EMI辐射信号强度计算
辐射强度计算公式
辐射强度计算公式1辐射强度辐射强度是指一个物理量，它描述的是物体给出的发射的物体的能量的强度，并用牛顿/立方米表示。
它通常用于衡量放射射线源的功率，包括太阳辐射，人造放射源或其他射线源的放射强度。
2计算辐射强度计算辐射强度的基本公式是：I=E/A，其中I是辐射强度，E是发射的能量，A是作为单位面积收到辐射能量的面积。
该方程式可以表示为一个物理量，例如质量或数量，以表明每一个物理量传输的平均能量，即辐射强度。
3计算步骤计算辐射强度需要知道以下信息：发射的能量E和收到辐射能量的面积A。
首先，获得取样面积的球体半径（r），球体面积可以按照以下公式计算：A=4πr2其次，获得发射的能量E。
要计算发射的能量，您必须将其与收到的能量进行比较。
收到的能量与放射源距离的平方成反比。
收到的能量越远，能量损失越多。
然后，将发射的能量与收到的能量进行比较，并用下面的公式计算发射的能量：E=E0/d2，其中，E0是圆球发射源的能量，d是接收点距离发射源的距离。
最后，辐射强度可以用以下公式计算：I=E/A。
4应用实例电离辐射是一种放射性的辐射，它可以被用于检测宇宙射线、威胁分析和核医学。
许多宇宙射线探测器基于电离辐射测量技术，例如螺旋束和采样阵列，实现了三维监测技术。
辐射强度可以用来检测威胁，并向秩序员提供安全建议，确定危险指示灯及其周围空气中辐射浓度的变化。
此外，辐射安全技术也可以用来监测核设施内的核材料，以确保安全。
5结论辐射强度是放射的量化数值，用来衡量源的放射能量的强度，计算辐射强度的基本公式是：I=E/A，其中，I是辐射强度，E是发射的能量，A是作为单位面积收到辐射能量的面积。
辐射强度经常被用于许多科学领域，如宇宙射线探测、威胁分析以及核医学，以确保安全。
辐射功率与场强换算公式
知识创造未来
辐射功率与场强换算公式
辐射功率（P）与场强（E）之间的换算公式可以根据电磁辐射的基本关系推导得到。
根据辐射功率的定义，它等于单位时间内通过某个垂直表面的能量流量。
而场强代表电磁场中的能量密度，它与辐射功率的关系可以表示为：
P = σ * E^2
其中，σ是辐射常数。
在国际单位制中，辐射常数σ的数值为4π × 10^{-7} W/(A^2)。
根据这个换算公式，通过已知的场强值可以计算辐射功率，或者通过已知的辐射功率值可以计算出对应的场强值。
这个公式适用于电磁辐射的计算，可以用于无线电、光学等领域的辐射功率与场强的换算。
1。
EMI-RFI
EMI/RFI随着电子系统的日益精密、复杂及多功能化，电子干扰问题日趋严重，它可使系统的性能发生变化、减弱，甚至导致系统完全失灵。
特别是EMI／RFI（电磁干扰／射频干扰）问题，已成为近几年电子产业的热点。
为此，不少国家的专业委员会相继制定了法规，对电子产品的电磁波不泄露、抗干扰能力提出了严格规定，并强制执行。
美国联邦通信委员会（FCC）于1983年颁布了20780文件，对计算机类器件的EMI进行限制；德国有关部门颁布了限制EMI的VDE规范，在放射和辐射方面的约束比FCC规范更严格；欧洲共同体又在VDE规范中增加了RF抗扰性、静电泄放和电源线抗扰性等指标。
FCC、VDE规范将电子设备分为A（工业类设备）和B（消费类设备）两类，具体限制如表1所示。
此外，还有一系列适用于电子EMI／RFI防护的标准文件：MIL－STD－461、MIL－STD －462、MIL－STD－463、MIL－STD－826、MIL－E－6051、MIL－I－6181、MIL－I－11748、MIL－I－26600、MSFC－SPEC279等，所有这些法规性文件对电子系统的干扰防护起到了重大的作用。
本文详细讨论了电子线路及系统中EMI／RFI的特征及其抑制措施。
2EMI／RFI特性分析电子系统的干扰主要有电磁干扰（EMI）、射频干扰（RFI）和电磁脉冲（EMP）三种，根据其来源可分为外界和内部两种，每个电子电气设备均可看作干扰源，这种干扰源不胜枚举。
EMI是在电子设备中产生的不需要的响应；RFI则从属于EMI；EMP是一种瞬态现象，它可由系统内部原因（电压冲击、电源中断、电感负载转换等）或外部原因（闪电、核爆炸等）引起，能耦合到任何导线上，如电源线和电话线等，而与这些导线相连的电子系统将受到瞬时严重干扰或使系统内的电子电路受到永久性损坏。
图1给出了常见EMI／RFI的干扰源及其频率范围。
2．1干扰途径任何干扰问题可分解为干扰源、干扰接收器和干扰的耦合途径三个方面，即所谓的干扰三要素。
EMI辐射信号强度计算
EM I辐射信号强度计算需要距离辐射源多远才能使辐射信号不干扰系统呢？要想知道这个问题的答案，需要思考下面两个问题： 1) 辐射源的辐射能量大小； 2) 系统的EMI 保护电路性能如何。
呈辐射状的电磁干扰(EMI) 信号会从辐射源传播至某个接收单元。
根本而言，这些信号“的功率或者电压强度在 触及“ 敏感的电路时，取决于发送器的功率／天线增益以及辐射源和接收器之间的距离（请参见图1) 。
