一种新型的微加速度开关制作工艺

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悬臂梁式mems开关的详细介绍

悬臂梁式mems开关的详细介绍

悬臂梁式mems开关的详细介绍
悬臂梁式MEMS开关是一种常见的微机电系统,其结构是一个悬臂梁与固定电极或可移动电极的组合。

悬臂梁是一种细长的横梁,一端固定,另一端自由悬挂,可承受压力或弯曲。

MEMS开关的工作原理是通过施加电场或力矩来使可移动电极移动,从而改变开关的状态。

以下是悬臂梁式MEMS开关的详细介绍:
1. 结构
悬臂梁式MEMS开关由四个部分组成:悬臂梁、固定电极、可移动电极和支撑结构。

其中,悬臂梁是一个纤细的横梁,可以弯曲或承受压力;固定电极与可移动电极之间有一段空隙,当可移动电极靠近固定电极时,二者之间就会有电场形成;支撑结构则用于支撑悬臂梁和可移动电极。

2. 工作原理
当加上电压或施加力矩时,可移动电极会受到吸引力或斥力而移动,从而改变电容或电阻的大小,实现开关的切换。

当移动电极接触到固定电极时,电路闭合,电流通过;当移动电极与固定电极分开时,电路断开,电流停止流动。

通过不同的施加电压或力矩,开关可以实现不同的动作模式和可靠性要求。

3. 应用
悬臂梁式MEMS开关广泛应用于通信、生物医疗、汽车和军
事等领域,例如手机中的陀螺仪、加速度计和触摸屏等。

由于其微小的结构和高灵敏度、高精度的特点,悬臂梁式MEMS 开关在微型化和集成化设备中具有广泛的应用前景。

基于MEMS加速度微传感器制作工艺及测试

基于MEMS加速度微传感器制作工艺及测试
维普资讯
第l 4卷 第 5期
2o 0 7年 l 月 0
莆 田 学 院 学 报
Jun l f o r a o Pu n t a Un v r i i ie st y
中 图分 类 号 : P 1 T 22
V0 .4 1 No 5 1 . Oc . 2 o t o7
a c l a o o t a f c p ct . e p o e s i cu e e Ba d g o e sl o d t e g a s t e ec ig o c ee t n t t o a a i T r c s ld ri h yh n d t n i f t i c n a l s , th n f h n h i n h h
主要 介 绍基 于 ME MS技 术 的 电容 式 加速 度 传 感 器 的原理 、 制作 工艺 、 测试 电路 及测 试结果 。
硅微热电耦式、 硅微谐振式等加速度传感器 , 国外 已出现了光波导加速度传感器啪 本文研究的硅微 。
电容式微加速度传感器是在硅微电容式压力传感
0 引言
随 着 微 机 电 系 统 ( MS 的 发 展 , 种 基 于 ) 各 ME MS技 术 的器 件 应运 而 生 , 压 力传 感器 、 如 加速
程 简单 、 易于批量 生产 。该传 感器 采用 电容 开关放 大 电路作 为 测试 电 路 ,测试 电 路利 用方 波激励 信 号把 电容 变化 转 换 为 电压输 出 ,通 过输 出 电压来
Ab ta t T epic l, efb ct n ad tetsn fan w t eo a aiv ceeao ir esr sr c : h r i e t ar a o n et g o e y fcp ct ea cl t n m c sno np h i i h i p i ri o

一种非接触式微加速度开关的研究

一种非接触式微加速度开关的研究

ANS YS s fwa e o t r . Ke r s a c lr to ir wic e ; o t c l s ; o a t a i n v l g ; o p i g b t e l c r s a i y wo d : c e e a i n m c o s t h s c n a te s l w c u t o t e c u l e we n ee to t t o a n c f r ea d m e h n c 1 o c o c n c a ia r e f
加 速度开关 又称 G开 关 , 感受 加 速 度并 完 成 是 制动 的一类 惯性 器 件 。随着 微机 械加 工技术 在传 感
器领域 中的应用 和 推广 _ ] 已经 出现 了不 同类 型 的 1, ≈ 微加 速度 开关 , 这些 开 关 根 据 用 途 的不 同而 具 有 不
Re e r h o ir m a h ne c lr t n S t h Ba e l Co t c ls nfg r to s a c fM c o c i d Ac ee a i wi s d Ol n a te sCo i u a i n o c
GUO Ta , o L,Li u LAO Y n - i n — a, h o gja
金属接触 可能存在许多问题 , 如微 焊接 、 电弧 、 氧化 , 这些 问题 可能导 致开 关工作 失灵 鉴 于此 , 本文介 绍 了一 种低驱 动 电压 的非 接触 式微 加速度开关( 阈值为 5g ) 的设计 理论 、 研究方法 和主要加 工工艺步骤 , 同时对非接 触式微加 速度开关结 构的力
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第2 1卷 第 4期 20 0 8年 4月
传 感 技 术 学 报

