chap.6(电)

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Chap 6 控制电机

供电方式：他励。励磁绕组和电枢由两个独立电源供电：
Ia U2 M If U1
U
伺服放大器
U1为励磁电压，U2为电枢电压。
伺服电动机
直流伺服电机运行特性 1、机械特性定义：指在控制电压保持不变的情况下，直流伺服电动机的转速 n 随转矩 T 变化的关系
n
R U n T k kk
a
同。若单相电机起动运行后，出现单相后仍转。伺服电机不同，单相电压时
设备不能转。
原因：交流伺服电机 R2 设计
得较大。所以在Uc=0时，交流伺服电机的T=f(s)曲线
当Uc=0V时，脉动磁场分成的正反向旋转磁场产生的转距T、T 的合成转矩 T 与单相异步机不同。合成转矩的方向与旋转方向相反，所以电机在Uc=0V时，能立即停止，体现了控制信号的作用(有控制电压时转动，无控制电压时不转)，以免失控。
转的电磁转矩T+、T-。
T+
T-
单相异步电动机
工作原理右图为只有工作绕组通电时的机械特性曲线。通过该正相序曲线可以看出：
(1) 单相异步电动机(单绕组
通电时)起动转矩为零，不能自起动。 (2) 若其它原因使电动机起
负相序动后，合成电磁转矩能使电
T=T++T为合成电磁转矩
U I1 C
U
U 1
I1
1
U 1
U
励磁绕组的接线
U C
伺服电动机
交流伺服电机
控制信号
检测元件放
I 2 U 2
与电源控制电压 U 2
电压
U
U
两者频率 f
大

chap6_数组

2 -9
6
-1
二维数组基本概念
多维数组的空间想象
一维数组：一列长表或一个向量
二维数组：一个表格或一个平面矩阵
三维数组：三维空间的一个方阵
多维数组：多维空间的一个数据阵列
1、二维数组的定义

定义方法
类型名数组名[行长度] [列长度]；
如：
int a[3][2];
二维整型数组a，3行2列，共6个元素
一开始假设a[0]最小，即index=0 分别与a[j] (j=1,2,…,n-1)比大小，若a[index]> a[j]，则令index=j
求最小元素
#include <stdio.h> 如何求最大值？ void main( ) 习题6-7 { int j, index, n; int a[10]; printf("Input %d integers: ", n); for( j= 0; j< n; j++) scanf("%d", &a[j]); index = 0; for( j= 1; j< n; j++) if( a[j] < a[index]) index = j; printf("min is %d\n", a[index] ); }
static int b[5] = {1, 2, 3, 4, 5};
如果没有初始化，静态数组元素自动赋0
static int b[5]; 相当于 static int b[5]={0, 0, 0, 0, 0};

若只对部分元素附初值，其余元素的值等于0.
int b[5] = {1, 2, 3};

chap.6 硅的晶体生长

晶胚不稳定，当温度低于熔点的某一过冷度时，晶胚才能长大为“晶核”，过冷度越大，形成晶核的数目越多。
2019/12/2
由自发晶核形成的晶体，一般成为多晶体，极难形成单晶体。因此，在拉单晶时，不希望产生自发晶核，要求：人为加入一个籽晶，同时严格控制熔体中的温度梯度和结晶界面的“过冷度”，使结晶界面附近以外的熔体处在高于熔点的过热状态。从而使熔体仅沿籽晶一个晶核结晶，长大成为单晶体。
95炉技术规格：拉制晶棒直径 6"、8"或非标最大装料量： 135kg 适用热场规格： 20"；22" 适用石英坩埚规格： 20"；22" 最大长晶长度： 2010mm 籽晶轴行程： 3200mm 籽晶提升速度（低）： 0~10mm/min 籽晶提升速度（高）： 800mm/min 籽晶旋转速度： 0~40rpm 坩埚升降速度（低）： 0.000~0.500mm/min 坩埚升降速度（高）： 100mm/min 坩埚轴最大承重： <230kg 坩埚转速： 0~20rpm 坩埚升降轴行程： >380mm 设备最大高度： 7300mm 冷却水流量: 280-320L/min 冷却水温度: 最宜15-30度（合适30以下不结冰）极限真空度: <3mT 真空漏率: <0.4mT/min 籽晶绳材质: 钨质中炉筒内径: 950mm
6章硅的晶体生长
2013.04
2019/12/2
1 引言 2 直拉法(CZ法)制备单晶硅 3 MCZ工艺 4 悬浮区熔法(FZ法)制备单晶硅工艺 5多晶硅铸锭制备技术 6 掺杂工艺
2019/12/2
1引言
•单晶硅的制备按晶体生长方法的不同，分为直拉法 (CZ:Czochralski) 、悬浮区熔法(FZ:Float Zone）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。半导体工业上大约超过75％的单晶硅锭是由CZ法制备的， 1952年Teal和Buehler首次报道了CZ法制备硅单晶，Dash首次介绍了无位错单晶硅锭的生长技术。

chap06_旋转变压器

1.正余弦旋转变压器空载运行
E
f
S1 U S2
f
励磁绕组
定子交轴绕组
S2
'
4 . 44 fW s d
励磁绕组的感应电势
d 1 d sin d 2 d cos
S1
'
转子余弦输出绕组
d
转子正弦输出绕组
R1
R2

E r 1 4 . 44 fW r d sin E r sin E r 2 4 . 44 fW r d cos E r cos
E E1m
180 cos x
所以，二次侧完全补偿的条件是
Z l1 Z l 2 Z l
直轴磁势平衡关系
Fr1d Fr 2 d I f W s 0
k u E f sin Z r Z l1
W r sin
k u E f cos Z r Z l 2
2 kuU f
W r cos I f W s 0
U R 1 k ' u U f sin k uU sin
f
1 k u cos
当ku=0.5时
U R 1 0 . 5U sin
f
0 . 5U
f

3

5

7

1 0 . 5 cos
120 5040 2 4 6 1 0 .5 1 2 24 720
由上式可见，当输入电源电压不变时，转子正、余弦绕组的空载输出电压分别与转角呈严格的正、余弦关系。正弦绕组和余弦绕组因此而得名。

Chap 6 煤的性质 (part 1 --12.15~16)