E r (V l:m) = 5,,5,八Ps)/d厂P八W/m::i!)= Psi(知d勺图1辐射源和接收器之间的EMI电场和功率密度关系在进行EMI评估时，可能会利用电场强度或者辐射功率密度参数。
电场强度量化了辐射源干扰电压的大小。
这种窄带或者宽带EMI信号测量单位为伏每米(V/m)。
您可以根据F1C C a nd 1C l8PR 飞Ima__ , 501EAN 云P l41 .6 u a 1Qs·1 P11 a1勹1 10 ""11劝25,III。
·,oo10叩l fi re que n可fM H，一f比Q每A一C IS阳U郘sA F红;1C1邸s B一C ISPR口晒SB图2FCC和CISPR辐射限制—30MHz到1GHz,测量距离10m图2中，A类限制针对商业、工业或者企业环境下使用的电子设备。
B类限制针对家用电子设备。
A类限制也可能适用于家用电子设备。
B类限制更加严格，因为这类设备可能会靠近TV和无线电接收设备放置。
来源：电子工程专辑日O更多精彩内容看这里广播百科超高清视肺应急广播抟术标准发布，各地广申，应急广捅硉设“如火如荼”广播百科线损如何解决SG中肺与卫旱C润段的冲突？广播百科001—100期广播百科101—200期广电术语词汇(—)广电术语词汇（二）。
信号强度从百分比到分贝的转换
信号强度从百分比到分贝的转换Radio Frequency(RF)信号强度测量单位有四种测量单位可以用来表示RG信号强度。
分别为：nw(milliwatts),dBm(db-milliwatts),RSSI(Received Signal Strength Indicator,接收的信号强度指示)以及百分比。
所以的测量单位都是两两相关的，而且可以相互转换(存在不同程度的精度)。
mw和dBm的测量单位相信这个大家并不陌生。
通常我们衡量RF能量大小都是以 mw 为单位的，但并不方便，着不仅是以为信号强度值不是呈线性衰减，而是符合平方反比定律(inverse square law)。
即如果移动2倍的距离，对应的信号强度将衰减为原来的1/4。
这也是为什么引入指数的测量方式的其中一个原因。
分贝，就是对信号强度的对数测量方式。
mw值将转换为以10为底的对数，而因为其值很小，所以把结果再乘以10。
举例：转换公式为：RSSI(接收的信号强度指示)IEEE标准定义了一种机制来衡量无线网卡接收到的RF能量值。
其数值为0~255的整数，即我们所说的RSSI.当然没有厂商真把信号值分成256个不同等级，但是每个厂商都指明了自己NIC的最大RSSI值(RSSI_MAX),比如Symbol使用RSSI_MAX=31（Atheros的为60）。
注意这里说的完全跟 mw和dBm没有关系。
RSSI是定义在802.11标准的任意整数，供本地/内部(Internally)使用，比如用于设备驱动开发等。
比如，当适配器要发送一个包，它必须检查当前信道是否可用(clear)，如果RSSI值小于某个值，那么芯片就知道信号时可用的，这个值就成为"Clear Channel Threshold",并赋予某个具体RSSI值。
同样还有"Roaming Threshold“,不同的厂商，这两个值是不同的，因为它们定义了不同的RSSI_MAX.所以RSSI值只能以一种相对方式使用，没有决定的精确值。
emi指标
EMI，全称为Electromagnetic Interference（电磁干扰），是指任何可能引起电子设备、系统或网络性能下降或失效的电磁现象。
以下是一些与EMI相关的指标：1. 辐射发射（Radiated Emission）：这是测量设备在运行过程中产生的电磁能量向周围空间的传播情况。
通常使用特定的天线和频谱分析仪来测量在指定频率范围内的电磁场强度。
2. 传导发射（Conducted Emission）：这是测量设备通过电源线、信号线或其他导体向外部环境传输的电磁能量。
通常使用电流探头和频谱分析仪进行测量。
3. 敏感度（Susceptibility）或抗扰度（Immunity）：这是测量设备抵抗外部电磁干扰的能力。
包括辐射敏感度（Radiated Susceptibility）和传导敏感度（Conducted Susceptibility）。
4. 谐波和闪烁（Harmonics and Flicker）：谐波是电源电流中高于基波频率的整数倍频率分量，闪烁则是由于电压波动引起的光亮度不稳定。
5. 共模干扰（Common-Mode Emission）和差模干扰（Differential-Mode Emission）：在传导发射中，共模干扰是指沿着电路的两个导体对地的干扰电流相同，而差模干扰是指沿着电路的两个导体之间的干扰电流相等但极性相反。
6. 脉冲群抗扰度（Pulse Group Immunity）和浪涌抗扰度（Surge Immunity）：这些是测量设备抵抗快速瞬态电压和电流变化的能力。
7. 静电放电抗扰度（ESD Immunity）：测量设备抵抗静电放电影响的能力。
8. 磁场抗扰度（Magnetic Field Immunity）和电场抗扰度（Electric Field Immunity）：测量设备抵抗外部静态或交变电磁场影响的能力。
