模拟电路习题
模拟电子线路习题总结 专接本用
cc计算题1、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
2、单级放大电路如图：在输入信号的中频段C1、C2、C3对交流短路，已知：V CC=12V、R1=150KΩ、R2=150KΩ、R C=5.1KΩ、R e=2KΩ、R L=10KΩ、β=100、C1=C2=C3=10μF、Cμ=5PF(即C bc) 、f T=100MH Z、V BE=0.7V 、r bb’=200Ω，试求：（1）放大电路的Q点参数；（2）画出交流小信号等效电路，求OiVRRA,,的值；（3）若C2断开，将对Q点，OiVRRA,,产生何种影响？解：①画出直流通路求Q点参数得：12(1)()()CC BQ C E BEQ BQV I R R V I R Rβ=+⋅++++12120.711.3(1)()()100(52)300CC BEQCCC EV V VVV AR R R R Kμβ-+∴===++++++(1)10011.3 1.13EQ BQI I A mAβμ=+=⨯=图3-1(1)()12 1.137 4.09CEQ CC BQ C E V V I R R V V β=-++=-⨯=26(1)100 2.31.13T b e EQ V mVr K I mAβ'=+=⨯=Ω 200 2.3 2.5be bb b e r r r K K ''=+=Ω+=Ω②画出小信号等效电路如图所示，并据此求出A V 、R i 、R 02////150//5//10991322.5C L V be R R R K K KA r Kβ=-=-⨯=-1//150//2.5 2.46i be R R r K K K ===Ω 2//150//5 4.84o C R R R K K K ===Ω③若C 2断开，对Q 点无影响，但则V A ↓、i R ↓、0R ↓（具体计算略，请自行推导）3、请对图3-1中的电路做以下分析：设Q1的参数U BEQ 、β和'bb r 为已知， (1)作出电路的直流、交流通路图；(2)写出Q1的Ic Q 和U CEQ 的表达式； (3)写出电路的R i 、R o 的表达式。
模拟电子复习题
模拟电路复习题 第一章一：填空题1.半导体三极管处在饱和状态时，e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为PN 结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN 结加正偏导通，加反偏截止，称为PN 结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其I E ＝2.04mA ，忽略穿透电流，则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时，应该是P 区的电位比N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的，其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管，知I B =0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则I E =_________mA 。
9.图示电路中，二极管导通时压降为0.7V ，若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时，应该是N 区的电位比P 区的电位__________11.某放大状态的晶体三极管，当I B =20μA 时，I C =1mA ，当I B =60μA 时，I C =3mA 。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路，二极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为_________伏。
二：选择题1．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将（ ） A ．变宽B ．变窄C ．不变D ．不能确定2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（ ）A ．-10VB ．-6VC ．-4VD ．0V3．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（ ） A ．U BE <0,U BC <0 B ．U BE >0,U BC >0 C ．U BE >0,U BC <0 D ．U BE <0,U BC >04．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U 1=2.3V ，②脚电位U 2=3V ，③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ ） A ．Ge 管①为e B ．Si 管③为e C ．Si 管①为eD ．Si 管②为e5、在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体是（ ） A ）带正电 B ）带负电 C ）不带电 D ）不能确定6、如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ）A ）放大状态B ）截止状态C ）饱和状态D ）不能确定7.加在二极管上的正向电压从0.65V 增大10%，流过的电流增大量为（ ） A ）大于10% B ）小于10% C ）等于10% D ）不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流 9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5Ｖ,U 3=12Ｖ,则( )A.该管为硅管B.1为基极，2为发射极，3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极，2为基极，3为发射极10.理想二极管构成的电路如题2图，该图是( )A.V截止U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截止U=+12VD.V导通U11．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（）A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．无法确定伏态12. 对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )。