H－显微硬度，MPa； P－加在压入器上的负荷，N； d－压痕对角线长度，mm；－方形棱锥体两相对锥面的夹角，一般为136。
说明：煤化程度对煤的显微硬度有重要影响。
3）显微硬度与煤化程度的关系
变化规律：从褐煤开始，显微硬度随煤化程度提高而上升，在碳含量为75 % ～80 %(长焰煤、气煤)之间有一个极大值；此后，显微硬度随煤化程度提高而下降，在碳含量达到 85%左右最低；煤化程度再提高，显微硬度又开始上升，到无烟煤阶段，显微硬度几乎随煤化程度提高而直线增加。
本节重点介绍煤的透光率和红外光谱。
1、煤的透光率
1）概念是指煤样在100℃的稀硝酸溶液中处理90min，所得有色溶液对一定波长（475nm）的光的透过率。有色溶液透光率的测定有分光光度计法和目视比色法两种。分光光度计法因其
重现性差，一般用得不多，我国国家标准采用目视比色法测
定有色溶液的透光率，用 PM 表示。 2）PM的用途
2、煤的磁化率与煤化程度的关系
变化规律：比磁化率随煤化程度提高
而直线增加，在碳含量79％～
91％之间出现转折，增大幅度减缓，此后则急剧增大。即煤
的比磁化率在烟煤阶段增大幅
度较小，无烟煤阶段最大，褐煤阶段居中。
利用煤与矿物质在磁性上
的差异，将它们分离开来，即磁选法选煤。
3、煤的核磁共振
1）概念原子核在强磁场作用下吸收一定波长射频的能量而产生跃迁的现象。
★ 煤化程度：对煤的真密度影响最大
泥炭褐煤烟煤无烟煤
TRD 0.72
0.8~1.35
1.25~1.50
1.36~1.80
2、煤的视(相对)密度【apparent relative density, ARD】

编译原理(第2版)陈意云张昱编著课后答案

8
(b) 对于句子abab构造两个相应的最右推导.
S aSbS aSb abSaSb abSab abab
rm
rm
rm
rm
rm
S aSbS aSbaSbS aSbaSb aSbab abab
rm
rm
rm
rm
rm
(c)对于句子abab构造两个相应的分析树.
S
S
aSbS
(b) 句子a|aa的两种最左推导. 句子aa*的两种最左推导.
R
R
R
R
R
*
(c)消除二义性
R R ‘|’ S | S S ST | T T U* | U U (R) | a | b
aR
*
R
R
a
a
a
28
4.5 dangling-else文法: stmt if expr then stmt | matched-stmt
tcodenumlexval冶膝嘉篮瞄畅耽找捕案赶骂恭凶魏承弹特选虽丰仁宇汀刺蚁疵夷铁蟹暑牡编译原理第2版陈意云张昱编著课后答案编译原理第2版陈意云张昱编著课后答案stcetcetcttcetcttcnumnumttcnumnum俗铸涣甩呕灿樱涨巾陆蕾胯涣吁飞猜放渭溢惕想诊祭冕捌责境楔烦贴玛耀编译原理第2版陈意云张昱编著课后答案编译原理第2版陈意云张昱编著课后答案55s
( bexpr ) bexpr or bterm bterm bfactor bfactor false
11
true
(c) 试说明此文法产生的语言是全体布尔表达式.
12
练习: 长度为n的字符串, 分别有多少个前缀, 后缀, 子串, 真前缀, 子序列 ? 前缀: n+1 后缀: n+1 子串: 1+ n+(n-1)+...+1 = 1+n(n+1)/2 真前缀: n 子序列: 1+Cn1+Cn2+Cn3+...+Cnn = 2n