每个国家和地区都有自己的EMI标准和法规，如欧洲的EN 55022和美国的FCC Part 15等，这些标准规定了不同类型的电子设备在各个EMI指标上的限值和测试方法。
电磁辐射照射的场强单位及其换算
电磁辐射照射的场强单位及其换算一、电磁干扰场强的基本单位高频、微波电磁干扰场强有三种基本单位：电场强度V/m、磁场强度A/m和功率通量密度W/m2。
在测量电场时，若仪器的表头刻度用的是电场强度单位时，则用V/m单位表示之。
所测干扰场强小于1V/m时，可用m V /m、µV/m单位。
当使用环天线、框天线或磁性天线等来测量磁场，且仪器的表头刻度按磁场强度单位A/m刻度时，则可用A/m、 mA /m、µA/m单位表示之。
当电磁场频率高至微波段时，由于对电场、磁场的单独测量在技术上有一定困难；或者功率密度测量比电场、磁场测量要方便，所以可采用功率通量密度测量。
功率通量密度的单位为W/ m2。
国外生产的全向宽带场强仪、辐射危险计，因其工频率范围极宽，从260KHZ~26GHZ、，故测试电路中实现|E|2、|H|2较为方便。
因此，大多采用功率通量密度测量，并以mW /Cm2为表头刻单位。
强场仪测得的功率通量密度是Poyn-ting向量模的时间平均值，亦代表电磁场的强度。
它的单位W/m2和电场强度单位V /m、磁场强度单位A/m同为电磁干扰场强的基本单位。
它们的地位是等同的。
一、电磁干扰场强单位间的相互换算在一般情况下，V/m、A/m和mW /Cm之间不能相互换算。
只有在被测场为平面波情况下，三者间才能相互换算。
否则，只能“等效换算”。
何谓平面波？凡远离发射天线，在自由空间中传播的电磁波，皆为平面波。
根据电磁场理论，在平面波情况下，S=ZoH2=E2/Zo在自由空间中，Z=120π≈376.7Ω，代入上式后可得：E单位为V/m2，S单位为mW /C m2。
值得指出的是：通常A、B波段（10Khz~30MHZ）的干扰场强测量仪（例如德R/S公司的ESH3、日本Anritu公司的ML428B）使用环形天线进行测量。
虽然环形天线只对磁场分量起作用，但在自由空间中，由于E=Z0H（称等效电场分量），故表头可用等效电场分量刻度。
电磁辐射照射的场强单位及其换算
电磁辐射照射的场强单位及其换算电磁干扰场强单位及其换算，是广大电磁兼容工作者经常遇到的、关切的问题之一。
电磁干扰场强既有电场强度、磁场强度和功率通量密度等基本单位，又有分贝制导出。
在某些情况下，单位之间还可相互换算。
本文将就这些单位的使用及换算作一简要的介绍。
一、电磁干扰场强的基本单位高频、微波电磁干扰场强有三种基本单位：电场强度V/m、磁场强度A/m 和功率通量密度W/m2。
在测量电场时，若仪器的表头刻度用的是电场强度单位时，则用V/m单位表示之。
所测干扰场强小于1V/m时，可用m V /m、μV/m单位。
当使用环天线、框天线或磁性天线等来测量磁场，且仪器的表头刻度按磁场强度单位A/m刻度时，则可用A/m、mA /m、μA/m单位表示之。
当电磁场频率高至微波段时，由于对电场、磁场的单独测量在技术上有一定困难；或者功率密度测量比电场、磁场测量要方便，所以可采用功率通量密度测量。
功率通量密度的单位为W/ m2。
国外生产的全向宽带场强仪、辐射险计，因其工频率范围极宽，从260KHZ~26GHZ、，故测试电路中实现|E|2、|H|2较为方便。
因此，大多采用功率通量密度测量，并以mW /Cm2为表头刻单位。
强场仪测得的功率通量密度是Poyn-ting向量模的时间平均值，亦代表电磁场的强度。
它的单位W/m2和电场强度单位V /m、磁场强度单位A/m同为电磁干扰场强的基本单位。
它们的地位是等同的。
二、电磁干扰场强单位间的相互换算在一般情况下，V/m、A/m和mW /Cm之间不能相互换算。
只有在被测场为平面波情况下，三者间才能相互换算。
否则，只能“等效换算”。
何谓平面波？凡远离发射天线，在自由空间中传播的电磁波，皆为平面波。
根据电磁场理论，在平面波情况下，S=ZoH2=E2/Zo在自由空间中，Z=120π≈376.7Ω，代入上式后可得：E单位为V/m2，S 单位为mW /C m2。
值得指出的是：通常A、B波段（10Khz~30MHZ）的干扰场强测量仪（例如德R/S公司的ESH3、日本Anritu公司的ML428B）使用环形天线进行测量。
EMI分析
4.2.1 电压瞬变对于电磁干扰的分析，可以从电磁能量外泄方面来考虑，如果器件向外泄露的能量越少，我们可以认为产生的电磁干扰就比较小。
对于高速的数字器件来说，产生高频交流信号时的电压瞬变是产生电磁干扰的一个主要原因。
我们知道，数字信号在开关输出时产生的频谱不是单一的，而是融合了很多高次谐波分量，这些谐波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降时间来决定，信号上升和下降速率越快，即开关频率越高，则产生的能量越多。
