电压降计算方法 (2)(优选材料)

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电力系统不对称故障分析计算演示文档

例8-1某三相发电机由于内部故障，其三相电势分别
为 E a 0 9 0 V ,E b 1 1 6 0 V ,E c 7 1 2 2 5 V ，求其对称分量解：以a相为基准相，应用公式可得
E a ( 0 ) 1 3 E a E b E c 1 3 0 9 0 1 1 6 0 7 1 2 2 5 2 8 3 7 V E a ( 1 ) 1 3 E a a E b a 2 E c 1 3 0 9 0 1 1 2 0 1 1 6 0 1 2 4 0 7 1 2 2 5 9 3 1 0 6 V E a ( 2 ) 1 3 E a a 2 E b a E c 1 3 0 9 0 1 2 4 0 1 1 6 0 1 1 2 0 7 1 2 2 5 7 6 0 V
➢ 短路点结构参数不对称用运行参数不对称表示
E a ZG ZL
Eb Ec
Zn
Va 0
Ib 0
Ic 0
应用叠加原理，分解成正、负、零序三个系统
不对称的相量用对称分量表示
E a ZG ZL
Eb Ec
U a 0 Ib 0
Zn
V fa(1)
V fb(1)
V fa(2)
V fb(2)
V fa(0)
Z(1) Va(1) /Ia(1)
Z(2) Va(2) /Ia(2)
Z(0) Va(0) /Ia(0)

探讨电能计量中电压互感器二次回路压降中的若干问题

科技创新与应用Ｉ２０１３年第３２期 ห้องสมุดไป่ตู้
电力科技
探讨电能计量中电压互感器二次回路压降中的若干问题
杨颖
（国网吴忠供电公司，宁夏吴忠７５１１００）
摘要：电能计量作为电力部门与用户进行电能贸易中最为重要的结算依据，可以说是体现公平、公正、准确交易的重要手段。同时电能计量也关系到电力企业的自身利益，为此须提升电能计量的准确性，从而保证交易的公平性、公正性、准确性及供电企业的自身利益。尤其是在当今电力供需矛盾下，加强对电能计量的管理与控制，使用新技术、新工艺可以为国家的节能降耗以及克服电压互感器二次回路中的现存问题提供有力的技术手段。关键词：电压互感器；压降；电能计量ｔ电能计量装置的选择与配置计量装置的选择：在初步拟定的电能计量装置选择范围内，首先要从经过国家以及省级计量部门认可的优质产品中进行二次优选；其次要对选购的电能计量装置按照有关技术规定进行检验，禁止使用检验不合格的电能计量装置。电能计量装置的配置：（１）接线方式：对于接入非中性点绝缘系统的电能计量装置，应采用三相四线有功、无功电能表，而对于接人中性点绝缘系统的电能计量装置要采用三相三线有功、无功电能表。此外，按照新规程的相关要求，低压供电，负荷电流为５０Ａ及以下时，宜采用直接接入式电能表；负荷电流为５０Ａ以上时，宜采用经电流互感器接入式的接线方式。（２）电能表标定电流的确定：最新的电能计量规程规定，电能表的标定电流为正常运行负荷电流的３０％左右。此外，为提高低负荷电能计量的准确性，应选用过载４倍及以上的电能表。（３）电流互感器的选配：应保证其在正常运行中实际负荷电流达到额定值的６０％左右，至少应不小于３０％；否则要通过热稳定电流互感器等来减少变比。如果变比选择较大，一旦出现电流互感器一次电流小于３０％的情况，就会导致负误差增加；而如果变比选择较小，也会引发误差增加以及绝缘老化等问题。２电压互感器二次回路压降对电能计量的影响电能计量的综合误差主要包括以下几部分：电流互感器、电能表、电压互感器、电压互感器到电能表的二次回路压降的计量误差。因此，即使使用中的互感器及电能表的计量误差符合国家有关规定，由电压互感器二次侧到电能表端子之间的二次回路线路的压降（简称ＴＶ二次压降）也会导致电压测量出现偏差。从电力发电到配电的整个环节普遍存在着Ｔｖ二次压降问题，这不仅使得系统的电压测量出现误差，影响电力系统的运行质量，更重要的是导致电能计量的误差。电压互感器是一次和二次回路的重要

现代电力系统分析-往年试卷与复习资料 (6)

