ROHM独创的微细化技术开发出世界最小元器件系列

合集下载

罗姆半导体简介

罗姆半导体简介
罗姆半导体（Rohm Semiconductor）是一家日本的半导体制造公司，成立于1958年，总部位于京都市。

该公司是全球领先的半导体供应商之一，提供广泛的产品和解决方案，包括集成电路、功率半导体、传感器、光电子器件等。

以下是罗姆半导体的简介：
1.产品范围：罗姆半导体生产的产品涵盖多个领域，包括但不限于：
2.集成电路（IC）：包括微控制器、存储器、模拟IC等。

3.功率半导体：如MOSFET、IGBT、二极管等，用于电源管理、电机驱动等应用。

4.传感器：包括温度传感器、压力传感器、加速度传感器等，用于汽车、工业、消费电子等领域。

5.光电子器件：如激光二极管、LED、光电传感器等，应用于光通信、显示、照明等领域。

6.技术创新：罗姆半导体在技术创新方面有着深厚的积累，不断推出具有竞争优势的产品和解决方案。

例如，该公司在功率半导体领域具有领先地位，并不断推出高效、高性能的功率器件。

7.市场应用：罗姆半导体的产品广泛应用于汽车、工业、通信、消费电子等多个领域。

特别是在汽车电子领域，该公司的产品被广泛应用于电动车、混合动力车、自动驾驶技术等关键领域。

8.可持续发展：罗姆半导体致力于可持续发展，在产品设计、生产过程中注重环保和资源利用效率，努力减少对环境的影响。

总的来说，罗姆半导体作为一家全球知名的半导体公司，以其丰富的产品线、技术实力和市场影响力，在半导体行业中扮演着重要角色。

微电子学中的核心技术

微电子学中的核心技术微电子学是一门关注微型电子元器件和集成电路的科学，它在现代科技和工业中扮演着非常重要的角色。

微电子学的快速发展离不开一系列核心技术的不断创新和应用。

本文将重点探讨微电子学中的几个核心技术，包括半导体材料、微影技术、三维晶体管及集成电路设计。

半导体材料半导体材料是微电子学的基石，是制作各种微型电子元器件和集成电路的必要材料。

半导体材料具有特殊的电子特性，它的导电性介于导体和绝缘体之间，具有一定的电流传导能力，同时也能有效地控制电流传输。

常见的半导体材料有硅、锗、氮化硅等。

硅是目前最为常用的半导体材料，因为它不仅具有良好的电子特性，而且可以比较容易地制备出单晶硅。

单晶硅具有均匀的晶体结构和高度各向同性，有利于微型电子元器件的制备。

此外，硅材料的物理特性和加工工艺的研究比较成熟，具有良好的可制备性和可控制性。

微影技术微影技术是微电子学中不可或缺的一项技术，它是制备微型电子元器件和集成电路的核心工艺之一。

微影技术利用光学系统将光源投射在光刻胶表面上，通过化学反应将光刻胶刻蚀，并在光刻胶上覆盖薄膜，制备出图案化的微型电子元器件和集成电路。

微影技术的准确度和分辨率非常高，可以制备出尺寸小至几纳米的微型器件。

微影技术的发展经历了从紫外线到深紫外线等多个阶段。

其中，深紫外线微影技术是目前最为先进和成熟的微影技术之一。

深紫外线微影技术采用以193nm波长为中心的紫外线光源，最高可以达到10nm的分辨率，可以制作出更加复杂和精细的微型器件。

三维晶体管三维晶体管是微电子学中的一个重要技术，它可以提高集成电路的性能和功耗。

传统的二维晶体管只有通道长度和宽度两个方向，而三维晶体管在垂直方向上也加入了控制门电极，形成了更加复杂的三维结构。

三维晶体管的特点是具有更大的通道宽度和更短的通道长度，可以有效地减小电阻和传输距离，实现更高的性能和功耗。

集成电路设计集成电路设计是微电子学中的关键技术之一，它是将各种微型电子元器件集成在一起形成复杂电路的过程。

2023年继续教育集成电路作业(十)

2023年继续教育作业(十)集成电路单选题（共3题，每题20分）1、（）年，第一个电子管诞生。

A、19062、摩尔定律是1965年由戈登·摩尔（GordonMoore）提出来的，他说集成电路里晶体管数量每（）个月翻一番。

D、183、随着封装技术的不断发展， MCP、SiP、SoP、PoP、SCSP、SDP、WLP等封装结构成为主流，并为趋于（）方向封装发展的3D（三维）集成封装、TVS（硅通孔）集成等技术研发奠定了坚实的基础。

