大连理工大学 电子科学与技术课件第9章
合集下载
大连理工大学模拟电子线路复习PPT正式版
当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，
会与中性原子的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生电子、空穴
对。
碰撞电离
新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对。
倍增效应
第28页/共73页
二、
在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能 在耗尽区内形成很强的电场。 当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子 的价电子直接拉出共价键，产生大量电子、空穴对，使反向 电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿。
PN结高频小信号时的等效电路： rd
势垒电容和扩散电容的综 合效应
第38页/共73页
3.4 二极管基本电路及其分析方法
• 晶体二极管模型
•
对电子线路进行定量分析时，电路中的实际器件必须用相应的电路模型来等效，根据分析手段
及要求的不同，器件模型将有所不同。例如，借助计算机辅助分析，则允许模型复杂，以保证分析结
所以扩散和漂移这一对相反的运扩动散最运终动达到平衡，相当于两个区之间 没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。
第19页/共73页
电位V
V0
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
P型区
空间电 荷区
N型区
阻挡层 耗尽层
PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电 压。
大连理工大学《电工技术》课件 (3)
已知R1 = 1 , R2 = R3 = 2 ，L = 2 H, US = 2 V。求换路后
的电流 iL (t)及电压uL (t)。
1S + R1 2
R2
iL +
解： iL (0)
= US
R1+R2
=0.67 A
US －
R3
uL
L
－
iL (∞) =0
τ=L/(R2+R3)= 0.5 s
iL (t)
f () f (0)
R
iC
+ C _uC
其中: RC
uC (∞) = US t
u c A e + US
起初S断开, uC (0) = 0 t=0时, S接通, uC =? iC =?
当t = 0时, uC (0) = 0
0 Ae0 Us ∴A = - US
t
uc U S (1 e )
二、 RC电路的零状态响应
t
uL=-U0 e
零状态响应
t
uC US (1 e )
t
iC=IS e
t
iL IS (1 e )
t
uL= US e
全响应
t
uC UC (U0 US )e
iC= USR-
U0
t
e
t
iL IS (I0 IS )e
t
uL=(US- U0) e
τ=RC
τ=
L R
2.5 一阶电路瞬态分析的三要素法
t
uCU0 e
t
uC US (1 e )
用除源等效法 将换路后电路 中的电源除去
求出从储能元 件(C 或 L)两端 看进去的等效电 阻R
第9章 集成运算放大器
输入级一般采用具有恒流源的双输入端的差分放大 电路，其目的就是减小放大电路的零点漂移、提高输入 阻抗。 中间级的主要作用是电压放大，使整个集成运算放 大器有足够的电压放大倍数。 输出级一般采用射极输出器，其目的是实现与负载 的匹配，使电路有较大的功率输出和较强的带负载能力。
偏置电路的作用是为上述各级电路提供稳定合适的偏 置电流，稳定各级的静态工作点，一般由各种恒流源电路 构成。 图9-2所示为 LM 741集成运算放大器的外形和管脚图。 它有8个管脚，各管脚的用途如下: (1)输入端和输出端
第二级为反相电路，则有 R21= RF =100 kΩ 平衡电阻为 Rb2= RF∥R21 =100∥100=50 kΩ
三、减法运算电路
如果两个输入端都有信号输入，则为差分输入。差 分运算在测量和控制系统中应用很多，其放大电路如图 9-12所示。 根据叠加原理可知，uo为ui1和ui2分别单独在反相 比例运算电路和同相比例运算电路上产生的响应之和， 即
四、微分运算电路和积分运算电路
1.微分运算电路 微分运算电路如图9-13（ a）所示。依据 u u ≈0，可得 iR=iC 所以
d(ui u ) u uo C dt，因此称为微分运算电路。 在自动控制电路中，微分运算电路不仅可实现数学 微分运算，还可用于延时、定时以及波形变换。如图913（ b）所示，当ui为矩形脉冲时，则uo为尖脉冲。
（2）集成运算放大器同相输入端和反相输入端的输 入电流等于零（虚断）因为理想集成运算放大器的 rid→∞，所以由同相输入端和反相输入端流入集成运算 放 大器的信号电流为零，即 i i ≈0
u u
图9-3 理想集成运算放大器 的符号
图9-4 集成运算放大器的电 压传输特性
大连理工大学无机化学课件第09章
2p 激发 2s 2p
sp2 sp2杂化
BF3形成
时的sp2杂化。
3. sp杂化
BeCl2分子：直线形。
键角为：180°
无 机
化 2s
2p 激发 2s 2p
学
基
sp
础
sp杂化
教
程
BeCl2形成时的
sp杂化。
无
s轨道
p轨道
机
化
学
基
础
sp杂化轨道 sp杂化轨道在空间取向
教
程
BeCl2分子
用杂化轨道
成键。
八面体
②VPN-m≠0 ：分子的空间构型不同于电子 对的空间构型。
电子对的
分子的
无 VP LP 空间构型
空间构型
机 化
3
1 平面三角形 V形
学 基
4
1 四面体
三角锥
础 教
2 四面体
V形
程 6 1 八面体
四方锥
例
SnCl2 NH3 H2O IF5
2 八面体
平面正方形 XeF4
VPN = 5，电子对空间构型为三角双锥， 孤对电子占据轴向还是水平方向三角形
标准状态下气体分子拆开成气态原子时，
每种键所需能量的平均值——键能 。
无
机 化
E(H – H)=436kJ·mol-1
学
E(H – Cl)=432kJ·mol-1
基
础
教
程
键能与标准摩尔反应焓变
2H2 (g) + O2(g) r H m 2H2O(g)
无 机
2E(H H)
E(O ...... O)
sp型杂化轨道的夹角公式：
大连理工大学《电工技术》课件 (2)
I2’
+
U2’ R2
-
IS
IS单独作用: ——电压源短路。
I1’’
I2’’
IS
+
+
U1’’ R1 U2’’ R2
-
-
叠加时: 与总图方向一致的取 “+” , 与总图方向相反的取“－”
大连理工大学电气工程学院
+ US
9V _
I1 R1 1Ω
+ U1 - + I2 U2 R
-- 22Ω
IS
3A
I1’ R1
2.电路中有多个有源元件时 当电压和电流的实际方向与规定的电源关联参
考方向相同,则是输出电功率,起电源作用。 当电压和电流的实际方向与规定的负载关联参
考方向相同,则是消耗电功率,起负载作用。
I1 + 40V _
5Ω I3 2Ω
I2 + 10V _
电源
负载
大连理工大学电气工程学院
1.6 基尔霍夫定律
+
U_ S
US + I ·R - U =0
U
_
R
大连理工大学电气工程学院
例: 在图示电路中, 已知US = 4V, IS = 1A, 问电流 源是输出电功率还是消耗电功率? P= ?
