4N25光耦应用

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦常用参数正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流.反向击穿电压VBR:：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。

反向击穿电压V(BR）CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降.输出饱和压降VCE（sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。

反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流.电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10％到90％，所需时间为脉冲上升时间tr.从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf.传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1。

5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。

从输入脉冲后沿幅度的50％到输出脉冲电平上升到1。

5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值.入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

-—----—---——-———————--—--—-—--———---————-——-————-—---—--—-—--———-———--—-———--—-——----——-常用的器件。

常用的线性光耦与非线性光耦型号及替代线性光耦问题

常用的线性光耦与非线性光耦型号及替代线性光耦问
题
常用的线性光耦的型号
线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用线性光耦，如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦（无反馈型线性光耦）有PC817A-C、PC111、
TLP521等。

常用的6脚线性光耦有LP632、TLP532、PC614、PC714、PS2031等。

常用的非线性光耦的型号
4N25 晶体管输出
4N25MC 晶体管输出
4N26 晶体管输出
常见光耦型号
4N27 晶体管输出
4N28 晶体管输出
4N29 达林顿输出
4N30 达林顿输出
4N31 达林顿输出。

光耦的选型与应用

光耦的选型与应用[ 2008-2-3 8:54:00 | By: SystemARM ]4推荐光耦全称是光耦合器，英文名字是：optical coupler，英文缩写为OC，亦称光电隔离器，简称光耦。

光耦的结构是什么样的？光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。

为什么要使用光耦？发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离干扰的作用。

光耦爱坏吗？只要光耦合器质量好，电路参数设计合理，一般故障少见。

如果系统中出现异常，使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压，就会使之被击穿损坏。

光耦的参数都有哪些？是什么含义？1、CTR：电流传输比2、Isolation Voltage：隔离电压3、Collector-Emitter Voltage：集电极－发射极电压CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值集电极－发射极电压：集电极－发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通？什么时候截至？关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告要求：3.5v～24v 认为是高电平，0v～1.5v认为是低电平思路：1、0v～1.5v认为是低电平，利用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降，吃掉1.4V左右；2、24V是最高电压，不能在最高电压的时候，光耦通过的电流太大；所以选用2K的电阻；光耦工作在大概10mA的电流，可以保证稳定可靠工作n年以上；3、3.5V以上是高电平，为了尽快进入光敏三极管的饱和区，要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大；因此选用10K；同时要考虑到ctr最小为50％；电路：1、发光管端：实验室电源（0～24V）->2K->1N4001->TLP521-1(1)->TLP521-1(2)-gnd12、光敏三极管：实验室电源（DC5V）->10K->TLP521-1(4)->TLP521-1(3)-gnd23、万用表直流电压挡20V万用表+ -> TLP521-1(4)万用表- -> TLP521-1(3)试验结果输入电源万用表电压(V)1.3V 51.5V 4.81.7V 4.411.9V 3.582.1V 2.942.3V 1.82.5V 0.582.7V 0.22.9V 0.193.1V 0.173.3V 0.163.5V 0.165V 0.1324V 0.06思考题：光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？思考题：1、光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？2、CTR与上拉电阻和光耦的光敏三极管之间与饱和导通或者截至之间的关系；参考资料：TLP521-1的CTR为50％（最小值）；TLP521-1的长相TLP521-1的长相线性光耦原理与电路设计【转】线性光耦原理与电路设计来源：21IC中国电子网作者：佚名1. 线形光耦介绍光隔离是一种很常用的信号隔离形式。

