三极管图片大全、
完整版PNP型三极管
IB < 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。
〔3〕饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置
当UCE UBE时，晶体管工作于饱和状态。
截止区
IC /mA 4 3
2 1
饱和区 100μA
80μA
放
60μA
大
40μA
区 20μA
IB=0
0
36
9 12 UCE /V
演示课件
5.2.4 三极管的主要参数
V阳>V阴 二极管导通
假设忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V
否那么， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－
6.7V在这里，二极管起钳位作用。
演示课件
5.1.5稳压管和发光二极管
１、稳压管
稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管的稳定电压
就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于：电流增量很大，只引起很
结论:
1〕三电极电流关系 IE = IB + IC
2〕 IC
IB ， IC IE
3〕 IC
IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的
变化，是CCCS器件。
三极管的识别
三极管的识别、检测与应用
半导体三极管又称晶体三极管（简称三极管），一般简称晶体管，或双极型晶体管。
它是通过一定的制作工艺，将两个PN结结合在一起的器件，两个PN结相互作用，使三极管成为一个具有控制电流作用的半导体器件。
三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。
一、结构和符号
三极管从结构上来讲分为两类：NPN型三极管和PNP型三极管。
下图为三极管的结构示意图和符号。
符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。
三极管从应用的角度讲，种类很多。
根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。
常见的三极管外形如图所示。
二、电流分配原则及放大作用
要实现三极管的电流放大作用，首先要给三极管各电极加上正确的电压。
三极管实现放大的外部条件是：其发射结必须加正向电压（正偏），而集电结必须加反向电压（反偏）。
三极管的电流分配及放大关系式为：
IE=IC+IB
IC=βIB
为电流放大倍数，其范围约为：20~100。
常用三极管
一、概述s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 1：e 2：b 3：c二、三极管管脚判断当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a)判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b)判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
三极管型号及参数大全集
三极管s8050管脚图及参数---------------------------------------------------------------------------4 晶体管2SA1074参数 -----------------------------------------------------------------------------6 2SA1074---------------------------------------------------------------------------------------------6 晶体管2SA1068参数 -----------------------------------------------------------------------------8 2SA1068---------------------------------------------------------------------------------------------8 晶体管2SA107参数-------------------------------------------------------------------------------9 2SA107 ----------------------------------------------------------------------------------------------9 晶体管2SA1072A参数 ------------------------------------------------------------------------- 10 2SA1072A----------------------------------------------------------------------------------------- 10 2SA108 -------------------------------------------------------------------------------------------- 11 2SA1024------------------------------------------------------------------------------------------- 12 2SA1029------------------------------------------------------------------------------------------- 13 2SA1030------------------------------------------------------------------------------------------- 14 BC131 --------------------------------------------------------------------------------------------- 15 BC134 --------------------------------------------------------------------------------------------- 16 BC138 --------------------------------------------------------------------------------------------- 17 AUY35 -------------------------------------------------------------------------------------------- 18 AUY37 -------------------------------------------------------------------------------------------- 19 AUY36 -------------------------------------------------------------------------------------------- 20 AUY38 -------------------------------------------------------------------------------------------- 21 AUZ11 --------------------------------------------------------------------------------------------- 22 BC100 --------------------------------------------------------------------------------------------- 23 BC107 --------------------------------------------------------------------------------------------- 24 BC107P -------------------------------------------------------------------------------------------- 25 晶体管型号参数对照表 ------------------------------------------------------------------------- 26admin减小字体增大字体三极管s8050管脚图及参数、引脚实物图片[本站（中国单片机网）,摘自/article/88/196/2008/2008012 37483.html]上一篇文章：三极管9013管脚参数封装说明、引脚实物图片下一篇文章：USB接口充电器电路图三极管s8050管脚图及参数作者：本站来源：本站原创发布时间：2008-1-23 9:43:22 [收藏] [评论]三极管s8050管脚图S8050 pdf,s8050 datasheet 8050参数,8050三极管参数资料pdf晶体管2SA1074参数整理日期:2008-8-31 20:27:34 资料编辑: 点击次数: 132SA1074材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：150集电极最大允许直流电流Icm_A：集电极_基极击穿电压BVcbo_V：集电极_基极击穿电压BVceo_V：160特征频率ft_Hz：放大倍数：国产管参考型号：此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:47 资料编辑: 点击次数: 302SA1068材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：100集电极最大允许直流电流Icm_A：集电极_基极击穿电压BVcbo_V：集电极_基极击穿电压BVceo_V：150特征频率ft_Hz：40放大倍数：国产管参考型号：此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:46 资料编辑: 点击次数: 172SA107材料：G外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：35m集电极最大允许直流电流Icm_A：-10m集电极_基极击穿电压BVcbo_V：-6集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：20000K放大倍数：国产管参考型号：3AG53A此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:45 资料编辑: 点击次数: 162SA1072A材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：120集电极最大允许直流电流Icm_A：集电极_基极击穿电压BVcbo_V：集电极_基极击穿电压BVceo_V：120特征频率ft_Hz：放大倍数：国产管参考型号：此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:33 资料编辑: 点击次数: 122SA108材料：G外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：80m集电极最大允许直流电流Icm_A：-10m集电极_基极击穿电压BVcbo_V：-20集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：45000K放大倍数：国产管参考型号：3AG54B此参数来自家电维修资料网材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：0.4 集电极最大允许直流电流Icm_A：0.1 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：集电极_基极击穿电压BVceo_V：400 特征频率ft_Hz：放大倍数：国产管参考型号：3CK1E材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：0.2集电极最大允许直流电流Icm_A：0.1集电极_基极击穿电压BVcbo_V：30集电极_基极击穿电压BVceo_V：30特征频率ft_Hz：200放大倍数：100国产管参考型号：3CG120A此参数来自家电维修资料网材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：0.2集电极最大允许直流电流Icm_A：0.1集电极_基极击穿电压BVcbo_V：50集电极_基极击穿电压BVceo_V：55特征频率ft_Hz：200放大倍数：100国产管参考型号：3CG120B此参数来自家电维修资料网材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：135m 集电极最大允许直流电流Icm_A：100m 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：20集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：300M放大倍数：国产管参考型号：3DG120D材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：200m 集电极最大允许直流电流Icm_A：集电极_基极击穿电压BVcbo_V：45集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：350M放大倍数：国产管参考型号：3DG110F材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：0.8 集电极最大允许直流电流Icm_A：集电极_基极击穿电压BVcbo_V：60 集电极_基极击穿电压BVceo_V：30 特征频率ft_Hz：40M放大倍数：100国产管参考型号：3DK14C材料：G外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：15 集电极最大允许直流电流Icm_A：-20 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：-70 集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：2.5M放大倍数：国产管参考型号：3AD56BAUY37材料：G外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：30 集电极最大允许直流电流Icm_A：-10 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：-100 集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：0.4M放大倍数：国产管参考型号：3AD56CAUY36材料：G外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：15 集电极最大允许直流电流Icm_A：-20 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：-70 集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：3M放大倍数：国产管参考型号：3AD56B材料：G外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：30 集电极最大允许直流电流Icm_A：-10 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：-130 集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：4M放大倍数：国产管参考型号：3AD56C材料：G外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：6 集电极最大允许直流电流Icm_A：-1 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：-50 集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：3.5M放大倍数：国产管参考型号：3AD50A材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：0.59 