所以，如果器件在很短的时间内完成很大的电压瞬变，将会产生严重的电磁辐射，这个电磁能量的外泄就会造成电磁干扰问题。
通常，高速数字电路的EMI 发射带宽可以通过下面的公式计算：F=1/πTr，F为开关电路产生的最高EMI频率，单位为GHz，Tr为信号的上升时间或者下降时间，单位为ns。
'700')this.width='700';" border=0> 图1-4-1 理想信号回流示意图'700')this.width='700';" border=0>图1-4-1 实际情况中的信号回流对高频信号回流的理解不能有一个思维定势，认为回流必须完全存在于信号走线正下方的参考平面上。
事实上，信号回流的途径是多方面的：参考平面，相邻的走线，介质，甚至空气都可能成为它选择的通道，究竟哪个占主要地位归根结底看它们和信号走线的耦合程度，耦合最强的将为信号提供最主要的回流途径。
比如在多层PCB设计中，参考平面离信号层很近，耦合了绝大部分的电磁场，99％以上的信号能量将集中在最近的参考平面回流，由于信号和地回流之间的环路面积很小，所以产生的EMI也很低。
但如果由于相邻的参考平面上存在缝隙等非理想因素，这就导致了回流的面积增大，低电感的耦合作用减弱，将会有更多的回流通过其它途径或者直接释放到空中，这就会导致EMI的大大增加。
我们参考图1-4-3来分析信号回流对EMI的影响，可以看到：信号和回流外部区域，由于磁场的极性相反，可以相互抵消，而中间部分是加强的，这也是对外辐射的主要来源。
emf标准dbm数值
emf标准dbm数值
EMF（电磁场）是指由电流通过导体产生的电磁辐射，其强度可以通过电磁场强度（电场强度和磁场强度）来衡量。
而dBm是一种用于表示功率的单位，常用于无线通信领域。
然而，EMF的标准数值并没有一个统一的定义，因为它涉及到不同的应用场景和标准机构。
不同国家和地区可能有不同的法规和标准来限制电磁辐射的强度。
以下是一些常见的EMF标准和相关的dBm数值范围：
1. 国际电工委员会（IEC）发布了关于电磁辐射的标准，其中包括IEC 62232标准，用于评估电子设备产生的电磁辐射。
该标准规定了不同频率范围内的电磁辐射限值，但并未直接给出与dBm的对应关系。
2. 美国联邦通信委员会（FCC）对电磁辐射也有相关的限制。
在无线通信领域，FCC规定了不同频段的无线设备的功率限制，一般以dBm为单位进行表示。
例如，2.4GHz频段的Wi-Fi设备在室内的功率限制为20dBm（100mW），而在室外的功率限制为30dBm
（1W）。
3. 欧洲电信标准协会（ETSI）也制定了一些与无线通信相关的EMF标准。
例如，GSM网络中，手机的最大发射功率为33dBm（2W）。
需要注意的是，以上只是一些常见的EMF标准和对应的dBm数
值范围，具体的标准可能因国家、地区和应用场景而异。
此外，EMF
的评估和监测通常需要专业的仪器和技术，不能仅仅依靠dBm数值
来判断。
如果你有特定的应用场景或标准机构的要求，请提供更具
体的信息，以便提供更准确的回答。
EMI辐射讯号的强度
EMI輻射訊號的強度作者：Bonnie C. Baker / 德州儀器(TI)資深應用工程師需要距離輻射來源多遠，才能避免輻射訊號干擾系統？回答這個問題時，請考量下列兩個問題：(1)輻射來源的能量，以及(2)系統的EMI 防護電路。
本文將探討第一個問題。
電磁干擾 (EMI) 訊號會從來源傳播到接收元件。
這些訊號接觸敏感電路的電源或電壓位準端視發送器的電源/天線增益及來源與接收端相距的距離而定 (圖一)。
圖一來源與接收端之間的 EMI 電場及功率密度關係進行EMI 評估時，可使用電場強度或輻射功率密度參數。
電場強度會將來源干擾電壓的幅度量化。
這個窄頻或寬頻 EMI 訊號的測量單位為每公尺伏特(V/m)。
如果需要修改電場強度的單位，可轉換為dBmV/m，其中dBmV=20log(V) + 120 mV。
窄頻EMI 訊號一般是重複訊號或脈衝序列。
圖一中簡單的公式可迅速預測與EMI 來源相距特定距離時最不理想的輻射電壓Er，寬頻EMI 訊號一般是單一脈衝，例如雷擊、ESD 事件或火花間隙。
脈衝類型包含多個頻率。
寬頻訊號不會重複，而且速度相當快，因此不容易測量。
輻射功率密度單位可解釋窄頻現象。
EMI窄頻輻射功率密度的測量單位為每平方公尺瓦特 (W/m2)。
對於窄頻 EMI 問題，通訊工程人員都使用 EMI 訊號的功率密度表示，也可以將輻射功率密度單位轉換為 dBm/m2，其中dBm (dB毫瓦)=10log (W)。
在實驗過程中，可在時域及頻域預先分析EMI 訊號。
使用示波器可觀察時域中的訊號，使用頻譜分析儀評估頻域中的訊號。
美國聯邦通信委員會 (FCC)及歐洲無線射頻干擾國際特別委員會 (CISPR) 規定，認證合格的公司必須進行所有輻射EMI 測量，才能將產品上市；這項規定可確保測試結果符合 FCC 及/或 CISPR 標準。
測試方法包括環境條件，以及調校的 EMI 測試設備及天線。
FCC 及 CISPR 規定設備發出的輻射訊號必須低於指定值。
电磁辐射照射的场强单位及其换算.
