模拟电子技术考试试卷1
模拟电子技术试卷及答案
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。
2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。
5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。
6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。
10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。
11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
模拟电子技术试卷1
模拟电路试卷一一、单选题(每题1.5分)1. 分析下图7107所示交流通路，设其直流通路合理，则所述正确的是（）A．不能产生正弦波B．构成电感三点式振荡电路C．构成电容三点式振荡电路，将其中的电感用石英晶体代替，则组成串联型晶体振荡电路D．构成电容三点式振荡电路，将其中的电感用石英晶体代替，则组成并联型晶体振荡电路2. 理想集成运放具有以下特点：（）。
A. 开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞B. 开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=0C. 开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞D. 开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=03. 关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（）。
4. 对恒流源而言，下列说法不正确的为（）。
A．可以用作偏置电路 B．可以用作有源负载C．交流电阻很大 D．直流电阻很大5. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴6. 功率放大电路的效率是指（）A．不失真输出功率与输入功率之比 B．不失真输出功率与电源供给功率之比C．不失真输出功率与管耗功率之比 D．管耗功率与电源供给功率之比7. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。
A. 输入电阻增大B. 输出量增大C. 净输入量增大D. 净输入量减小8. 一过零比较器的输入信号接在反相端，另一过零比较器的输入信号接在同相端，则二者的（A．传输特性相同B．传输特性不同，但门限电压相同C．传输特性和门限电压都不同D．传输特性和门限电压都相同9. 要求输入电阻大，输出电压稳定，应选用（）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联 10. 图示3401电路（）A．等效为PNP管 B．等效为NPN管１）C．为复合管，其等效类型不能确定 D．三极管连接错误，不能构成复合管11. 在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。
模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)
期末模拟试卷一答案课程名称：模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____。
A 、增大 ，B 、减小，C 、不变 答案：A2. 在N 型半导体中，空穴浓度____电子浓度。
A 、大于，B 、小于 ，C 、等于 答案：B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。
A 、所放大的信号不同，B 、交流通路不同，C 、直流通路不同 答案：C4. 在长尾式的差分放大电路中，Re 对＿＿有负反馈作用。
A 、差模信号，B 、共模信号，C 、任意信号 答案：B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ，可能是因为_____。
A 、CC V 过大 ， B 、c R 开路， C 、b R 开路， D 、β 过大答案：C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ，测得I ＝1μA 。
当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时，I 将____。
A 、 为2μA 左右，B 、为0.5μA 左右，C 、变化不大，D 、远大于2μA 答案：C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V，UE=0.3V，UC=3V，则此晶体管工作在____状态。
A．截止B．饱和C．放大 D. 开关答案：C8. 差动放大电路的主要特点是____。
A. 放大差模信号，抑制共模信号；B. 既放大差模信号，又放大共模信号；C. 放大共模信号，抑制差模信号；D. 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
答案：A9．互补输出级采用射极输出方式是为了使____。
A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案：D10．集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。
A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案：C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路，其组成主要是____。
A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案：B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路（A、低通，B、高通，C、带通，D、带阻，E、全通）。
模拟电子技术考试试题
模拟电子技术考试试题一、选择题1. 下列元器件中，哪一种是双向导电性的？A. 二极管B. 三极管C. MOS管D. 电阻2. 集成电路中的运算放大器是？A. 三极管B. 二极管C. 金属氧化物半导体场效应管D. 晶体管3. 以下哪种电路不能做到放大信号的功能？A. 放大电路B. 混频电路C. 振荡电路D. 整流电路4. 半导体器件NPN三极管的结构由哪些区域组成？A. NPNB. NPNPC. PNPD. PNPN5. 一台400V，50Hz的正弦交流电源，通过哪种元件可以将交流电变为直流电？A. 反向二极管B. 电容C. 二极管整流电路D. NPN三极管二、填空题1. 一个二极管的包装在底部有一个带磷塑料插座的金属电极，它叫做__________。
