具有镀铝背表面场的光伏器件及其形成方法[发明专利]

专利名称：具有镀铝背表面场的光伏器件及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：K·C·费舍尔,黄强,S·S·帕帕劳,叶明灵
申请号：CN201280034613.6
申请日：20120412
公开号：CN103650151A
公开日：
20140319
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：提供了一种光伏器件，其包括：包括p-n结的半导体衬底，所述p-n结具有一个在另一个的顶上的p-型半导体部分和n-型半导体部分。

多个构图的抗反射涂层位于所述半导体衬底的p-型半导体表面上，其中所述半导体衬底的所述p-型半导体表面的至少一部分被暴露。

铝直接位于所暴露的所述半导体衬底的所述p-型半导体表面的所述至少一部分上。

申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：北京市中咨律师事务所
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