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１４８Ｉ管理・教育・教学中国医药指南２０ｌＯ年２月第８卷第６期ＧｕｉｄｅｏｆＣｈｉｎａＭｅｄｉｃｉＩｌｅ，Ｆｅｂｒｕａｒｙ２０１０，、，０１．８，Ｎｏ．６【２】黄俊英．多变素分析［Ｍ】．５版．台北：中国经济企业研究所，１９９５：２０１－２２６．【３】陈峰．医用多元统计分析方法【Ｍ】．北京：中国统计出版社，２０００：６５－８１．【４】林果为，沈福民．现代临床流行病学［Ｍ】．上海：复旦大学出版社，２００２：５８．【５】王家良．临床流行病学－临床科研设计衡量与评价【Ｍ】．２版：上海科学技术出版社。
２００ｌ，３６７．［６】王绍辉．以科学发展观为指导提高医疗服务质量【Ｊ】．中国当代医药，２００９，１６（１１）：１６６．１６７．糖尿病患者的健康教育及用药指导赵娜【关键词】糖尿病；教育中图分类号：Ｒ５８７．１；Ｒ３９５．１文献标识码：Ａ文章编号：１６７１—８１９４（２０１０）∞一０１４８—０２糖尿病是一种常见的内分泌代谢疾病，是一种终身性的疾病。
近年来，糖尿病的发病率不断攀升，其并发症发生率高，危害大，严重影响了患者的生活质量。
因此，糖尿病知识教育在糖尿病中的作用日益受到重视，通过护理人员有计划、有目的教育过程…。
是患者了解和增进的糖尿病健康知识，提高自我保护意识，掌握自我保健技能，改变不良生活方式。
积极配合治疗，达到提高生活质量，延长寿命的目的，现将新乡市中心医院内分泌科２００８年收治的６８例糖尿病患者实施健康教育，收到了良好结果，现报道如下。
１临床资料本组患者６８例，其中男４３例，女２５例，年龄５８～８３岁，平均７２岁，糖尿病史ｌ～２０年。
平均１１．３年，其中伴有冠状动脉粥样硬化性心脏病１８例，高血压２５例，脑动脉硬化（不同程度）２９例。
２健康教育的内容２．１心理指导糖尿病是终身性疾病，其病程长，须反复住院，患者易产生焦虑，紧张、恐惧、激动、消极、悲观等情绪。
这些不良的心理反应均会引起血糖的升高，对疾病的控制极为不利，因此及时发现患者的不良心理，并给予细心护理是非常必要的。
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Ｅｎｈａｎｃｉｎｇ Ｓｔｕｄｙ
ｏｎ
ａｎｄ Ｃｌｉｎｉｃａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｏｍｂｉｎｅｄ
ＬＩ Ｂｉｎ，ＺＨＯＵ Ｈｏｎｇ，ＺＨＡＮＧ Ｌｅ—ｚｈｉ，ＣＨＥＮ Ｘｉａｏ—ｈｏｎｇ，ＷＵ Ｃｈｏｎｇ，ＣＥＮ Ｙａｎ—ｙａｎ，ＺＨＯＵ Ｗｅｉ—ｙｉｎｇ
（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ
ｏｆ Ｐｈａｒｍａｃｏｌｏｇｙ，ＣｏＨｅｇｅ ｏｆ Ｍｅｄｉｃｉｎｅ，Ｔｈｉｒｄ Ｍｉｌｉｔａｒｙ
参考文献： ［１］郑毓信．认知科学建构主义与数学教育［Ｍ］．上海：上海教育出版
ＮＯＲＴＨＷＥＳＴ ＭＥＤＩＣＡＬ
ＥＤＵＣＡＴＩＯＮ
Ｊｕｎ．２００９
Ｖ０１．１７
Ｎｏ．３
社，２００２：８—１２． ［２］姚翔飞．工科高等数学分级教学模式的探索［Ｊ］．高教论坛，２００８（３）：
８５一９７．
［３］金松玲．试论创新人才培养与医学院校的数学教育［Ｊ］．中国高校教 育，２００７，１５（５）：８９４—８９５．
线药在教材中未能反映出；③一些临床医学上的新认识与新概 念在当前使用的教材中也未能反映出；④基础课教员临床经验 不够，授课中与临床结合不紧密。这些问题都造成了学生对药 理学学习产生畏难情绪，并缺乏主动探索学习的积极性。 为了充分调动学生的学习积极性，激发学生的求知、求新欲 望，教师应本着培养实用型人才的要求，改革药理学教学内容和 方法，加强药理学基础理论与临床应用的结合，使药理学理论教 学与临床结合得更紧密，让学生通过药理学教学后能更加深刻 地认识药物的作用机制以及在疾病中的治疗作用。基于上述问 题和目标，从２００４年起，我们进行了将基础药理学与临床相结 合的改革探索，主要采取的措施如下。 １优化授课人员组成 在部分章节聘请有丰富临床经验的临床科室专家教授给学 生授课，将临床上的新知识、新观点引入基础药理学教学中，结