一、潮流计算方法之间的区别联系

高斯-赛德尔法：原理简单，导纳矩阵对称且高度稀疏，占用内存小。

收敛速度很慢，迭代次数随节点数直接上升，计算量急剧增加，不适用大规模系统。牛顿-拉夫逊法：收敛速度快，迭代次数和网络规模基本无关。

相对高斯-赛德尔法，内存量和每次迭代所需时间较多，其可靠的收敛还取决于一个良好的启动初值。 PQ 分解法（快速解耦法）：

PQ 分解法实际上是在极坐标形式的牛顿法的基础上，在交流高压电网中，输电线路等元件的R<<X ，即有功功率主要取决于电压相角，而无功功率主要取决于电压幅值，根据这种特性对方程组进行简化，从而实现了有功和无功的解耦。两大条件：(1)线路两端的相角相差不大(小于10°～20°)，而且||||ij ij G B ≤，于是可以认为：cos 1;sin ij ij ij ij G B θθ≈≤； (2)与节点无功功率相对应的导纳2/i i Q U 通常远小于节点的自导纳ii B ，也即2i i ii Q U B <<。

1. PQ 分解法用一个1n -阶和一个1n m --阶的方程组代替牛顿法中22n m --阶方程组，显著减少了内存需量和计算量。

2. 计算过程中B '、B ''保持不变，不同于牛顿法每次迭代都要重新形成雅可比矩阵，因此显著提高了计算速度。

3.雅可比矩阵J 不对称，而B '、B ''都是对称的，使求逆等运算量和所需的存储容量都大为减少。

4. PQ 分解法的迭代次数要比牛顿法多，但是每次迭代所需时间比牛顿法少，所以总的计算速度仍是PQ 分解法快。在低压配电网中PQ 分解法不适用。交流高压电网的输电线路的元件满足R<<X ，PQ 分解法正是基于此条件简化而来；而低电压配电网络一般R/X 比值很大，大R/X 比值病态问题也正是PQ 分解法应用中的一个最大障碍。

锂离子电池富锂锰基正极材料专利技术分析

王国华;夏永高;刘兆平

【摘要】利用德温特(DII)专利数据库和宁波市知识产权服务平台专利数据库,通过对富锂锰基正极材料技术领域的专利进行分析,揭示该技术领域当前的专利活动特点,为我国在该领域的科技创新和产业化提供参考.本文从全球富锂锰基正极材料技术研发背景的调研入手,从国际专利申请数量年度分布、专利技术生命周期、技术研发布局、主要竞争国家/地区、主要专利申请人等方面,分析了全球富锂锰基正极材料技术的整体专利态势;在此基础上,对世界范围内的重要申请人以及在华重要申请人的专利布局和技术路线进行了重点深入分析.基于上述分析结果,最后就我国未来的富锂锰基正板材料的技术研发和专利申请与保护工作提出了一些建议.

【期刊名称】《储能科学与技术》

【年(卷),期】2016(005)003

【总页数】8页(P388-395)

【关键词】富锂锰基正极材料技术;发展趋势;专利分析

【作者】王国华;夏永高;刘兆平

【作者单位】中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江宁波315201;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江宁波315201;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江宁波315201

【正文语种】中文

【中图分类】TM912

锂离子电池较其它二次电池而言，具有较高的能量密度、较好的安全稳定性和对环境友好等优点，其作为储能设备已经广泛应用于移动电子设备，如手机、笔记本电脑等。然而智能手机、电动汽车及智能电网等领域的快速发展对锂离子电池的能量密度、功率密度和循环性能提出了越来越高的要求。

热工仪表检修(技师) 理论考试题库[1]