C、Z4、在硅晶片的国产化情况中，硅晶片以（）以下为主。

D、6寸5、下列选项中，属于传统电子材料的是（）。

C、陶瓷材料多选题（共5题，每题8分）1、（）、（）和（）是当前国际公认的新科技革命的三大支柱。

A、材料B、能源C、信息技术2、半导体材料有哪些结构（）？C、闪锌矿结构D、金刚石结构E、纤锌矿结构3、常见的半导体的材料，主要是由（）、（）等元素，以及（）、（）等化合物，所形成的一种材料。

A、硅B、锗 D、砷化镓 E、氮化镓4、世界制造强国分三大阵营，分别是（）。

A、美国第一B、德国、日本居第二 D、中国处在第三阵营5、SIP是将多种功能芯片，包括（）等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。

A、处理器 D、存储器 E、FPGA判断题（共5题，每题6分）1、1947年，英国人发明了晶体管。

错误2、目前我国集成电路自给率比较低，核心芯片缺乏。

正确3、半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料。

正确4、硅片可直接用于集成电路制造中。

错误5、集成电路产业链上游为集成电路设计、制造与芯片产品。

错误。

10微米晶元 -回复

10微米晶元-回复什么是10微米晶元？10微米晶元是指晶体管芯片中的最小结构尺寸，也被称为芯片的微米级技术。

晶体管是现代电子设备中基本的电子元件之一，用于放大信号和逻辑运算。

晶元是指晶体管芯片中最小的单元结构，它由半导体材料组成，可以在其中控制电子的流动。

10微米意味着这个结构的尺寸只有10微米，相当于人的头发直径的几百分之一。

为什么10微米晶元如此重要？10微米晶元是现代电子工业中的重要里程碑。

随着信息技术的迅速发展，人们对更小、更快速、更节能的计算能力的需求也越来越大。

当电子元件越小，电路中的电流路径长度越短，电路的运行速度就越快，能耗也相应减少。

因此，制造尺寸更小的晶元能够提高电子设备的性能和效率，使其更加紧凑和高效。

制造10微米晶元的挑战制造10微米晶元是一项非常复杂的技术挑战。

首先，需要使用精密的光刻和化学蚀刻技术，在非常小的区域内定义晶元的形状。

这需要高度精确的设备和工艺流程，并对光刻胶和化学蚀刻剂等材料进行细致的控制。

其次，还需要在半导体材料上沉积一层薄薄的金属层，以形成晶元的导线和接触点。

这通常需要使用蒸镀或物理气相沉积等技术，并且在整个工艺过程中需要极高的温度和真空条件。

10微米晶元的应用10微米晶元已经广泛应用于现代电子设备中。

例如，智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备都使用10微米晶元制造的芯片。

这些芯片具有较高的计算能力和较低的功耗，能够支持复杂的应用程序和多任务处理。

此外，10微米晶元还用于物联网设备、汽车电子、网络通信等领域，推动了这些行业的快速发展。

10微米晶元的挑战与机遇虽然10微米晶元已经取得了重要进展，但在继续缩小晶元尺寸的过程中仍面临许多挑战。

例如，制造更小的晶元需要更高的精确度和更高的工艺要求，这需要不断改进和创新。

同时，晶元的缩小也会导致电路的散热问题和电荷传输的限制，需要找到相应的解决方案。

然而，这些挑战也带来了机遇，比如新材料的发展、新工艺的研究和新设备的设计，将有助于克服这些问题并推动技术的进一步发展。

0.15um工艺 -回复

0.15um工艺-回复以下是一篇有关0.15um工艺的文章：0.15um工艺：探索迈向微纳米时代的关键步骤引言：在当今科技领域的快速发展中，微纳米技术扮演着重要的角色。