模拟电路习题3
习题3一、单项选择题1．画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC应当（）。
A、短路B、开路C、保留不变D、电流源2．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。
A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小3．当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（）。
A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍4．场效应管的工作原理是（）。
A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流5．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。
A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路6．当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（）。
A、独立信号源开路，负载短路B、独立信号源短路，负载短路C、独立信号源开路，负载开路D、独立信号源短路，负载开路二、填空题1．已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB，总的电压放大倍数为。
2．乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫失真。
3．集成运放通常由、中间级、输出级、四个部分组成。
4．三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合，其中能够放大缓慢变化的信号。
5．在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。
6．电压串联负反馈能稳定电路的，同时使输入电阻。
7．某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数为。
三、判断题1.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）2.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
（）3.有源负载可以增大放大电路的输出电流。
模拟电路课后习题答案
模拟电路课后习题答案 Final approval draft on November 22, 2020第七章 习题与思考题◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω：① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式；③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝解：① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=-=，2226525.1)20101()1(I I I o u u u R R u =+=+=， ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=⨯+⨯=+=本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输出关系。
◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其输出电压u O 的表达式。
解：本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。
◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(11221I I o u u R R u -=）＋（解：◆◆ 解：◆◆ 解：◆◆ 习题 7-6 试设计一个比例运算放大器，实现以下运算关系：u O =。
请要求画出电路原理图，并估算各电阻的阻值。
希望所用电阻的阻抗在20k Ω至200k Ω的范围内。
解：上图为实现本题目要求的一种设计方案，使5.0)1()5.0(21=-⨯-=⋅=uf uf uf A A A ，即I O u u 5.0=。
本题的意图是在深入掌握各种比例运算电路性能的基础上，采用适当电路实现给定的运算关系。
以上只是设计方案之一。
◆◆ 习题 7-71为阻值在1k Ω~10k Ω之间可调的电位器，R 2=R 3=20k Ω，R 4=R 5=33k Ω，R 6=R 7=100k Ω，试估算电路的输出电压与输入电压之间的比例系数的可调范围。
模拟电路习题集
2．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_C__。
（A ．0＝F A ，B ．1＝F A ，C ．1＝－F A ，D ．∞＝F A） 二. 判断下列说法是否正确，（本大题共 3 小题，每小题3分，总计 9 分 ）1、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。
当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦（ × ）；输出电压频率与输入电压频率不同（× ）；输出电压相位与输入电压相位不同（ √ ）。
2、判断下列说法的正误，正确画√ ，错误画×。
放大电路的增益带宽积近似为常数是指：1．当晶体管选定后，放大电路的中频增益和带宽的乘积近似为一个常数。
（√ ）2．当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益与信号频率乘积近似为一个常数。
（ × ）3、判断下列说法的正误。
正确画√ ，错误画×。
由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以图示电路中g R 的大小对中频电压放大倍数几乎没有影响,（√ ）对频率响应特性也几乎没有影响。