2. 通过斯托芬形式的稳压电路，在输出端恒压、恒流的同时，降温减功率，减少对散热器的需要。
这就是稳压管_ _ _ _ _ 终端压降。
3. 电容器的介电材料以及长度宽度比称为_ _ _ _ _参数。
4. 一个电子元件符号的组成一般有_______方式。
5. 放大电路的作用是让输入的微弱信号放大为______信号。
三、简答题1. 什么是直流电源和交流电源？它们有什么区别？2. 深度解释二极管的工作原理及特点。
3. 请简要介绍几种常用的集成电路类型及其应用。
4. 解释什么是电阻负反馈电路？举例说明其应用场景。
5. MOS管的优点是什么？它在哪些领域有广泛应用？以上是模拟电子技术考试试题，祝您顺利通过考试！。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模拟电子技术试题1答案及评分标准
模拟电子技术试卷1答案及评分标准一、判断题(每题1分，共10分)1.半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
（对）2.三极管共集电极电路的发射极电阻R e可以稳定静态工作点。
（对）3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。
（对）4.差分放大电路采用双端输出时，在理想对称情况下其共模抑制比为无穷大。
（对）5.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
(错 )6.可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。
（错）7.共集电极电路的输入阻抗高，输出阻抗低，电压放大倍数大。
（错）8.过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
（错）9.互补输出级应采用共集或共漏接法。
( 对)10.乙类功率放大电路的效率最高，理论上可达78.5％，但存在交越失真。
（对）二、填空题（每空1分，共28分）1.当 PN 结正向偏置时，扩散电流大于_漂移电流，耗尽层变窄。
当 PN 结反向偏置时，扩散电流_小于_漂移电流。
（填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄）2.三极管的外加偏置满足发射结正偏和集电结反偏时，工作在放大区。
3.当温度升高时，晶体三极管的U BE将_减小，I CEO增大，β_ 增大。
(增大或减小)4.场效应管是通过改变电压来改变电流的，所以它是一个电压控制器件；根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。
5.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路，其目的是克服零点漂移。
6.在差分放大电路中，两输入端获得的一对大小相等，极性相反的信号称差模信号；而大小相等，极性相同的信号称为共模信号。
7.已知某深度负反馈电路开环增益A Ud=100，反馈系数F=0.1，则闭环增益A Uf＝9.09 。
8.正弦波振荡电路一般由放大电路、反馈环路、选频网络和稳幅环节等四个环节组成，而且缺一不可。
9.正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是：振幅条件和相位条件。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷——2024年整理
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.（共60题,共150分）1.理想的功率放大电路应工作于()状态。
（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案：C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。
（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案：A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。
（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案：B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是()。
（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案：C5.为了提高电压放大倍数，希望放大电路的()大一些。
（2分）A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案：D6.当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将()漂移电流。
此时，耗尽层的宽度将()。
（2分）A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案：C7.差动放大电路的特点是抑制()信号，放大()信号。
（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。
（2分）A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案：A9.直流电源滤波的主要目的是：()。
（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了，则输出()。
（2分）A.只有半周波形B.全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
（2分）★检查答案标准答案：1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。
模拟电子技术期末试卷答案
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
（A）ββ2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。
模拟电子技术考试题及答案