0.15um 工艺作为微纳米技术中的重要一环，有着广泛的应用领域。

本文将逐步解析0.15um工艺的基本原理、关键步骤以及其在现代科技中的应用。

第一部分：基本原理0.15um工艺是指芯片制造工艺所使用的制程尺寸为0.15微米的工艺。

它是20世纪末期发展起来的，随着技术的不断进步，已成为现代半导体制造中的主流工艺之一。

其中，um是微米的单位，也就是百万分之一米。

0.15um工艺所采用的这个制程尺寸，是指芯片上线路图案的最小尺寸为0.15微米。

这种微小的尺寸使得芯片上的电子元件能够更加紧凑地排列，从而实现更高的集成度和更优越的性能。

第二部分：关键步骤0.15um工艺的实现需要经过多个关键步骤。

以下是最重要的几个步骤的介绍：1. 掩模制备：掩模制备是0.15um工艺中的关键步骤之一，它决定了芯片上图案的制备。

首先，在一个硅片表面加上一层光刻胶，然后使用光刻机将需要制备的图案刻写在光刻胶上，形成掩模。

掩模中的图案会相应地在芯片上进行制备。

2. PECVD沉积：PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的沉积技术，主要用于在芯片表面形成绝缘层或薄膜。

在0.15um工艺中，PECVD沉积用于沉积氧化硅（SiO2）等薄膜，以实现芯片上不同部分之间的电隔离。

3. 离子注入：离子注入是用于在芯片上形成掺杂区域的关键步骤之一。

通过将特定的掺杂物离子注入到芯片的表面，可以改变材料的电学特性。

这一步骤在0.15um工艺中用于形成传输晶体管、电容器等电子元件。

4. 金属化：金属化是将金属导线沉积在芯片表面的关键步骤之一。

在0.15um工艺中，常用的金属包括铝和铜。

金属化使得芯片上的不同电子元件能够相互连接，形成复杂的电路结构。

ROHM三极管知识

ROHM晶体管晶体管关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极(B)被偏置为正，集电极(C)被偏置为负，由发射极(E)流向C的是逆电流。

1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的。

2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。

也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。

即电流由E→C流动。

3. 逆向晶体管有如下特点。

• hFE低。

(顺向10%以下)•耐压低。

(7 to 8Ｖ与VEBO 一样低)←通用TR的情况，除此之外，还有5V以下)(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。

)• VCE (sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化。

返回页首关于封装功率容许功耗定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(TJ＝150℃)时的功率。

这里，Pc、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。

因此，如下列出使用VBE的测试方法。

VBE测定法硅晶体管的情况下基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。

由此，通过测定VBE，可以推测结温。

通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：Pc(max)。

(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB＝10VIE＝100mA。

)如图2:•测定VBE的初始值VBE1• 对晶体管输入功率，使PN结热饱和。

• VBE 的后续值：测定VBE2。

从这个结果得出△VBE ＝VBE2－VBE1。

这里，硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。

约为ー2.2mV/ºC。

(达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC)因此，根据由输入功率得出△ＶＢＥ，可以由以下算式得出上升的结温。

返回页首fT：增益带宽积、截止频率fT ：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。

所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1(即hFE=1)的情况。

提高基极输入频率，hFE变低。

这时，hFE 为1时的频率叫做fT(增益带宽积)。

集成电路的微机电系统(MEMS)技术考核试卷

7.陀螺仪是一种用来测量旋转运动的MEMS传感器，其工作原理基于_______效应。（）
8. MEMS封装的主要目的是为了提供_______保护、电气连接和防止污染。（）
9.目前MEMS技术的主要应用领域包括消费电子、_______、医疗和汽车等。（）
10.随着技术的不断发展，MEMS技术的未来发展趋势将更加注重_______、_______和_______。（）
A.空气bag传感器
B.发动机控制系统
C.轮胎压力监测系统
D. GPS导航系统
19.以下哪种材料最适合用于MEMS的润滑？()
A.石蜡
B.氟化物
C.硅油
D.水
20.关于MEMS技术的未来发展趋势，以下哪个描述是不正确的？()
A.更高的集成度
B.更低的成本
C.更小的尺寸
D.更少的应用领域
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
5. A, B, C, D
6. A, B, D
7. A, B, C, D
8. A, B, C, D
9. A, B, C, D
10. A, B, C, D
11. A, B, C
12. A, B, C
13. A, B, C, D
14. A, B, D
15. B, D
16. A, B, C
17. A, B, C
10.低成本、低功耗、多功能（Low cost, Low power consumption, Multi-function）
四、判断题
1. ×
2. ×
3. √
4. √
5. √
6. √