光电耦合器4N25非线性与线性应用

该芯片为双列直插器件，外引线有６，条输入端发光器由发光二极管构成，脚是阳极，脚是阴极，出端受１２输光器由光电三极管构成，脚是发射极，脚是集电极，４５６脚是基极，脚是空脚．３当器件Ｔ＝２ａ５℃时，它的极限参数是：发光■极管向电流为８Ａ，０ｍ光电三极管
流电阻，用以改变对入射光的灵敏度，以提高电路动态
维普资讯
沈阳工程学院学报（自然科学版）
第２卷
工作的性能，改善信号传输的质量，其值一般为几百
适当，对输出波形的影响如图３所示它
ｋｎ左右．１Ｃ是耦合电容，到隔直通交的作用，起其值由信号的基频决定，一般为几十微法左右．
的静态工作点．当电路Ｊ和确定之后，的阻值『ＦＲ１
取决于偏置Ｖｆ的值，Ｒ１Ｖｆ）Ｉ．中，即＝（一／Ｆ式Ｖｆ
值要求至少是
的２以上．是集电极电阻，倍Ｒ２输
２应用电路
由光电耦合器４２Ｎ５组成的应用电路如图２所
Ｕ处于负载线的线性区中点．（那么，电路在动态工
作的情况下，当输入正弦波信号大小合适时，电路中的各点电压、电流均将在静态工作点的基础上，ｕ＝
图２４２Ｎ５的应用电路
Ｕｏ＋ｕＳｎ，Ｃ＝Ｕ ∞ ４ＵｃＳｎｗｔ８或ｚｉｉｗｔＵＥ＝（－ｅｉ（一１０）Ｉ－，ｑ＋ＩＳｎ，＝，＋ｌＳｎ，生相应于ｖ一Ｆ－ｆｉｗｔｔｃｉｗｔ发

光耦工作电压

光耦工作电压光耦是一种电子元件，它主要用于隔离两个电路之间的信号传输。

光耦由一个发光二极管和一个光敏转换器组成，当输入端的信号改变时，发光二极管会发出一定的光信号，这个信号会被传输到输出端的光敏转换器中，从而实现隔离两个电路之间的信号传输。

在使用光耦时，我们需要了解它的工作电压。

下面就来详细了解一下光耦工作电压相关知识。

一、什么是光耦工作电压在使用光耦时，我们需要了解它的工作电压。

所谓工作电压，就是指在保证正常工作情况下所需的最小或最大电压值。

对于不同类型的光耦来说，其工作电压也会有所不同。

二、影响光耦工作电压因素1. 发射器和接收器特性：对于不同材料制成的发射器和接收器，在不同波长下其特性也会有所差异，从而影响到了整个系统中的工作电压；2. 工作温度：在高温环境下使用时，因为材料的热膨胀系数不同，可能会导致光耦内部产生应力，从而影响其工作电压；3. 外界电磁场干扰：外界电磁场的强度和频率会对光耦的工作产生影响，从而改变其工作电压；4. 光路长度：在一定范围内，光路长度对于光耦的工作电压也会有所影响。

三、不同类型光耦的工作电压1. 4N25型光耦：这种光耦是最为常见的一种，在常温下其正向工作电压一般为1.2V左右，反向击穿电压为6V左右；2. 4N26型光耦：这种光耦与4N25型类似，但其正向工作电压要稍微高一些，在常温下约为1.5V左右；3. 4N27型光耦：这种光耦与前两者相比，其正向工作电压更高，在常温下约为1.7V左右；4. 4N28型光耦：这种光耦与前三者相比，其正向工作电压最高，在常温下约为2V左右。