（ × ）u V 三. 选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D （本大题共4小题，每小题3分，总计 12 分）1、从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
N 型半导体是在纯净半导体中掺入_D__；P 型半导体是在纯净半导体中掺入__C_。
（A ．带负电的电子， B ．带正电的离子， C ．三价元素，如硼等 ， D ．五价元素，如磷等）2、从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C …填空。
某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 8V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 4V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为__C_____________。
（A ．80 ， B ．40， C ．－40， D ．20） 3、选择正确答案，用A 、B 、C 、D填空。
电路基础模拟练习题含参考答案
电路基础模拟练习题含参考答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、由欧姆定律R=U/I可知,以下正确的是( )。
A、导体的电阻与电压成正比,与电流成反比B、家在导体两端的电压和流过的电流的比值为常数C、通过电阻的电流越小则电阻越大D、加在导体两端的电压越大，则电阻越大正确答案：A2、电流的单位是( )(填空题)A、AB、VC、ΩD、以上皆正确；正确答案：A3、人体电阻是3000-4000Ω ,流过人体的电流是5mA,问人体电压不能大于()。
A、15VB、18VC、20VD、25V正确答案：C4、节点电位法是以( )为求解对象。
A、节点电位B、支路电阻C、支路电流正确答案：A5、晶体三极管工作在放大状态的条件是( )。
A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、以上皆正确正确答案：A6、如果两个正弦交流电的相位差为π那么两者称为( )。
A、反相B、正交C、同相D、以上皆正确E、314tF、100G、sinH、以上皆正确正确答案：A7、电路中主要物理量是( )。
A、电流，电压，电功率B、电压，电功率C、电流，电功率D、以上皆正确正确答案：A8、相位是反映交流电A、快慢B、大小C、位置正确答案：C9、电容器在直流稳态电路中相当于( )。
A、低通滤波器B、高通滤波器C、开路D、短路正确答案：C10、正弦交流电的幅值就是( )。
A、正弦交流电最大值的2倍B、正弦交流电最大值C、正弦交流电最大值的倍D、正弦交流电波形正负之和正确答案：B11、汽车上常用的发电机是( )。
A、单相交流发电机B、三相同步硅整流交流发电机C、直流发电机D、以上皆正确正确答案：B12、在正弦交流电中最大值是有效值的( )倍。
A、√2B、2C、√3D、以上皆正确正确答案：A13、不同标称电压的继电器是否可换用( )。
A、不一定B、可短时C、不可以D、可以正确答案：D14、已知正弦电压在t =0时为220V,其\bM-(?}?j??e?\bI它的有效值为( )。
模拟电路习题及参考答案2
模拟电路习题及参考答案2单项选择题1.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是___。
A、便于设计B、放大交流信号C、不易制作大容量电容D、以上三点综合决定答案：C2.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的___，共模信号是两个输入端信号的___。
A、差，和B、和，差C、和，平均值D、差，平均值答案：D3.当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为___。
A．20倍B．-20倍C．-10倍D．0.1倍答案：D4.不属于放大电路的极间偶合方式有___。
A、无失真耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合答案：A5.对通用型集成运放输出级的要求叙述不正确的是___。
A、带负载能力强B、最大不失真输出电压尽可能大C、输出级一般为互补电路D、输出级一般为差分放大电路答案：D6.三极管工作于放大状态的条件是___。
A．发射结正偏，集电结反偏B．发射结正偏，集电结正偏C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏答案：A7.场效应管的工作原理是___。
A．输入电流控制输出电流B．输入电流控制输出电压C．输入电压控制输出电压D．输入电压控制输出电流答案：D8.集成运放制造工艺使得同类半导体管的___。
A、指标参数准确B、参数不受温度影响C、参数一致性好D、电路受到保护答案：C9.半导体二极管加正向电压时，有___。
A．电流大电阻小B．电流大电阻大C．电流小电阻小D．电流小电阻大答案：A10.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的___。
A、0.5倍B、0.7倍C、0.9倍D、1.4倍答案：B判断题1.互补输出级应采用共集或共漏接法。
答案：正确2.若要求一个两级交流放大电路要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，则第一级采用共源电路，第二级采用共集电路。
答案：正确3.温度升高，半导体三极管的共射输出特性曲线下移。
答案：错误4.场效应管放大电路的动态分析和晶体管放大电路一样也是经常采用微变等效电路法。
模拟电路课后习题与解答
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电路习题2
《模拟电路》习题2一、单项选择题1．三极管工作于放大状态的条件是（）。
A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏2．带射极电阻R e的共射放大电路，在并联交流旁路电容C e后，其电压放大倍数将（）。
A、减小B、增大C、不变D、变为零3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）。