CHAP_6

第六章实用程序设计６１程序设计方法　程序设计就是用计算机所能接受的语言把解决问题的步骤描述出来也就是编制计算机的程序ＡＶＲ单片机程序设计语言有Ｃ编译高级语言和宏汇编汇编语言　在设计应用系统时软件的编制是重要环节软件的质量直接影响整个系统功能的实现　本章从应用的角度出发介绍一些实用子程序读者既可按需要改编调用也可以吸收其设计方法以便更好地设计出适合于自己系统的实用软件　６．１．１程序设计步骤　应用程序的设计因系统而异因人而异尽管如此程序设计总是有共同特点及其规律的在编写程序时设计人员可以采取如下几个步骤　１分析问题明确所要解决问题的要求将软件分成若干个相对独立的部分根据功　能关系和时序关系设计出合理的软件总体结构　２建立正确的数学模型即根据功能要求描述出各个输入和输出变量之间的数学关　系并确定采用的计算公式和计算方法　３制定程序框图根据所选择的计算方法制定出运算的步骤和顺序并画出程序框　图这不仅是程序设计的一个重要组成部分而且是决定成败的关键部分　４合理分配系统资源包括程序ＦｌａｓｈＥ２ＰＲＯＭＳＲＡＭ定时器计数器中断堆栈　等确定数据格式分配好工作单元进一步将程序框图画成详细的操作流程　５根据程序的流程图和指令系统编写出程序注意在程序的有关位置处写上功能注　释提高程序的可读性　６程序调试通过编辑软件编辑出的源程序必须用编译程序汇编后生成目标代码　如果源程序有语法错误需修改源文件后继续编译直到无语法错误为止这之后利用目　标码通过仿真器进行程序调试排除设计和编程中的错误直到成功　（７）程序优化使各功能程序实行模块化子程序化缩短程序的长度加快运算速度和　节省数据存储空间减少程序执行的时间　６１２程序设计技术　１模块化程序设计　模块化程序设计是单片机应用中常用的一种程序设计技术它是把有关功能完整的较　长的程序分解为若干个功能相对独立的较小的程序模块各个程序模块分别进行设计编程　和调试最后把各功能模块集成为所需的程序　模块化程序设计的优点是单个功能明确的程序模块的设计和调试比较方便容易完成　一个模块可以为多个程序所共享也可利用现成的程序模块　２自上而下的程序设计　自上而下的程序设计时先从主程序开始设计从属的程序和子程序用符号来代替主程　序编好后再编制各个从属程序和子程序最后完成整个系统软件的设计调试也按这个次序　进行　自上而下程序设计的优点是，比较习惯人们的日常思维设计调试和连接同时按一个线　索进行程序错误可以较早发现缺点是修改比较麻烦　３软件抗干扰设计　用于生产现场的单片机应用系统易受各种干扰侵袭直接影响到系统的可靠性因此　应用系统的抗干扰设计是非常重要的　在实际情况中，针对不同的干扰后果采用不同的软件对策在实时数据采集系统中为　了消除传感器通道中的干扰信号，可采用软件数据滤波如算术平均法比较舍取法中值法　一阶递推数字滤波法等在开关量控制系统中为防止干扰进入系统造成各种控制条件超差　输出失控可采取软件冗余程序自检等措施为防止程序计数器失控造成程序盲目运行或　死机可设置软件看门狗来监视程序运行状态也可在非程序区设置软件陷井，强行使程　序拉回复位状态重新启动　６．２应用程序举例　应用程序中包括一些算术运算代码转换数据传送滤波算法串行通信Ａ／Ｄ转换子程序根据需要可以应用其中的一些子程序　６．２．１　内部寄存器和位定义文件　ＡＶＲ单片机内部寄存器和位定义文件用于定义器件内部的寄存器名和寄存器的位名　在汇编程序文件中如包括了定义文件，则所有数据块中ＩＯ寄存器名和ＩＯ寄存器位名都能　使用寄存器名用１６进制地述表示寄存器位名用０７位表示　另外，被配置命名的ＸＬＺＨ　６个寄存器形成３个数据指针ＸＹ和Ｚ作为内部ＳＲＡＭ　高端ＲＡＭ地址同样被定义　注意在指令中使用的位名是意义不同的如ｓｂｒ／ｃｂｒ指令表示，若位置位／清零则跳行执行　ＡＴ９０Ｓ１２００单片机内部寄存器和位定义文件　详见光盘ＡＴ９０Ｓ１２００器件配置文件　＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼１２００ｄｅｆ．ｉｎｃ　在源文件编译时，源文件所在的文件夹中一定要有相应器件配置文件存在，不然将造成编译出错提示！　；＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊　；＊　适用于　Ａ　Ｖ　Ｒ　系列的应用程序　；＊　编号：ＡＶＲ０００　；＊　文件名：＂１２００ｄｅｆ．ｉｎｃ＂　；＊　标题：　ＡＴ９０Ｓ１２００的寄存器／位定义；＊　日期：９９．０１．２８　；＊　版本：１．３０　；＊　技术支持热线　：＋４７　７２　８８　４３　８８　（ＡＴＭＥＬ　Ｎｏｒｗａｙ）　；＊　技术支持传真　：＋４７　７２　８８　４３　９９　（ＡＴＭＥＬ　Ｎｏｒｗａｙ）　；＊　技术支持　Ｅ－Ｍａｉｌ　：ａｖｒ＠ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　；＊　目标　ＭＣＵ：ＡＴ９０Ｓ１２００　；＊　说明　；＊　当此文件包含在汇编文件中时，　所有Ｉ／Ｏ　寄存器名　；＊　和Ｉ／Ｏ　寄存器位名出现在数据书中以供使用　；＊　寄存器名用它们的十六进制地址代表　；＊　寄存器位名用它们的位编号（０－７）代表　；＊　请观察在指令＂ｓｂｒ＂／＂ｃｂｒ＂　（置／清除寄存器中的位）和＂ｓｂｒｓ＂／＂ｓｂｒｃ＂；＊　（如寄存器中的位被置１／清除则跳过）等中使用位名的差别　；＊　以下示例说明了这一点：　；＊　ｉｎ　ｒ１６，ＰＯＲＴＢ；读取ＰＯＲＴＢ　ｌａｔｃｈ　；＊　ｓｂｒ　ｒ１６，（１＜＜ＰＢ６）＋（１＜＜ＰＢ５）　；　ＰＢ６　和　ＰＢ５置１　（使用伪装，　而不是　ｂｉｔ＃）　；＊　ｏｕｔＰＯＲＴＢ，ｒ１６；输出到ＰＯＲＴＢ　；＊　；＊　ｉｎ　ｒ１６，ＴＩＦＲ；读取定时器中断标志寄存器　；＊　ｓｂｒｃ　ｒ１６，ＴＯＶ０；检查溢出标志（用　ｂｉｔ＃）　；＊　ｒｊｍｐ　ＴＯＶ０＿ｉｓ＿ｓｅｔ；如为１则跳转　；＊　．．．；否则．．．　；＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊；＊＊＊＊＊　指定器件　．ｄｅｖｉｃｅ　ＡＴ９０Ｓ１２００　；＊＊＊＊＊　Ｉ／Ｏ　寄存器定义　．ｅｑｕＳＲＥＧ＝￥３ｆ　．ｅｑｕＧＩＭＳＫ　＝￥３ｂ　．ｅｑｕＴＩＭＳＫ　＝￥３９　．ｅｑｕＴＩＦＲ＝￥３８　．ｅｑｕＭＣＵＣＲ　＝￥３５　．ｅｑｕＴＣＣＲ０　＝￥３３　．ｅｑｕＴＣＮＴ０　＝￥３２　．ｅｑｕＷＤＴＣＲ　＝￥２１　．ｅｑｕＥＥＡＲ＝￥１ｅ　．ｅｑｕＥＥＤＲ＝￥１ｄ　．ｅｑｕＥＥＣＲ＝￥１ｃ　．ｅｑｕＤＤＲＢ＝￥１７　．ｅｑｕＰＩＮＢ＝￥１６　．ｅｑｕＰＯＲＴＤ　＝￥１２　．ｅｑｕＤＤＲＤ＝￥１１　．ｅｑｕＰＩＮＤ＝￥１０　．