四、如何选择合适的光耦工作电压在选择光耦时，我们需要根据具体的使用环境和要求来选择合适的工作电压。

一般来说，我们需要考虑以下几个因素：1. 系统所需的最小和最大电压值；2. 光路长度和传输距离；3. 工作温度范围；4. 外界干扰情况。

五、结论光耦是一种用于隔离两个电路之间的信号传输的元件。

4n25光耦合器的工作原理

4n25光耦合器的工作原理
4N25光耦合器是一种常见的光电耦合器，它由一个发光二极管（LED）和一个光敏三极管（光敏二极管或光敏晶体管）组成。

它的工作原理基于光的电-光转换和光-电转换。

当外部电路中的输入电流流过LED时，LED会发出光。

这个发出的光经过光耦合器的内部隔离层（通常是光隔离层或光隔离槽）传输，然后照射到光敏三极管的光敏区域。

光敏三极管的光敏区域吸收光能，并产生与光强度成正比的电流。

这样，输入电流信号通过光的传输被转换成了输出电流信号。

光耦合器的内部结构确保了输入电流和输出电流之间的电气隔离，从而实现了输入和输出电路的完全隔离。

光耦合器的工作原理可以进一步解释为以下几个步骤：
1. 输入电流流过LED，激活LED并使其发出光。

2. 发出的光经过隔离层传输，到达光敏三极管的光敏区域。

3. 光敏三极管中的光敏区域吸收光能，产生电流。

4. 产生的电流经过输出引脚输出，供外部电路使用。

光耦合器的工作原理使得它在许多应用中具有重要的作用。

例如，在电气设备中，它可以用于电气隔离、信号传输、电压测量和电流检测等方面。

通过光的传输和电-光-电转换，光耦合器能够实现输入和输出电路之间的隔离，提高系统的稳定性和安全性。

总结起来，4N25光耦合器的工作原理是通过LED发出光，经过隔离层传输到光敏三极管的光敏区域，光敏三极管吸收光能并产生电流输出。

这种工作原理实现了输入和输出电路之间的电气隔离，广泛应用于各种电气设备中。

常用光耦简介及常见型号及参数

常用光耦简介及常见型号及参数Document number：PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998【转】常用光耦简介及常见型号及参数2010-10-15 21:52转载自最终编辑常用光耦简介及常见型号???? 光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦,常用的线性光耦是PC817A—C系列。

????? 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

????? 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光耦的选型与应用

光耦的选型与应用[ 2008-2-3 8:54:00 | By: SystemARM ]4推荐光耦全称是光耦合器，英文名字是：optical coupler，英文缩写为OC，亦称光电隔离器，简称光耦。

光耦的结构是什么样的？光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。

为什么要使用光耦？发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离干扰的作用。

光耦爱坏吗？只要光耦合器质量好，电路参数设计合理，一般故障少见。

如果系统中出现异常，使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压，就会使之被击穿损坏。

光耦的参数都有哪些？是什么含义？1、CTR：电流传输比2、Isolation Voltage：隔离电压3、Collector-Emitter Voltage：集电极－发射极电压CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值集电极－发射极电压：集电极－发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通？什么时候截至？关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告要求：3.5v～24v 认为是高电平，0v～1.5v认为是低电平思路：1、0v～1.5v认为是低电平，利用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降，吃掉1.4V左右；2、24V是最高电压，不能在最高电压的时候，光耦通过的电流太大；所以选用2K的电阻；光耦工作在大概10mA的电流，可以保证稳定可靠工作n年以上；3、3.5V以上是高电平，为了尽快进入光敏三极管的饱和区，要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大；因此选用10K；同时要考虑到ctr最小为50％；电路：1、发光管端：实验室电源（0～24V）->2K->1N4001->TLP521-1(1)->TLP521-1(2)-gnd12、光敏三极管：实验室电源（DC5V）->10K->TLP521-1(4)->TLP521-1(3)-gnd23、万用表直流电压挡20V万用表+ -> TLP521-1(4)万用表- -> TLP521-1(3)试验结果输入电源万用表电压(V)1.3V 51.5V 4.81.7V 4.411.9V 3.582.1V 2.942.3V 1.82.5V 0.582.7V 0.22.9V 0.193.1V 0.173.3V 0.163.5V 0.165V 0.1324V 0.06思考题：光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？思考题：1、光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？2、CTR与上拉电阻和光耦的光敏三极管之间与饱和导通或者截至之间的关系；参考资料：TLP521-1的CTR为50％（最小值）；TLP521-1的长相TLP521-1的长相线性光耦原理与电路设计【转】线性光耦原理与电路设计来源：21IC中国电子网作者：佚名1. 线形光耦介绍光隔离是一种很常用的信号隔离形式。

光耦简介及常见型号

PL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。

可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。

例如：moc3063、IL420；它们的主要指标是负载能力；例如：moc3063的负载能力是100mA；IL420是300mA；光耦的部分型号型号规格性能说明4N25 晶体管输出4N25MC 晶体管输出4N26 晶体管输出4N27 晶体管输出4N28 晶体管输出4N29 达林顿输出4N30 达林顿输出4N31 达林顿输出4N32 达林顿输出4N33 达林顿输出4N33MC 达林顿输出4N35 达林顿输出4N36 晶体管输出4N37 晶体管输出4N38 晶体管输出4N39 可控硅输出6N135 高速光耦晶体管输出6N136 高速光耦晶体管输出6N137 高速光耦晶体管输出6N138 达林顿输出6N139 达林顿输出MOC3020 可控硅驱动输出MOC3021 可控硅驱动输出MOC3023 可控硅驱动输出MOC3030 可控硅驱动输出MOC3040 过零触发可控硅输出MOC3041 过零触发可控硅输出MOC3061 过零触发可控硅输出MOC3081 过零触发可控硅输出TLP521-1 单光耦TLP521-2 双光耦TLP521-4 四光耦TLP621 四光耦TIL113 达林顿输出TIL117 TTL逻辑输出PC814 单光耦PC817 单光耦H11A2 晶体管输出H11D1 高压晶体管输出H11G2 电阻达林顿输光耦的选型与应用2008-2-3 8:54:00推荐光耦全称是光耦合器，英文名字是：optical coupler，英文缩写为OC，亦称光电隔离器，简称光耦。