A、10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ4．三极管电流源电路的特点是（）。
A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大5．某NPN 型三极管的输出特性曲线如图所示，当V CE =6V ，其电流放大系数β为（ ）。
A 、100 B 、50 C 、150D 、256．多级放大电路的级数越多，则其（ ）。
A 、放大倍数越大，而通频带越窄B 、放大倍数越大，而通频带越宽C 、放大倍数越小，而通频带越宽D 、放大倍数越小，而通频带越窄7. 如图所示复合管，已知V1的β1=30，V2的β2=50，则复合后的β约为（ ）。
A 、1500B 、 80C 、 50D 、 308. RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ ）。
A 、基本共射放大电路 B 、基本共集放大电路C 、反相比例运算电路D 、同相比例运算电路V 2V 19. 已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（）。
A、积分运算电路B、微分运算电路C、过零比较器D、滞回比较器二、填空题1．三极管工作在放大区时，它的发射结保持偏置，集电结保持偏置。
2．在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带。
3．在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是和电容，影响高频信号放大的是电容。
模拟电路课后练习题含答案
模拟电路课后练习题含答案
题目一
已知信号源 $U_1 = 10 \\sin(\\omega t)$，其电阻为 $R_1 = 100 \\Omega$，电感为L1=100mH，求相电角。
解答
根据电路理论，通过电阻和电感的电流 $i_1 = I_m \\sin(\\omega t +
\\phi)$ 与电压 $u_1 = U_m \\sin(\\omega t)$ 满足以下公式：
$$ \\begin{aligned} i_1 &= \\frac{U_m}{Z} \\sin(\\omega t) \\\\ &=
\\frac{U_m}{\\sqrt{R_1^2 + (\\omega L_1)^2}} \\sin(\\omega t + \\phi)
\\end{aligned} $$
其中，Z为电路的阻抗，$\\phi$ 为相电角，I m为电流幅值，U m为电压幅值。
由此可解得相电角 $\\phi = \\arctan(\\omega L_1/R_1) = \\arctan(0.314) \\approx 17.8^\\circ$。
题目二
已知有一个偏置电压为V CC=12V的电路，其有源器件为晶体管，其I C=
5mA，V CE(sat)=0.2V，则求晶体管功耗P T。
解答
根据电路理论，晶体管的功耗P T为其集电极电压V CE与集电极电流I C的乘积，并乘以当前电路中的个数：
1。
模拟电路课后习题答案
◆◆ 习题 3-2 若某一放大电路的电压放大倍数为100倍，则其对数电压增益是多少分贝？另一放大电路的对数电压增益为80dB ，则其电压放大倍数是多少？解：如100||=u A ，则40||lg 20=u A ；如80||lg 20=u A ，则10000||=uA 。
本题的意图是了解电压放大倍数与对数电压增益之间的关系。
◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中：① 三极管的最大功耗等于多少？② 流过三极管的最大集电极电流等于多少？③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少?④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ，输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=⨯=>② A A R V I L CC CM 75.086==>③ V V V U CC CEO BR 12622)(=⨯=>④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈u A ，而略小于1，故V V V U U CC cem i24.42622≈=≈≈。
本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。
◆◆ 习题 4-3 在图P4-3所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ，① 估算电路的最大输出功率P om ；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。
将本题的估算结果与习题4-1进行比较。
解：①W W R U V P Lcem CCom 25.082)13(2)2(22=⨯-=-=如忽略U CES ，则W W R V P L CC om 5625.0886822=⨯=≈② W W R V P L CC V 716.0826222≈⨯=≈ππ %92.34716.025.0≈==V om P P η如忽略U CES ，则%56.78716.05625.0≈==V om P P η 可见，在同样的VCC 和RL 之下，OCL 电路的Pom 比OTL 电路大得多（大约为4倍）。
模拟电路习题配套答案
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEBbV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电路练习题
A 、正向导通B 、反向截止区C 、反向击穿区D 、饱和区A ． 变大 B. 基本不变 C. 变小(10) 双极型NPN 三极管在截止状态工作时的外部条件是 。
C. 提高交流电流放大能力D. 提高带负载能力一、 选择题（1）用直流电压表测得放大电路中三极管的三个电极的电压分别为2V 、6V 和2.7V ，该管为________；A 、NPN 型锗管B 、PNP 型锗管C 、NPN 型硅管D 、PNP 型硅管（2）当温度升高时，三极管的集电极电流C I ________，Q 点会发生变化，故常用________稳定Q 点。