<<热工仪表检修>>技师理论试卷

一、选择题

1(La2A1063).反应测量结果中系统误差大小程度的是( )。

(A)准确度；(B)正确度；(C)精确度；(D)真实度。

答案:A

2(La2A2065).计算机的一个Byte的长度为( )。

(A)8个二进位；(B)4个二进位；(C)1个二进位；(D)16个二进位。

答案:A

3(La2A3067).V／F转换器的作用是( )。

(A)实现电压变换；(B)实现数／模转换；(C)实现电压-频率转换；(D)实现模／数转换。

答案:C

4(Lb2A2119).电子皮带称应变电阻荷重传感器是通过粘贴在弹性元件上的应变电阻将压力转换成( )来实现信号间转换的。

(A)电阻值；(B)电压值；(C)电流值；(D)电压或电流。

答案:A

5(Lb2A2121).火焰的( )信号更能区分不同类型的火焰。

(A)频率；(B)强度；(C)亮度；(D)形状。

答案:A

6(Lb2A2123).振动传感器根据测振原理的不同可分为接触式和非接触式两类，( )称为接触式相对传感器。

(A)电容式传感器；(B)电感式传感器；(C)电涡流式传感器；(D)感应式传感器。

答案:D

7(Lb2A3125).扩散硅压阻片的测压原理是半导体的电阻变化率与被测压力( )。

(A)成正比；(B)成反比；(C)成线性关系；(D)成一定的函数关系。

答案:A

8(Lb2A3127).对管道中流体压力的正确测量，所测得的压力值应是流体的( )。

(A)全压力；(B)静压力；(C)动压力；(D)脉动压力。

9(Lb2A3129).测振仪器中的某放大器的放大倍数K随频率上升而( )的称微分放大器。(A)增加；(B)下降；(C)恒定；(D)不能确定。

避雷器实验

一.实验目的

了解阀型避雷器的种类、型号、规格、工作原理及不同种类避雷器的结构和适用范围，掌握阀型避雷器电气预防性试验的项目、具体内容、试验标准及试验方法。

二.实验要点

1. 概念

灭弧电压：指避雷器尚能可靠地熄灭续流电弧的最大工频作用电压。冲击放电电压：对额定电压为220KV及以下的避雷器，指的是在标准雷电冲击波下的放电电压的上限。

残压：当出现雷电过电压时，火花间隙迅速击穿而使过电压的幅值受到限制，这时流过避雷器的冲击电流i会在工作电阻R上产生一压降, 其最大值S称为残压。

保护比：避雷器的残压与灭弧电压之比。

切断比：避雷器工频放电电压的下限与灭弧电压之比。

工频续流：在冲击电流入地后，随Z流过工作电阻的电流为工频续流。非线性系数：反映工作电阻非线性性质的一个系数。

冲击系数：避雷器冲击放电电压与工频放电电压幅值Z比。

2. 判断

普通阀型避雷器阀片热容量小，磁吹阀型避雷器阀片热容量较人。

3. 推理

普通阀型避雷器只用于限制人气过电压，磁吹阀型避雷器既可用

于限制人气过电压也可用于限制内部过电压。

4.相关知识点

人气过电压、内过电压、伏秒特性、冲击耐压强度、绝缘配合、雷电流计算标准。

三.实验项目

1.FS-10型避雷器试验

(1).绝缘电阻检查

(2).工频放电电压测试

2.FZ-15型避雷器试验

(1).绝缘电阻检查

(2)•泄漏电流及非线性系数的测试

50/5试验装買•套水阻一只

高压硅堆一只滤波电容一只

微安表一只电压表一只

高压静电电压表一只FSJ0型避雷器一只

FZ-15型避雷器一只

五.实验接线

图1绝缘电阻测试接线图图2 FS型避雷器工频放电实验接线图

接地电阻及跨步电压的计算优选文档

所以采用电磁场理论的镜像法进行计算。
由深埋时的计算情况我们可知，接地体到无穷远处电位为，此时由于镜像接地体的作用，接地体的真正电位应当是接地体到无穷远处电位和镜像到接地体上电位的相互叠加
由第一问可知，球形接地体到距其球心为
r处的电位为
3.紧贴地面埋于大地的半球形接地体的接地电阻。由镜象法得一个孤立球：
接地电阻及跨步电压的计算
优选接地电阻及跨步电压的计算
预备知识
接地技术是保障人身和设备的一项电气安全措施，为电力系统正常工作提供了零电位基准参考点。计算接地体的接地电阻是恒定电场计算的一项重要工作。
接地体：在工程上，为了接地，将金属导体埋于地内，将系统中需要接地的部分与该导体相连接，这种埋入地内的导体系统称为接地体。
接地体在工程实际中的作用
考虑到一些电力设备可能会遇到很大的工作电流、短路电流或雷击电流，在安装时必须配有接地装置，以使这些短促而巨大的电流通过接地线送到接地体，再分流入大地。例如三相高压变压器中性工作接地、配电机房的防雷接地等
接地电阻的计算
1.接地体深埋地下时的接地电阻