开关点电可调节的MEMS冲击加速度锁定开关

开关点电可调节的MEMS冲击加速度锁定开关

阈值 , k是 弹性 结构 的弹性 系数 , 是 可动 结 构 的 d 最 大移 动距 离 , 是 敏感 质 量 . 种开 关 对 于 工 艺 m 这 容 差要求 严格 , 精度 较低 , 阈值 范 围局 限在低频 低 量 程 加速 度范 围 内 , 量 能力和 环境适 应 能力较 弱 , 测 容 易 造成 开关失 灵或 误 操 作 , 且此 类 开 关 测 量 阈值 并 单一 , 以实 现 智 能化 集 成 . 一 类 开 关 是 动 态 开 难 另
开 关可 靠性 .
2 基 本 原 理
静 电驱 动方 式 由于 具 有 结 构 简单 、 于 I 工 易 c 艺 集成 、 功耗 低 等 优 点 , 广泛 应 用 于 ME 被 MS器件 设 计 . 电驱 动工 作方式 中 , 静 驱动 电压或 是质 量块位 移 超过一 定 幅度 , 会 发生静 电“ u1 n 现象 , 量 将 P li” . 质 块 会 被 静 电 力 束 缚 与 驱 动 电 极 贴 合 , 终 导 致 最 MEMS器件 失效 . 因此 “ u1 n 效 应 作 为静 电驱动 P l i” .
贾孟军 李昕欣 宋朝晖 王跃林
205 ) 0 0 0 ( 1中 国科 学 院 研 究 生 院 ,上 海
( 2中 国科 学 院上 海 微 系 统 与 信 息 技 术 研 究 所 传感 技 术 国家 重 点 实 验 室 ,上 海
205) 0 00
摘 要 :介 绍 了 一 种 基 于 机 电 耦 合 原 理 的 新 型 冲 击 加 速 度 ME MS开 关 . 开关 的 阈值 开 关 点 可 以通 过 偏 置 电 压 的 此 改变进行调节设置 , 同时 具 有 自锁 定 功 能 . 中 分 析 了 这 种 开 关 的准 静 态 加 速 度 静 力 学 平 衡 条 件 和 在 阶 跃 冲击 加 文 速 度 输 入 情 况 下 的 响 应 特性 , 通 过 C v noW ae软 件 模 拟 , 到悬 臂梁 型 开关 在 各种 加速 度输 入信 号 ( 并 o e tr r 得 阶跃 、 脉 冲 和 半 正 弦 ) 况 下 的瞬 态 响 应 过 程 . 情 开关 的 实 际 阈 值 范 围 为 1 0  ̄5 0 g 响应 速 度 小 于 6 “ . 用 ME 00 00 , 0 s采 MS 术 技 制 造 开 关 , 通 过 冲 击 加 速 度 测 试 验 证 了设 计 结 果 . 并 关 键 词 :ME MS ;冲 击 加 速 度 开 关 ;开关 点 电 可 调 节 ;锁 定 ;机 电耦 合

MEMS开关基本原理及性能优势

MEMS开关基本原理及性能优势

MEMS开关基本原理及性能优势过去30年来,MEMS开关一直被标榜为性能有限的机电继电器的出色替代器件,因为它易于使用,尺寸很小,能够以极小的损耗可靠地传送0 Hz/dc至数百GHz信号,有望彻底改变电子系统的实现方式。

