05哈工大微电子考研试题

哈尔滨工业大学
二〇〇五年硕士研究生考试试题
考试科目：半导体物理 报考专业：微电子与固体电子学 考试科目代码：[ ]
一、解释下列名词或概念。

（3*10分）
1、异质结 6、杂质电离能
2、间接带隙式半导体 7、光电导
3、载流子散射 8、空穴
4、光生电动势 9、有效质量
5、施主与受主杂质 10、少子寿命
二、有一n 型半导体施主和受主杂质掺杂浓度分别为ND 和NA ，在温度T 高于数十K 时，一直本征费米能级为Ei ，波尔兹曼常数为k0，本征载流子浓度为ni ，试确定：
1、半导体的费米能级EF （15分）
2、热平衡载流子浓度n0和p0（15分）
三、试画出理想+p -n 栅控二极管反向电流IR 随栅压VG 的变化曲线，说明不同
栅压范围内反向电流IR 的构成，若SiO2层中存在+Na ，曲线如何变化？（30)
四、简述半导体中可能存在的光吸收过程（
30分）
五、如图所示，厚度为d （>>Dptp ）的无限大的均匀掺杂N 型半导体薄片，表面均匀光照（满足小注入条件），材料的吸收系数为α，载流子扩散系数和寿命分别为Dp 和tp 。

1、若光只在极薄层内产生非平衡载流子，对入射光有何要求？设表面非平衡载流子浓度为(ΔP)s 试确定ΔP 的分布；（15分）
2、若光在体内均匀吸收非平衡载
流子产生率为gp ，并在上表面和
下表面载流子的符合速度非别为
∞和0，试确定非平衡载流子ΔP
的分布。

（15分）。