解:
+
US - IS ·R1 - U1 =0 U1 = US - IS ·R1
= (4 - 1×1) V = 3 V
所做的功，称为这两点间的电压。
表示: U
单位：V
大小: 电压 = 电位差
方向: 高电位指向低电位。
+
+
E US
UL
高频电子技术课件第9章3
max
调制信号
载波
Ωmax
调幅波 下边带
ω0
上边带
o
ω0-Ωmax
ω0+Ωmax
v (t ) Vo (1 ma cosΩt) cos ot
V0
ma V0 2
0
0
2
如果将普通调幅波输送功率至 电阻R上，则载波与两个边频将分别 得出如下的功率：
ma V0 2
0
0 ω
载波功率: PoT 上边频或下边频:
9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6
概述 调幅波的性质 平方律调幅 斩波调幅 模拟乘法器调幅 单边带信号的产生
9.7 9.8 9.9 9.10 9.11
残留边带调幅 高电平调幅 包络检波 同步检波 单边带信号的接收
9.1.1 9.1.2
振幅调制简述 检波简述
1.定义
将要传送的信息装载到某一高频载频信号上去的过程。
2. 调制的原因 从切实可行的天线出发
为使天线能有效地发送和接收电磁波，天线的几何尺寸必
须和信号波长相比拟，一般不宜短于1/4波长。 音频信号: 20Hz～20kHz 波长：15 ～15000 km
天线长度: 3.75 ～3750km
2. 调制的原因 便于不同电台相同频段基带信号的同时接收
载波抑制的双边带
i1 a 0 a1 (V0 cos 0t V cos Ωt ) a 2 (V0 cos 0t V cos Ωt ) 2 a 0 a1 (V0 cos 0t V cos Ωt ) 1 1 1 a 2V0 2 (1 cos 20t ) 1 a 2V 2 (1 cos 2t ) 2a 2V0V [ cos(0 Ω) cos(0 Ω)] 2 2 2 2 i2 a 0 a1 (V0 cos 0t V cos Ωt ) a 2 (V0 cos 0t V cos Ωt ) 2 a 0 a1 (V0 cos 0t V cos Ωt ) 1 1 1 a 2V0 2 (1 cos 20t ) 1 a 2V 2 (1 cos 2t ) 2a 2V0V [ cos(0 Ω) cos(0 Ω)] 2 2 2 2
调制信号
载波
Ωmax
调幅波 下边带
ω0
上边带
o
ω0-Ωmax
ω0+Ωmax
v (t ) Vo (1 ma cosΩt) cos ot
V0
ma V0 2
0
0
2
如果将普通调幅波输送功率至 电阻R上，则载波与两个边频将分别 得出如下的功率：
ma V0 2
0
0 ω
载波功率: PoT 上边频或下边频:
9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6
概述 调幅波的性质 平方律调幅 斩波调幅 模拟乘法器调幅 单边带信号的产生
9.7 9.8 9.9 9.10 9.11
残留边带调幅 高电平调幅 包络检波 同步检波 单边带信号的接收
9.1.1 9.1.2
振幅调制简述 检波简述
1.定义
将要传送的信息装载到某一高频载频信号上去的过程。
2. 调制的原因 从切实可行的天线出发
为使天线能有效地发送和接收电磁波，天线的几何尺寸必
须和信号波长相比拟，一般不宜短于1/4波长。 音频信号: 20Hz～20kHz 波长：15 ～15000 km
天线长度: 3.75 ～3750km
2. 调制的原因 便于不同电台相同频段基带信号的同时接收
载波抑制的双边带
i1 a 0 a1 (V0 cos 0t V cos Ωt ) a 2 (V0 cos 0t V cos Ωt ) 2 a 0 a1 (V0 cos 0t V cos Ωt ) 1 1 1 a 2V0 2 (1 cos 20t ) 1 a 2V 2 (1 cos 2t ) 2a 2V0V [ cos(0 Ω) cos(0 Ω)] 2 2 2 2 i2 a 0 a1 (V0 cos 0t V cos Ωt ) a 2 (V0 cos 0t V cos Ωt ) 2 a 0 a1 (V0 cos 0t V cos Ωt ) 1 1 1 a 2V0 2 (1 cos 20t ) 1 a 2V 2 (1 cos 2t ) 2a 2V0V [ cos(0 Ω) cos(0 Ω)] 2 2 2 2
电子技术全套课件完整版ppt教学教程最全
为低频管。 (4)按功率可分为：小功率管和大功率管。耗散功率小于1W为小功率管，耗散功率大于1W为大功
率管。 (5)按用途可分为：普通放大三极管和开关三极管等。
1.3 半导体三极管
1.3.1 三极管的结构
3．图形符号 三极管的图形符号如图1-18所示。
图1-18 三极管的图形符号
1.3 半导体三极管
1.3 半导体三极管
1.3.1 三极管的结构
2．分类 三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类： (1)按半导体制造材料可分为：硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定，因此在电子产品中