A 、变小B 、变大C 、共基极电路D 、射极分压式偏置电路（3）晶体管在输入信号的整个周期内均导通叫做________工作状态，而晶体管的导通时间大于半个周期叫做________工作状态；A 、甲类B 、乙类C 、甲乙类D 、丙类 （4）正弦振荡产生的条件是________；A 、01=+AFB 、1-=••F A C 、1=••F A D 、11>+AF（5）甲乙类互补功率放大器可以克服_______互补对称电路存在的________失真；A 、甲类B 、乙类C 、交越D 、截止 （6）单相桥式整流电路中，整流电压的平均值Vo 为________ A 、0.45V2 B 、0.9V2 C 、1.2V2 D 、1.5V2 （7）稳压二极管稳压时，其工作在________；（8）在N 型半导体中，掺入的杂质是 ， 在P 型半导体中，多数载流子是 。
A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质E. 5价元素F. 3价元素（9）PN 结加反向电压时，反向电阻将 。
A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏(11)FET 场效应管是单极性器件，属于 型控制型器件，有 种载流子参与导电，而BJT 晶体管是双极性器件，属于 型控制型器件，有 种载流子参与导电。
模拟电路习题
3.4.5二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
3.4.6 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=⨯Ω+Ω+-⨯Ω+Ω=VV k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
图c ：将D 断开，以“地”为参考点，有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.015)525(520)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω-=D 被正偏而导通。
3.4.9电路如图题2.4.7所示，D 1，D 2为硅二极管，当 v i ＝ 6 sin ωtV 时，试用恒压降模型和折线模型（V th ＝0.5 V ，r D ＝200Ω）分析输出电压 v o 的波形。
模拟电路习题
第一章半导体器件基础⒈讨论题与思考题⑴ PN结的伏安特性有何特点？⑵二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别?用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种?为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？⑶硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同?⑷在结构上，三极管是由两个背靠背的PN结组成的,那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别?⑸三极管是由两个背靠背的PN结组成的,由很薄的基区联系在一起。
那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用?⑹场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点?⒉作业题题1．1在硅本征半导体中掺入施主杂质，其浓度为317dcm10=N,分别求出在２５０Ｋ、３00K、350K时电子和空穴的浓度。
题１.2若硅PN结的317acm10=N，316dcm10=N，求T=３0０K时PＮ结的内建电位差。
题1．3流过硅二极管的电流I D=1mA时，二极管两端压降U D=0．７V,求电流I D=０.1mA和１０ｍA时，二极管两端压降U D分别为多少?题1.4 电路如图题1.4中二极管是理想的,tUuωsinmi⋅=：①画出该电路的传输特性;②画出输出电压波形。
题图1．4题1.5题图1．5中二极管是理想的,分别求出题图１.5(ａ)、(b)中电压Ｕ和电流I的值。
（a) (ｂ）题图1.5题1.6 在图题1.６所示电路中，取5-Ｖ<U I<5V。
①二极管是理想的,导通电压UＤ（on)＝0.6V，画出传输特性曲线（U I~ U O);②若二极管的导通电压U D(on）=0.6V,导通电阻ＲＤ=10０Ω, 画出其传输特性曲线。
题图1.6题1.7一PNＰ型晶体三极管，其I CBO＝10μA。
工作在放大区且ＩＥ=3mA时,I C＝2.98mA。
若连接成共发射极组态,调整发射结电压,使三极管I B=３0μＡ，则此时的IＣ为多大？题1．８在图题1.8所示电路中,已知β=100,U I =5V,V CＣ=10V，R C=4．66kΩ,U BＥ(oｎ)＝0.7V，试求晶体三极管进入饱和区所需R B的最大值。
(完整word版)模拟电路习题
一、单选题（在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案，并将正确答案的序号填入题后的括号内。
每小题2分，共30分。
）1．稳压管工作在稳压区时,其工作状态是。
（ C ）A．正向导通 B.反向截至 C.反向击穿2。
下列管子中工作于饱和状态的是__________。
（）-0.1V-0.3V0V 3AK156V0.67V0V3DG6B-5V-9V3AX81C-6V 2.3V2V0V3AG21A B C D3．图1所示电路的输出表达式为:。
（）图1A．uo=5ui B．uo=-5ui C．uo=4ui D．uo=-4ui4．在放大电路中，将输入的电压转换为输出电流,即实现输入电压控制输出电流，应采用负反馈。
（ ) A．电压串联 B．电压并联 C．电流串联 D．电流并联5。
晶体三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于。
（ C )A．发射结反偏、集电结正偏 B．发射结正偏、集电结正偏C．发射结正偏、集电结反偏 D．发射结反偏、集电结反偏6.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的. （B ）A．差 B。
和 C。
平均值 D. 积7。