微流控芯片发展历程

微流控芯片发展历程一、微流控芯片的起源微流控芯片起源于20世纪90年代初，当时美国、加拿大、欧洲等地的多个研究小组开始着手研发微米尺度的流体操作技术。

其中，美国加利福尼亚大学伯克利分校的Fred R.Handy教授和美国密歇根大学的Mark A.Burns教授等人是微流控芯片技术的先驱者，他们在早期对微流控芯片的研究中做出了重要贡献。

早期的微流控芯片主要是利用光刻、微加工等技术，在芯片表面制作微米级的流道和微结构，以实现对微液滴、微粒子等微尺度流体的操控和分析。

随着MEMS（微机电系统）技术的发展，微流控芯片的加工精度和成本逐渐得到改善，为其在生物医学、化学分析等领域的应用奠定了基础。

二、微流控芯片的关键技术微流控芯片是一种集成了微流体控制和微流体分析功能的微型芯片，其关键技术包括微流体传输、微处理器晶圆加工、微流控芯片结构设计等。

这些技术的发展推动了微流控芯片的不断进步，为其在医学诊断、实验室分析、环境监测等领域的应用提供了技术支撑。

微流体传输技术是微流控芯片的核心技术之一，其主要包括微流道设计、微流动操作、微管道连接等方面。

微流道设计是微流体传输技术中最基础的环节，通过光刻和湿法刻蚀等技术，在芯片表面制作微米级的流道和微结构，以实现对微液滴、微粒子等微尺度流体的操控和分析。

微流道设计的关键在于结构的精准和稳定性，需要兼顾通道的宽度和深度，以满足不同尺度和功能的需求。

微处理器晶圆加工技术是微流控芯片加工中的关键环节，其主要包括MEMS技术、微加工技术、光刻技术等方面。

MEMS技术是微流控芯片加工的基础，通过在晶圆表面制作微米级的结构和元件，实现对微流道、微阀门等组件的制作和集成。

微加工技术是微流控芯片加工的关键技术之一，通过湿法刻蚀、干法刻蚀等技术，在晶圆表面形成微流道、微泵等结构，实现对微尺度流体的控制和操作。

光刻技术是微流控芯片加工的基础，通过紫外光曝光、显影、蚀刻等过程，在晶圆表面形成微米级的结构和元件，实现对微流道、微阀门等组件的制作和集成。

惠普开发出超小无线芯片商用前景广阔

惠普开发出超小无线芯片商用前景广阔
佚名
【期刊名称】《《世界电子元器件》》
【年(卷),期】2006(000)008
【摘要】惠普开发出一款米粒大小的无线芯片，这款名为“MemorySpot”的芯片包含有存储器、调制解调器、天线和微处理器，可谓麻雀虽小却五脏具全。

据悉这款芯片可存储100页文本信息并可进行无线数据交换。

【总页数】1页(P16)
【正文语种】中文
【中图分类】TP332
【相关文献】
1.惠普开发出米粒大小无线芯片 [J],
2.小蚯蚓大产业开发前景广阔 [J], 无
3.惠普科技为中国石油提供解决方案——中国惠普有限公司副总裁、商用产品事业部总经理杨诺础江汉油田勘探开发研究院计算机中心总工程师罗忠辉访谈 [J],
4.惠普科技为中国石油提供解决方案——中国惠普有限公司副总裁、商用产品事业部总经理杨诺础江汉油田勘探开发研究院计算机中心总工程师罗忠辉访谈 [J], 杨扬
5.小蚯蚓大产业开发前景广阔 [J],
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

2022年继续教育科研立项及成果坚定参考答案

2022年继续教育科研立项及成果坚定参考答案“汉芯”造假事件给我们的教训不包含()?A、浪费了大量国家的科研经费B、打击了为我国芯片产业事业而奋斗的大量科研人员自信心C、学术需要严谨，诚信是任何事业发展的基本条件D.造假可以鼓舞士气，可以少量适当的做一做参考答案：D以下哪项关于超精密加工的说法错误?A、普通加工、精密加工和超精密加工只是相对概念，其界限随时间会发生变化B、普通加工、精密加工和超精密加工有严格且不会变化的区分界限C、在尖端产品和现代化武器制造中占据重要地位D、是衡量一个国家先进制造技术水平的重要标志之一参考答案：B2009年美国Autodesk公司在中国将AutoCAD及相关产品降价80%，所引发的思考不正确的是?A、这就是国产工业软件发展中所常遇到的市场挤压困境B、既然降价就欣然接受，不用再过分强调发展自己的国产软件了C、说明该领域获得了新的突破D、正是国产工业软件开发者不断地进取，才能获得用户有利的市场参考答案：B数控装置是数控机床的核心，可比喻成机床的()?A、感官B、骨骼C、肌肉参考答案：D生成三视图中左视图的方法是()A、向XOY平面直接投影B、向XOZ平面投影，平移C、向YOZ平面投影，平移D、向XOY平面投影，平移参考答案：B为了改善技术系统的某个参数，导致该技术系统的另一个参数恶化，称为()。