常用硅管。 (2)按三极管内部基本结构可分为：NPN型和PNP型两类。 (3)按工作频率可分为：高频管和低频管。工作频率高于3MHz为高频管，工作频率在3MHz以下
I 0.01 mA
B
(1)当IB有较小变化时，IC就有较大变化。
(2)直流电流放大系数 (3)交流电流放大系数
IC
IB
I C
I B
1.3 半导体三极管
1.3.2 三极管的电流放大作用
2．电流放大作用 显然,(1-2)和(1-3)两式的意义是不同的。前者反映的是静态(直流工作状态)时集电极与基极电流之
图1-11 硅二极管的伏安特性曲线
1.2 半导体二极管
1.2.2 二极管的特性与参数
3 半导体二极管的主要参数
(1)最大整流电流 IFM：二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。
(2)最高反向工作电压 VRM：二极管允许承受的反向工作电压峰值，
VRM
1 2
~
1，也叫 3
反向击穿电压。
(3)反向漏电流 IR：是指在规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。IR越小，二 极管的单向导电性能越好。
率管。 (5)按用途可分为：普通放大三极管和开关三极管等。
1.3 半导体三极管
1.3.1 三极管的结构
3．图形符号 三极管的图形符号如图1-18所示。
图1-18 三极管的图形符号
1.3 半导体三极管
1.3 半导体三极管
1.3.1 三极管的结构
2．分类 三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类： (1)按半导体制造材料可分为：硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定，因此在电子产品中
常用硅管。 (2)按三极管内部基本结构可分为：NPN型和PNP型两类。 (3)按工作频率可分为：高频管和低频管。工作频率高于3MHz为高频管，工作频率在3MHz以下
I 0.01 mA
B
(1)当IB有较小变化时，IC就有较大变化。
(2)直流电流放大系数 (3)交流电流放大系数
IC
IB
I C
I B
1.3 半导体三极管
1.3.2 三极管的电流放大作用
2．电流放大作用 显然,(1-2)和(1-3)两式的意义是不同的。前者反映的是静态(直流工作状态)时集电极与基极电流之
图1-11 硅二极管的伏安特性曲线
1.2 半导体二极管
1.2.2 二极管的特性与参数
3 半导体二极管的主要参数
(1)最大整流电流 IFM：二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。
(2)最高反向工作电压 VRM：二极管允许承受的反向工作电压峰值，
VRM
1 2
~
1，也叫 3
反向击穿电压。
(3)反向漏电流 IR：是指在规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。IR越小，二 极管的单向导电性能越好。
大连理工大学 电子科学与技术课件第11章
A B ≥1 F
输入信号
控制信号
还起控制门的作用： 还起控制门的作用 控制门的作用： 门被打开。 当B=0时, F=A, 门被打开。 时 门被关闭。 当B=1时, F= 1, 门被关闭。 时
二、与门电路 实现与逻辑关系 表达式： 表达式：F=A·B
两个条件都具备时,事件才发生. 两个条件都具备时,事件才发生.
0 0 1 1
0 1 0 1
0 0 0 1※
0 1△ 1△ 0
3. 根据逻辑表达式画逻辑电路
F= AB+AB= A⊕B ⊕ C=A·B
A B
=1
F
&
C
符号
A B
∑
CO
F C
用与非门组成半加器： 用与非门组成半加器：
F= AB+AB = AB+AB = A B · AB
C= A·B = A·B
& & & &
12.1 集成基本门电路
一、或门电路 实现或逻辑关系
＋U F
表达式： 表达式：F = A + B
只要有一个条件具备,事件则发生。 只要有一个条件具备,事件则发生。 真值表: 真值表
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 F 0 1 1 1
运算规律:
A+ 0=A A+ 1= 1 A+A= A
A
B
符号： 符号：
1. 二进制编码器 将输入信号编成二进制代码的电路。 将输入信号编成二进制代码的电路。
高低电 平信号 2n个 编码器 n位 二进制 代码
当 n = 2 时，即为 4 线－2 线编码器： 线编码器：
A0 A1 A2 A3 二进 制编 码器 F1 F2
输入信号
控制信号
还起控制门的作用： 还起控制门的作用 控制门的作用： 门被打开。 当B=0时, F=A, 门被打开。 时 门被关闭。 当B=1时, F= 1, 门被关闭。 时
二、与门电路 实现与逻辑关系 表达式： 表达式：F=A·B
两个条件都具备时,事件才发生. 两个条件都具备时,事件才发生.