下列说法中，错误的是.（）A．理想运放工作在线性区时，具有“虚短”和“虚断"特性；B．理想运放工作在非线性区时,具有“虚短"；但不具有“虚断”特性；C．理想运放工作在非线性区时,具有“虚断"但不具有“虚短"特性；D．理想运放工作在非线性区时,输出只有高低两种门限电平。
8。
交流反馈是指。
（C）A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈; B．变压器耦合电路中的负反馈；C．交流通路中的负反馈； D．放大正弦信号时才有的负反馈9．差动放大电路的主要特点是.（A）A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号;D 既抑制差模信号，又抑制共模信号10．在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的是负反馈。
电路基础模拟习题及答案
电路基础模拟习题及答案一、单选题（共81题，每题1分，共81分）1.在三相四线制中,相线与中性线之间的电压称为()。
A、线电压B、相电压C、即是相电压也是线电压D、以上皆正确正确答案：B2.电路保险器都是如何连接在电路中()。
A、并联B、串联C、单独设置D、以上皆正确正确答案：A3.1安培等于()微安。
A、106B、103C、109D、102正确答案：A4.安全保护措施,有保护接地、漏电保护器和()等。
A、保护接零B、减少电流C、减少电压D、以上皆正确正确答案：A5.在三相桥式全波整流电路中,每个二极管在一个周期内的导通时间为()。
A、半个周期B、三分之一个周期C、一个周期D、以上皆正确正确答案：B6.“”的灯泡接入的电路中,通过灯丝的实际电流是()。
A、2;B、0.5;C、0.25。
D、1;正确答案：C7.当三相平衡负载接成星型时的说法完全正确的是()。
A、U1=UP;I1=IPB、U1=UP;U1=UPC、U1=UP;I1=IPD、U1=UP;I1=IP正确答案：A8.阻值不随外加电压或电流的大小而改变的电阻叫()。
A、非线性电阻B、固定电阻C、线性电阻D、可变电阻正确答案：C9.理想电流源向外电路提供的()是一常数。
A、电压B、电阻C、电流D、功率正确答案：C10.单相桥式全波整流电路,使用个二极管()。
A、2B、6C、4D、以上皆正确正确答案：C11.下列关于正弦交流电峰值定义完全正确的是()。
A、表示一个交流电压或交流电流的正负最大值B、能产生同样电能的一个直流值。
C、正峰值与负峰值之间的总的电压值或电流值,D、任意时刻正弦交流电的电压值或电流值。
正确答案：A12.导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为()。
A、导体B、绝缘体C、半导体D、以上皆正确正确答案：C13.要在220V交流电电路中接入一个电容器,其工作电压应取()。
A、25OVB、1000VC、400VD、220V正确答案：C14.直流电动机的运动方向按什么定则判断定()。
(完整版)模拟电路部分习题答案
1．放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下：
分别令IC=0，UCE=0，代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点，M（3，0），N（0，1），连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路，得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？
2．RL=∞时，输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞，交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3．若RL=7kΩ，交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中，已知晶体管的β=100，UBE=－0.3V。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点计算
2．电压增益AU。
本题目电路中，有旁路电容C，此时放大电路的电压增益为，
3．输入电阻和输出电阻的计算。
解：
a不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。
电路理论模拟习题含答案
电路理论模拟习题含答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.三相电源星形连接并引出中性线时可以提供两种对称三相电压( )A、正确B、错误正确答案：A2.纯电抗发生串联谐振时相当于开路，发生并联谐振时相当于短路。
( )A、正确B、错误正确答案：B3.非正弦信号可以分为周期性非正弦信号和非周期性非正弦信号。
( )A、正确B、错误正确答案：A4.几个复阻抗相加时，它们的和增大；几个复阻抗相减时，其差减小。
( )A、正确B、错误正确答案：B5.一阶动态电路的全响应等于零状态响应与零输入响应的叠加，称为线性动态电路的叠加定理。
( )A、正确B、错误正确答案：A6.正弦量可以用相量来表示，因此相量等于正弦量。
( )A、正确B、错误正确答案：B7.t时刻电容电压值u(t)只与该时刻的电流i(t)和电容量C有关( )A、正确B、错误正确答案：B8.稳恒直流电和正弦波，不含高次谐波( )A、正确B、错误正确答案：A9.支路分析法适用于分析支路数较少的电路( )A、正确B、错误正确答案：A10.电工指示仪表中的反作用力矩装置一般采用游丝和张丝构成。
（）A、正确B、错误正确答案：A11.三相不对称负载Y接有中性线时，可以利用一相计算法进行计算。
( )A、正确B、错误正确答案：B12.支路数较多时，支路分析法的方程个数较多，求解不方便( )A、正确B、错误正确答案：A13.某一受控源的控制支路与理想电压源并联，对外等效时，此控制支路可以作为虚元件。
( )A、正确B、错误正确答案：B14.实用中的任何一个两孔插座对外都可视为一个有源二端网络()A、正确B、错误正确答案：A15.感抗的大小代表电感元件电压，电流瞬时值之比。
( )A、正确B、错误正确答案：B16.如果一个电容元件两端的电压为零，则电容无储能。
( )A、正确B、错误正确答案：A17.实际电压源和实际电流源相互等效时，电流源Is参考方向与电压源Us参考方向相反 ( )A、正确B、错误正确答案：A18.星形联结的三个电源相电压分别为uy=Umsin3ωt,uy=Umsin3(ωt-120°), 以m= Umsin3(wt+120°)。