这种性能优势会对大量不同的设备和应用产生重要影响。

在MEMS开关技术的帮助下,很多领域都将达到前所未有的性能水准和尺寸规格,包括电气测试与测量系统、防务系统应用、医疗保健设备。

图1 ADI MEMS开关技术目前的开关技术都或多或少存在缺点,没有一种技术是理想解决方案。

继电器的缺点包括带宽较窄、动作寿命有限、通道数有限以及封装尺寸较大。

与继电器相比,MEMS技术一直就有实现最高水平RF开关性能的潜力,其可靠性要高出好几个数量级,而且尺寸很小。

但是,难以通过大规模生产来大批量提供可靠产品的挑战,让许多试图开发MEMS开关技术的公司停滞不前。

Foxboro Company是最早开始MEMS开关研究的公司之一,其于1984年申请了世界最早的机电开关专利之一。

ADI公司自1990年开始通过一些学术项目涉足MEMS开关技术研究。

到1998年,ADI公司终于开发出一种MEMS开关设计,并根据该设计制作了一些早期原型产品。

2011年,ADI公司大幅增加了MEMS开关项目投入,从而推动了自有先进MEMS开关制造设施的建设。

现在,ADI公司已能够满足业界一直以来的需求:量产、可靠、高性能、小尺寸的MEMS开关取代衰老的继电器技术。

ADI公司与MEMS技术有着深厚的历史渊源。

世界上第一款成功开发、制造并商用的MEMS加速度计是ADI公司于1991年发布的ADXL50 加速度计。

ADI公司于2002年发布第一款集成式MEMS陀螺仪ADXRS150。

以此为开端,ADI公司建立了庞大的MEMS 产品业务和无可匹敌的高可靠性、高性能MEMS产品制造商声誉。

ADI公司已为汽车、工业和消费电子应用交付了逾10亿只惯性传感器。

一种电容式微加速度计的结构设计和工艺仿真

一种电容式微加速度计的结构设计和工艺仿真

传 感 技 术 学 报
C NE E J RNA F E O S A HI S OU L O S NS R ND C A TUA R TO S
Vo . 9 No 5 11 .
20 0 6年 1 0月
0c . 0 6 t2 0
De i n a d Vit a b ia i n Pr c s fa Ne Ki fCa c tv c ee o e e sg n ru lFa rc to o e so w nd o pa ii eA c lr m t r
coac l o trc re t . B sd o ic n ga sa o i b n ig tc n lg n n u t ey c u ld r-cee mee urn l r y ae n s i / ls n dc o dn eh oo y a d id ci l o pe lo v
加工技术基础之上设计 了一种 电容式微加 速度计 , 构将 两种改变平行板 电容量 的方 式有效 的结合 在一 起 , 高 了结构 的 该结 提
灵敏度 并具有较好的线性度. 后 , 最 对所设计 的结构 进行 了工艺仿真 , 通过虚拟 工艺仿 真结果 与设计进 行 比较 , 证 了结 构 的 论
由于微机械尺寸很小所以形成的电容量是非常微弱的在使用中经常被干扰噪声淹没作为测量仪表提高精度很重要的一项措施就是采用差动测量方式差动测量的两部分由于在相同环境条件下受到的干扰噪声基本一样所以可以通过相减排除其绝大部分极大地提高了信噪比
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第1 9卷
第 5期
ME MS器 件. 于 ME 由 MS器 件 是 针 对 各 种 不 同 的
虑. 在设计 中, 机电结构设计 和工艺流程设计是相互 交联的. 电容式微加速度计是 利用质量块 把加速度 的变化转换成电容 电极 间极距 的变化 , 一般 采用差 分结构. 从制作工艺上 , 电容式微型加速度计可分为 两类 : 表面工艺微型加速度计 和体硅工艺微型加速 度 计 . 面微 机械 加 工 工 艺 通 过 对 硅 表 面层 的 加 工 表 及牺牲层的腐蚀来 获得微机 械部件 , 因此当被用于 制作惯性传感器时, 所制得 的器件 的惯性质量和检 测电容都很小. 而体硅微机械加工工艺 , 以制得具 可 有较大惯性质量器 件. 在传统 的体硅微 机械 中, 玻 璃一 玻璃 的三明治结 构通常被用来构成适合 于检 硅一 测电容变化 的差分 电容式 结构. 但是. 玻璃 难 以加