0 0 1 1
0 1 0 1
0 0 0 1※
0 1△ 1△ 0
3. 根据逻辑表达式画逻辑电路
F= AB+AB= A⊕B ⊕ C=A·B
A B
=1
F
&
C
符号
A B
∑
CO
F C
用与非门组成半加器： 用与非门组成半加器：
F= AB+AB = AB+AB = A B · AB
C= A·B = A·B
& & & &
12.1 集成基本门电路
一、或门电路 实现或逻辑关系
＋U F
表达式： 表达式：F = A + B
只要有一个条件具备,事件则发生。 只要有一个条件具备,事件则发生。 真值表: 真值表
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 F 0 1 1 1
运算规律:
A+ 0=A A+ 1= 1 A+A= A
A
B
符号： 符号：
1. 二进制编码器 将输入信号编成二进制代码的电路。 将输入信号编成二进制代码的电路。
高低电 平信号 2n个 编码器 n位 二进制 代码
当 n = 2 时，即为 4 线－2 线编码器： 线编码器：
A0 A1 A2 A3 二进 制编 码器 F1 F2
电子技术第9章课件
第九章 大规模集成电路
9.1 只读存储器（ROM） 9.2 可编程逻辑器件（PLD） 9.3 随机存储器（RAM）
9.1 只读存储器（ROM）
9.1.1 概述
ROM（Read-Only Memory）即只读存储器，它是一种半导体内存，其特性是一旦储存资料就 不会因为电源关闭而消失。
ROM只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。它所存数据一般是装入整机前事先写好的， 整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。
9.1 只读存储器（ROM）
9.1.4 可擦除可编程ROM--EPROM
可擦除可编程ROM芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。 擦除信息时，需要将器件从系统上拆卸下来，并在紫外线照射下，擦除信息。而且， 只能将整个芯片中的信息整体擦除，显然，使用起来，不太方便。
9.1 只读存储器（ROM）
9.3 随机存储器（RAM）
9.3.1 静态随机存储器（SRAM）的结构
RAM存储器按电路类型可以分为双极型和单极型（MOS）型两种。双极型存储器由于集成度低、 功耗大、价格贵，在微型计算机中基本不被采用。而MOS型存储器由于集成度高，功耗低，价格便 宜，在微机中得到普遍使用。MOS型RAM又包括静态RAM（Static RAM）和动态RAM（Dynamic RAM）。
9.1 只读存储器（ROM）
9.1.1 概述 1 只读存储器的特点
（1）ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变； （2）ROM结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
9.1 只读存储器（ROM）
9.1.1 概述
2念，随着电子技术制造的发展，只读已经发展为 可擦除。只读知识相对RAM(随机存储器)而言，现在，只读存储器可以分为以下类型。
9.1 只读存储器（ROM） 9.2 可编程逻辑器件（PLD） 9.3 随机存储器（RAM）
9.1 只读存储器（ROM）
9.1.1 概述
ROM（Read-Only Memory）即只读存储器，它是一种半导体内存，其特性是一旦储存资料就 不会因为电源关闭而消失。
ROM只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。它所存数据一般是装入整机前事先写好的， 整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。
9.1 只读存储器（ROM）
9.1.4 可擦除可编程ROM--EPROM
可擦除可编程ROM芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。 擦除信息时，需要将器件从系统上拆卸下来，并在紫外线照射下，擦除信息。而且， 只能将整个芯片中的信息整体擦除，显然，使用起来，不太方便。
9.1 只读存储器（ROM）
9.3 随机存储器（RAM）
9.3.1 静态随机存储器（SRAM）的结构
RAM存储器按电路类型可以分为双极型和单极型（MOS）型两种。双极型存储器由于集成度低、 功耗大、价格贵，在微型计算机中基本不被采用。而MOS型存储器由于集成度高，功耗低，价格便 宜，在微机中得到普遍使用。MOS型RAM又包括静态RAM（Static RAM）和动态RAM（Dynamic RAM）。
9.1 只读存储器（ROM）
9.1.1 概述 1 只读存储器的特点
（1）ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变； （2）ROM结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
9.1 只读存储器（ROM）
9.1.1 概述
2念，随着电子技术制造的发展，只读已经发展为 可擦除。只读知识相对RAM(随机存储器)而言，现在，只读存储器可以分为以下类型。
电子信息科学技术导论 第2版课件第9章 人工智能
在沿着决策树从上到下的遍历过程中，在每个结点都有一个 测试。对每个结点上问题的不同测试输出导致不同的分枝，最后 会达到一个叶子结点。这一过程就是利用决策树进行分类的过程， 利用若干个变量来判断属性的类别
9.4 深度学习
深度学习是机器学习领域一个新的研究方向，近年来在语音识别、计算 机视觉等多类应用中取得突破性的进展。深度学习的最终目标是让机器能 够像人一样具有分析学习能力， 高效地识别文字、图像和声音等数据。
评改 价进