电路基础模拟习题含参考答案
电路基础模拟习题含参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、不对称Ｙ联接负载按三线制接于对称三相电源，当负载变化时中点电压( )。
A、不变B、等于C、也要变化D、等于零正确答案：C2、在下列( )情况下,可将电感元件代之以开路。
A、无法确定。
B、计算动态电路全响应初始值并且已知；C、计算交流激励下的稳态响应；D、计算直流激励下的稳态响应；正确答案：B3、电源进线电压为10KV的用户,一般总降压变压所将10KV电压降低到( )V后,然后经低压配电线路供电到各用电场所,供给低压用电设备用电。
A、500/400B、380/400C、380/220D、380/260正确答案：C4、下列金属中，内部含有大量磁畴的是（）。
A、//铁；B、//铝C、//铜；D、// 木材。
正确答案：A5、非铁磁性物质的相对磁导率（）。
A、=1B、>=1C、<1D、>1正确答案：A6、真空或空气的和的关系是（）。
A、//非线性关系；B、// 不随变化；C、// 指数关系。
D、//线性关系；正确答案：D7、没有独立源就不会有响应的电路是（）A、电阻性电路；B、不为零的动态电路；C、无法确定。
D、不为零的动态电路；正确答案：A8、任一组不对称三相正弦量都可以分解为（）组对称正弦分量。
A、一B、三C、四D、二正确答案：B9、一台三相电动机绕组为星形连接，电动机的输出功率为，效率为0.8，则电动机的有功功率为（）。
A、5B、3.2C、4D、无法确定正确答案：B10、动态电路在所有动态元件初始值为零时由外施激励产生的响应是( )。
A、零状态响应B、零输入响应C、暂态响应D、全响应正确答案：A11、关于380/220V市电系统,( )说法是正确的。
A、220V和380V都是相电压B、220V和380V都是线电压C、220V是线电压,380V是相电压D、220V是相电压,380V是线电压正确答案：D12、三相负载的总有功功率等于其（）之和。
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第一章半导体器件基础⒈讨论题与思考题⑴ PN结的伏安特性有何特点？⑵二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别？用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种？为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？⑶硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同？⑷在结构上，三极管是由两个背靠背的PN结组成的，那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别？⑸三极管是由两个背靠背的PN结组成的，由很薄的基区联系在一起。
那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用？⑹场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点？⒉作业题题1.1 在硅本征半导体中掺入施主杂质，其浓度为317dcm10=N，分别求出在250K、300K、350K时电子和空穴的浓度。
题 1.2若硅PN结的317acm10=N，316dcm10=N，求T=300K时PN结的内建电位差。
题1.3流过硅二极管的电流I D=1mA时，二极管两端压降U D=0.7V，求电流I D=0.1mA和10mA时，二极管两端压降U D分别为多少？题1.4 电路如图题1.4中二极管是理想的，tUuωsinmi⋅=：①画出该电路的传输特性；②画出输出电压波形。
题图1.4题1.5题图1.5中二极管是理想的，分别求出题图1.5(a)、(b)中电压U和电流I的值。
(a) (b)题图1.5题1.6 在图题1.6所示电路中，取5-V<U I<5V。
①二极管是理想的，导通电压U D(on)=0.6V，画出传输特性曲线(U I~ U O)；②若二极管的导通电压U D(on)=0.6V，导通电阻R D=100Ω, 画出其传输特性曲线。
题图1.6题1.7一PNP型晶体三极管，其I CBO=10μA。
工作在放大区且I E=3mA时，I C=2.98mA。
若连接成共发射极组态，调整发射结电压，使三极管I B=30μA，则此时的I C为多大？题1.8在图题1.8所示电路中，已知β=100，U I = 5V，V CC=10V，R C=4.66kΩ，U BE(on)=0.7V，试求晶体三极管进入饱和区所需R B的最大值。
题图1.8题1.9两个三极管工作在放大区，看不出它们的型号，测得各管脚的电位分别如题图1.9所示，判断它们是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管，识别管脚并分别标上E、B、C。
题图1.9题1.10题图1.10电路中，测得U E=-0.7V，若三极管β=50，求I E、I B、I C和U C。
题图1.10第二章放大器基础⒈讨论题与思考题⑴为什么放大电路能把小能量的电信号放大到所要求的程度？试说明组成放大电路的基本原则？⑵在阻容耦合放大电路中，耦合电容有何作用？若耦合电容采用电解电容，其极性应如何安排？⑶什么是放大电路的静态分析？静态分析时依据什么电路？⑷什么是放大电路的动态分析？进行动态分析时依据什么电路？⑸放大电路的输出动态范围也可以通过实验的方法测得。
怎样用示波器观察基本共射放大电路的最大不失真输出电压波形？⑹场效应管的工作原理与普通三极管不同，那么场效应管放大电路的偏置电路有何特点？它有几种偏置方式？⑺为提高电压放大倍数和改善电路性能指标，放大电路中往往采用由多个单级放大电路级连而成的多级放大器。
多级放大器有那几种耦合方式？它们各有什么特点和问题？⑻为什么说频率响应是放大器的一项重要性能指标？⒉作业题题2.1单管放大电路与三极管特性曲线如题图2.1(a)、(b)所示。
①用图解法确定静态工作点Q；②当R C由4kΩ增大到6kΩ时，工作点Q将怎样移动？③当R B由200kΩ变为100kΩ时，工作点Q将怎样移动？④当-V cc由-12V变为-6V时，工作点Q将怎样移动？(a) (b)题图2.1题2.2 放大电路如题图2.2(a)所示，三极管的输出特性曲线如题图2.2(b)所示。