A、物质矛盾B、物理矛盾C、效应矛盾D、技术矛盾参考答案：D通过用小人表示系统，能动小人地引入，突破了思维定势，思考的过程由一个人的思考变为两或多人的思考，这种创新思维方法称为()。

A、STC算子B、小人法C、金鱼法D、IFR法参考答案：B()是一种科幻思想，排中逻辑，层层逼近、幻想成真的创新思维方法。

A、九屏幕法B、小人法D、IFR法参考答案：C物联网应用层特点的描述，错误的是()。

A、应用层分为管理服务层与行业应用层B、管理服务层位于感知层与行业应用层之间C、管理服务层通过中间件软件向应用层屏蔽感知层与网络层的差异性D、利用数据挖掘、大数据处理与智能决策技术，为行业应用层提供服务参考答案：B金鱼法应用的思想过程有哪些()。

用SiC打造节能可持续系统——SiC在光伏和车载领域的应用

用SiC 打造节能可持续系统—SiC 在光伏和车载领域的应用・罗姆（ROHM ）微信公众号：rohmsemi—、刖旨SiC （碳化硅）是用于功率转换和控制的功率元器件，是半导体界公认的“一种未来的材料”。

与传统的Si （硅）元器件相比，SiC （碳化硅）元器件可实现低导通电阻、高速开关、高温工作，应用在电源、汽车、铁路、工业设备和家用消费电子设备等各个领域，实现系统的小型化和节能化。

以汽车为例，应用于混合动力汽车和电动汽车上，可大幅降低油耗，扩大驾驶舱空间。

用于太阳能发电时，功率损耗可减少约47%,提高功率调节器的效率。

这些都有望为地球环境问题的缓解做出巨大贡献。

着眼于SiC 的先进性，全球知名半导体厂商罗姆（ROHM ）很早便开始关注，并与多方开展合作，不断积累技术经验。

作为业界领军企业之一，拥有SiCMOSFETs SiC SBD 、全SiC 功率模块以及SiC 晶圆等丰富的产品阵容，用SiC 助力打造节能可持续系统。

本文将重点阐述ROHM 的SiC 功率元器件在光伏和车载领域的应用。

关于罗姆（ROHM ）罗姆是成立于1958年的半导体和电子元件制造商。

通过遍及全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC 、分立半导体和电子元器件产品。

在罗姆擅长的模拟电源领域，罗姆的优势是提供包括SiC 功率元器件及充分发挥其性能的驱动IC 以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。