电磁辐射照射的场强单位及其换算zhaoruifeng» 2006-8-6 12:12:00电磁辐射照射的场强单位及其换算摘要：电磁干扰场强单位及其换算，是广大电磁兼容工作者经常遇到的、关切的问题之一。
电磁干扰场强既有电场强度、磁场强度和功率通量密度等基本单位，又有分贝制导出。
在某些情况下，单位之间还可相互换算。
本文将就这些单位的使用及换算作一简要的介绍。
一、电磁干扰场强的基本单位高频、微波电磁干扰场强有三种基本单位：电场强度V/m、磁场强度A/m和功率通量密度W/m2。
在测量电场时，若仪器的表头刻度用的是电场强度单位时，则用V/m单位表示之。
所测干扰场强小于1V/m时，可用m V /m、µV/m单位。
当使用环天线、框天线或磁性天线等来测量磁场，且仪器的表头刻度按磁场强度单位A/m刻度时，则可用A/m、 mA /m、µA/m单位表示之。
当电磁场频率高至微波段时，由于对电场、磁场的单独测量在技术上有一定困难；或者功率密度测量比电场、磁场测量要方便，所以可采用功率通量密度测量。
功率通量密度的单位为W/ m 2。
国外生产的全向宽带场强仪、辐射危险计，因其工频率范围极宽，从260KHZ~26GHZ、，故测试电路中实现|E|2、|H|2较为方便。
因此，大多采用功率通量密度测量，并以mW /Cm2为表头刻单位。
强场仪测得的功率通量密度是Poyn-ting向量模的时间平均值，亦代表电磁场的强度。
它的单位W/m2和电场强度单位V /m、磁场强度单位A/m同为电磁干扰场强的基本单位。
它们的地位是等同的。
一、电磁干扰场强单位间的相互换算在一般情况下，V/m、A/m和mW /Cm之间不能相互换算。
只有在被测场为平面波情况下，三者间才能相互换算。
否则，只能“等效换算”。
何谓平面波？凡远离发射天线，在自由空间中传播的电磁波，皆为平面波。
根据电磁场理论，在平面波情况下，S=ZoH2=E2/Zo在自由空间中，Z=120π≈376.7Ω，代入上式后可得： E单位为V/m2，S单位为mW /C m2。
emi se值的计算公式
emi se值的计算公式
在电磁兼容（EMC）领域，SE（Shielding Effectiveness）值是用来衡量屏蔽材料对电磁波的屏蔽能力的一个重要参数。
SE值通常用分贝（dB）来表示，计算公式如下：
SE = 20 log10 (Ei / Er)。
其中，Ei代表入射电磁波的电场强度，Er代表透射电磁波的电场强度。
这个公式基于电磁波的功率比例，因为分贝是以10为底的对数单位，所以乘以20是为了将功率比例转换为分贝单位。
在实际应用中，SE值的计算需要考虑许多因素，包括材料的厚度、材料的导电性能、频率范围、波长等。
另外，对于不同类型的电磁波（如射频信号、微波、电磁脉冲等），SE值的计算方法也可能有所不同。
总的来说，SE值的计算公式是一个基本的表达式，但在具体的工程设计和测试中，可能需要结合更多的实际因素来进行精确的计算和评估。
信号强度解释和计算
信号强度解释和计算信号强度解释和计算dB、dBm、dBc等概念的解释[纯计数单位]首先，DB 是一个纯计数单位：对于功率，dB = 10*lg(A/B)。
对于电压或电流，dB = 20*lg(A/B).dB的意义其实再简单不过了，就是把一个很大（后面跟一长串0的）或者很小（前面有一长串0的）的数比较简短地表示出来。
如：X=1000000000000000 (共15个0) 10lgX=150dBX=0.00000000000000110lgX=-150 dBdBm 定义的是miliwatt。
0 dBm=10lg1mw；dBw 定义watt。
0 dBw = 10lg1 W = 10lg1000 mw = 30 dBm。
DB在缺省情况下总是定义功率单位，以10lg 为计。
当然某些情况下可以用信号强度（Amplitude）来描述功和功率，这时候就用20lg 为计。
不管是控制领域还是信号处理领域都是这样。
比如有时候大家可以看到dBmV 的表达。
注意基本概念在dB，dBm计算中，要注意基本概念。
比如前面说的0dBw = 10lg1W = 10lg1000mw = 30dBm；又比如，用一个dBm 减另外一个dBm时，得到的结果是dB。
如：30dBm - 0dBm = 30dB。
dB和dB之间只有加减一般来讲，在工程中，dB和dB之间只有加减，没有乘除。
而用得最多的是减法：dBm 减dBm 实际上是两个功率相除，信号功率和噪声功率相除就是信噪比（SNR）。