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・４０１・
息，开阔眼界，拓宽知识面。因此除鼓励教师进行在 职学习之外，还要求教师参加各种类型和规模的学 术活动，在各种活动和实践中不断充实和完善自我， 以使教师在教学活动中开拓思路、不断创新。 综上所述，通过药理学实验课程的调整与改革， 不仅使学生验证了理论知识，熟练基本实验操作，而 且培养了学生药理学实验设计和科研能力，使学生具 备了从事本专业实际工作和科研工作的初步能力。
的ｐＵＣｌ９ ＤＮＡ进行检测。
践能力具有重要作用【ｌ’２］。本文以教学课题——
“质粒的提取、酶切和电泳鉴定”为例，就生物化学
万方数据
［２］
参考文献：
［１］王素霞．情感价值现教育在药理学教学中的作用［Ｊ］．卫生职 业教育，２００８，１６（２）：７８—７９． 王字华．多元化教学模式在中医药院校药理学实验课程建设 中的应用［Ｊ］．海峡药学，２００８，２０（１０）：１５２—１５３．
起来，在整个实验完成过程中，学生互相合作共同面 对困难，各尽其力地去解决问题，相互学习、共同进 步，最终享受着经过共同努力取得的成功的喜悦。 在这样的集体活动的平台中，加深了同学之间的了 解，消除了嫉妒与猜疑，体验友谊与沟通的快乐，开
的改革与实践［Ｊ］．中国高等医学教育，２０００，（２）：３４—３５． ［２］李康。朱佐江，黄巧冰，等．机能实验学［Ｍ］．北京：人民军医出 版社，２０００：１７１．
作者简介：张晓京，女，１９７５一０６生，硕士，助教．
［收稿日期：２００９一１２—３０］
生物化学综合性、设计性实验教学的尝试与分析
刘
洋１，
丁建中２，
加深对理论知识的理解和巩固，忽视了实验教学的
础医学和临床医学以及医学与药学的桥梁。药理学 既是理论科学又是实践科学，因此实验教学是整个
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· !%& ·
是药理学教学的重要组成部分，它的目的不仅是验证药理学中的基 本理论，使学员更牢固地掌 握 药 理 学 的 基 本 概 念，以 便 正 确 地 用 于 临床；更重要的是培养智能，即了解获得药理学知识的科学途径，掌 握药理学实验的基本方法 和 技 能，培 养 与 提 高 独 立 思 考、独 立 工 作 的能力。然而，实验的 顺 利 进 行 依 赖 于 敏 感、精 确 的 实 验 设 备。 传 统的电子仪器存在操作繁 杂 费 时、精 确 度 低、实 验 结 果 无 法 保 存 及 进行智能处理等缺点［! / $］，限制了药理学实验研究的发展，而计算 机技术在药理学实验中的 应 用，加 速 了 药 理 学 实 验 改 革 的 步 伐，有
西北医学教育 !""9 3 ’’ 第 ’# 卷
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利于实验方法的改进和实验效率的提高。我校于 !""# 年将成都泰 盟科技公司生产的 $%&#!" 生物机能实验系统应用于药理学实验教 学中。本文就该系统及其在药理学实验教学中的优点作一简述。