ｅｑｕＡＣＳＲ＝￥０８　；＊＊＊＊＊　位定义　．ｅｑｕＩＮＴ０＝６　．ｅｑｕＴＯＩＥ０　＝１　．ｅｑｕＴＯＶ０＝１　．ｅｑｕＳＥ　＝５　．ｅｑｕＳＭ　＝４　．ｅｑｕＩＳＣ０１　＝１　．ｅｑｕＩＳＣ００　＝０　．ｅｑｕＣＳ０２＝２　．ｅｑｕＣＳ０１＝１　．ｅｑｕＣＳ００＝０　．ｅｑｕＷＤＥ＝３　．ｅｑｕＷＤＰ２＝２　．ｅｑｕＷＤＰ１＝１　．ｅｑｕＷＤＰ０＝０　．ｅｑｕＥＥＷＥ＝１　．ｅｑｕＥＥＲＥ＝０　．ｅｑｕＰＢ７　＝７　．ｅｑｕＰＢ６　＝６　．ｅｑｕＰＢ５　＝５　．ｅｑｕＰＢ４　＝４　．ｅｑｕＰＢ３　＝３　．ｅｑｕＰＢ２　＝２　．ｅｑｕＰＢ１　＝１　．ｅｑｕＰＢ０　＝０　．ｅｑｕＤＤＢ７＝７　．ｅｑｕＤＤＢ６＝６　．ｅｑｕＤＤＢ５＝５　．ｅｑｕＤＤＢ４＝４　．ｅｑｕＤＤＢ３＝３　．ｅｑｕＤＤＢ２＝２　．ｅｑｕＤＤＢ１＝１　．ｅｑｕＤＤＢ０＝０　．ｅｑｕＰＩＮＢ７　＝７　．ｅｑｕＰＩＮＢ６　＝６　．ｅｑｕＰＩＮＢ５　＝５　．ｅｑｕＰＩＮＢ３　＝３　．ｅｑｕＰＩＮＢ２　＝２　．ｅｑｕＰＩＮＢ１　＝１　．ｅｑｕＰＩＮＢ０　＝０　．ｅｑｕＰＤ６　＝６　．ｅｑｕＰＤ５　＝５　．ｅｑｕＰＤ４　＝４　．ｅｑｕＰＤ３　＝３　．ｅｑｕＰＤ２　＝２　．ｅｑｕＰＤ１　＝１　．ｅｑｕＰＤ０　＝０　．ｅｑｕＤＤＤ６＝６　．ｅｑｕＤＤＤ５＝５　．ｅｑｕＤＤＤ４＝４　．ｅｑｕＤＤＤ３＝３　．ｅｑｕＤＤＤ２＝２　．ｅｑｕＤＤＤ１＝１　．ｅｑｕＤＤＤ０＝０　．ｅｑｕＰＩＮＤ６　＝６　．ｅｑｕＰＩＮＤ５　＝５　．ｅｑｕＰＩＮＤ４　＝４　．ｅｑｕＰＩＮＤ３　＝３　．ｅｑｕＰＩＮＤ２　＝２　．ｅｑｕＰＩＮＤ１　＝１　．ｅｑｕＰＩＮＤ０　＝０　．ｅｑｕＡＣＤ　＝７　．ｅｑｕＡＣＯ　＝５　．ｅｑｕＡＣＩ　＝４　．ｅｑｕＡＣＩＥ＝３　．ｅｑｕＡＣＩＳ１　＝１　．ｅｑｕＡＣＩＳ０　＝０　．ｅｑｕＸＲＡＭＥＮＤ　＝０　．ｅｑｕＥ２ＥＮＤ　＝３Ｆ　．ｅｑｕＦＬＡＳＨＥＮＤ＝１ＦＦ　．ｅｑｕＩＮＴ０ａｄｄｒ＝￥００１　；外部中断０　向量地址　．ｅｑｕＯＶＦ０ａｄｄｒ＝￥００２　；溢出０　中断向量地址　．ｅｑｕＡＣＩａｄｄｒ　＝￥００３　；模拟比较器中断向量地址　．ｄｅｆＺＬ　＝ｒ３０　二ＡＴ９０Ｓ２３１３单片机内部寄存器和位定义文件　详见光盘ＡＴ９０Ｓ２３１３器件配置文件　＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼２３１３ｄｅｆ．ｉｎｃ　在源文件编译时，源文件所在的文件夹中一定要有相应器件配置文件存在，不然将造成编译出错！　三ＡＴ９０Ｓ４４１４单片机内部寄存器和位定义文件　详见光盘ＡＴ９０Ｓ４４１４器件配置文件　＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼４４１４ｄｅｆ．ｉｎｃ　在源文件编译时，源文件所在的文件夹中一定要有相应器件配置文件存在，不然将造成编译出错！四ＡＴ９０Ｓ８５１５单片机内部寄存器和位定义文件　详见光盘ＡＴ９０Ｓ４４１４器件配置文件　＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼８５１５ｄｅｆ．ｉｎｃ　在源文件编译时，源文件所在的文件夹中一定要有相应器件配置文件存在，不然将造成编译出错！五ＡＴ９０Ｓ８５３５单片机内部寄存器和位定义文件　详见光盘ＡＴ９０Ｓ４４１４器件配置文件　＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼８５３５ｄｅｆ．ｉｎｃ　在源文件编译时，源文件所在的文件夹中一定要有相应器件配置文件存在，不然将造成编译出错！６．２．２访问内部　Ｅ２ＰＲＯＭ　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ１００．ＡＳＭ　该应用程序说明如何读Ｅ２ＰＲＯＭ数据和写数据到Ｅ２ＰＲＯＭ其中包括写Ｅ２ＰＲＯＭ子　程序ＥＥＷｒｉｔｅ读Ｅ２ＰＲＯＭ子程序ＥＥＲｅａｄ按序写Ｅ２ＰＲＯＭ子程序ＥＥＷｒｉｔｅ＿ｓｅｑ　按序读Ｅ２ＰＲＯＭ子程序ＥＥＲｅａｄ＿ｓｅｑ和一个测试程序　数据块传送　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ１０２．ＡＳＭ　该应用程序说明，如何传送程序存储器的一个数据块到ＳＲＡＭ和把ＳＲＡＭ中的一个数据块传送到另一个ＳＲＡＭ其中包括，一个程序存储器块传送子程序ｆｌａｓｈ　２ｒａｍＳＲＡＭ块传送子程序ｒａｍ　２ｒａｍ和一个测试程序　６．２．４乘法和除法运算应用一　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ２００．ＡＳＭ　该应用程序列出了８　Ｘ　８位无符号乘法子程序１６Ｘ１６位无符号乘法子程序８／８位无符　号除法子程序１６１６位无符号除法子程序和一个测试程序　６．２．５乘法和除法运算应用二　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ２００Ｂ．ＡＳＭ　该应用程序列出了８　Ｘ　８位无符号乘法子程序８　Ｘ　８位带符号乘，１６Ｘ１６位无符号乘法子程序１６Ｘ１６位带符号乘，８／８位无符号除法子程序８／８位带符号除，１６１６位无符号除法子程序，１６１６位带符号除和一个测试程序　６．２．６１６位运算　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ２０２．ＡＳＭ　该应用程序列出了１６位加法１６位带立即数加法１６位减法１６位带立即数减法１６位　比较１６位带立即数比较１６位取反子程序和一个测试程序　６．２．７ＢＣＤ运算　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ２０４．ＡＳＭ　该应用程序列出了１６位二进制转换成ＢＣＤ８位二进制转换成ＢＣＤＢＣＤ转换成１６位二　进制ＢＣＤ转换成８位二进制二位数压缩ＢＣＤ加法二位数压缩ＢＣＤ减法和一个测试程序６．２．８　冒泡分类算法　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ２２０．ＡＳＭ　该应用程序列出了如何用代码有效冒泡分类算法分类ＳＲＡＭ的数据块子程序和一个测试程序　６．２．９设置和使用模拟比较器　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ４００．ＡＳＭ　该应用程序列出设置和使用模拟比较器的子程序　６．２．１０半双工中断方式ＵＡＲＴ应用一　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ３０４．