原始样本集 样本数据 样本数据 样本数据
特征提取
统计分析
特
征
变换
提
取
特征运算
特征样本集
特征1
… n 目标
特征1
… n 目标
特征1
… n 目标
特征选取是成败的关键
人脑识别图像的过程
• 人脑是通过分级的、多层网络模型来识别 • 减少数据量，保留物体的有用信息
• 对效果影响 • 手动化特征 • 非常耗时
簇是数据集中相似的样本集合。聚类没有训练过程，是一种无监督 学习。
聚类算法可分为： ➢ 基于划分方法、 ➢ 基于层次方法、 ➢ 基于密度方法、 ➢ 基于网格方法 ➢ 基于模型方法
聚类是按照相似性大小，将无标号的数据集划分为若干类或簇的过程。
聚类的结果是类内样本的相似度高，类间样本的相似度低。相似性的 度量通常采用样本间的距离来表示。
卷积层
浅层卷积层提取如边缘、线条、角度等低级特征，更高层的卷积层提 取更高级的特征。
卷积层是一个权值矩阵，由多个特征面组成。每个特征面由多个神经 元组成，神经元与其输入层的特征面进行局部连接，然后把局部加权 和传递给一个激活函数，就可以获取卷积层中每个神经元的输出值。 在卷积层中，同一特征映射的权值共享。
电子技术基础与技能 电子信息类 单色版 教学课件 作者 卜锡滨 第9单元 组合逻辑电路
中等职业教育课程改革国家规划新教材第9单元 组合逻辑电路知识目标：了解组合逻辑电路的种类，掌握组合逻辑电路的分析方法和步骤。
1组合逻辑电路的基本知识2 编码器3 译码器4技能实训第1节 组合逻辑电路的基本知识一、组合逻辑电路的分析知识探究组合逻辑电路的分析，是指已知逻辑电路，对其逻辑功能的判断过程。
通常组合逻辑电路的分析，按下述4 个步骤进行。
二、组合逻辑电路的设计组合逻辑电路的设计，就是根据给定的逻辑功能要求，找出用最少的逻辑门来实现该逻辑功能的电路。
通常组合逻辑电路的设计按下述4 个步骤进行。
（1）列真值表。
实际应用中，逻辑门是以集成块形式出现的，两种不同类型的逻辑门，至少需要两个集成块。
由于一个集成块内通常有多个相同的逻辑门，因此借助摩根定律，将化简后的逻辑函数表达式转换为与非表达式，用同一种类型的逻辑门来实现相应的逻辑功能，制作电路时反而更容易实现。
第2节 编码器一、二进制编码器发光二极管VD 1、VD 0 发光情况实验现象知识探究1．编码器的基本功能一般而言，n 位编码器可以对2n 个输入信号进行编码，即编码器有2n 个输入、n 个输出。
图9.10 所示是3 位二进制编码器示意图，可以对8 个输入信号进行编码。
由于有82．优先编码器为了方便使用，通常给输入信号排定一个优先顺序，当同时有几个3．集成8 线-3 线优先编码器集成8 线-3 线优先编码器74LS148、74LS348 的引脚排列完全相同。
如图9.11 所示是752S148 的引脚排列和逻辑符号图。
74LS148、74LS348 的逻辑功能如表9.7 所示。
两者的区别在于：74LS348 在禁止状态、使能状态且输入全为高电平时输出为高阻状态。
二、二—十进制编码器二—十进制编码器的基本功能是将10 个十进制数码转换为8421BCD 码。
因有10 个输入、4位输出，通常称为10 线-4 线8421BCD 编码器，其示意图如图9.13 所示。
大连理工版信息技术一下第9课《神奇的键盘》说课稿
大连理工版信息技术一下第9课《神奇的键盘》说课稿一. 教材分析《神奇的键盘》这一课，是信息技术一下第9课的内容。
教材从学生的实际出发，以培养学生的信息素养为出发点，以任务驱动的方式教学内容。
本课通过引导学生探索键盘的神奇之处，让学生了解键盘的构成、功能以及使用方法，从而提高学生的键盘操作能力。
教材内容丰富，既有理论知识，又有实践操作，适合学生进行自主学习和合作学习。
二. 学情分析学生在进入这一课的学习之前，已经具备了一定的计算机操作基础，对键盘有一定的了解。
但大部分学生对键盘的使用仅限于基本的输入，对键盘的深入了解和高级操作还不够。
因此，在教学过程中，需要关注学生的个体差异，针对不同水平的学生进行有针对性的教学。
三. 说教学目标1.知识与技能目标：了解键盘的构成、功能以及使用方法，提高键盘操作能力。
2.过程与方法目标：通过自主学习、合作学习，培养学生的信息素养和创新能力。
3.情感态度与价值观目标：激发学生对信息技术的兴趣，培养学生的自主学习意识和团队协作精神。
四. 说教学重难点1.教学重点：键盘的构成、功能以及使用方法。
2.教学难点：键盘的高级操作技巧，如快捷键的使用、打字速度的提高等。
五. 说教学方法与手段1.教学方法：采用任务驱动法、自主学习法、合作学习法。
2.教学手段：利用多媒体课件、网络资源、教学软件等辅助教学。
六. 说教学过程1.导入新课：通过展示键盘的图片，引导学生关注键盘，激发学生的学习兴趣。
2.自主学习：学生通过观看课件、阅读教材，了解键盘的构成、功能以及使用方法。
3.合作学习：学生分组进行讨论，分享各自的学习心得，互相学习，共同提高。
4.教师讲解：针对学生的疑问，教师进行讲解，解答学生的困惑。
5.实践操作：学生进行键盘操作练习，掌握键盘的使用方法。
6.课堂总结：教师引导学生总结本节课的学习内容，巩固知识点。
7.课后作业：学生按照规定完成课后练习，提高键盘操作能力。
七. 说板书设计板书设计遵循简洁明了、条理清晰的原则，主要包括以下内容：1.键盘的构成：字母键、功能键、控制键等。
大连理工大学《电工技术》课件 (5)
IP =
UP |Z |
Il
+
U·L = U·P Z
IP Z
_
IP
=
380 36.1
=10.5A
Il = 3 ·IP = 18.2A
Z
cos =
R Z
= 0.8
3. P =3UP IP cos =9800W
4.6 触电防护
4.6 触电防护
二、保护接地和保护接零 1. 接地
M
接地线 接地体
一般要求接地电阻≤4Ω。
I·2 -I·3
I·1 I·L1
⑵若负载不对称
由于电源电压对称, 故负载的相电压对称,
但相电流和线电流不对称.