UV-LIGA技术制作微型螺旋形加速度开关

UV-LIGA技术制作微型螺旋形加速度开关
关 键 词 : UV- GA; U- LI S 8光 刻 ; 速 度 触 发 开 关 ; 加 牺牲 层 技 术
中 图 分 类 号 : N4 5 T 6 T 0 ; M5 4
文献标识码 : A
d i1 . 78 OP .0 0 8 5 1 5 o;0 3 8 / E 2 11 0 . 12
t i a e y u i g U V— GA e h o o y c mb n n t U一 h c e itp o e s h s p p r b sn LI t c n lg o i i g wi S 8 t ik r ss r c s 。m ir l c r f r h coee to o —
U — I A。 术 制 作 微 型 螺 旋 形 加 速 度 开 关 VLG 技
黄新龙 , 瑛 陈光焱 , 熊 , 田扬超 , 刚 刘
(. 1 中国科学技术大学 国家同步辐射实验 室, 安徽 合肥 202 ; 30 9
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所, . 四川 绵阳 610 ) 29 0
第1 8卷
第 5期
光 精 密 工 程 学
O ptc nd Pr cson Engne rng isa e ii i ei
Vo . 8 No 5 11 .
M a y 201 0
21 0 0年 5月
文章编号
1 0—2 X(0 0 0- 120 0 49 4 2 1 )51 5—7
Fa rc in o c o ia c ee a in s th u i g UV- GA e h oo y b i o fmir r la c lr to wic sn at LI tc n lg
HU ANG n l n ,XI Xi -o g ONG n Yi g ,CHEN a g y n ,TI Gu n — a 。 AN n — h o ,LI Ga g Ya g c a U n

一种加速度开关设计

一种加速度开关设计
胡 红革 , 李 枚。 苏 伟
( 中国工程 物理 研究 院 电子 工程研 究所 , 绵 阳 6 10 ) 29 0
摘 要: 加速 度开 关又称 G开 关, 感受加 速度 并完成致动 的一类惯 性器件 。文 中回顾 了 R l t 机构 的 是 o mi a e
发 明过程 以及 R lmt o i a e机构 的用途 ; 绍 了 R lmt 关的 工作原理 ; 析 了 R l t 介 o i a e开 分 o mi a e开关 的力 学特性 ; 详细论述 了 R l t 关的结构设计 以及 装 配工 艺 ; R l i o mi a e开 对 o mt 关原理 样机 进行 了振 动 、 a e开 冲击 、 离心试
a d i lo c ld G-wi h.I h sp p r h e e o me tc u s n pp ia in o l mi c i e i e n sa s a e s t l c n t i a e ,t e d v lp n o r ea d a lc to fRo a t ma h n sr - e ve d,isprn il s ito u e iwe t i cp e i n r d c d,is me ha i a h r c e si s a e a ay e t c n c c a a tr tc r n z d,a d t t c u e d sg n l i l n he sr t r e i n a d u a s mb y t c n q e r s u s d i e al Prn il r tt p wi h c r e u i r t n,s o k a d c n s e l e h i u sa e dic s e n d ti. i cp e p o oy e s t a r d o tv b a i c i o h c n e —