ＡＳＭ　该应用程序包含了一个非常有效的ＵＡＲＴ软件并给出一个接收字符然后返回一个应答的子程序６．２．１１半双工中断方式ＵＡＲＴ应用二　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ３０５．ＡＳＭ　该应用程序给出一个怎样用８位定时器计数器０和外部中断实现半双工ＵＡＲ的软件　６．２．１２８位精度ＡＤ转换器　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ４０１．ＡＳＭ　该程序显示如何使用单片机片内模拟比较器和几个外部元件实现双斜率ＡＤ转换器包括一个测试程序完成外循环的转换并输出到８位ＬＥＤ显示　６．２．１３装载程序存储器　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ１０８．ＡＳＭ　；＊　标题：装载程序存储器　；＊　版本：１．０　；＊　最后更新：　９８．０２．２７　；＊　目标器件：ＡＴ９０Ｓｘｘ１ｘ　及更高档的器件（带ＳＲＡＭ　的器件）　；＊　技术支持　Ｅ－ｍａｉｌ：　ａｖｒ＠ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　；＊　说明　；＊　此应用程序说明怎样使用装载程序存储器（ＬＰＭ）指令　；＊　此应用程序从程序存储器中一字节一字节地装入字符串　＂Ｈｅｌｌｏ　Ｗｏｒｌｄ＂；＊　并输出到Ｂ口　６．２．１４安装和使用相同模拟比较器　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ１２８．ＡＳＭ　；＊　标题：安装和使用模拟比较器　；＊　版本：１．１　；＊　最后更新：　９７．０７．０４　；＊　目标器件：ＡＴ９０Ｓｘｘｘｘ　（带模拟比较器的器件）　；＊　技术支持　Ｅ－ｍａｉｌ：　ａｖｒ＠ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　；＊　说明：　；＊　此应用程序说明怎样激活和使用ＡＶＲ自带的精密模拟比较器；＊　此程序执行以下操作　；＊　－　轮流检测模拟比较器的输出以等待正输出边沿；＊　－　轮流检测中断标志以等待正输出边沿　；＊　－　比较器输出模式下中断使能每次中断程序执行时将一个１６位计数寄存器加１６．２．１５ＣＲＣ程序存储的检查见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ２３５．ＡＳＭ　；＊　标题：ＣＲＣ　程序存储器校验　；＊　版本：１．０　；＊　最后更新：　９８．０６．１５　；＊　目标器件：ＡＴ９０Ｓｘｘｘｘ　（所有支持ＬＰＭ指令的　ＡＶＲ　器件，　除了　ＡＴ９０Ｓ１２００）　；＊　技术支持　Ｅ－ｍａｉｌ：　ａｖｒ＠ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　；＊　注意：　经常登陆Ａｔｍｅｌ　的网站，　ｗｗｗ．ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　以获取软件的最新版本　；＊　说明　；＊　此程序说明利用一个简单的算法怎样来实现代码存储器内容的ＣＲＣ计算；＊　要产生ＣＲＣ校验则寄存器状态装入００并调用＂ｃｒｃ＿ｇｅｎ＂程序；＊　校验的结果存于寄存器的第二字节低字节和第三字节高字节　；＊　要检查ＣＲＣ校验寄存器状态　装入ＦＦ并调用＂ｃｒｃ＿ｇｅｎ＂程序；＊　校验的结果存于寄存器的第二字节低字节和第三字节高字节；＊　如果校验的结果为００则程序代码是正确的　；＊　如果校验的结果不是００则程序代码有错误　６．２．１６４Ｘ４键区休眠触发方式　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ２４０．ＡＳＭ　；＊　标题：４ｘ４　键盘，　按键唤醒　；＊　版本：１．１　；＊　最后更新：　９８．１０．２２　；＊　目标器件：所有　ＡＶＲ　器件；＊　技术支持　Ｅ－ｍａｉｌ：　ａｖｒ＠ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　；＊　说明　；＊　此程序用来扫描一个４　ｘ　４键盘并用休眠模式使ＡＶＲ由按键唤醒　；＊　此设计使用最少的外部器件　；＊　测试程序唤醒ＡＶＲ并扫描当有键按下时根据所按键的键号点亮两个ＬＥＤ中的一个　；＊　外部中断线作唤醒之用；＊　此例应用于ＡＴ９０Ｓ１２００但在向量Ｅ２ＰＲＯＭ和堆栈指针上作一些适当的改动即适用于　；＊Ｎ任何ＡＶＲ器件；＊　定时采用一个４　ＭＨｚ的时钟；＊　一个查询表用于Ｅ２ＰＲＯＭ中以使同样的结构被用于更高级的程序例如ＡＳＣＩＩ输出到显示　６．２．１７多工法驱动ＬＥＤ和４Ｘ４键区扫描　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ２４２．ＡＳＭ　；＊　标题：多路ＬＥＤ驱动和４ｘ４键盘采样　；＊　版本：１．０　；＊　最后更新：　９８．０７．２４　；＊　目标器件：　所有　ＡＶＲ　器件；＊　技术支持　Ｅ－ｍａｉｌ：　ａｖｒ＠ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　；＊　说明　；＊　此程序包括一个提供２４小时工业定时器或以Ｉ／Ｏ引脚作双重作用的实时时钟　；＊　通过４　ｘ　４矩阵键盘输入输出到多元四位ＬＥＤ显示并通过附加接口电路由两开／关输出　；＊　驱动负载；＊　此例中驱动的是ＬＥＤ负载但附加适当的器件就可驱动任何负载；＊　触觉反馈是通过按键时一个音响器发出嘟嘟响声来实现　；＊　主程序允许通过键盘设定时钟每２４小时为每个负载进行开／关时间设定　；＊　实时时钟功能键扫描功能和调整程序　；＊　此例以ＡＴ９０Ｓ１２００来显示怎样克服有限的Ｉ／Ｏ；＊　此例同样适用于任何ＡＶＲ器件仅需对矢量Ｅ２ＰＲＯＭ和堆栈指针作适当的修改；＊　定时采用一个４．０９６　ＭＨｚ晶振如果１７８代替１７６用在定时器装载次序中４　ＭＨｚ晶振　；＊　会产生－０．１６％　；＊　的误差但这可以在软件中以规则的时间间隔来调整；＊　查询表格用在Ｅ２ＰＲＯＭ中解码显示数据附加的字符用于定时和开／关设定显示及键盘转换表；＊　如果您的应用用到Ｅ２ＰＲＯＭ则表格可移到较大的ＡＶＲ器件的ＲＯＭ中６．２．１８Ｉ２Ｃ总线　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ３００．ＡＳＭ　；＊　标题：　Ｉ２Ｃ　（单）主器件执行　；＊　版本：　１．０　（ＢＥＴＡ）　；＊　最后更新：　９７．０８．