dBm 加dBm 实际上是两个功率相乘，这个已经不多见（我只知道在功率谱卷积计算中有这样的应用）。
dBm 乘dBm 是什么，1mW 的1mW 次方？除了同学们老给我写这样几乎可以和歌德巴赫猜想并驾齐驱的表达式外，我活了这么多年也没见过哪个工程领域玩这个。
编辑本段dB是功率增益的单位db，表示一个相对值。
当计算A 的功率相比于B大或小多少个dB时，可按公式10 lg A/B计算。
信号强度解释;距离与强度计算
信号强度解释和计算dB、dBm、dBc等概念的解释[纯计数单位]首先，DB 是一个纯计数单位：对于功率，dB = 10*lg(A/B)。
对于电压或电流，dB = 20*lg(A/B).dB的意义其实再简单不过了，就是把一个很大（后面跟一长串0的）或者很小（前面有一长串0的）的数比较简短地表示出来。
如：X=1000000000000000 (共15个0)10lgX=150dBX=0.00000000000000110lgX=-150 dBdBm 定义的是miliwatt。
0 dBm=10lg1mw；dBw 定义watt。
0 dBw = 10lg1 W = 10lg1000 mw = 30 dBm。
DB在缺省情况下总是定义功率单位，以10lg 为计。
当然某些情况下可以用信号强度（Amplitude）来描述功和功率，这时候就用20lg 为计。
不管是控制领域还是信号处理领域都是这样。
比如有时候大家可以看到dBmV 的表达。
注意基本概念在dB，dBm计算中，要注意基本概念。
比如前面说的0dBw =10lg1W = 10lg1000mw = 30dBm；又比如，用一个dBm 减另外一个dBm 时，得到的结果是dB。
如：30dBm - 0dBm = 30dB。
dB和dB之间只有加减一般来讲，在工程中，dB和dB之间只有加减，没有乘除。
而用得最多的是减法：dBm减dBm实际上是两个功率相除，信号功率和噪声功率相除就是信噪比（SNR）。
dBm加dBm实际上是两个功率相乘，这个已经不多见（我只知道在功率谱卷积计算中有这样的应用）。
dBm乘dBm是什么，1mW的1mW次方？除了同学们老给我写这样几乎可以和歌德巴赫猜想并驾齐驱的表达式外，我活了这么多年也没见过哪个工程领域玩这个。
编辑本段dB是功率增益的单位db，表示一个相对值。
当计算A 的功率相比于B大或小多少个dB时，可按公式10lg A/B计算。
例如：A功率比B功率大一倍，那么10lg A/B=10lg2=3dB。
EMI之--峰值，准峰值、平均值解析！
EMI之--峰值，准峰值、平均值解析！最近一个重要客户的机器测试分别要求测试QP，AV和PK（测试项是EN55022的传导辐射CE），突然问起来这几个值之间的数值关系，在想PK QK AV的区别在于检波器的RC参数，公式是对标准的理想正弦信号而言。
在电磁兼容测试工程实践中，时变的的信号目前是没有公式去算的，不过后来在想既然提到了这个问题，也该要让自己的答案再深入一些：EMI Receiver可以进行准峰值测量、峰值测量和平均值测量。
当输入信号是正弦波时，无论用何种方式测量，得到的读数都是相同的，等于该正弦波的有效值，精度应优于±2dB。
但是如果输入的是周期脉冲信号，则三种测量方法得到的读数是不一样的，其结果如表所示。
峰值、准峰值和平均值测量的结果比较表中E——正弦波的有效值；δ——脉冲强度，等于脉冲幅度×脉冲宽度sec，单位：mＶsBimp——脉冲宽度；Bimp='1'.05B6(B6表示6Db 带宽的脉冲带宽，在15k-30MHZ,8khz<B6<10khz)PP(α)——准峰值检波效率，与检波器的充、放电时间常数、脉冲重复频率和带宽有关，P(α)≤1。
fPR——脉冲重复频率；由表可知，峰值测量结果≥准峰值测量结果。
下表中中列出了输入标准脉冲，在标准宽带情况下峰值与准峰值表头指示之比值。
峰值测量时的绝对脉冲特性下表列出了具有相同带宽的准峰值QP 和平均值AV 表头指示之比值，在相同带宽条件下准峰值和平均值表头读数之比值由表可知，准峰值≥平均值。
对于规则的周期性脉冲可以根据表7来进行峰值、准峰值、平均值之间的转换。
但是一般骚扰都是随机的，很难进行彼此间的换算，因此有些标准同时规定了发射测量的准峰值限值和平均值限值。
总上所述：PK≥QP≥AV。
电磁辐射照射场强单位及其换算分析
电磁辐射照射的场强单位及其换算电磁辐射照射的场强单位及其换算电磁辐射照射的场强单位及其换算摘要：电磁干扰场强单位及其换算，是广大电磁兼容工作者经常遇到的、关切的问题之一。
电磁干扰场强既有电场强度、磁场强度和功率通量密度等基本单位，又有分贝制导出。