薄膜开关生产工艺流程

薄膜开关生产工艺流程

薄膜开关生产工艺流程
薄膜开关是一种常见的电子元件,它具有构造简单、易于制造、使用寿命长、响应速度快等优点,广泛应用于家用电器、工业设备、汽车电子等领域。

下面将介绍薄膜开关的生产工艺流程。

一、原材料准备
薄膜开关的主要原材料包括导电材料、绝缘材料、支撑材料等。

根据产品设计要求,准备好适量的各种材料,确保质量符合要求。

二、根据设计要求制作版图
根据薄膜开关的设计要求,制作相应的版图。

版图包括电路图、导电图案、绝缘图案等,需要使用CAD软件进行设计,并进行打样确认。

三、切割导电材料
根据设计的导电图案,使用激光切割或化学腐蚀等技术,将导电材料切割成所需形状,确保导电、导热性能符合要求。

四、印刷绝缘材料
将绝缘材料印刷在导电材料上,形成绝缘层,避免导电材料之间短路。

印刷技术需要保证绝缘层的厚度均匀、质量良好。

五、粘贴支撑材料
将支撑材料粘贴在绝缘层上,增强薄膜开关的结构强度和稳定性。

支撑材料选用柔软、耐磨、耐高温的材料,确保产品的使用寿命。

六、组装检测
将制作好的各部件按照设计要求组装在一起,进行电气连接和外观整理。

然后进行功能
测试、外观检查等工序,确保产品质量合格。

七、包装发货
将通过检测合格的薄膜开关进行清洁、包装,然后装箱发货。

在包装过程中要避免产品受到损坏,确保产品的完整性。

以上就是薄膜开关的生产工艺流程,通过精心设计、精细加工和严格检测,可以生产出符合要求的高质量薄膜开关产品。

在实际生产中,还需要根据具体产品的要求和工艺特点进行一些细节的调整和改进,以确保生产效率和产品质量的提升。

高灵敏度谐振式微加速度传感器的设计与制作

高灵敏度谐振式微加速度传感器的设计与制作

s l t n, e p o f ma s t e s p o t g b a n h e o a tb a t i e e t t ik e s c n b c i v d o u i t r o s , h u p r n e ms a d t e r s n n e ms wi d f r n hc n s a e a h e e o h i h f smutn o s y w tec i g E p r n a r s l h w t a h e st i ft e a c l r mee s a o t1 9 9 2 i l e u l b e thn . x e me tl e u t s o h tt e s n i v t o c ee o t ri b u . 8 a y i s i y h
Absr c : o i rv h s n iii a n v lsr t r f mir . c i e e o a ta c lr me e a e n a n w t a t T mp o e t e e st t o e tucu e o c o ma h n d r s n n c e e o tr b s d o e v y。 s n i g me h n s e sn c a im i e in d s d sg e .Th mah maia mo e o e o a t c e eo tr s sa ls e a d t e e e t e tc l d lf r r s n n a e lr mee s i e tb ih d n h k y fco s afci g t e s n i v t fa c lr me e r b an d T r me eso h tu t r r pt z d b s d o a t r fe tn h e st i o c e eo tra eo ti e . hepaa tr ft e sr cu ea e o i e a e n i y mi

永磁微加速度开关设计与仿真

永磁微加速度开关设计与仿真

文献标识码 : A
文章 编 号 :0 12 0 ( 07 0 —2 50 1 0 —4 0 2 0 )20 8 —5
M o e i n i u a i n o i r a n tc a c l r to wic d lng a d sm l to f a m c o m g e i c e e a i n s t h
f r t ema s i e e a r o dto s a e p e e t d o h s n s v r 1wo k c n iin r r s n e .Th w ft e v ra i n o h s o i o ,t e e 1 o h a i t ft e ma s p st n h a o i p r n n g e i f r e h a a o c ,t e c n a tf r e b t e h s n h o t c o si e ma e tma n t o c ,t e g s d mp f r e h o t c o c e we n t e ma sa d t e c n a t r n c s t h wo k c n i o i lt d Re u t n ia e t a h c o s t h i a — a y n y t m n wic r o d t n i smu a e . i s s ls id c t h tt e mir wic a d mp v r i g s se a d s t a h a s d t r n d b h a b t e h ma s n t e e c p u a in Th e ib l y o h tt e d mp i e e mi e y t e g s e we n t e s a d h n a s l t . o e rl it f a i ee tia o t c e e d n t e p e s r e we n t em a s a d t e c n a t r lc rc lc n a td p n so h r s u e b t e h s n h o t co .Th c ee a i n t r s o d ea c l r to h e h l o h wi h i c n r l d b u h p r me e s a g e i o c n tfn s ft e mir a tlv r ft e s t s o to l y s c a a t r sma n tc f r e a d s i e s o h c o c n i e . c e f e

一种高g值微冲击开关的研制

一种高g值微冲击开关的研制

算 。仿 真采用 的材料参 数 为 : 钼的 弹性 模量 3 0GP , 0 a 密度 1 . 1g c , 0 2 / m。 泊松 比 0 3 . 。施 加 的边 界条 件 为: 结构 的外框 固定 , 载 30 0 ( =9 8 / 。 , 加 0 g g . 1m s) 通过 初步 分析 确定 弹簧一 量 系统 的运 动 位移 , 构 质 结
应保 证弹簧 的刚度 足够大 , 而质 量块质量 足够小 , 时阻尼尽 量小 。 同 微冲击 开关 主要 由引线座 、 触点 、 架 、 框 悬臂梁 、
检测 质量块 、 盖板 、 线等 7个 部分 组 成 , 中悬 臂 引 其 梁 和检测质 量块 构 成 弹簧一 量 系统 并 作 为开 关 的 质
可 实现开关 导通 。
通过模 态分析 得知 结构 的主模 态 为垂直方 向的
挠度 变形 , 一 阶频率 为 5 6k , 第 . Hz 第二 阶 和第 三 阶 频率 分别 为 2 8和 3 Hz 8k 。仿 真结 果说 明该 开关结
图 2A Y NS S分 析 结 果
Fi . An l ss r s l b g2 a y i e u t y ANS YS
图 1 微 冲 击 开关 结 构 示 意 图
F g 1 S h ma i d a r m fmir mp c wic i . c e t ig a o c o i a ts th c
2 设 计
设计 的 目标 是动作 门 限 30 0 。 由于敏 感元件 结构 不规 则 , 0g 采用有 限元软 件 ANS YS进 行仿 真 计
中 图分 类 号 : 3 7 T 4 0 4 J 国标 学 科代 码 :10・1 3 5 文 献 标 志码 : A
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一种新型的微加速度开关制作工艺【摘要】本文对新型基于水银为介质的微流体加速度开关进行了介绍。