图1传统型半导体与SiC 餡性能差异图2 ROHM 的SiC 功率元器件产品阵容可以使用更小尺寸和更轻重量的线圈，从而做出“更小体积”的光伏逆变器。

ROHM 的SiC MOSFET 采用双沟槽结构，可进一步降低功率元器件的损耗。

并且，对于不同功率段的光伏逆变器，ROHM 可以提供不同封装的产品与合作方式。

客户可以从ROHM 选择封装后的分立器件和模组，也可以选择合适的晶圆经由模组厂封装成客户特定规格的模块进行使用。

塑料电子元件的微型化考核试卷

塑料电子元件的微型化考核试卷
考生姓名：__________答题日期：_______得分：_________判卷人：_________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.下列哪种塑料材料在微型化电子元件中应用最广泛？( )
A.聚乙烯
3.塑料材料提供绝缘、支撑和封装功能。不同塑料材料如聚酰亚胺和聚对苯二甲酸酯因其耐热性和电绝缘性被广泛应用。
4.微型化可能导致更多的电子垃圾和资源消耗。策略包括使用可回收材料、提高产品寿命和推广绿色设计理念。
18.以下哪些因素会影响塑料电子元件微型化的生产周期？( )
A.材料准备时间
B.设备调试时间
C.生产批量大小
D.工艺流程复杂度
19.以下哪些应用领域特别受益于塑料电子元件的微型化？( )
A.智能手机
B.可穿戴设备
C.医疗器械
D.航空航天
20.在塑料电子元件微型化中，以下哪些创新趋势正在被探索？( )
2.在塑料电子元件微型化的过程中，可能会遇到哪些技术挑战？请提出至少三种可能的解决方案。（10分）
3.请阐述塑料材料在电子元件微型化中的作用，并讨论不同类型的塑料材料如何满足微型化电子元件的性能要求。（10分）
4.结合实际应用，讨论塑料电子元件微型化对环境保护的潜在影响，并提出减少这些负面影响的策略。（10分）
B.聚氯乙烯
C.聚酰亚胺
D.聚苯乙烯
2.微型化电子元件中，塑料材料的主要作用是什么？( )
A.导电
B.绝缘
C.支撑
D.散热
3.下列哪种塑料具有较好的耐热性能，适用于微型化电子元件？( )
A.聚乙烯