集电极最大允许直流电流Icm_A：0.15 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：350 集电极_基极击穿电压BVceo_V：300 特征频率ft_Hz：10M放大倍数：40国产管参考型号：3DG180N材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：260m 集电极最大允许直流电流Icm_A：100m 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：50集电极_基极击穿电压BVceo_V：特征频率ft_Hz：150M放大倍数：国产管参考型号：3DG120D材料：S外形：图集电极最大直流耗散功率Pcm_W：0.3 集电极最大允许直流电流Icm_A：0.2 集电极_基极击穿电压BVcbo_V：集电极_基极击穿电压BVceo_V：50 特征频率ft_Hz：放大倍数：国产管参考型号：3DG120D晶体管型号参数对照表整理日期：2008-1-24 0:34:40 资料编辑: 点击次数: 9072晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应本资料共207页,当前在第001页001002003004005006007008009010011012013014015016017018019020 021022023024025026027028029030 031032033034035036037038039040 041042043044045046047048049050 051052053054055056057058059060 061062063064065066067068069070 071072073074075076077078079080 081082083084085086087088089090 091092093094095096097098099100 101102103104105106107108109110 111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140 141142143144145146147148149150 151152153154155156157158159160 161162163164165166167168169170 171172173174175176177178179180 181182183184185186187188189190 191192193194195196197198199200 201202203204205206207三极管型号查询时间：2008-12-24 19:00:32 作者：无被阅：上一篇文章：三极管资料大全下一篇文章：三极管型号查询三极管资料大全时间：2008-12-24 19:04:35 作者：无被阅：下一篇文章：三极管参数大全三极管资料大全时间：2008-12-24 19:04:35 作者：无被阅：。
三极管大全
BUT11A NPN 28 开关 功放 1000V5A100W
BUT12A NPN 28 开关 功放 450V10A125W
BUV26 NPN 28 音频功放开关 90V14A65W /250ns
BUV28A NPN 28 音频功放开关 225V10A65W /250ns
MJ11033 PNP 12 电源开关 120V50A300W DAR-L
MJ13333 NPN 12 电源开关 400V20A175W
MJ15024 NPN 12 音频功放开关 400V16A250W4MHZ(原25.00)
MJ15025 PNP 12 音频功放开关 400V16A250W4MHZ(原25.00)
MJ10012 NPN 12 达林顿 400V10A175W
MJ10015 NPN 12 电源开关 400V50A200W
MJ10016 NPN 12 电源开关 500V50A200W
MJ10025 12 电源开关 850V20A250W
MJ11032 NPN 12 电源开关 120V50A300W DAR-L
BU2527AF NPN 30 开关 功放 1500V15A150W
BU2532AW NPN 30 开关 功放 1500V15A150W(大屏)
BUH515 NPN BCE 行管 1500V10A80W
BUH515D NPN BCE 行管 1500V10A80W(带阻尼)
BUS13A NPN 12 开关 功放 1000V15A175W
BUV48A NPN 30 音频功放开关 450V15A150W
BUW13A NPN 30 功放开关 1000V15A150W
常用电子元件器件系列知识-三极管
电子元器件系列知识--三极管晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
贴片三极管封装形式
1C SOT23 SMBTA20
NPN
1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode
1Cs SOT363 BC847S
BC457
1D SOT23 BC846
NPN
1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A
1D SOT23 MMBTA42
NPN
1B SOT416 BC846BT N BC546B
1B SOT89 PXT2222
NPN
-1B SOT323 PMST2222 N 2N2222
1B- SOT323 >BC846BW N BC546B
1Bp SOT23 BC846B N BC546B
1Bs SC74 BC817UPN N
1Bt SOT23 BC846B N BC546B
1B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A
1B SOT23 MMBT2222
NPN
1B SOT23 MMBT2222 N 2N2222
1B SOT23 PMBT2222
NPN
1B SOT23 SMBT2222
NPN
1B SOT23 YTS2222
NPN
1B SOT323 BC846BW
NPN
1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn
1D SOT23 SMBTA42
NPN
1D SOT323 BC846W
NPN
1D SOT89 SXTA42
NPN
1D- SOT323 BC846W N BC456
1DN
2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners
晶体管知识介绍
N沟道：VDS > 0
P沟道：VDS < 0
MOS管的举例
PULS产品常用的三极管举例 型号 参数 外形图片
20N60C3系列
VGS(th)：2.1-3.9V、V(BR)GS：±20V、RDS(on)：0.16-0.19Ω V(BR)DS：700V、IDM：20.7A、PDM：34.5-208W、gm：6.8S
直流输入电阻 RGS，是指在漏源极间短路的条件下，栅源极之间所加直流电压与栅极 直流电流的比值。
导通电阻RDS(on)，是指管子在导通时漏源极之间的阻值. 反应了VDS对ID的影响。 低频跨导 gm，是指在VDS为某一定值时，漏极电流iD的微变量和引起它变化的VGS微变量 的比值,反映了栅源电压VGS对漏极电流iD的控制能力。 计算公式：
Icm，是指集电极允许通过的最大电流，当集电极电流Ic增加到某一数值，导致β值下 降到额定值的2/3或1/2时的Ic值。当三极管的集电极电流Ic超过Icm时，其β值 等参数将明显变化，虽然三极管不致损坏，但性能会受到显著影响。
Pcm，是指保证三极管正常工作情况下集电极所允许消耗的最大功率，三极管在使用时 ，如果实际功耗超过Pcm值，三极管就会因过载而损坏。
பைடு நூலகம்
3.反向基穿电压（BUceo和BUcbo)
BUceo，是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。 BUcbo，是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。
三极管的特性参数
三极管的主要特性参数 4.特征频率（ƒT)，三极管的工作频率高到一定程度时，电流放大倍数β就会下降， 当β=1时的频率就是特征频率，当三极管的工作频率超过特征频 率后，将会失去放大能力。 5.极限参数，包括集电极最大允许电流（Icm)和集电极最大允许耗散功率（Pcm).
