STM32内部FLASH读写操作详解
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STM32 芯片内部的 FLASH 存储器，主要用于存储我们代码。如果内部FLASH存储完我们的代码还有剩余的空间，那么这些剩余的空间我们就可以利用起来，存储一些需要掉电保存的数据。本文以STM32103ZET6为例。
STM32103ZET6属于大容量产品，其闪存模块组织如下：
其主存储器大小为512KB，分为256页，每页大小都为2KB。我们的程序一般默认烧写到第0页的起始地址（0x08000000）处。
当BOOT0引脚和BOOT1引脚都接GND时，就是从这个地址开始运行代码的。这个地址在keil中可以看到：
假如我们要下载的程序大小为4.05KB，则第0、1、2页用于保存我们的程序，我们需要掉电保存的数据只能保存在第3~第255页这一部分空间内。
我们最终要下载的程序大小可在工程对应的.map文件中看到。.map文件可以双击工程的Target的名字快速打开，如：
下面对STM32内部FLASH进行简单的读写测试：
内部FLASH读写测试
流程图如下：
本流程图省略异常情况，只考虑成功的情况：
示例代码：
本例的关键代码如下（以读写第255页为例）：
/******************************************************************** ***********************************
*------------------------------------------STM32 Demo---------------------------------------------------
*
* 工程说明：STM32内部FLASH实验
* 作者：ZhengNian
* 博客：zhengnianli.github.io
* 公众号：嵌入式大杂烩
*
********************************************************************* ***********************************/
#define MAIN_CONFIG
#include "config.h"
/* STM32F103ZET6有256页，每一页的大小都为2KB */
#define ADDR_FLASH_PAGE_255 ((uint32_t)0x0807F800) /* Page255 2KB */
/* FLASH读写测试结果 */
#define TEST_ERROR -1 /* 错误（擦除、写入错误） */
#define TEST_SUCCESS 0 /* 成功 */
#define TEST_FAILED 1 /* 失败 */
/* Flash读写测试buf */
#define BufferSize 6
uint16_t usFlashWriteBuf[BufferSize] =
{0x0101,0x0202,0x0303,0x0404,0x0505,0x0606};
uint16_t usFlashReadBuf[BufferSize] = {0};
/* 供本文件调用的函数声明 */
static int FlashReadWriteTest(void);
/******************************************************************** ***********************************
** 函数: main
**------------------------------------------------------------------------------------------------------
** 参数: void
** 返回: 无
** 说明: 主函数
********************************************************************* ***********************************/
int main(void)
{
/* 上电初始化 */
SysInit();
/* 内部Flash读写测试 */
if (TEST_SUCCESS == FlashReadWriteTest())
{
printf("Flash test success!\n");
}
else
{
printf("Flash test failed!\n");
}
while (1)
{}
}
/******************************************************************** ***********************************
** 函数: FlashReadWriteTest, 内部Flash读写测试函数
**------------------------------------------------------------------------------------------------------
** 参数: void
** 返回: TEST_ERROR：错误（擦除、写入错误） TEST_SUCCESS：成功TEST_FAILED：失败
** 说明: 无
********************************************************************* ***********************************/
static int FlashReadWriteTest(void)
{
uint32_t ucStartAddr;
/* 解锁 */
FLASH_Unlock();
/* 擦除操作 */
ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;
if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ErasePage(ucStartAddr))
{
printf("Erase Error!\n");
return TEST_ERROR;
}
else
{
ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;
printf("擦除成功，此时FLASH中值为：\n");
for (int i = 0; i < BufferSize; i++)
{
usFlashReadBuf[i] = *(uint32_t*)ucStartAddr;
printf("ucFlashReadBuf[%d] = 0x%.4x\n", i, usFlashReadBuf[i]);
ucStartAddr += 2;
}
}
/* 写入操作 */
ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;
printf("\n往FLASH中写入的数据为：\n");
for (int i = 0; i < BufferSize; i++)
{
if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ProgramHalfWord(ucStartAddr, usFlashWriteBuf[i]))
{
printf("Write Error!\n");
return TEST_ERROR;
}
printf("ucFlashWriteBuf[%d] = 0x%.4x\n", i, usFlashWriteBuf[i]);
ucStartAddr += 2;
}
/* 上锁 */
FLASH_Lock();