莫斯特技术名词解释

莫斯特技术名词解释随着科技的不断发展，各种新技术和新概念也层出不穷。

其中，莫斯特技术是一个备受瞩目的领域。

本文将对莫斯特技术中一些重要的名词进行解释。

1. 莫斯特技术莫斯特技术是一种基于微型机电系统（MEMS）技术的新型集成电路技术。

它能够实现高密度、高速度、高可靠性的芯片设计和制造，并且可以同时实现模拟信号和数字信号的处理。

莫斯特技术集成程度高，功耗低，能够实现多种功能的集成，因此在计算机、通信和消费电子等领域得到广泛应用。

2. 微型机电系统（MEMS）微型机电系统是一种将电子技术、机械工程和材料科学相结合的技术。

它可以制造出微小的机械结构，例如微型马达、微型传感器和微型执行器等。

微型机电系统的优点在于它可以在极小的空间内完成复杂的运动和操作，并且可以实现高度的集成和自动化控制。

3. 晶体管（Transistor）晶体管是一种电子元件，可以控制电流的流动。

它是当今电子技术中最基本的元件之一，广泛应用于各种电子设备中。

晶体管有三个引脚，分别是源极、漏极和栅极。

通过在栅极上施加电压，可以控制源极和漏极之间的电流，实现电子信号的放大和开关控制。

4. 互补金属氧化物半导体（CMOS）互补金属氧化物半导体是一种集成电路技术，采用晶体管作为基本元件，可以同时实现模拟信号和数字信号的处理。

CMOS技术集成度高，功耗低，因此在计算机、通信和消费电子等领域得到广泛应用。

CMOS技术还可以实现电子设备的低功耗和低成本制造。

5. 集成电路（Integrated Circuit）集成电路是一种将多个电子元件集成在一起的电路。

它可以实现复杂的电路功能，同时具有高度的可靠性和稳定性。

集成电路的形式有多种，例如数字集成电路、模拟集成电路和混合集成电路等。

集成电路的应用非常广泛，例如计算机、通信、存储和消费电子等领域。

总之，莫斯特技术是一种基于微型机电系统技术的新型集成电路技术，可以同时实现模拟信号和数字信号的处理。

它的应用领域非常广泛，因此对于了解莫斯特技术中一些重要的名词是非常必要的。

2020年电子元器件市场分析报告

2020年电子元器件市场分析报告目录半导体制造高度垄断 (5)制造是半导体产业的重点 (5)五大硅片厂垄断市场 (5)全球代工被台积电垄断 (6)半导体制造发展历史 (6)20 世纪50 年代——晶体管技术 (6)20 世纪60 年代——改进工艺 (7)20 世纪70 年代——提升集成度 (7)20 世纪80 年代——实现自动化 (8)20 世纪90 年代——高效率批量生产 (8)半导体制造五大难点 (8)集成众多子系统的大系统 (8)第一，集成度越来越高 (9)第二，对精度要求越来越高 (10)第三，单点技术突破难 (11)第四，需要将多个技术集成 (13)第五，批量生产技术 (13)半导体制造的三大指标 (14)一是先进制程达到多少纳米 (14)二是晶圆尺寸趋于大硅片 (15)三是产能决定短期业绩 (16)工艺制程不是越先进越好 (17)先进制程和特殊工艺双向发展 (18)半导体代工需求旺盛 (19)代工增速超半导体行业整体增速 (19)代工厂排名 (21)企业分析 (21)中芯国际（0981.hk）：半导体代工龙头，看好先进制程 (21)华虹半导体（1347.hk）：公司专注特色工艺，收入增速强于全球市场 (23)行业分析建议 (23)图表目录图1：一般情况半导体产业链划分 (5)图2：2018 前5 大硅片厂商 (5)图3：全球前十大晶圆代工市占率2019Q3 (6)图4：半导体制造发展历史 (7)图5：半导体产业涉及领域 (9)图6：半导体制造五大难点 (9)图7：集成电路关键尺寸（nm） (10)图8：晶体管关键尺寸（线宽，注意，此处线宽指栅长） (10)图9：CMOS 工艺流程中的主要步骤 (11)图10：CMOS 工艺流程中的主要步骤 (11)图11：扩散用高温炉 (12)图12：光刻工艺示意图 (12)图13：刻蚀机（干法等离子刻蚀） (12)图14：离子注入示意图 (12)图15：薄膜生长示意图（CVD 多腔集成设备） (13)图16：亚微米制造厂的抛光区 (13)图17：单点技术类似单人游戏 (13)图18：集成技术类似11 人足球 (13)图19：全球主要半导体厂商工艺先进程度 (15)图20：2018 全球半导体代工厂按照工艺技术分布 (15)图21：晶圆尺寸参数 (16)图22：2018 年不同尺寸晶圆占比 (16)图23：晶圆尺寸占比走势 (16)图24：2019Q3 月产能，万片/月，等效8 寸 (17)图25：IC design 费用($M) (17)图26：IC 设计费用构成 (17)图27：3nm 以下晶体管结构从FinFET 到GAA (18)图28：EUV 光刻机构造 (18)图29：后摩尔时代半导体工艺发展方向 (18)图30：后摩尔时代半导体工艺发展方向 (19)图31：中国大陆半导体代工厂市场规模（亿美元） (19)图32：全球Fabless 代工需求（亿美元） (20)图33：中国大陆Fabless 代工需求（亿美元） (20)图34：2010 年半导体代工厂客户构成 (20)图35：2017 年半导体代工厂客户构成 (20)图36：中国大陆半导体代工厂市场规模（亿美元） (20)图37：全球前十大晶圆代工市占率2019Q3 (21)表1：集成电路晶体管个数发展趋势 (10)半导体制造高度垄断制造是半导体产业的重点一般情况下，我们将半导体产业划分为：设计——制造——封测，EDA 面向设计和制造，设备面向制造和封测。

more moore定律

more moore定律Moore定律，又名称为微处理器发展定律，是1965年由美国硅谷的科学家戈登·摩尔首次提出的，是一种描述芯片设计领域发展方向的定律。

它描述的是，随着微处理器芯片的复杂度和缩小的尺寸，每隔18个月集成电路芯片的功能数量就会翻一番，其实就是把更多的元件集成到芯片上，形成更复杂的功能，最终来使得更多的功能能够放在更小的空间上进行实现。

Moore定律的发源是对半导体电路封装密度的变化进行预测。

摩尔最初是将这一概念用作电路定义，即一芯片上包含的元件数量应该每隔多少个月就会翻一番。

140个元件、280个元件、560个元件等等。

后续，摩尔改为形容这种变化的封装素子的量的每24个月就增长一倍，比如从当时的10,000颗到现在的100万万颗。

实际上，Moore定律对当前的半导体产业有着巨大的影响，不仅如此，这条定律也被应用到其他技术领域，如健康科技、自动驾驶和人工智能等领域。

有学者研究发现，虽然早期版本的Moore定律受限于技术发展水平，但现在，新技术使它可以持续有效。

目前，Moore定律所预测的空间密度变化正在成为现实，其作用已经改变了世界的方向。

从电子设备到移动设备，从家用设备到医疗设备，普及程度在不断拓展，减小成本，发展速度也越来越快。

通过Moore定律，由科技进步带来的性能提升也在不断提升，以及更广泛和更有效的使用。

Moore定律也被称为摩尔定律，这也是由于它是由美国微处理器设计大师戈登·摩尔首次提出的，而他也是英特尔公司的创办人之一，推动了微处理器的发展和应用。

当前， Moore定律依然起着核心作用，它在半导体行业的发展方向上，仍起着非常重要的作用，以及在其他技术领域的发展里也起到推动作用，并且仍在加速度推动科技的发展。