接地体深埋于地下时，我们认为其离地表面无穷远，基本不受接地电流的影响，该情况下接地电阻的计算十分简单。
2.感应电压触电由于带电设备的电磁感应和静电感应作用，能使附近的停电设备上感应出一定的电位，其数值的大小决定于带电设备电压的高低、停电设备与带电设备两者接近程度的平行距离、几何形状等因素。感应电压往往是在电气工作者缺乏思想准备的情况下出现的，因此，具有相当的危险性。在电力系统中，感应电压触电事故屡有发生，甚至造成伤亡事故。 3.静电触电静电电位可高达数万伏至数十万伏，可能发生放电，产生静电火花，引起爆炸、火灾，也能造成对人体的电击伤害。由于静电电击不是电流持续通过人体的电击，而是由于静电放电造成的瞬间冲击性电击，能量较小，通常不会造成人体心室颤动而死亡。但是其往往造成二次伤害，如高处坠落或其他机械性伤害，因此同样具有相当的危险性。

检测复习题（附答案）

检测复习题

⼀、填空

1、建筑物防雷分类主要应根据重要性、使⽤性质、发⽣雷电事故的可能性和后果等综合考虑分为三类。

2、在检测总等电位连接情况时，应检测的指标主要是连接强度、连接导体截⾯积、连接电阻、连接⼯艺。

3、电源SPD的Up应低于0.8U W，⼀般应加上20%的安全裕量。

4、外部防雷装置包括接闪器，引下线，接地装置等。

5．第⼆类防雷建筑物的引下线不应少于2根，并应沿建筑物四周均匀或对称布置，当仅利⽤建筑物四周钢柱、或柱内钢筋作为引下线时，可按跨度设引下线，但引下线平均间距不⼤于18m。

6在设有信息系统的建筑物需防雷击电磁脉冲的情况下，当该建筑物不属于第⼀类、第⼆类和第三类防雷建筑物和不处于其他建筑物或物体的保护范围内时，宜将其划属⼆或三类防雷建筑物。

7.接地装置的接地电阻（或冲击接地电阻）值应符合设计要求，有关标准规定的设计要求值为：

8.接地装置的⼯频接地电阻值的测量常⽤电位降法，其测得的为⼯频接地电阻值，但需要冲击接地电阻值时，

应按公式Rn= A R i(A≥1）的规定进⾏换算。

9.低压电源SPD绝缘电阻测试应施加500V的直流电压,其带电部件与可能触及到的SPD⾦属部件之间的绝缘电阻

不应⼩于 5 MΩ。

10.建筑物中为减⼩感应效应⽽采取的措施通常有⼩回路布线措施、尽量使⽤屏蔽电缆措施、对建筑物屏蔽措施,

这些措施可组合使⽤。

11、接闪带的材料、结构与最⼩截⾯当使⽤热浸镀锌扁钢时，其厚度应不低于2.5mm，最⼩截⾯应不低于50（mm2）。

12.最⼤持续运⾏电压U C是选择220/380V三相配电系统中的电涌保护器（SPD）时的⼀项重要指标， TN制供电系

功率MOS管的参数测试(优选材料)

一、极限参数：

ID ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。

IDM ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。

PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

VGS ：最大栅源电压。

Tj ：最大工作结温。通常为150 ℃或175 ℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。

TSTG ：存储温度范围.

二、静态参数：

V(BR)DSS：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS 为0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS 。它具有正温度特性，故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

△ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数,一般为0.1V/ ℃。

RDS(on) ：在特定的VGS (一般为10V )、结温及漏极电流的条件下，MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET 导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

VGS(th) ：开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压VGS 超过VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