用图解法： ① 画出直流负载线并确定工作点Q(设U BEQ =0.7V)；② 画出交流负载线，并确定对应i B 由0~100μA 变化时，u CE 的变化范围，并计算输出正弦电压有效值。
(a) (b)题图2.2题2.3 题图2.3 所示电路中，三极管β=100，='b b r100Ω，UBEQ =0.7V 。
① 求三极管的静态工作点Q ；② 求电压增益A u 、输入电阻R i 、输出电阻R o 。
题图2.3题2.4 题图2.4 所示放大电路中，三极管β=100，U BEQ =0.6V ，C 1、C 2、C e 可视为交流短路。
① 求静态工作点Q ；② 用等效电路法求电压增益A u =u o /u i 、源电压 增益A us =u o /u s ；③ 求输入电阻R i 、输出电阻R o 。
题图2.4题2.5三极管β=100，C 1、C 2可视为交流短路。
① 求集电极直流电流I C 和电位U C ；② 求电压增益A u =i ou u 。
题图2.5题2.6 题图2.6 所示放大电路中，三极管β=100，U BEQ = 0.6V ，='b b r 200Ω。
① 求电压放大倍数A u ；② 求输入电阻R i 、输出电阻R o 。
题图2.6题2.7 在题图2.7 所示放大电路中，已知管子β=50，='b b r 300Ω，UBEQ =0.7V，电容C 1、C 2、C 3可视为交流短路，R s =500Ω。
① 计算电压增益A u1=s o1u u 、A u2=so2u u ，输入电阻R i 、输出电阻R o1、R o2。
② 说明此放大电路的功能。
题图2.7题2.8 在题图2.8所示共集电路中，输出电压通过耦合电容C 3加到R B3的下端，已知='b b r 300Ω，='e r b 1kΩ，g m =100mS ，R B1=R B2=20k Ω，R B3=100k Ω，R E =R L =1k Ω，所有电容可视为短路，c r b '、ce r 可忽略， 求输入电阻R i 。
题图2.8题2.9 题图2.9中FET 的U GS(off) = -2V ，I DSS = 1mA 。
求： ① 为使静态时I DQ = 0.64mA ，源极电阻R 应选多 大？② 电压放大倍数A u ，输入电阻R i ，输出电阻R o ； ③ 若C 3虚焊开路，则A u 、R i 、R o 为多少？题图2.92.10 题图2.10所示放大电路中，场效应管跨导g m =2mS ，=ds r 50k Ω，三极管的β=100，=e r b 1k Ω，ce r =∞，电容C 1、C 2、C 3、C 4可视为交流短路。
① 画出放大器的微变等效电路；②计算放大器的中频电压增益A u =i ou u 、输入电阻R i 和输出电阻R o 。
题图2.10题2.11 已知单管放大器的中频电压增益um A &=-200，f L =10Hz ，f H =1MHz ，试① 画出放大器的渐近伯德图。
② f =f L 和f =f H 时，电压放大倍数的模||u A&和相角φ各为多少？题2.12 单管放大器如题图2.12所示，已知I C =2.5mA ，β=50，C μ=4pF ， f T =50MHz ，='b b r 50Ω，求放大器的下限频率fL 和上限频率f H 。
题图2.12第三章 集成运算放大器⒈ 讨论题与思考题⑴ 在集成电路中广泛使用各种具有很大交流电阻的电流源电路，三极管电流源电路的交流等效电阻与哪些参数有关？如何改进？⑵ 恒流源在集成电路中除作偏置电路外，还可作为放大电路的有源负载，以提高电压增益。
试说明恒流源作负载，对放大器的动态性能有何改善？⑶ 集成运算放大器实际上是一个高增益的多级直接耦合放大电路，直接耦合放大电路存在零点漂移问题。
什么是零点漂移？怎样衡量放大器的零点漂移？ ⑷ 什么是差动放大电路？差动放大电路有何特性？ ⑸ 电流源电路在差动放大电路中起什么作用？⑹ 通常集成运算放大器由哪几部分组成？各部分电路具有哪些主要性能？⑺集成运算放大器技术参数与选择方法？⑻集成运放理想化的条件？⒉作业题题3.1 在题图3.1所示的电路中，T1、T2、T3的特性都相同，且β1=β2=β3很大，U BE1=U BE2=U BE3=0.7V，请计算u1–u2=?题图3.1题3.2对称三极管组成题图3.2所示的微电流源电路，设三极管β相等，U BE=0.6V，V CC=+15V。
①根据三极管电流方程导出工作电流I C1与I C2之间的关系式。
（设漏电流I S1=I S2）②若要求I C1=0.5mA，I C2=20μA，则电阻R、R E各为多大？题图3.2题3.3在题图3.3所示的一种改进型镜像电流源中，设U1=U2=10V，R1=8.6kΩ，R2=4.7kΩ，三个晶体管的特性均相同，且β=50，U BE=0.7V。
求晶体管T2的集电极电位（对地）U C2。
题图3.3题3.4在题图3.4的电路中，设+V CC=+12V，–V EE=–6V，R B=1kΩ，R C=15kΩ，R E=7.5kΩ，R W=200Ω且滑动端位于中点，R L=∞，晶体管T1、T2的特性相同，β=100，r bb’=300Ω，U BE=0.7V。
①求静态电流I CQ1、I CQ2以及集电极静态电位（对地）U CQ1和U CQ2。
②若u i1=20mV，u i2=15mV，且共模电压放大倍数的影响可忽略不计，求两管集电极对地电压u C1（即u A）和u C2（即u B）。
题图3.4题3.5在题图3.5所示的电路中，直流电流表的满偏电流为100μA，电表支路的总电阻为2kΩ，两管的β=50，r bb’=300Ω。
试计算：①当u i=0时，每管的I B、I C各是多少？②为使电流表指针满偏，需加多大的输入电压（直流）？③如果u i=–0.7V，这时会发生什么情况？试估计流过电流表的电流大概有多少？如果u i=2V，又会出现什么情况？流过电流表的电流有变化吗？题图3.5题3.6恒流源式差动放大电路如题图3.6所示，已知三极管的U BE=0.7V，ß=50，r bb’=100Ω，稳压管的U Z=+6V，+V CC=+12V，–V EE=–12V，R B=5kΩ，R C=100kΩ，R E=53kΩ，R L=30kΩ。
①简述恒流源结构的优点；②求静态工作点Q（I BQ、I CQ、U CEQ）；③求差模电压放大倍数A ud；④求差模输入电阻R id与输出电阻R od。
题图3.6题3.7具有镜像电流源的差动放大电路如题图3.7所示。
已知V CC=V EE=15V，R B=10kΩ，R C=100kΩ，R L=150k Ω，R W=0.3kΩ，R=144kΩ，三极管T1~T4特性相同，U BE=0.6V，β=100，r bb’=100Ω，T3管的r ce=100kΩ。