4.2 三相负载
★ 三角形联结只有三相三线制 ★ 三相负载的联结方式:
取决于电源电压和负载的额定电压, 原则上应 使负载的实际工作电压等于额定电压。 如: 某三相异步电动机,三相绕组的额定电压是220V,
相量图:
E·3
1200
1200
E·1
1200
E·2
相量表示 :
EE··1 2
= =
E ∠00 E ∠-1200
E·3 = E ∠-2400
波形图:
e
e1 e2 e3
t
相序为: L1 →L2 → L3
4.1 三相电源
一. 三相电源的星形联结
+
E·1
E·3 _ _
+
N
_
E·2 +
中性点 零点
(Y形联结)
4.3 三相电路的功率
1. 有功功率
2.无功功率
P= P1+ P2 + P3
Q= Q1+ Q2 + Q3
电子技术09-53页PPT资料
注意：
IB
_
（1）β ,β
两者的含义是不同的，但在特性曲线近于平行
等距并且ICEO较小的情况_ 下，两者数值较为接
近。在估算时，常用 β β 近似关系
（2） 对于同一型号的晶体管，β值有差别，常用晶体管的β 值在20-100之间。
15.5.4 主要参数
2 集—基极反向截止电流ICBO
I =I | CBO C IE=0
15.4 稳压管
例题 +
U
_
稳压管的稳压作用 R
当U<UZ时,电路不通；当 U>UZ大于时,稳压管击穿
UZ
U0 此时
IZ
UUZ R
选R，使IZ<IZM 返回
15.5 半导体三极管
15.5.1 基本结构
15.5.1 基本结构 15.5.2 电平流面分型配和放大原理NPN
结15构.5.3 特性曲线
B 有助于少子的漂移运动，+
EC
有反向饱和电流ICBO
_
E
EB +
_
形成集电极电流IC
15.5.2 电流分配和放大原理
C
IC
ICBO IB
IBE B RB
E
EB +
_
IEC IE
+ EC _
15.5.3 特性曲线
用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系、反映 晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。
E
mA IE
+ EC _
EB +_
15.5.2 电流分配和放大原理
晶体管电流测量数据 由此实IB/验mA及测0量结果可0.0得2 出如0.下04结论0.0：6 0.08 0.10
第九章 物料需求计划与制造资源计划
考虑提前期，又要考虑安全库存量、批量规则
和损耗情况。
大连理工大学经济系0501班 姜珊
24
2.3 MRP的处理过程
[关键内容]:
1. MRP的产生 准备MRP处理所需的各种输入，将MPS作为确
与发展
认的生产订单下达传给MRP。
2. MRP系统 根据产品的BOM，从第一层项目起，逐层处理
3. MRP II系统 各个项目直至最低层处理完毕为止。
4. 供需链管理
5. ERP系统
大连理工大学经济系0501班 姜珊
13
MRP 的 逻 辑 流 程 图
市预场测 要潜客什在户 么合同？ 1 卖主什生产么计划？
MPS
2 产品信息
（物料清单） （工艺路线）
4 物料需求计划 MRP
3 库存信息
（物料可用量）
买什采么购计？划 做生什产计么划？
大连理工大学经济系0501班 姜珊
第九章 物料需求计划与制造 资源计划（MRP与MRPⅡ）
1.1 订货点法的缺陷
[关键内容]:
1. MRP的产生 传统的库存控制方法是订货点法，要
与发展
根据物料的需求情况来确定订货点和订 2. MRP系统 货批量。这类方法适合于需求比较稳定 3. MRP II系统 的物料。然而，在实际生产中，随着市 4. 供需链管理 场环境发生变化，需求常常是不稳定的 5. ERP系统 、不均匀的，在这种情况下使用订货点
[关键内容]:
1. MRP的产生 (4) ERP阶段
与发展
进入90年代，MRPII得到了蓬勃发展，其应
2. MRP系统 用也从离散型制造业向流程式制造业扩展，
3. MRP II系统 不仅应用于汽车、电子等行业，也能用于化
charpter9.1
9.1 放大电路的工作原理
9.1.1 共发射极基本放大电路组成
C2 + iC + C1 iB + + + T uCE + u RS RB BE – RL uo – ui + + – iE EB es – – – RC
+ –
EC
共发射极基本电路
9.1.2 基本放大电路各元件作用
晶体管T--放大元 件, iC= iB。要保 + 证集电结反偏,发 EC 射结正偏,使晶体 – 管工作在放大区 。 基极电源EB与基极 电阻RB--使发射结 处于正偏，并提供 大小适当的基极电 流。
(三) 静态工作点的稳定
合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的
先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条
件的变化而发生变动。
前述的固定偏置放大电路，简单、容易调整，但