说明了水银加速度开关的原理,对开关的工艺作了探讨。

【关键词】微流体;水银开关;制作工艺1.微开关的发展自Frobenius在1973[1]年首先制作出一种金属悬臂梁型加速度开关以来,已经出现了各种不同的MEMS加速度开关。

在工作原理上可以分为两类:一类是准静态开关,该开关结构是通过弹性结构连接一个质量块,并将质量块作为一个敏感质量和可动电极,根据牛顿第一定律,当所受的加速度达到一个预定阀值时,质量块受力作用,克服弹性恢复力,发生位移达到一个预设位置,并与一个定电极接触,从而触发电信号,导通电路使开关工作,开关阈值由惯性力和弹性恢复力之间的线性关系确定。

这种开关对于工艺容差要求严格,精度较低,阈值范围局限在低频低量程加速度范围内,测量能力和环境适应能力较弱,容易造成开关失灵或误操作,并且此类开关测量阈值单一,难以实现智能化集成。

另一类开关是动态开关,这类开关受惯性力,弹性恢复力,应力和静电吸引力等多个力共同作用。

加速度阈值通过动态方程计算分析确定,因而这种开关具有动态信号的测量能力。

图1.1 微加速度开关结构示意图加速度开关是感受加速度的重要惯性器件,为了满足控制系统的保险功能要求,加速度开关应具备体积小、机械接触可靠、允许通过电流大、精度较高等特点。

传统的加速度开关采用精密机械加工,存在体积较大、抗震能力较弱等不足。

因此,迫切要求研制新型的微加速度开关。

其中如准LIGA[2]技术因简单易行,只需通过厚胶光刻和微电铸工艺即可实现惯性器件的制作而被采用。

该技术采用紫外光曝光,由于不必使用同步辐射光源,所以研制成本较低,同时以金属镍为材料,使得器件本身可作为电极导电并通大电流。

微流体加速度开关是一种受加速度控制的开关量传感器。

它可以作为控制开关使用,也可以用来提供开关量信号。

随着微机械加工技术在传感器领域中的应用和推广,已经出现了不同类型的微加速度开关,这些开关根据用途的不同而具有不同的结构形式。

本文中以水银为介质的微加速度开关,利用在常温下水银是液态金属、表面张力大的特点,构成对加速度敏感的液体电极,水银电极与固定电极组成加速度开关,它的抗载能力不受元件(水银)强度的限制,因此过载量程比可以极大提高。