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是（）。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ，输出电阻是50Ω，那么它的电压增益是（）。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V，当通过它的电流为20mA时，消耗的功率是（）。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线，说明这个电路是（）。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10，电压增益是-100，那么它的输出电阻是（）。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是（）。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中，什么是“饱和区”？A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波，输出信号是方波，这个放大器可能应用在（）。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案：1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电子电路中，________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术试卷及答案
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反应；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反应。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可到达_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反应；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，那么这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，假设uI = 20 mV，那么电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如下图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，那么复合后的 b 约为( )。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ）a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ） a.L m R g ' b.s m Lm 1R g R g +'-C.L m R g '- d.mL /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i为（）a. R g+(R g1//R g2)b. R g//(R g1+R g2)c. R g//R g1//R g2d. [R g+(R g1//R g2)]//(1+g m)R S7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
《模拟电子技术》考试试题及答案
《模拟电子技术》考试试题及答案一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截至），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共集）、（共射）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电压）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（ 1+AF ）BW，其中BW=（ Fl-Fh ），（ 1+AF ）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于或近似等于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（ kuxuy ），电路符号是（）。
模拟电子技术期末试卷答案
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A）ββ2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
_模拟电子技术期考考试试题1
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（10分，每空1分）1.因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
2.PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
3.增强型MOS 管采用自给偏压时，漏极电流i D 必为零。
4.只有电路既放大电流又放大电压，才称其具有放大作用。
5.阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，它只能放大交流信号。
6.只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
7.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
8.复合管的类型取决于第一个管子的类型。
9.在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下。
桥式整流电路的输出电压是半波整流电路输出电压的2倍。
10. 整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。
二、选择正确答案填入空内。
（20分，每空2分） 1.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA ，3.66mA 和3.6mA ，该管的β为( )。
A. 60 B. 61 C. 100 D. 50 2.射极输出器的特点是( )。
A.u A ＜l ，输入电阻小，输出电阻大B.u A ＞1，输入电阻大，输出电阻小C.u A ＜1且u A ≈ l ，输入电阻大，输出电阻小D.uA ＞l ，输入电阻小，输出电阻大 3.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V 、6V 、2.7V ，则三个电极分别是( )。
A.（B 、C 、E ）B.（C 、B 、E ）C.（E 、C 、B ）4. NPN 型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( )失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率5. 一个带宽为0.1H Z ~10MH Z 的宽频带多级放大电路，应采用( )耦合方式。
A.直接 B.阻容 C.变压器6. 集成运算放大器输入级选用差动放大电路的原因是( )。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数D.提高放大倍数7. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻R E ，单端输出电路的( )。