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( 讨论 知识竞赛的目的是使学生的注意力集中在学习上。竞赛定于 期末考试前进行并有奖励，题 目 以 教 学 大 纲 为 依 托，故 促 进 了 学 生 抓紧时间复习和相互讨论重难点内容的作用，相当于期末前练兵和 模拟考试。竞赛以班级为单位进行布置，每班的班长和学习委员组 织全班同学对所给的 竞 赛 大 纲 进 行 分 工，查 找 资 料，组 织 讨 论。 通 过开展生化知识竞赛，大大 提 高 了 学 生 学 习 的 积 极 性，达 到 了 学 习 的目的。 竞赛对象是 $%%( 级 !# 班、$% 班本科生，即麻醉学和法医学专 业的学生。按照惯例，这些小专业的学生与临床医学大专业的学生 相比，可能由于学生毕业后 的 就 业 渠 道 所 限，学 生 的 学 习 态 度 消 极 被动，学习风气不好，各科目的考试成绩也常排在年级之后，很多教 师都觉得这些学生难教。为了改变这种现象，我们选择了这两个班
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作者单位：２１００２９南京医科大学附属第一人民医院神经内科
万方数据
。３３４・
！巳逍魁盥笠越盘！叁垫！Ｑ笙垒』ｉ！！！！筮！盔筮垒翅鱼也』￡！型型！些旦立』！！：！！：垫！Ｑ，！些！：丛垒垒 Ｏｃｃｌｕｄｉｎｓ表达上调。
２．２
要调节者阳Ｊ。其他研究发现，与野生型小鼠相比， ＴＩＭＰ．１表达缺陷的小鼠，腩缺血２４ ｈ后ＭＭＰ－９蛋 白的表达与明胶酶的活性显著增强，而ＭＭＰ－２蛋 白表达兄明旺变化，提示ＴＩＭＰ—ｌ抑制了ＭＭＰ－９的 活性一Ｊ。还有一些蛋［Ｊ选择件抑制ＭＭＰｓ家族中的 某蝗成员，分泌型的Ｂ－淀粉样前体蛋白抑制 ＭＭＰ－２【８］。抑制ＪｌＩｌ管再，｛ｉ的糖摹磷脂酰肌醇锚定糖 蛋白抑制ＭＭＰ－２、ＭＭＰ－９和ＭＭＰ一１４的活性一Ｊ，但 作朋机制尚不清楚。
ＭＭＰ－２、ＭＭＰ－３和ＭＭＰ－９的概况 ＭＭＰ－２、ＭＭＰ一３和ＭＭＰ－９的生物学特性 ＭＭＰ＿２和ＭＭＰＯ分别定位于染色体１６ｑ１３和
２０ｑ１２．２－ｑ１３．１。前者相对分子质鼍为７２ ０００，活化 后相对分子质量为６６ ０００。后者相对分子质量为 ９２０００，活化后相对分子质量为８３ ０００。ＭＭＰｓ通常 由前肽、黏附区、连接肽及ｍ液结合素样结构域组 成。ＭＭＰ－２和ＭＭＰ－９在黏附区有３个蘑复Ⅱ型纤 维连接蛋白基序，在该基序的作用下很容易结合并 降解明胶。同时，他们还能降解Ⅳ，Ｖ和Ⅵ型胶原、 层黏连蛋白及软骨聚焦蛋白聚糖等【４ Ｊ。ＭＭＰ－２特 异性地将Ｉ、Ⅱ犁胶原降解成更小的片段【５ Ｊ。另外， ＭＭＰ－２在溶液中的胶原酶活性与其他基质金属蛋
２
ＭＭＰ－３和ＭＭＰ－９与神经元凋亡 ＭＭＰ－３不仅通过ＦａｓＬ促进神经元的凋亡，还町
以通过剪切胰岛素样生长冈子１的结合蛋白３。作 用于细胞表面神经生长因子前体使其活化，它们相 互作用影响细胞农嘶的微环境，决定细胞牛存或凋 亡¨８Ｉ。Ｗａｌｋｅｒ等Ｈ ９Ｊ的研究表明，ＭＭＰ－３基因缺陷 小鼠双侧颈总动脉闭塞３０ ｍｉｎ后再灌注，小胶质细 胞、肿瘤坏死因子ｏ（ｔｕｍｏｒ
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（上接第８４页） （５）相互练习法。对动手强的内容，可由学生通过在课 堂上相互练习完成。如在学习小儿生长发育各项指标的测 量（体重、身长、头围、胸围、腹围、皮下脂肪等）、小儿常用混 合液的配制、小儿血压的测量、心肺复苏等内容时。教师先 讲解相关理论知识，然后把每４个学生分成ｉ组，相互练习， 掌握不同年龄段小儿体检、诊治的方法技能和注意事项，期 问教师不断纠正错误处。教学实践表明，大多数学生很喜欢 这种教学方式，积极性主动性都非常高，使教与学融为一体。 通过这种学习，学生能在较短时间内学会一些常用的技能操 作，还锻炼了团结协作的精神，同时可以获得相关健康知识 并将这些知识向周围人群传播。 二、结
ｙｅａｒ
ｔＯ
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ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ ｍｅａｓｕｒｅ ｏｆ ｉｎ