2.水银加速度开关原理2.1 结构组成2.1.1 基板结构基板为左右对称结构,如图2.1所示。

正向加速度阀门开启使水银流动,反向加速度阀门关闭使水银不流动。

在硅基板上刻蚀出水银储放腔体、水银微通道和气体微通道,保留通道壁突台和腔体外框突台。

水银张力膜将流体区域分隔为水银腔和气体腔,两通道壁所夹下部区域构成水银微通道,腔体外框、通道壁和阀门间的缝隙构成气体微通道。

2.1.2 盖板结构盖板与基板键合封装,形成矩形储液腔和矩形微通道。

在基板/盖板/基板与盖板的水银通道位置制备电极,水银张力膜随加速度的变换发生位移,通过水银的流动使电极导通或断开。

图2.1 加速度开关结构示意图2.2 工作原理为保证开关系统具有镇定性,必须设置微流体阀门。

当载体的加速度为-am<a≤g时,阀门关闭使开关处于反向限位状态时。

水银受阀门缝隙表面张力约束状态而不会流动到空气微通道内,系统处于表面张力与内聚力的自身平衡状态。

当载体发生正向加速度g≤a≤10g时,阀门开启。

水银所受惯性力和水银腔表面张力的驱动,克服水银与通道壁间的粘性剪应力和微通道表面张力的阻力,使水银触点发生运动。

系统处于载体惯性力、流体惯性力、表面张力和流动粘性力的动态多力平衡状态。

当载体加速度达到10g时,水银触点恰好到达接通电极的位置,使开关闭合。

由于该多力平衡系统具有极强的镇定性,即使当载体加速度时,触点与阀门的位置差趋于零,无须正向限位。

在载体加速度由10g降低至1g的过程中,开关处于断开过程。

首先加速度降至9.9g时,精准的触点结构设计可保证开关在准确的位置断开。

然后,在加速度由9.9g降至或低于1g的过程中,出于触点断开、阀门开启状态。

当加速度继续降低时,阀门关闭,开关恢复到初始限位状态。

2.3 微尺度效应对微流体的影响当流道和型腔特征尺寸小于1mm时[3],支配流体流动的物理环境及其自身特性发生变化,探明微尺度条件下流体的流动特性对微纳零件的制造与微机械装置控制系统的设计十分重要。

在有关微流体流动行为的研究中,J.Pfahler[4]等。

考察了流体在硅材料矩形微流道中的运动特性。

以丙醇(N-Propanol)为实验流体,矩形截面尺寸宽×高分别为135×53,100×1.7,100×0.8的微流道所作的实验结果表明:在截面尺寸相对较大的微流道中流体的运动规律与Navier-Stokes方程式相吻合;而当矩形截面流道深度H降至0.8时,试验结果偏离Navier-Stokes 方程的计算结果。

李勇[5]等以微圆管为对象,研究了用Navier-Stokes方程描述微流体运动特性的适用性。

结果表明,对于运动粘度为2.6×10-6m2/s的硅油,当圆管直径降至4.5时,Navier-Stokes方程不再适用;对于管径为11.2的流道,当流体的运动粘度为4.3×10-4m2/s时,流量与压力损失仍呈比例关系。

江小宁[6]等研制了一套测量微尺度流动流量的系统,并测量了管径为8,14和24圆管流道内流体流量与压力损失的关系。

结果表明,在这样的条件下,流体依然不可压缩连续流动,且实验结果与Navier-Stokes方程式的描述十分接近。

在微流体流动过程中,由于微尺度效应作用,表面力作用增强,粘性力远远超过惯性力,流道直径减小导致微流体雷诺数减小,沿程阻力系数增大,且微流道的长径比增大。

3.拟采用制作工艺3.1 硅基微机械加工技术硅基微机械加工技术[7]包括体微机械加工技术、表面微机械加工技术、以及复合微机械加工技术等。

体微机械加工技术是将整块材料如单晶硅基片加工成微机械结构的生产工艺。

通常,机械结构的形成要经历选择掺杂和结晶湿化学腐蚀两道工序。

和微电子生产中的亚微米光刻工艺比较,这些工艺尺度相对大而粗糙,线度变化在几微米到几百微米之间。

通过机械结构的干化学腐蚀将单晶硅做成零部件也可使体微机械加工具备更好的尺度控制。

体微机械加工的一个主要优点是它可以相对容易地制造出大质量的零部件,缺点是它很难制造精细灵敏的悬挂系统。

另外,由于体微机械加工工艺无法做到零部件的平面化布局,因此它不能够和微电子线路直接兼容;表面微机械加工就是利用集成电路中的平面化制造技术来制造微机械装置。

标准的工艺流程包括首先在单晶硅基片上交替沉积一层低应力的多晶硅层和一层用于腐蚀的氧化硅层,形成一个复杂的加工层,然后再对这个加工层进行光刻摹制,最后用氢氟酸对氧化硅进行蚀刻显影。

多次重复这一标准工艺流程就可完成表面微机械加工。

利用这种加工技术生产的微机械装置一般包括一层用作电连结的多晶硅层,一层或更多的机加工多晶硅层,它们形成各种机械部件,如悬臂梁、弹簧和联动杆等等。

由于整个工艺都基于集成电路制造技术,因此可以在单个直径为几英寸的单晶硅基片上批量生成数百个微型装置。

表面微机械加工技术的主要优点是,它充分利用了现有的生产工艺,对机械零部件尺度的控制与一样好,因此这种技术和完全兼容。

虽然表面微机械加工零部件的布局平面化使之和微电子电路容易集成,但是它同时也限制了表面加工,它制造的机械结构基本上都是二维的,因为机械结构的厚度完全受限于沉积薄膜的厚度。