《模拟电子技术》模拟题1-5(含答案)
《模拟电子技术》模拟题1一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。
（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。
（）3、PN结具有单向导电特性。
（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。
（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（）6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。
（）7、直流负反馈不能稳定静态工作点。
（）8、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。
（）10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。
（）二、选择（10分）1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。
A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下，可以稳定电压。
A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。
A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路 ( )。
A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大，表明电路（）。
5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。
6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（ ）反馈，为减小输出电阻，应引入（ ）反馈。
A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（ ）。
A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形，设二极管为理想二极管。
（每题10分，共20分）R(a )(b )图1四、简答题（每题5分，共10分）1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件，以及起振条件。
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《模拟电子技术》考试试卷1 一、填空题（20分，每题2分）1、 半导体三极管按极性可分为_____型和_____型二类。
2、 半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压U RM =_______U 2，负载电压U O =_________U 2。
3、如果温度升高三极管的输出特性曲线将向________移动。
4、抑制零点飘移的电路称为___________________________.。
5、乙类互补对称功率放大电路将产生__________失真， 而________互补对称功率放大电路，可以消除这种失真。
6、C Ｗ79XX 系列三端稳压器各脚功能是：①脚________；②脚________；③脚________。
7、当信号发生器电压调在1V ，现在用40dB 衰减其输出电压为______mV 。
8、当示波器幅度旋钮位置V/div 在0.5V 时读数为4格， 其电压的有效值为______V 。
9、当示波器频率旋钮位置T/div 在0.5ms 时读数为2格， 其周期为______Hz 。
10、要抑制50Hz 的工频信号的影响，应选择________ 滤波电路。
二、判断题（20分，每题2分，对的打√错的打╳）1、 稳压二极管必需工作在正向导通状态。
（ ）2、 在集成电路中采用直接耦合。
（ ）3、 石英晶体振荡电路的优点是其振荡频率的稳定性很高。
（ ）4、 尽管开关稳压电源的体积小、稳压范围宽但它的功率消耗很大。
（ ）5、 在正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。
（ ）6、 射极跟随器的放大倍数为1因此在电路不起任何作用。
（ ）7、 在多级放大电路中前级放大的工作点宜设置在较低位置。
（ ）8、 硅稳压管稳压电路只适用于负载小的场合且输出电压不能调节。
（ ）9、 跟据集成运算放大器电路虚断原则得到i +=i - 。
（ ）10、判断正负反馈时，我们采用瞬时极性法， （ ）当使净输入信号增强时即为负反馈。
三、简答题（25分，每题5分）1、 电路如下图所示，二极管是导通还是截止，R=10K ，试求出AO 两点间的电压U AO ？ （设二极管的正向压降是0.7V ）AO8V D2、 如下图所示，稳压管D 1、D 2的稳定电压分别为8V 、6V ，设稳压管的正向压降是0.7V ， 试求U O 。
3、简述示波器校正的过程。
4、判断下图是何种反馈类型。
+-u o+-u o5、下图中二个二极管的作用是什么？并画出u O与u i 的传输特性曲线。
5V四、选择题。
请将正确答案的序号填在横线上（10分，每题2分）1、二极管的反向电阻 。
A ．小 B ．中等 C ．大2、多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是 。
A ．输入级 B ．中间级 C ．输出级 D ．增益最高的一级3、在使用信号发生器时，要调出40KHz 的正弦波信号其频率旋钮位置应置于：A ．20~200HzB ．200 Hz ~2KHzC ．2KHz~20KHzD ．20KHz~200KHz4、晶闸管的导通条件为 。
A ．阳极和阴极加正向电压B ．控制极和阴极加正向电压C ．阳极和阴极加正向电压，同时控制极与阴极间加正向电压D ．阳极和阴极加正向电压，同时控制极与阴极间加反向电压5、理想运放的两个重要结论是 。
A ．虚地与反相B ．虚短与虚地C ．虚短与虚断D ．短路与断路五、计算题（25分）1、电路如图所示，试求出电路的输出电压u 0的值。
（10分）1--4V 22、分压式共射放大电路如图所示，当U BEQ =0.7V,β=60,Ucc=12V 三极管为NPN 型硅管。
1)画出微变等效电路；2）估算静态工作点I BQ 、I CQ 和U CEQ ；3)估算空载电压放大倍数Au’以及输入、输出电阻r i 和r o 。
(15分)+_VCCu O《电子技术基础》考试卷2一、选择题：在每小题给出的四个选项中，选出符合题目要求的一项（字母）填在答案栏内。