它的发明不仅改变了人们对于微处理器及伴随设备的研发，也改观了我们电脑及通信科技生产方式，极大地推动了普及科技，让个人、国家乃至全球社会拥有更好的生活方式和更多的机会。

ROHM集团LAPIS半导体开发世界最小无线充电芯片组

ROHM 集团LAPIS 半导体开发世界最小无线充电芯
片组
ROHM 集团旗下LAPIS 半导体株式会社针对穿戴装置，开发出世界最小
的无线充电控制芯片组「ML7630(接收端／装置端)」「ML7631(发射端／充电
器端)」。

本芯片组是一款无线充电控制IC，适合使用于安装空间受限的Bluetooth 耳机等听戴式装置的无线充电。

为了能在听戴式装置中正常运行，
除了将以13.56MHz 高频段进行电力传输的天线(线圈)小型化之外，同时也将
充电所需的功能汇集在1 颗芯片中，形成SoC (系统单芯片)构造，大幅削减了安装空间(与Micro USB 端子的面积相比减少了50%)。

实现了以往难以做到的听戴式装置无线充电，不仅有助于设备小型化，还可提高充电时的便利性、防水性和防尘性。

即使电池电量耗尽，接收端的「ML7630」也可利用天线磁场产生的电能
开始工作。

此外，虽然是仅仅2.6mm 的小型WL-CSP 封装，却实现了输出功率高达200mW 的无线充电。

不仅如此，本产品还符合NFC Forum Type3 Tag v1.0 规范，支持NFC 感应式的Bluetooth 配对功能。

而且发射端的
「ML7631」可透过手机电池等USB 电源所提供的5V 电力进行工作，有利。

TI高性能音频运算放大器OPA1622的设计技巧

OPA1622提升了专业和便携式音频的性能
OPA1622是TI Burr-Brown™ Audio 产品线家族中的新成员，也是OPA1612 的升级产品。新的OPA1622提供高达 150mW的高输出功率，以及在10mW 功率下-135dB的极低失真，从而为专业音频设备提供高性能。OPA1622的小尺寸、低功耗和低失真可为头戴式耳机放大器、智能手机、平板电脑和USB音频数模转换器(DAC)等便携式设备提供高保真音频
OPA1622-10引脚的DFN封装
能控制。“由于这款产品内部有这个特别的设计，当运放通过使能端开启或关闭时是听不到爆破音的。“当用户戴着耳机，把运放关闭和开启时会听到短暂的声音，因为那时候电频不一样，用户会听到瞬变音，而TI内部则做了专门的设计把这个声
音去掉了。”周颖指出。 4.独特的引脚分配简化了设计，并
提升了失真性能。TI芯片是由几位不同的音频人员设计的，他们都是音频爱好者，经常自己在家研究芯片。包括他们家里的音响设备都是自己用各种芯片做的。所以他们从追求高音质的用户角度出发，在芯片的布局布线上做了突破性的改进 —— 采用对称的内部布局（图 3 右），可减少内部寄生现象，并消除高输出功率和低频段下的由于器件不对称发热引起的失真，因此使原来这种运放因为器件的发热导致的失真不复存在。（迎九）
这一次，ROHM面向市场日益扩大的智能手机和可穿戴式设备等，开发出 01005尺寸（0402mm）业界最小级别的TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”。作为RASMID系列”中的新产品系列，与以往的0201尺寸（0603mm）相比，新产品的面积缩减了56％，体积缩减
了81%，实现了业界最小级尺寸，有助于智能手机等的更高密度安装。为延长电池的使用寿命，近年来消费电子应用对低压电路的需求日益高涨。要实现小型化且要降低直接连接低压电路的反向工作电压，抑制泄漏电流一直是需要攻克的难题。此次开发的RASMID系列的 TVS二极管，融合了齐纳击穿和双极技术，同时实现了低泄漏电流和低电压。反向工作电压（VRWM）达3.3V，非常有助于设备进一步节省电力。通过优化结构，确保了与以往的0201尺寸（0603mm）5.0V产品同等的优异ESD 保护能力。不仅实现了产品的小型化，还可防止静电导致的电路损坏和误动作，降低应用的负担。