? nm时 1W V683lm
自由电子数>>空穴数目 ? (多子) (少子)
“Negative”——N型半导体
P型半导体能带
1.2.1能带理论
本征半导体
N型半导体
P型半导体
P型半导体
1.2.1能带理论
B
B
B
B
B
含有三种载流子:
(本征)自由电子
(本征)空穴
(杂质)空穴
空穴数目>>自由电子数目? (多子) (少子)
1.2.1能带理论
SiO2 Eg=5.2ev 电阻率1012Ω·cm
Si Eg=1.1ev 10-3—1012Ω·cm
Eg=0 10-6—10-3Ω·cm
半导体具有独特光电特性--重要应用价值
2. 半导体分类
1.2.1能带理论
本征半导体 结构完整、纯净的半导体称为
本征半导体,又称I型半导体。
杂质半导体 半导体中可人为掺入少量杂质
光学谱区 可见光区 红外区 紫外区
0.01μm~1000μm 0.38μm~0.78μm 0.78μm~1000μm 0.01μm~0.38μm
光电技术常用的光波波段
远近紫外波段 近红外波段 远红外波段 8
可见光波段 中红外波段
导弹羽烟
红外制导
警用紫外成像 红外预警
激光雷达 激光通信
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