在某些情况下，单位之间还可相互换算。
本文将就这些单位的使用及换算作一简要的介绍。
一、电磁干扰场强的基本单位高频、微波电磁干扰场强有三种基本单位：电场强度V/m、磁场强度A/m和功率通量密度W/m2。
在测量电场时，若仪器的表头刻度用的是电场强度单位时，则用V/m单位表示之。
所测干扰场强小于1V/m时，可用m V /m、µV/m单位。
当使用环天线、框天线或磁性天线等来测量磁场，且仪器的表头刻度按磁场强度单位A/m 刻度时，则可用A/m、mA /m、µA/m单位表示之。
当电磁场频率高至微波段时，由于对电场、磁场的单独测量在技术上有一定困难；或者功率密度测量比电场、磁场测量要方便，所以可采用功率通量密度测量。
功率通量密度的单位为W/ m2。
国外生产的全向宽带场强仪、辐射危险计，因其工频率范围极宽，从260KHZ~26 GHZ、，故测试电路中实现|E|2、|H|2较为方便。
因此，大多采用功率通量密度测量，并以mW /Cm2为表头刻单位。
强场仪测得的功率通量密度是Poyn-ting向量模的时间平均值，亦代表电磁场的强度。
它的单位W/m2和电场强度单位V /m、磁场强度单位A/m同为电磁干扰场强的基本单位。
它们的地位是等同的。
一、电磁干扰场强单位间的相互换算在一般情况下，V/m、A/m和mW /Cm之间不能相互换算。
只有在被测场为平面波情况下，三者间才能相互换算。
否则，只能“等效换算”。
何谓平面波？凡远离发射天线，在自由空间中传播的电磁波，皆为平面波。
根据电磁场理论，在平面波情况下，S=ZoH2=E2/Zo在自由空间中，Z=120π≈376.7Ω，代入上式后可得：E单位为V/m2，S单位为mW /C m2。
信号强度解释;距离与强度计算
信号强度解释和计算dB、dBm、dBc等概念的解释[纯计数单位]首先，DB 是一个纯计数单位：对于功率，dB = 10*lg(A/B)。
对于电压或电流，dB = 20*lg(A/B).dB的意义其实再简单不过了，就是把一个很大（后面跟一长串0的）或者很小（前面有一长串0的）的数比较简短地表示出来。
如：X=1000000000000000 (共15个0)10lgX=150dBX=0.00000000000000110lgX=-150 dBdBm 定义的是miliwatt。
0 dBm=10lg1mw；dBw 定义watt。
0 dBw = 10lg1 W = 10lg1000 mw = 30 dBm。
DB在缺省情况下总是定义功率单位，以10lg 为计。
当然某些情况下可以用信号强度（Amplitude）来描述功和功率，这时候就用20lg 为计。
不管是控制领域还是信号处理领域都是这样。
比如有时候大家可以看到dBmV 的表达。
注意基本概念在dB，dBm计算中，要注意基本概念。
比如前面说的0dBw =10lg1W = 10lg1000mw = 30dBm；又比如，用一个dBm 减另外一个dBm 时，得到的结果是dB。
如：30dBm - 0dBm = 30dB。
dB和dB之间只有加减一般来讲，在工程中，dB和dB之间只有加减，没有乘除。
而用得最多的是减法：dBm减dBm实际上是两个功率相除，信号功率和噪声功率相除就是信噪比（SNR）。
dBm加dBm实际上是两个功率相乘，这个已经不多见（我只知道在功率谱卷积计算中有这样的应用）。
dBm乘dBm是什么，1mW的1mW次方？除了同学们老给我写这样几乎可以和歌德巴赫猜想并驾齐驱的表达式外，我活了这么多年也没见过哪个工程领域玩这个。
编辑本段dB是功率增益的单位db，表示一个相对值。
当计算A 的功率相比于B大或小多少个dB时，可按公式10lg A/B计算。
例如：A功率比B功率大一倍，那么10lg A/B=10lg2=3dB。
emc计算公式
emc计算公式
EMC（Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性）的计算公
式可以根据具体的应用和测试要求而有所不同。
然而，在大多数情况下，EMC计算公式可以主要分为以下几种：
1. 辐射电磁干扰（EMI）的计算公式：
- EMI的发射：E = P / (4πr²) ，其中 E 为辐射电磁场强度，P
为辐射功率，r为距离；
- EMI的接收：V = k * E * A ，其中 V 为接收到的电压，k
为接收系数，E为辐射电磁场强度，A为接收天线的有效孔径
面积。
2. 传导电磁干扰（EMI）的计算公式：
- EMI的传导：V=I * Z ，其中 V为传导干扰产生的电压，I