（2*15=30%，答案写在其它地方不给分）1．在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体（ ）A 、带正电B 、带负电C 、不带电D 、不能确定2．如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为 （ ）A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态D 、不能确定3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U 1=3V ，U 2=﹣3V ，U 3=﹣2.7V ，则可知该管为（ ）。
A. PNP 锗管B. NPN 硅管C. NPN 锗管D. PNP 硅管 4．二极管的反向电阻（ ）。
A ．小B ．大C ．中等D ．为零5．测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA ，3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为（ ）。
A ．70B ．40C ．50D ．606．两级放大电路，Au1= -40，Au2= -50，若输入电压U i =5mv ，则输出电压Uo 为（ ）A 、-200MvB 、-250mVC 、10VD 、100V7．检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（ ）。
A. I BQ B. U BE C.I CQ D. U CEQ8．为了提高放大电路的输入电阻和输出电阻，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电流串联B. 电流并联C. 电压串联D. 电压并联9．为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用( )A.直接耦合电路B. 差动放大电路C. 阻容耦合电路D.反馈放大电路10．集成运放在作放大电路使用时，其电压增益主要决定于（）。
A. 反馈网络电阻B. 平衡电阻C. 开环输入电阻D. 开环电压放大倍数11．多级直流放大电路各级都会产生零点漂移，但抑制零点漂移的重点放在（）A.中间级B.最末级C.第一级D.哪一级都行12．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（）A.10VB.102VC. 10/2VD.20V13．桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为( )A.24VB.18VC.9VD.28.2V14．串联稳压电路一般由基准电压、比较放大、( )和( )四部分组成．（）A. 测量电桥，分压电路B. 调整电路，采样电路C. 运放电路，采样电路D. 运放电路，分压电路15．一个放大电路其输出电阻为1kΩ，负载电阻为4kΩ时，其输出信号电压为4V，当断开负载，其输出电压是（）。
A. 2VB. 8VC. 4VD. 5V二、填空题：把答案填在答案栏内。
（2*10=20%，答案写在其它地方不给分）。
1．PN结最重要的特性是____________________，它是一切半导体器件的基础。
2．晶体三极管在放大状态下，其集电极电流I C与基极电流I B的关系式为__________ 。
3．要使基本放大电路正常工作，三极管必须工作在___状态，否则输出信号将产生失真现象。
4．某电路三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b = -3.2V, Vc = -3.9V, 这是_____管（硅、锗）。
5．稳压集成电路W7810输出电压____________V。
6．当运放工作在线性放大状态时，分析两个输入端之间的电压和流入两输入端的电流时，常用到的两个重要概念是____________。
7．运算放大电路的输出级多用____________放大电路，主要因为它具有较高的输入电阻和较低的输出电阻。
8．直流稳压电源一般由变压器、____________、滤波电路和稳压电路四部分组成。
9．稳压管稳压电路中需要接入电阻R，它的作用是____________。
10．某放大电路接入负载电阻RL =40Ω,其输出电压VOL=4V，断开负载后其输出电压VO=5V，则该电路输出阻抗Ro为 __________ 。
三、判断题：判断下列各题说法，在答案栏内打√（对）或×（错）。
（1*10=10%）1．稳压二极管工作在反向击穿状态（）2．N型半导体中是掺入了微量三价元素（如硼）（）3．若放大电路输入为单一频率的正弦波时，则输出波形就不会产生频率失真。
（）4．不论输入交流信号vi的幅度大小如何，都可以用h参数等效电路进行分析。
（）5．静态工作点设置不当，可能造成放大信号的截止失真或饱和失真。
（）6．负反馈放大器可以提高放大倍数的稳定性，所以，△Af/Af 比△A/A 小。
（）7．一个实际集成运放，其开环增益越高，输入阻抗越小，就越接近理想运放。
（）8．负反馈可以减小非线性失真，但对于信号源本身信号的非线性失真无法改善（）9．在串联反馈型稳压电路中，输出电压仅与基准电压有关，而与取样电阻无任何关系。
( )。
10．桥式整流电路由四个二极管组成，所以流过每个整流管的电流为流过负载电流的1/4，即Io/4。
（）四、简答题：（2*5=10%）1、直流电源应用电路：要求输出+5V，选用三端稳压电路的型号是什么？UC 电压、U2电压的大小为何值？C1、C2电容作什么用？2. 试分析下图电路，说明电路是什么类型的反馈电路？假设集成运算放大器为理想运放，请写出电路的电压放大倍数A uf 的表达式 。
五、综合题：（2*15=30%）1、放大电路如图所示，已知晶体管的β=50，rbb=100Ω ，Rs=1k Ω 1）要使IcQ=0.5mA ，求Rb=？（5%） 2）求Au 。
（4%）3）该放大电路的Ri 和Ro 各为多少？（6%）2． 电路如图，设运放为理想运放，U 1=10mV ，U 2=91(mV)。
求输出电压U o1（7%），U o （8%）。
UoUo1 U 1 U 2CCo-V EE《电子技术基础I》试卷3一、选择题：在每小题给出的四个选项中，选出符合题目要求的一项（字母）填在答案栏内。
（2*15=30%，答案写在其它地方不给分）1．在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（）A、带正电B、带负电C、不带电D、不能确定2．如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不能确定3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（）。
A. PNP锗管B. NPN硅管C. NPN锗管D. PNP硅管4．当温度升高时，半导体三极管的参数将发生的变化是（）。
A. β减小，Iceo增加，U BE减小B.β增加，Iceo增加，U BE减小C.β增加，Iceo减小，U BE减小D.β增加，Iceo增加，U BE增加5．两个硅稳压管，Uz1 = 6V，Uz2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（）。