光耦的结构是什么样的？光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。

常见光耦型号

光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。

光耦4n25触发延时电路

光耦4n25触发延时电路
光耦4N25是一种常用的光电耦合器件，可以实现输入和输出电路之间的隔离。

触发延时电路一般用于延迟电路的触发操作，常见的应用场景包括脉冲产生、数字信号处理等。

要设计一个光耦4N25触发延时电路，可以按照以下步骤进行：
1. 确定输入信号：首先确定输入信号的类型和特性，例如脉冲信号的频率、宽度等。

这将有助于选择适当的元件和设计参数。

2. 选择元件：根据输入信号的特性选取适当的元件。

对于光耦4N25，它由一个发光二极管和一个光敏三极管组成，可用于将输入电信号转换为光信号并传输到输出端。

3. 设计延时电路：根据需求设计延时电路的延时时间。

延时电路可以采用多种形式，如RC电路、555定时器等。

选择合适的延时电路并根据需要进行参数调整。

4. 连接电路：将输入信号与光耦4N25的输入端相连，确保输入信号可以驱动光二极管。

同时将光敏三极管的输出连接到延时电路的触发端，使其能够接收光信号并触发延时操作。

5. 调试和测试：完成电路连接后，进行调试和测试。

可以通过输入不同的信号以及调整延时电路的参数来验证电路的功能和性能。

需要注意的是，在设计和搭建电路时应遵循相关的安全规范，并确保正确连接和使用电子元件。

如果对电路设计不确定或不熟悉电路原理，建议咨询专业的电子工程师进行帮助。

4n25光耦合器的工作原理

4n25光耦合器的工作原理光耦合器是一种常用的光电转换器件，用于将光信号转换成电信号或将电信号转换成光信号。

其中，4n25光耦合器是一种具有广泛应用的光电器件。

本文将详细介绍4n25光耦合器的工作原理。

1. 光耦合器的结构4n25光耦合器由两个主要部分组成：发光二极管（LED）和光敏三极管（光敏晶体管）。

LED负责将电信号转换成光信号，而光敏晶体管则将光信号转换成电信号。

2. 光耦合器的工作原理当输入端的电流通过LED时，LED会发出光。

LED的发光波长和光强度取决于输入电流的大小。

光通过耦合栅极的光栅区域后，被光敏晶体管接收。

光敏晶体管的光敏区域会吸收光能，产生电子-空穴对。

这些电子-空穴对会被电场推动，形成电流，从而生成一个与输入电流相对应的输出电流。

3. 光耦合器的应用光耦合器具有高绝缘性、高速度和低功耗的特点，因此在电气隔离和信号传输方面有广泛应用。

（1）电气隔离4n25光耦合器在工业控制系统中常被用作电气隔离器。

通过将输入信号与输出信号隔离开来，可以有效保护接收器和控制器，提高系统的可靠性。

（2）开关应用在开关电源和触发器电路中，4n25光耦合器被用作控制开关的触发器。

输入信号通过光敏晶体管产生输出信号，从而实现电路的开关控制。

（3）数据传输4n25光耦合器在数据传输中被广泛应用。

它能够将高频电信号转换成光信号，在光纤传输线路上传输，避免了电磁干扰和电路噪声的问题，提高了传输效率和质量。

4. 光耦合器的特性和优势（1）高绝缘性：光耦合器能够将输入信号与输出信号隔离开来，从而实现电气隔离。

（2）高速度：由于光的传播速度快于电信号，光耦合器可以实现高速的信号传输。

（3）低功耗：与传统的电耦合器相比，光耦合器具有更低的功耗。

（4）小尺寸：光耦合器的体积小巧，易于集成和安装。

总结：4n25光耦合器是一种常用的光电转换器件，其工作原理基于LED产生光信号，经过光敏晶体管转换成电信号。

在工业控制、开关应用和数据传输中，光耦合器发挥着重要的作用。

光电耦合器的应用

光电耦合器件发展趋势及地位光电耦合器是一种光电结合的新型器件。

光电祸合器件制作工艺发展很快，新的光电耦合器件不断出现。

因为光电耦合器件有其它电子器件不具备的性能，因此它被广泛地应用于计量仪器、精密仪器、过程控制、计算机系统、通信设备、医疗设备及家用电器中。

随着工艺技术的不断提高，可望将有更高集成水平、更大工作电流、更高工作速度、原副边耐压更高的光电耦合器件出现。

光电耦合器件有更广泛的应用前景，它将会替代一些与之相比性能较差的电子器件。

光电耦合器的结构特点和特点光电耦合器的主要结构是把发光器件和光接收器件组装在一个密闭的管壳内，然后利用发光器件的管脚作输入端，而把光接收器的管脚作为输出端。

当在输入端加电信号时，发光器件发光。

这样，光接收器件由于光敏效应而在光照后产生光电流并由输出端输出。

从而实现了以“光”为媒介的电信号传输，而器件的输入和输出两端在电气上是绝缘的。

这样就构成了一种中间通过光传输信号的新型半导体光电子器件。

光电耦合器的封装形式一般有管形、双列直插式和光导纤维连接三种。

图1是三种系列的光电耦合器电路图。

光电耦合的主要特点如下：•输入和输出端之间绝缘，其绝缘电阻一般都大于1010Q ,耐压一般可超过1kV,有的甚至可以达到10kV以上。

•由于“光”传输的单向性，所以信号从光源单向传输到光接收器时不会出现反馈现象，其输出信号也不会影响输入端。

•由于发光器件（砷化镓红外二极管）是阻抗电流驱动性器件，而噪音是一种高内阻微电流的电压信号。

因此光电耦合器件的共模抑制比很大，所以，光电耦合器件可以很好地抑制干扰并消除噪音。

•容易和逻辑电路配合。

•响应速度快。

光电耦合器件的时间常数通常在微秒甚至毫微秒级。

•无触点、寿命长、体积小、耐冲击。

——100 <b)G0——200 <c)GO—-300光耦的主要性能特点如下：①隔离性能好，输入端与输出端完全实现了电隔离，其绝缘电阻RISO 一般均能达到1010Q以上，绝缘耐压VISO在低压时都可满足使用要求，高耐压一般能超过lkV,有的可达10kV以上。