为电流，Z为阻抗。
3. 电磁兼容性测试中的信噪比（SNR）计算公式：
- SNR = (S+N) / N ，其中 SNR为信噪比，S为信号功率，N
为噪声功率。
需要注意的是，EMC计算公式的具体形式和参数取值可能因
应用场景、测试方法和设备等因素的不同而有所差异，以上仅为一般性的示例。
在实际应用中，建议根据具体的情况和需求，参考相关标准、规范和文献，以确保计算结果的准确性和适用性。
辐射强度计算公式
辐射强度计算公式
辐射强度计算可以让人们更好地了解辐射环境，它是计算由放射源产生的辐射能量在空间内传播的强度。
辐射强度的计算是根据放射源的类型，放射源的功率，放射源的能量和附近的物质（例如，墙壁，屋顶等）等来完成的。
辐射强度计算可以用来估计一定范围内放射源的有害辐射水平。
这种计算对于保护公众健康非常重要，因为过高的辐射水平会对人类和动植物的健康造成危害。
辐射强度计算的公式有很多种，其中最常用的一种是用于计算在特定距离内的辐射强度的公式。
这种公式被称为“贝塞尔-万能公式”，它可以用来估计放射源的辐射强度，根据放射源的功率和距离。
它的表达式如下：
辐射强度（I）=放射源功率（P）/（4πr ^ 2）
其中，I表示放射源的辐射强度，P表示放射源的功率，r表示两者之间的距离。
辐射强度计算还可以用来估计放射源在空气中放射出的辐射量。
这种计算需要考虑放射源的活度，以及放射源所处位置的温度、湿度、空气组成等环境条件。
因此，辐射强度计算是一项重要的技术，可以用来估计放射源的有害辐射水平，以及放射源在空气中放射出的辐射量。
这种计算也可以用来估计放射源的影响范围，从而帮助公众采取有效的措施，保护公众的健康和安全。
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EMI辐射信号强度计算
嘉兆科技
需要距离辐射源多远才能使辐射信号不干扰系统呢？要想知道这个问题的答案，需要思考下面两个问题：1）辐射源的辐射能量大小；2）系统的EMI 保护电路性能如何。
本文中，我们将首先讨论第一个问题。
呈辐射状的电磁干扰(EMI) 信号会从辐射源传播至某个接收单元。
根本而言，这些信号的功率或者电压强度在“触及”敏感的电路时，取决于发送器的功率/天线增益以及辐射源和接收器之间的距离（请参见图1）。
图1 辐射源和接收器之间的EMI 电场和功率密度关系
在进行EMI 评估时，可能会利用电场强度或者辐射功率密度参数。
电场强度量化了辐射源干扰电压的大小。
这种窄带或者宽带EMI 信号测量单位为伏每米(V/m)。
您可以根据喜好，对这种电场强度单位进行修改，将它们转换成dBμV/m，其中dBμV = 20 log (V) + 120μV。
窄带EMI 信号一般为重复信号或者脉冲序列。
利用图1 所示简单公式，可以在距离EMI 辐射源的某个地方，迅速计算出辐射电压的极端估计情况Er。
宽带EMI 信号一般为单个脉冲，例如：闪电、一次ESD 事件或者火花隙。
这些脉冲类型事件都包含多个频率。
宽带信号难以测量，因为它们不重复且速度快。
辐射功率密度单位也可用于描述窄带事件。
EMI 窄带的测量单位（辐射功率密度）可以为瓦特每平方米，即W/m2。
通信工程师使用功率密度表示EMI 信号，用于解决其窄带EMI 问题。
可以将辐射功率密度单位转换成dBm/m2，其中dBm (dB milliwatts) = 10 log (W)。
在实验室中，可以在时域和频域中对EMI信号进行预分析。
使用一台示波器对信号进行时域观察，然后再使用一台频谱分析仪对信号进行频域评估。
但是，通过联邦通信委员会(FCC) 和欧洲国际特别委员会(CISPR) 无线电干扰认证的一些公司，必须在产品上市以前就进行所有辐射EMI 测量。
这种要求可以确保测试结果完全符合FCC 和/或CISPR 规定。
测试方法包括使用环境测试，并使用经过校准的EMI 测试设备和天线。
FCC 和CISPR 要求设备发射的辐射信号必须在规定值以下。
FCC 和CISPR 相关文件包括EN 55011、EN 55013、EN 55014、EN 55015、EN 55022和EN 50081-1.2（通用辐射标准）。
图2 FCC 和CISPR 辐射限制—30MHz到1GHz，测量距离10m
图2 中，A 类限制针对商业、工业或者企业环境下使用的电子设备。
B 类限制针对家用电子设备。
A 类限制也可能适用于家用电子设备。
B 类限制更加严格，因为这类设备可能会靠近TV和无线电接收设备放置。