在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因 素的影响下，将引起静态工作点的变动，严重时将 使放大电路不能正常工作，其中影响最大的是温度 的变化。
O
集电极电流
iC
O
ic t
t
O
t
静态分析
动态分析
结论：
(3) 若参数选取得当，输出电压可比输入电压大， 即电路具有电压放大作用。uiO来自uotO
t
(4) 输出电压与输入电压在相位上相差180°， 即共发射极电路具有反相作用。
1. 实现放大的条件
(1) 晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集 电结反偏。 (2) 正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大 区,且波形不失真。 (3) 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电 流。 (4) 输出回路将变化的集电极电流(通过集电极电 阻)转化成变化的集电极电压，并经电容耦合 只输出交流信号。
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
发射结 集电结 发射区： 发射区： 参杂浓度最大 基极 ——发射载流子 发射载流子 基 区： 很薄，参杂浓度最小 很薄， P型 N型 N型 ——控制载流子 控制载流子 集电区： 集电区： 体积大， 体积大，参杂浓度小于发射区 集电极 ——收集载流子 收集载流子 发射极 基极 两个结：发射结、 两个结：发射结、集电结
截 止 失 真
iB IB O iC IC O uCE UCE O uO O
ωt ωt ωt ωt
饱 和 失 真
截止失真和饱和失真统称为非线形失真。 ※ 截止失真和饱和失真统称为非线形失真。
当电路参数RB, RC , UCC发生变化时, 当电路参数 发生变化时 静态工作点如何变化? 静态工作点如何变化
UCC－UBE IB = RB 6－0.7 － = mA 180 = 0.029 4 mA IC = βIB = 50×0.029 4 mA = 1.47 mA × UCE = UCC－RC IC = (6－2×1.47 ) V － × =3.06 V
RB C1 ＋ ＋ ui － R
C
+ UCC C ＋ 2 ＋ uo －
+ Us _
ri Ui = Us RS＋ri Us Ii = RS＋ri
可见： 可见： ri 大 → Ui 大 → Uo 大； ri 大 → Ii 小 → 可减轻信号源的负担； 可减轻信号源的负担； ri 越大越好， ri >> RS 。 越大越好，
3. 输出电阻 ro ∆UOC ∆ 定义： 定义： ro = ∆ISC 当输入信号为正弦交流信号时： 当输入信号为正弦交流信号时： UOC ro = ISC ro 其中: 其中: Ues= UOC = A0Ui RL UoL = RL＋ro UOC RL | Au | = RL＋ro | A0 |
IC N B IB P N
C RC
UCC
IE E
∆ IC ≈ ∆ IB UCE =常数 常数
⑶ 特点 IB 微小的变化，会产生 IC 很大的变化。 微小的变化， 很大的变化。 IC =βIB UCE = UCC－RC IC 0＜UCE＜UCC ＜ 晶体管相当于通路。 晶体管相当于通路。
RB UBB B IB P N IE E UCC IC N C RC
IC
uCE
O
UCE
O uo O
下列电路能否放大交流信号？ 例：下列电路能否放大交流信号？
RC +UCC RB +UCC
+
+
RB
RC
+UCC
+
RB
RC
+UCC RB
+
RC
+UCC
+
×
9.3 放大电路的静态分析
一、静态工作点的确定
1. 图解法 ⑴ 在输入特性曲线上 已知 IB , → 可确定 Q 点, → 可知 UBE 。 ⑵ 在输出特性曲线上
PCM
饱 过 和 安 放 损 区 全 大 耗 工 作 区 区 区 3 截止区 6 9 功耗曲线 UCE
9.2 放大电路的工作原理
例: 1. 扩音器 2. 热电偶测量温度 一、电路组成
B RB UBB C E UCC R RC RB B E
C C
UC
C
两个电源的放大电路
一个电源的放大电路
R RB B E
2. 输入电阻 ri ∆Ui 定义： 定义：ri = ∆I i 当输入信号为正弦交流信号时 Ui ri = Ii RS 在放大电路中: 在放大电路中: ri Ui = Us RS＋ri Us Ii = RS＋ri
+ Us _
信号源 Ii ＋ Ui － 放 大 ri 电 路 放大电路 输入电阻
Ii RS ＋ Ui － 输入电阻 放 大 ri 电 路
iB
UBE
RB C1 ＋ ＋ ui －
O
IB
ωt ωt ωt ωt
O
1. 静态时 ui= 0, 直流电源单独作用
UCE = UCC – ICRC
IC
O
UCE
O
2. 动态时，加入输入信号ui 动态时，
RB C1 ＋ ＋ ωt ui － R
C
+ UCC C ＋ 2 ＋ u uO o o －
ui O uBE
+ Ues_
Io ＋ Uo － RL