非线性光耦手册4n25 4n26 4n27 4n28

4N25, 4N26, 4N27, 4N28Vishay SemiconductorsOptocoupler, Phototransistor Output, with Base ConnectionDESCRIPTIONThe 4N25 family is an industry standard single channel phototransistor coupler. This family includes the 4N25, 4N26, 4N27, 4N28. Each optocoupler consists of gallium arsenide infrared LED and a silicon NPN phototransistor.FEATURES•Isolation test voltage 5000 V RMS•Interfaces with common logic families•Input-output coupling capacitance < 0.5 pF •Industry standard dual-in-line 6 pin package •Compliant to RoHS directive 2002/95/EC andin accordance to WEEE 2002/96/ECAPPLICATIONS•AC mains detection•Reed relay driving•Switch mode power supply feedback •Telephone ring detection•Logic ground isolation•Logic coupling with high frequency noise rejectionAGENCY APPROVALS•UL1577, file no. E52744•BSI: EN 60065:2002, EN 60950:2000•FIMKO: EN 60950, EN 60065, EN 6033521842ORDER INFORMATIONPART REMARKS4N25CTR > 20 %, DIP-64N26CTR > 20 %, DIP-64N27CTR > 10 %, DIP-64N28CTR > 10 %, DIP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (1)PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL VALUE UNIT INPUTReverse voltage V R5V Forward current I F60mA Surge current t ≤ 10 μs I FSM3A Power dissipation P diss100mW OUTPUTCollector emitter breakdown voltage V CEO70V Emitter base breakdown voltage V EBO7VCollector currentI C50mA t ≤ 1 ms I C100mAPower dissipation P diss150mW For technical questions, contact: optocoupleranswers@ Document Number: 83725Document Number: 83725For technical questions, contact: optocoupleranswers@4N25, 4N26, 4N27, 4N28Optocoupler, Phototransistor Output, with Base ConnectionVishay SemiconductorsNotes(1)T amb = 25 °C, unless otherwise specified.Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is not implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute maximum ratings for extended periods of the time can adversely affect reliability.(2)Refer to reflow profile for soldering conditions for surface mounted devices (SMD). Refer to wave profile for soldering condditions for through hole devices (DIP).Notes (1)T amb = 25 °C, unless otherwise specified.Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.(2)JEDEC registered values are 2500 V, 1500 V, 1500 V, and 500 V for the 4N25, 4N26, 4N27, and 4N28 respectively.COUPLERIsolation test voltage V ISO5000V RMS Creepage distance ≥ 7mm Clearance distance≥ 7mm Isolation thickness between emitter and detector≥ 0.4mmComparative tracking index DIN IEC 112/VDE 0303, part 1175Isolation resistance V IO = 500 V, T amb = 25 °C R IO 1012ΩV IO = 500 V, T amb = 100 °CR IO 1011ΩStorage temperature T stg - 55 to + 125°C Operating temperature T amb - 55 to + 100°C Junction temperature T j 125°C Soldering temperature (2)max.10 s dip soldering: distance to seating plane≥ 1.5 mm T sld 260°C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (1)PARAMETER TEST CONDITIONPARTSYMBOLMIN.TYP.MAX.UNITINPUTForward voltage (2)I F = 50 mA V F 1.3 1.5V Reverse current (2)V R = 3 V I R 0.1100μA Capacitance V R = 0 VC O25pFOUTPUTCollector base breakdown voltage (2)I C = 100 μA BV CBO 70V Collector emitter breakdown voltage (2)I C = 1 mA BV CEO 30V Emitter collector breakdown voltage (2)I E = 100 μABV ECO7V I CEO (dark) (2)V CE = 10 V , (base open)4N25550nA 4N26550nA 4N27550nA 4N2810100nA I CBO (dark) (2)V CB = 10 V ,(emitter open)220nA Collector emitter capacitance V CE = 0C CE 6pFCOUPLERIsolation test voltage (2)Peak, 60 Hz V IO 5000V Saturation voltage, collector emitter I CE = 2 mA, I F = 50 mAV CE(sat)0.5V Resistance, input output (2)V IO = 500 V R IO 100G ΩCapacitance, input outputf = 1 MHzC IO0.6pFABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (1)PARAMETER TEST CONDITIONSYMBOLVALUEUNIT For technical questions, contact: optocoupleranswers@Document Number: 837254N25, 4N26, 4N27, 4N28Vishay Semiconductors Optocoupler, Phototransistor Output,with Base ConnectionNote(1)Indicates JEDEC registered values.TYPICAL CHARACTERISTICST amb = 25 °C, unless otherwise specifiedFig. 