复合微机械加工技术是体微机械加工技面微机械加工技术的综合。

它是在体微机械术和表面微机械加工技术的基础上发展起来技术,具有体微机械加工技术和表面微机械术的优点,同时也避免了它们的缺点。

微加速度表的制作工艺流程如图3.1所示:制作SOI片(图3.1(a));运用深反应离子刻蚀技术(DRIE)制作2μm宽的沟槽,在刻蚀的沟槽内淀积氮化硅(图3.1(b));刻蚀掉表面的氮化硅,运用标准的CMOS工艺制作界面和信号处理电路(图3.1(c));电介质清除,运用深反应离子刻蚀技术形成微结构,运用氢氟酸刻蚀氧化层(图3.1(d))。

图3.1 微加速度计制作工艺流程3.2 本文拟采用的工艺和材料经过前面工艺方法和材料的对比,本文拟采用SiC材料[8],因其具有宽带隙、耐磨损、耐腐蚀、高热导率、极好的物理化学稳定性等特点,利用SiC材料制成的微通道在高温、高频、强腐蚀性应用环境如微喷或者微发动机等应用场合有着得天独厚的优势。

SiC材料可以在Si衬底上淀积生长,大面积SiC可以相对容易地获得,且价格低廉。

目前,微流体主要是基于半导体Si、玻璃、金属或高聚物等材料制备的,传统的制作方法是对玻璃和Si芯片进行刻蚀,并在此基础上通过键合制成成品。

这类方法需要对玻璃或Si芯片进行键合密封等复杂操作,另外,这类微液体系统难于在强腐蚀性、高温等恶劣环境下使用。

本文选用的Si基微通道制备原理如下:首先在Si衬底片上刻蚀出微流体凹槽,凹槽之间留出台面,凹槽尺寸及其在衬底片上的排布根据设计需要而定;采用化学气相沉积法在该衬底片上淀积SiC薄膜材料,此层薄膜材料覆盖微流体凹槽壁面,并在凹槽顶部闭合,形成封闭的微通道。

利用半导体工艺在Si衬底片上刻蚀出微流体凹槽,凹槽用作后继淀积工艺的模板。

淀积SiC薄膜材料时,反应气体同时在台面和凹槽壁面反应成核,但反应物不易迁移到凹槽壁面,凹槽壁面的淀积速率比台面的慢很多。

SiC材料沿垂直台面方向纵向生长,在纵向生长的同时,也进行横向生长,随着生长进度,相邻台面的横向生长区域相互合并,将凹槽封闭起来,凹槽壁面由于缺乏反应物而不再淀积SiC薄膜,这样就形成了一个封闭的微通道。

图3.2 Si基Si通道制备工艺示意图4.总结本论文介绍了利用水银作为介质的微加速度开关原理,探索了制造工艺。

下一步研究要依据流体力学基本原理建立了基本数学模型,并进行模拟。

最终目标是实现抗高过载的低量程,接触性好的加速度开关。

参考文献[1]陈光焱,何晓平,施志贵等.开关点电可调节的MEMS冲击加速度锁定开关[J].半导体学报,2007,28(8):1295.[2]陈光焱,何晓平,施志贵等.准LIGA微加速度开关的研制[J].微纳电子技术,2003(8):0312.[3]蒋炳炎,谢磊,谭险峰等.流道截面形状对微流体流动性能的影响[J].中南大学学报(自然科学版),2006,37(5):0964-06.[4]PFAHLER J,HARLEY J,BAU H.Liquid transport in micron and submicron channels[J].Sensors and Actuators,1990,22(1/3):431-434.[5]李勇,江小宁,周兆英等.微管道流体的流动特性[J].中国机械工程,1994,5(3):24-25.[6]江小宁,周兆英,李勇等.微流体流动的试验研究[J].光学精密工程,1995,3(3):51-55.[7]BALASUBRAMANIAN A K,BESKOK A,PILLAI S D,et al.In situ analysis of bacterial capture in a microfluidic channel[J].Journal of Micromechanics and Microengineering,2007,17(8):1467-1478.[8]BINGHUI L,LIHUI C,JIAN H Z.Evaluation of damage induced by inductively coupled plasma etching of6H-SiC using Au Schottky barrier diodes[J].Applied Physics Letters,1998,73(5):653-655.。

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