1-2_半导体三极管
场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。
载流子参与导电是种器件半导体三极管是具有电流放大功能的元件频率：功率：材料：类型：1.2.1 三极管的结构及工作原理1.2.2 三极管的基本特性极管的基本特性1.2.3 三极管的主要参数及电路模型123三极管的主要参数及电路模型侧称为发射区，电极称为一侧称为发射区，电极称为e-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；示向。
集电结反偏集电结反偏，有平衡少子的漂移运动形成的反向电流。
CBO基区空穴向发射区的扩散可忽略扩散可忽略。
进入P 区的电进入P子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN数扩散到集电结。
3、三极管的电流分配关系I B定义：发射极直流电流放大倍数βICCEO忽略如输入电压变化，则会导致在流在定义：流放大倍数流放大倍数：的态信号时的(1)三极管放大电路的02.03 三极管的三种组态0203三极管的三种组态后达到集电极的电子电流的比值。
所以三极管的基本特性由基本特性曲线刻画，即各电极电压与电流的关系曲线，是其内部载流子运动的外部表现为什么要研究特性曲线：好的电路1. 输入特性曲线①死区②非线性区③线性区可以用解释即u CE 对i 的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即：结和发射结的两个性曲线。
（反偏状态，可以将发射区注入基区的绝大多数非平衡少子收集到集电区，且基区复合减少，明显增大，特性曲线将向右稍微移动一些。
输出特性曲线=0V时，因集电极无收集作用，i C=0。
当uCEu稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电当稍增大时发射结虽处于正向电压之下但集电增加到使集电结反偏电压较大时如u增加到使集电结反偏电压较大时，如CEu CE ≥1V≥0.7Vu07BE运动到集电结的电子基本上都可以被集电再增区收集，此后uCE电流没有明加，电流也没有明显的增加，特性曲线进轴基本平行的入与uCE区域(这与输入特性曲增大而右移的共发射极接法输出特性曲线线随uCE饱和区的下方此时发射结反偏集电结反偏的下方。
三极管基本知识及电子电路图详解
三极管基本知识及电子电路图详解
"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件" 在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。
广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。
本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:
三极管的发明
晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。
硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；
大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构
核心是“PN”结
是两个背对背的PN结
可以是NPN组合，也或以是PNP组合
由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！
NPN型三极管结构示意图
硅NPN型三极管的制造流程
管芯结构切面图。
三极管引脚图与管脚识别
9011,9012,9013,9014,9015,9016,9017,9018,8050,8550三极管引脚图与管脚识别(含贴片)s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册首页可以查询电子资料与单片机资料，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×1 00或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
PNP NPN 三极管
结构与操作原理三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极管的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的耗散区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC 接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情况下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB?E（这部分是三极管作用不需要的部分）。
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管ab126计算公式大全图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB838电子按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400 图一是这几种三极管的管脚排列引脚。
三极管封装形式三极管封装类型图文对照
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多图详解三极管基本知识及电子电路图
多图详解三极管基本知识及电子电路图广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。
本文所述的是狭义三极管，它有很多别称：三极管的发明晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。
硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构核心是“PN”结是两个背对背的PN结可以是NPN组合，也或以是PNP组合由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！NPN型三极管结构示意图硅NPN型三极管的制造流程管芯结构切面图工艺结构特点：发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低;集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
三极管电路符号三极管电流控制原理示意图三极管基本电路外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
集/基/射电流关系：IE = IB + ICIC = β * IB如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0三极管特性曲线输入特性曲线集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE 的关系曲线。
UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；UBE<uber时，三极管高绝缘，ube>UBER时，三极管才会启动；</uber时，三极管高绝缘，ube>UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。