1 - Forward Voltage vs. Forward CurrentFig. 2 - Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs.LED Current Fig. 3 - Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs.LED CurrentFig. 4 - Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs.LED CurrentCURRENT TRANSFER RATIO (1)PARAMETERTEST CONDITIONPART SYMBOL MIN.TYP.MAX.UNIT DC current transfer ratioV CE = 10 V, I F = 10 mA4N25CTR DC 2050%4N26CTR DC 2050%4N27CTR DC 1030%4N28CTR DC1030%SWITCHING CHARACTERISTICSPARAMETER TEST CONDITIONSYMBOL MIN.TYP.MAX.UNIT Rise and fall timesV CE = 10 V, I F = 10 mA, R L = 100 Ωt r , t f2μs4N25, 4N26, 4N27, 4N28 Optocoupler, Phototransistor Output,with Base ConnectionVishay SemiconductorsFig. 5 - Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs.LED CurrentFig. 6 - Collector Emitter Current vs.Temperature and LED CurrentFig. 7 - Collector Emitter Leakage Current vs. Temperature Fig. 8 - Normalized CTRcb vs. LED Current and Temperature Fig. 9 - Normalized Photocurrent vs. I F and Temperature Fig. 10 - Normalized Non-Saturated h FE vs.Base Current and TemperatureDocument Number: 83725For technical questions, contact: optocoupleranswers@ 4N25, 4N26, 4N27, 4N28Vishay Semiconductors Optocoupler, Phototransistor Output,with Base ConnectionFig. 11 - Normalized h FE vs. Base Current and Temperature Fig. 12 - Propagation Delay vs. Collector Load ResistorFig. 13 - Switching Timing Fig. 14 - Switching Schematic For technical questions, contact: optocoupleranswers@ Document Number: 837254N25, 4N26, 4N27, 4N28Optocoupler, Phototransistor Output,Vishay Semiconductorswith Base ConnectionPACKAGE DIMENSIONS in millimetersPACKAGE MARKINGDocument Number: 83725For technical questions, contact: optocoupleranswers@ Legal Disclaimer Notice VishayDisclaimerALL PRODU CT, PRODU CT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SU BJECT TO CHANGE WITHOU T NOTICE TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively,“Vishay”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other disclosure relating to any product.Vishay makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or the continuing production of any product. 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Parameters provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance may vary over time. All operating parameters, including typical parameters, must be validated for each customer application by the customer’s technical experts. Product specifications do not expand or otherwise modify Vishay’s terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein.Except as expressly indicated in writing, Vishay products are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications or for any other application in which the failure of the Vishay product could result in personal injury or death. Customers using or selling Vishay products not expressly indicated for use in such applications do so at their own risk. Please contact authorized Vishay personnel to obtain written terms and conditions regarding products designed for such applications. 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We confirm that all the products identified as being compliant to Directive 2002/95/EC conform to Directive 2011/65/EU.Vishay Intertechnology, Inc. hereby certifies that all its products that are identified as Halogen-Free follow Halogen-Free requirements as per JEDEC JS709A standards. Please note that some Vishay documentation may still make reference to the IEC 61249-2-21 definition. We confirm that all the products identified as being compliant to IEC 61249-2-21 conform to JEDEC JS709A standards.Revision: 02-Oct-121Document Number: 91000。