２７　；＊　目标器件：　ＡＴ９０Ｓｘｘｘｘ　（所有　ＡＶＲ　器件）　；＊　技术支持　ｅｍａｉｌ　：　ａｖｒ＠ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　；＊　说明　；＊与Ｉ２Ｃ从器件通信的基本程序　；＊　在Ｉ２Ｃ总线上单一主器件执行受限制于单一总线控制器　；＊　绝大部分应用并不需要Ｉ２Ｃ总线提供的多主器件功能　；＊　到目前为止单一主器件执行使用较少的资源并有较少的晶体频率依靠　；＊　特点：　；＊　＊　全部中断可用可用于其他用途　；＊　＊　支持正常和快速模式　；＊　＊　支持　７－ｂｉｔ和１０－ｂｉｔ寻址　；＊　＊　支持ＡＶＲ全系列微控制器　；＊　Ｉ２Ｃ主程序　：　；＊　＇ｉ２ｃ＿ｓｔａｒｔ＇　－　发出起始条件并发送地址和传递方向　；＊　＇ｉ２ｃ＿ｒｅｐ＿ｓｔａｒｔ＇　－　发出重复的起始条件并发送地址和传递方向　；＊　＇ｉ２ｃ＿ｄｏ＿ｔｒａｎｓｆｅｒ＇　－　根据ａｄｄｒｅｓｓ／ｄｉｒ字节中给出的方向发送或接收数据　；＊　＇ｉ２ｃ＿ｓｔｏｐ＇　－通过发出停止条件终止数据传递　；＊　用法　；＊　传递格式如ＡＶＲ３００文件中所述　；＊　（主代码中有一例）；＊　注意　；＊　Ｉ２Ｃ程序可被非中断或中断程序的任意一个调用非两者同时调用　；＊　统计　；＊　代码量　：　８１　个字　（最多）　；＊　寄存器占用　：　４　高，　０　低　；＊　中断占用　：　无　；＊　其他占用　：　Ｄ口的两个　Ｉ／Ｏ　引脚　；＊　ＸＴＡＬ　范围　：　Ｎ／Ａ　６．２．１９Ｉ２Ｃ工作　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ３０２．ＡＳＭ　；＊　标题：　Ｉ２Ｃ　从器件执行　；＊　版本：　１．２　；＊　最后更新：　９７．０７．１７　；＊　目标器件：　ＡＴ９０Ｓｘｘｘｘ　（所有　ＡＶＲ　器件）　；＊　快速模式：　仅ＡＴ９０Ｓ１２００；＊　技术支持　ｅｍａｉｌ　：　ａｖｒ＠ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　；＊　代码量：　１６０　个字　；＊　低寄存器占用：　０　；＊　高寄存器占用：　５　；＊　中断占用　：　外部中断０，　；＊定时器／计数器０　溢出中断　；＊　说明　；＊此程序说明怎样实现ＡＶＲ　ＡＴ９０Ｓ１２００作为一个Ｉ２Ｃ从外部设备的应用　；＊　如使用其他ＡＴ９０Ｓ　ＡＶＲ器件则可能不得不用到其他的Ｉ／Ｏ引脚堆栈指针也必须初始化　；＊　接收的数据存储在ｒ０中ｒ０中的数据在主器件读传递中被传输　；＊　这个简单的协议仅用于演示的目的　；＊　特点　：　；＊　＊　基于使用ＩＮＴ０和ＴＩＭ０的中断　；＊　＊　器件可接收任何的７位地址可扩展到１０位　；＊　＊　支持标准和快速模式　；＊　＊　易插入等待状态　；＊　＊　容量和速度优化　；＊　＊　支持从闲置模式唤醒　；＊　参考应用程序ＡＶＲ３０２文件以获得更详细的说明　；＊　用法　；＊　在两个标记插入用户代码的地方插入用户代码　；＊　注意　；＊　每一个中断之间最少会有一条指令被执行　；＊　统计　；＊　代码量　：　１６０　；＊　寄存器占用：　５　高，　０　低　；＊　中断占用　：　ＥＸＴ＿ＩＮＴ０　和　ＴＩＭ０＿ＯＶＦ　；＊　端口占用　：　ＰＤ４（Ｔ０）　和　ＰＤ２（ＩＮＴ０）　；＊　ＸＴＡＬ：　－　Ｉ２Ｃ　快速模式：　最低　１６．０ＭＨｚ　；＊－　Ｉ２Ｃ　标准模式　：　最低３．０ＭＨｚ　６．２．２０ＳＰＩ软件　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲ３２０．ＡＳＭ　；＊　标题：　软件　ＳＰＩ　主器件　；＊　版本：　１．０　；＊　最后更新：　９８．０４．２１　；＊　目标器件：　ＡＴ９０Ｓ１２００　；＊　Ｅａｓｉｌｙ　ｍｏｄｉｆｉｅｄ　ｆｏｒ　：　Ａｎｙ　ＡＶＲ　ｍｉｃｒｏｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ　；＊　技术支持　Ｅ－ｍａｉｌ　：ａｖｒ＠ａｔｍｅｌ．ｃｏｍ　；＊　说明　；＊　这是一个集成了　８／１６位字，　模式　０，　主器件　ＳＰＩ　的程序　；＊　它同时传输和接收８／１６位字格式的ＳＰＩ　数据　；＊　数据首先发送和接收　ＭＳＢ；＊　一个寄存器组用来发送和接收；　比如，　当一位移出　；＊　（被传输），　空余的位就用来存储新的位　；＊　这些程序是低电平接口程序　；＊　因而不包含一个命令结构；　；＊　那是由联接的ＳＰＩ外设决定的　；＊　因为有分离的　允许／禁止　和　读／写字程序，　；＊　大块的数据只能在禁止／ＳＳ　之前通过多次调用　；＊　ＲＷ＿ＳＰＩ　程序来发送　；＊　主程序：　；＊　ｉｎｉｔ＿ｓｐｉ：　初始化口线用作ＳＰＩ　；＊无需调用，　返回　；＊　ｅｎａ＿ｓｐｉ：　迫使　ＳＣＫ　为低，　激活　／ＳＳ　信号　；＊无需调用，　返回　；＊　ｄｉｓａ＿ｓｐｉ：　令　／ＳＳ　信号为高　（去激活）　；＊无需调用，　返回　；＊　ｒｗ＿ｓｐｉ：发送／接收一个　８位或１６位数据字　；＊在调用之前必须在（ｓｐｉ＿ｈｉ，ｓｐｉ＿ｌｏ）中设置数据发送；；＊返回接收的数据到同一寄存器组中　；＊（如是８位，　仅使用　ｓｐｉ＿ｌｏ　寄存器）　；＊　变量：　；＊　ｓｐｉ＿ｈｉ　和　ｓｐｉ＿ｌｏ　变量是高和低数据字节　；＊　它们可在寄存器文件中的任何地方　；＊　临时变量用来位计数，　也用作高／低最小脉冲宽度定时　；＊这必须位于上部寄存器　；＊　因为使用了一条　ＩＭＭＥＤＩＡＴＥ模式指令　；＊　备忘　；＊　Ｖ１．０　９８．０４．２１　（ｒｇｆ）　发表　６．２．２１验证ＳＬ－ＡＶＲ实验器及　９０Ｓ１２００的口功能　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲＬＥＤ．ＡＳＭ　该程序验证ＯＫ－ＡＶＲ万用串行下载开发实验器及ＡＴ９０Ｓ１２００的Ａ口Ｂ口ＬＥＤ灯亮灭程序，也同时验证实验器通讯接口连机正常与否，ａｖｒｌｅｄ２．ａｓｍ和ａｖｒｌｅｄ３．ａｓｍ仅延时常数不同，所以ＬＥＤ闪动快慢不同；　６．２．２２验证ＳＬ－ＡＶＲ实验器及　９０Ｓ１２００的口功能　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＡＶＲＳＴＥＰ．ＡＳＭ　该程序用模拟调试单步验证ＡＴ９０Ｓ１２００　Ｂ口Ｄ口的输出状态；　６．２．２３　验证ＳＬ－ＡＶＲ实验器及具有ＤＩＰ４０封装的口功能　见光盘文件＊：＼ＡＶＲ＼ＡＶＲ＼ａｓｍｐａｃｋ＼ａｐｐｎｏｔｅｓ＼ＤＩＰ４０ＬＥＤ．ＡＳＭ　该程序验证ＯＫ－ＡＶＲ万用串行下载开发实验器及具有ＤＩＰ４０封装的ＡＴ９０Ｓ４４１４／ＡＴ９０Ｓ８５１５　／ＡＴ９０Ｓ８５３５等器件的Ａ口Ｂ口Ｃ口Ｄ口ＬＥＤ灯亮灭程序，可修改延时常数；　。