放大电路 负载 输出电阻
Io ro ＋ Uo － RL
+ Ues_
RL UoL = UOC RL＋ro RL | Au | = | A0| RL＋ro
可见： 可见： 带载能力强；反之带载能力差。 若 ro 小，带载能力强；反之带载能力差。 ro 越小越好，ro << RL。 越小越好，
2. 饱和状态 条件: 发射结正偏, 集电结正偏。 条件 发射结正偏 集电结正偏。
IB↑,IC ↑ UCE = (UCC－RC IC)↓ ICM = UCC / RC
RB UBB
IC N B IB P N
C RC
UCC
特点： 特点： IB↑,IC 基本不变。 基本不变。 IC≈UCC / RC 。 UCE≈0 。 晶体管相当于短路。 晶体管相当于短路。
一、基本结构 NPN型： 型
发射极 发射区 基区 集电区
NN
发射结
P P
基极
N N
集电结
集电极
PNP型： 型
发射极
发射区 基区 集电区
PP
发射结
N N
P P 集电结
集电极
基极
型为例： 以NPN型为例： 型为例 1.结构特点 1.结构特点
发射极
发射区 基区 集电区 N N 发射结 P P N 集电结 集电极
2. 输出特性曲线 从输出端看: 从输出端看 即IC= f(UCE)∣IB= 常数 ∣ 放大区:∆I 很小的变化, 放大区 B 很小的变化 引起∆I 很大的变化。 引起 C很大的变化。 IC/mA 截止区: 截止区 IB =0, 4 IC=ICEO ≠0。 。 饱和区:∆I 饱和区 B ↑ , 3 ∆IC变化很小。 变化很小。
4. 放大电路的频率特性 幅频特性: 幅频特性 |Au| — f
|Au| |Am| 0.707|Am| 通频带
O
f1
f2
f
相频特性: 相频特性 ϕ —f
ϕ
270o 180o 90o
O
f
二、放大电路的微变等效电路
RB
R
C
+ UCC C ＋ 2 ＋ uo －
1. 晶体管的交流小信号电路模型 C1＋ ＋ ⑴ 输入端电压和电流的关系 u
发射极e 基极b 集电极c 三个电极：发射极e、基极b、集电极c。
2. 符号
C B E B E C
NPN型 型
PNP型 型
二、工作状态
c b e
共发射极接法
e b
c
e b c
共集电极接法
共基极接法
1．放大状态 ． 条件: 发射结正偏, 集电结反偏。 条件 发射结正偏 集电结反偏。 ⑴电流的形成 发射区发射载流子 →形成电流 E 形成电流I 形成电流 少部分在基区被复合 →形成 B 形成I 形成 大部分被集电区收集 →形成 C 形成I 形成
第9章 基本放大电路 章
9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6 9.7 9.8 9.9 9.10 双极型晶体管 放大电路的工作原理 放大电路的静态分析 放大电路的动态分析 双极型晶体管基本放大电路 场效应型晶体管 场效应型晶体管基本放大电路 多级放大电路 差分放大电路 功率放大电路
9.1 双极型晶体管
IB = (UCC - UBE ) /RB IC =βIB UCE =UCC - RC IC 1. RB变化
UCC /RC
RB
R
C
+ UCC C ＋ 2 ＋ uo －
C1 ＋ ＋ ui －
2. RC变化
IC Q Q2
3. UCC变化UCFra bibliotekC /RC IC
IC Q1 Q Q2
UCC/RC UCE
Q1
Q
UCE = UCC – ICRC
IB IB O IC UCC RC IC O Q UCE UCE UCC 输 出 特 性 Q UBE UBE 输 入 特 性
已知 IB , → 可确定 Q 点， → 可知 IC , UCE 。
2. 计算法 直流通路: 直流通路 (1) 信号源电动势短路； 号源电动势短路； (2) 电容开路。 电容开路。 IBRB + UBE = UCC UCC－UBE IB = RB IC =βIB UCE = UCC－RCIC
iC iB ＋ IB E 电路图 uCE － O Q －
i
C iB ＋ uBE － B
∆ IB ∆UBE
输入特性
uBE
∆UBE rbe = 为一个常数。 为一个常数。 ∆IB
+ ui _
二、静态工作点的影响
1. 当 IB 太小，Q 点很低，引起后半周截止失真。 太小， 点很低，引起后半周截止失真。 2. 当 IB 太大，Q 点很高，引起前半周饱和失真。 太大， 点很高，引起前半周饱和失真。
iB IB O iC uCE UCE O uO O IC O
ωt ωt ωt ωt
2 饱和区 截止区 1 O 3 6 9 C iB ＋ uBE － B E
iC ＋
uCE －
100 µA
放 大 区
80 µA 60 µA 40 µA 20 µA IB = 0
UCE/V
四、主要参数
1.电流放大系数 电流放大系数 IC ICM 静态电流放大系数 β 4 动态电流放大系数 β 3 2.穿透电流 ICEO 穿透电流 3.集电极最大允许电流 ICM 2 集电极最大允许电流 4.集电极最大耗散功率 PCM 集电极最大耗散功率 1 PC = UCE×IC