光耦常用参数及光耦使用技巧

正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。

正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。

反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。

反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。

输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。

反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。

电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。

从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。

从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。

入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

----------------------------------------------------------------------------------------常用的器件。

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦常用参数正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流.反向击穿电压VBR:：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。

反向击穿电压V(BR）CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降.输出饱和压降VCE（sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。

反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流.电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10％到90％，所需时间为脉冲上升时间tr.从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf.传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1。

5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。

从输入脉冲后沿幅度的50％到输出脉冲电平上升到1。

5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值.入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

-—----—---——-———————--—--—-—--———---————-——-————-—---—--—-—--———-———--—-———--—-——----——-常用的器件。

3.19 光耦合器件的应用一．实验目的1．熟悉光耦合器件及其种类，基本掌握常用光耦合器件的使用。

2．会设计调试光耦合器件的常用电路类型。

二．实验原理1．器件简介光电耦合器是一种电信号的耦合器件，它一般是将发光二极管和光敏二极管的光路耦合在一起，输入和输出之间可以不共地，输入信号加于发光二极管上，输出信号由光敏二极管取出。

光耦合器传输的信号可以为数字信号，也可以为模拟信号，只是对器件要求不同，故选择时应针对输入信号选择相应的光电耦合器。

模拟信号所用光耦常称为线性光耦，光电耦合器在传输信号的原理上与隔离变压器相同，但它体积小，传输信号的频率高，使用方便，光电耦合器一般采用DIP 封装。

光电耦合器常用在接口电路中，作为两种供电电路间的信号转换，常见光电耦合器如GO —100系列、GO —200系列和GO —300系列，其内部电路如图3-19-1、图3-19-2、图3-19-3，三极管输出系列4N25/26/27，内部电路如图3-19-4。

其典型应用如图3-19-5、图3-19-6所示。

bce+-空图3-19-1 G0-100系列图3-19-2 G0-200系列图3-19-3 G0-300系列图3-19-4 4N25/26/27V o图3-19-5 线形应用图3-19-6 非线形应用由图3-19-5可看出，信号经运放放大后，驱动二极管，光电耦合器作其负载，经光电耦合器后，信号到达了输出端，且供电电压由另一组电源供电实现了输入和输出间的电气隔离。

图3-19-6所示电路，是典型的继电器驱动电路。

为了实验的方便，这里选择的是小电流驱动，实际应用时，可实现大电流驱动，比如控制总电源的切断与接通。

2．设计举例以图3-19-6为例。

先看T 1管。

输入信号为开关信号，当高电平时，U i =3.5V ,此时基极电流限制在1mA 左右，故有mA 1R U U 1b BEi =-，所以，有：1b BEi 1b I U U R -=3-19-1=Ω=-K 8.217.05.3 取Ω=K 3R 1b 。

常用光耦简介及常见型号及参数修订版

常用光耦简介及常见型号及参数Document number：PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998【转】常用光耦简介及常见型号及参数2010-10-15 21:52转载自最终编辑常用光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦,常用的线性光耦是PC817A—C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。