Chap-6-分析模式082004

6.Description of the analysis modes分析模式的描述The requested analysis mode can be selected under System / Mode.在System/Mode下，选择要求的分析模式The actual processes will be displayed on the PC in the status field under "Process", e.g. "Standby" or "Peak processing" etc.在“Process”下, PC显示出实际执行过程.。

例如：“Standby”或“Peak processing”等。

6.1TC Mode 总碳模式Start of analysis with or .激活“I”或“I/O”键开始分析。

Auto Zero Adjust and baseline determination of the IR detector for the TC peak.TC峰测定前，IR检测器基线的测定和自动零位的校正Carrier gas will be turned off.载气关闭。

Dosing of approx. 300 µl HCl into the reactor (syringe runs, valves switch).将约300µl HCl注入反应器（注射器启动，阀门开关）。

Dosing of sample in the reactor (sampler runs, syringe runs, valves switch).将样品注入反应器（进样器启动，注射器启动，阀门开关）。

Carrier gas will be turned on.载气开启。

The temperature of the dynamic heater for the sample combustion increases up to max.850°C.At the same time the integrator module waits for the TC measuring peak to start.样品在动态加热器燃烧，温度升至850°C 。

chap.6.《茎》思考题

《茎》思考题一、名词解释芽：未发育的枝或花和花序的原始体。

（处于幼态而未伸展的枝、花或花序。

）芽鳞痕：枝条上，顶芽-鳞芽开放，芽鳞脱落后在枝条上留下的痕迹。

髓射线：双子叶植物茎的初生结构中，位于两个维管束之间的连接皮层和髓的薄壁组织就是髓射线。

（茎的维管束之间有薄壁组织，即髓射线。

）心材与边材：心材-是次生木质部的内层近茎内较深的中心部分，养料和氧气不易进入，组织容易衰老死亡，同时由于侵填体的形成，它的导管和管胞往往已失去输导作用，颜色较深；边材-是心材的外围色泽较淡的次生木质部，也是贴近树皮的次生木质部，它含有生活细胞，具有输导和储藏作用。

年轮：木本植物维管形成层在一个生长季内形成的次生木质部，包括早材和晚材。

在茎横切面上共同组成一轮同心圆环层称为生长轮，也称为年轮。

代表着一年产生的次生木质部的量。

叶痕与叶迹：叶脱落后在枝条上留的痕迹为叶痕；茎内维管束由节部斜向深入叶柄，维管束斜生于茎内的部分是叶迹。

鳞芽与裸芽：芽的外面被鳞片包被为鳞芽，可降低蒸腾，提高抗逆性，如木本植物的越冬芽；裸芽外面无芽鳞，只有幼叶包围，如棉花、蓖麻等的芽。

原套-原体学说：木射线与髓射线：位于两个维管束之间连接皮层和髓的部分称为髓射线，存在于茎的初生结构中；由维管形成层的射线原始细胞分裂形成，存在于次生木质部中。

有节乳汁管与无节乳汁管：无节乳汁管只由一个细胞发育而成，随植物体的增长而延伸、分枝，贯穿于植物体中，如桑科、大戟属植物；有节乳汁管是由多数具乳汁的长形细胞连接而成，当连接处的壁解体后形成了通连的管道系统，如蒲公英、橡胶树等。

单轴分枝：也称为总状分枝。

主干明显，各级侧枝生长均不超过主茎。

如油松及一些草本植物。

外始式与内始式：外始式-组织的发育是由外向内渐次成熟的方式，如根初生木质部、初生韧皮部及茎的初生韧皮部；内始式-组织的发育是由内向外渐次成熟的方式，如茎初生木质部。

花芽分化：植物经过营养生长后，在适宜条件下，会转人生殖生长，此时，茎的顶端分生组织不再形成叶原基和腋芽原基，而是逐渐形成花原基和花序原基，然后再分化成花和花序，这一过程称为花芽分化。

chap.6PN结的击穿

J p x J p0 ip dx q
同理，由于电子的碰撞电离在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx ) 面的空穴数目为 1
J n x J n0 in dx q
为简便起见，假设 ip in i ，则流出 ( x+dx ) 面的总的
2.4 PN 结的击穿
击穿现象
VB I0
I
V
击穿机理：雪崩倍增隧道效应
电击穿
热击穿
2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子
电子（或空穴）在两次碰撞之间从电场获得的能量为
E q Edx
0
l
反向电压 , E , E , 当 E E 时, 可使被碰撞 G 的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离。碰撞电离主要发生在反偏 PN 结的耗尽区中。 1、碰撞电离率定义：一个自由电子（或空穴）在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子空穴对的数目称为电子（或空穴）的碰撞
平行平面结
（1）高阻区厚度的影响 P+ NW
N+
W
| Emax | EC
x 0
W
xdB
对于同样的 |Emax | = EC ，当 N- 区足够厚时，即 W > xdB 时， 1 VB xdB EC 。但是当 W < xdB 时，击穿电压变为： 2 2
x W EC 1 VB ' VB xdB W xdB W VB 1 dB 2 xdB xdB
电离率，记为： in (或 ip )。
i 与电场 E 强烈有关，可用如下经验公式近似表示
B m i AE exp E

管理经济学-托马斯版Chap006

(Figure 6.5)
6-20
MR, TR, & Price Elasticity
(Table 6.4)
Marginal revenue MR > 0
MR = 0
MR < 0
Total revenue
TR increases as Q increases
(P decreases)
TR is maximized
MR = TR/Q
--
$4.00 $3.00 $2.30 $1.90 $0.80
$0 $-1.50
6-17
Demand, MR, & TR (Figure 6.4)
Panel A
Panel B
6-18
Demand & Marginal Revenue
• When inverse demand is linear, P = A + BQ (A > 0, B < 0)
• Then express demand as Q = a′ + bP , where a′ = a + cM + dPR and the slope parameter is b = ∆Q ∕ ∆P
6-11
Point Elasticity When Demand is Linear
• Compute elasticity using either of the two formulas below which give the same value for E
Chapter 6: Elasticity and Demand
McGraw-Hill/Irwin
Copyright © 2011 by the McGraw-Hill Companies, Inc. All rights reserved.

Chap 6 栈和队列

}
} else{ nonused.push_back(P.back()); P.pop_back(); }
while(!nonused.empty()){ P.push_back(nonused.front()); nonused.pop_front(); } Cout(P);
八皇后的排列
1.满足一定条件的排列 2.根据问题的实际思路来排列
全排列的求解
全组合与全排列之间的差别？ 1234 1243 1324 1342 .. .. ..
能否在全组合的算法上做点儿修改得到全排列的算法呢？
P.push_back(1); while(P.size()<n) P.push_back(P.back()+1); nonused.clear(); Cout(P);
上机试验
写程序，实现可对迷宫的自动求解
队列 queue
队列也是一种特殊的线性表队列限定在一端进行插入，在另一端进行删除数据先入先出(FIFO, first in first out)
list和vector中的队列操作
push_front() 从头部插入 pop_back() 从尾部删除
函数调用的情况
f() { .. g(); .. } g() { .. h(); .. } h() { .. l(); .. }
何时需要使用栈？
如果你在进行某种工作时，需要存储先前的工作状况，以便于在需要的时候回去修改，从而可以走另外不同的方向，则可以使用栈的思想在逻辑上，对每个点采用同样的逻辑，且所作的修改都只与最后的一个节点有关
使用栈操作的一个例子—括号匹配检查
#include <string> int check(string str)//返回在str字符串中第一个没有匹配括号的字符的位子 //例如对 "{{}"返回 0，对"{{}}{}}"返回6 { list<int> st; for(int i=0;i<str.length();i++) { if (str[i]=='{') st.push_back(i); else if (str[i]=='}' ) if(!st.empty()) st.pop_back(); else return i; } if (!st.empty()) return st.back(); }