电压降的计算公式

V=I*R

其中，V表示电压，单位是伏特(V)；I表示电流，单位是安培(A)；R 表示电阻，单位是欧姆(Ω)。

根据这个公式，我们可以通过已知的两个量来计算第三个量。以下是一些常见的电压降的计算实例：

1.计算电阻：

如果已知电压和电流，可以使用以下公式计算电阻：

R=V/I

例如，如果知道电压为12伏特，电流为2安培，我们可以计算出电阻为6欧姆。

2.计算电压：

如果已知电阻和电流，可以使用以下公式计算电压：

V=I*R

例如，如果知道电阻为10欧姆，电流为5安培，我们可以计算出电压为50伏特。

3.计算电流：

如果已知电压和电阻，可以使用以下公式计算电流：

I=V/R

例如，如果知道电压为20伏特，电阻为4欧姆，我们可以计算出电流为5安培。

这些公式适用于直流电路中的计算。对于交流电路，由于电压和电流是随时间变化的，所以涉及到相位差等更复杂的概念。在交流电路中，我们通常使用功率因数、复数形式的计算等更高级的方法来计算电压降。

此外，电压降的计算也可以通过电功率和电阻两个量的关系来计算。根据功率公式，可以推导出以下公式：

V=√(P*R)

其中，V表示电压，P表示功率，R表示电阻。这个公式适用于已知功率和电阻，计算电压降的情况。

总结起来，电压降的计算公式有两种：根据欧姆定律的公式V=I*R和根据功率公式的公式V=√(P*R)。根据已知的量不同，可以选择适用的公式来进行计算。

优选电导率和载流子迁移率Ppt

对范德堡样品，保持电流大小不变，但改变方向，依
次在AB、CA电极通入正反向电流，分别在CD、DB测
量相应的电压
VM1,VM 2 ,VN1,VN 2
d 4I ln 2
VM1 VM 2 VN1 VN 2
f
1
第四十九页，共55页。
霍尔迁移率综合了电子和空穴迁移率
RH
第五十页，共55页。
霍尔系数物理意义：单位磁感应强度对单位电流强度所能产生的最大霍耳电场强度。
第三十二页，共55页。
在考虑霍尔效应时，由于载流子沿y 方向发生偏转，造成在x 方向定向运动的速度出现统计分布。在考虑电导迁移率μ = v /E 时，应采用速度的统计平均结果，由vH此得
到： H vH / E，这样引入的迁移率称H 为霍尔迁移率。
导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。
第十一页，共55页。
Conduction band Valance band
Energy gap
第十二页，共55页。
each band consists of a very large number of closely lying energy levels.
第八页，共55页。
实验目的
1. 了解半导体中霍尔效应的产生原理，霍尔系数的意义及其副效应的产生和消除；
2. 掌握利用霍尔效应测量材料的电输运性质的原理和实验方法；

物料优选原则(7类)

电子器件选型指导书

1101电阻器 (2)

1102电容器 (4)

1103电感器 (10)

1104晶体晶振 (14)

1105二极管 (17)

1106三极管 (22)

可编程器件 (25)

1101电阻器

金属膜电阻器

1.推荐厂家

2.选型原则

（1）不论那种电阻器，都不能选用边缘极限规格；

（2）对于金膜电阻器，1W以下功率优选金属膜电阻，1W及1W以上功率优选金属氧化膜电阻；

（3）金属膜电阻器就是在陶瓷骨架表面，经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜。由于其电阻体是金属或合金材料，又是在高真空条件下制备的，因而电阻器性能优良。

（4）金属膜电阻器的优点是：精度高、稳定性好、噪声低、电压系数小、体积小、高频特性好，且允许工作环境温度范围大（-55～+125℃）、温度系数低、耐热性好。常常用作精密和高稳定性的电阻器。

（5）对于金属膜电阻器，优先选择1/4W及1/2W 功率的金属膜电阻器,当对功率、安装空间等无要求时，优选1/4W。

（6）对于金属膜电阻器，1W以下功率的优选±1%精度。

（7）对于金属膜电阻器，±1%精度的电阻器优选E96系列。

（8）对于金属膜电阻器，±5%精度的电阻器优选E24系列。

（9）对于金属膜电阻器，±0.1%精度的高精度电阻器优选E192系列。

（10）对于金属膜电阻器，电阻工作的平均功率必须小于其额定功率值的60%。

金属氧化膜电阻器

1.推荐厂家

2.选型原则

（1）金属氧化膜电阻器的电阻体是沉积在绝缘基体表面上的一层金属氧化物薄膜（在玻璃、瓷器等材料上，通过高温以化学反应形式生成以二氧化锡为主体的金属氧化层）。由于氧化膜膜层比较厚，因而金属氧化膜电阻器的优点是：耐磨、耐腐蚀、化学性能稳定、寄生电感量小。