《光学教程》姚启钧原著_第六章

各向同性介质：入射光是自然光，正侧方向——线偏振，斜方c ——部分偏振，正对x ——自然光. 各向异性介质：入射光是线偏振光，侧向 ——部分偏振. 偏振度：
Iy Ix p , 退偏振度： 1 p Ix Iy
15
五、散射光的强度
• 散射光的强度
I Z I C cos , I y I 0 , I I 0 (1 cos )
dI l a dx，I a 0dx 4.答：朗伯定律和比尔定律的数学表达式分 I 别为： I ACl ， I ＝ I e I＝I 0 e a 0 • 和。 I0
I
0 a
5.答：（1）线度小于光的波长的微粒对入射光的散射现象通常称为瑞利散射。（2）瑞利定律表述为：散射光强度与波长的四次方成反比，即： • I = f () - 4 。 6.答：因为光的散射。
• 2.分类： •①
• ②按不均匀团块性质
瑞利散射：线度 / 10 线性米氏散射：线度线度自发拉曼散射拉曼散射受激拉曼散射非线性布里渊散射
廷延德尔系散射：胶体，乳胶液，含有烟雾灰尘乳胶液，含有烟雾灰尘的大气等的大气等延德尔系散射：胶体，延德尔系散射：胶体，乳胶液，含有烟雾灰尘延德尔系散射：胶体，乳胶液，含有烟雾灰尘的大气等分子散射：由于分子热运动造成局部涨落引起运动造成局部涨落引起的的分子散射：由于分子热分子散射：由于分子热运动造成局部涨落引起分子散射：由于分子热运动造成局部涨落引起的
13
三、瑞利散射
•
1. 瑞利散射： l < 的微粒对入射光的散射现象。 2. 瑞利定律：散射光强度与波长的四次方成反比，即： I=f () -4 f ()——光源中强度按波长的分布函数 3.应用：红光散射弱、穿透力强（信号旗、信号灯） →红外线（遥感等）

6.矿井热害2分析

故，只有在一定风速范围内，通风强度对风流和岩体之间的热交换才有显著效果。
小结
综上所述，影响矿内热实形成的因素很多，矿内热源主要来自围岩放热、矿岩氧化放热以及矿内热水散热等方面。应当指出的是，围岩放热和矿井深度有关。一般来说，矿内岩石温度是随着开采深度的增加而升高的。如印度的科拉金矿开采深度为l000m时，岩石温度为36℃；开采深度为 2000m时，岩石温度增至49℃；当开采深度增加到2500m 时，其岩石温度增至56℃。我国安微省某硫铁矿，矿内岩石温度为40℃；安微省某铜矿，矿内岩石温度则高达40~60℃。
工作负荷轻度劳动（2级）适中劳动（3级）
低风速时（<1.53m/s） 30 ℃ 27.8 ℃
高风速时（<1.53m/s） 32.2 ℃ 30.6 ℃
重劳动（4级） 26.1 ℃
28.9 ℃
由表可见，人们不论是在高风速或低风速下劳动，劳动强度愈大，湿球温度愈低愈好。表中所列均为极限值。若超此值，人体就开始感到不适。
在开采过程中产生粉尘，由于其与空气接触面积大，故能助长氧化并放出热量。若采用加大通风量不但难以排除氧化放出的热量，反而会使氧化加剧。因此国内外一些硫化矿床开采的矿山，井下温度很高，如苏联乌拉尔铜矿采区内的空气温度达58~60℃，我国某铜矿回采工作面空气温度达32~40℃，最高达45~60℃。
劳动状况干卡他度湿卡他度
轻微劳动 >6 > 18
一般劳动 >8 > 25
繁重劳动 > 10 > 30
§6.3 矿内热环境对人体和劳动效率的影响
6.3.1 微气候及其对人体热调节的影响 6.3.2 矿内热环境对人体的影响 6.3.3 矿内热环境对劳动效率的影响 6.3.4 热适应

Chap.6课件(1)

这时央行增加货币供给对经济的影响也就可能被货币流通速度下降所抵消。货币流通速度加快，就是货币需求增加；流通速度放慢，就是货币需求减少。如果货币供给增加量和货币需求增加量相等，LM曲线就不会移动，因而利率和收入也不会变动。
第三、外部时滞影响政策效果
• 如果经济政策能够立竿见影地生效，经济稳定的目标就可以轻而易举地实现。乘数效应所描述的政策效果是每政策制定者梦寐以求的，但它在实际经济活动中的表现比经济学家在黑板上划线演示所用的时间要长得多。生效时滞更显示出货币政策的弱点。货币政策是通过利率的传导发生作用，利率依次影响投资、储蓄和最终产出。但很多公司的投资计划往往是超前制定的，因此人们普遍认为货币政策的变动至少要到6个月之后才会对经济活动发生影响。
款的数量，因此中央银行并不能完全控制货币供给。
货币政策效果分析
• 与财政政策相反，货币政策效果的显著性取决于IS曲线的陡峭程度。IS曲线越平坦，货币政策的效果越显著，反之则微弱。
•
r
LMO
r
LM0
E0
LM1 r0
E0
LM1
r0
r1
E
r1
E1
IS
IS
0
Y0 Y1
Y
0
Y0 Y1 Y
(a)IS曲线平坦则货币政策效果显著（b）)IS曲线陡峭则货币政策效果微弱
• 公开市场业务之所以能够成为中央银行控制货币供给最主要的手段，是因为它比其他手段有着更多的优点：（1）操作灵活，（2）效果连续，（3）对货币供给量的影响可以比较准确地预测出来。（4）社会不会对公开市场业务作出强烈反应，即使有时会出现政策失误，也可以及时进行纠正。
• 虽然中央银行可以利用上述三个货币政策工具对货币供给进行调节，但货币供给并不一定完全按照中央银行的意图进行。由于商业银行可以选择持有超额准备金的数量以及向中央银行借

Chap6.网络最大流

v1
8(8)
5(4) 2(0) 7(5) 10(8) 9(4)
v3
Cij (fij)
5(5)
s
6(1)
t
v2
9(9)
v4
链μ=（s,v2,v1,v3,v4,t）是一条增广链。
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当有增广链存在时,令
再令
ci f i , min , fi
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§5 网络最大流
v1
8 9
v3
5
Cij
s
7
5
2
6
t
10
v2பைடு நூலகம்
9
v4
每条弧旁边的权就是对应的容量(最大通过能力)。要求指定一个产品运输方案，使得从s→t的货运量最大，这是寻求网络系统的最大流问题，即从发点s到收点t允许通过的最大流量。
§5 网络最大流
根据可行流的定义,得到最大流的数学模型:
max v f s.t.
f
jV ij jV
v f , i s f ji v f , i t 0 , i s , t
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运筹学基础及应用之
图与网络分析
图的基本概念与模型树图和图的最小生成树最短路问题中国邮递员问题网络最大流
§5 网络最大流
一引言
在许多实际的网络系统中都存在着流量和最大流问题。例如铁路运输系统中的车辆流，城市给排水系统的水流问题等等。而网络系统的最大流问题是图与网络流理论中的最优化问题，它对于解决生产实际问题起着十分重要的作用。