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ｓｔｒａｔｅｇｉｃ ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｃｅ．Ｔｈｒｏｕｇｈ ｍｏｒｅ ｔｈａｎ
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ｃｏｕｒｓｅｓ
ｓｃｈｏｏｌ ｈａｓ ｓｃｏｒｅｄ ｒｅｍａｒｋａｂｌｅ
ａｃｈｉｅｖｅｍｅｎｔｓ．Ｔｈｉｓ
・８４・
燃燃
多元化教学法在儿科学教学中的应用
季芙红，索生红 （青海卫生职业技术学院，青海西宁８１００００） ［摘要］ 目的：撂讨多元化教学法在临床医学专业儿科学教学中可行性。方法：在青海卫生职业技术学
院２００５级临床医学１、２班儿科学教学中采用传统教学法、多媒体教学法、ＰＢＬ教学法、病例讨论式教学法、 相互练习法等教学方法相结合的教学法。结果：采用多元化教学方法相结合能调动学生学习的积极性、主动 性，明显提高教学效果。 ［关键词］ 多元化教学法；儿科学；综合应用 ［文献标识码］
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ｔｉｍｅｌｙ ｌａｕｎｃｈ ｏｆ ｔｈｅ ｐｏｉｎｔ，ｂｕｔ ｉｓ ａｌｓｏ ｂｕｉｌｄｉｎｇ ｏｆ ｆｉｎｅ
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（Ｚｈａｏｑｉｎｇ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｃｏｌｌｅｇｅ，Ｚｈａｏｑｉｎｇ ５２６０２０。Ｃｈｉｎａ） ｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｅｓｅｎｔ ｓｉｔｕａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ ｔｅａｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅｌ ｏｆ ｐｈａｒｍａｃｏｌｏｇｙ ａｔ ｈｉｇｈｅｒ ｖｏｃａｔｉｏｎａｌ ｃｏｌｌｅｇｅｓ。ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ ａｎａｌｙｚｅｓ ｔｈｅ ｍａｊｏｒ ｐｒｏｂｌｅｍｓ ｆｏｕｎｄ ｉｎ ｐｈａｒｍａｃｏｌｏｇｙ ｔｅａｃｈｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ｓｐｅｃｉａｌｔｙ．Ｂｙ ｄｉｓｃｕｓｓｉｎｇ ｔｈｅ ｐｒｏｐｅｒ ｃｕｒｒｉｃｕｌａｒ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ，ｔｒａｉｎｉｎｇ ｏｂｊｅｃｔｉｖｅｓ－ｔｅａｃｈｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌｓ－
第２３卷第５期 ２００９年１０月
中国医学教育技术
ＣＨＩＮＡ ＭＥＤＩＣＡＬ ＥＤＵＣＡｌｒＩＯＮ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ
Ｖ０１．２３ Ｎｏ．５ Ｏｃｔ．２００９
以“工学结合”为导向的高职高专药理学课程建设探讨
赵燕芬，胡 苹，郑 恒，陈妙茹，赖文思，闰 莉
（肇庆医学高等专科学校，广东肇庆５２６０２０）
【摘要】：针对传统高职高专药学专业的药理学课程教学现状，分析了其存在的主要问题，探讨 了适应药学岗位实际需求的药理学课程定位、培养目标、教材、课程体系及教学内容等问题，提出了
调学科体系，课程分为理论讲授和动物实验两部分，
理论与实验之比为３：１，造成理论知识与实际应用 脱节，学生在药物应用能力上显得比较薄弱，指导患 者合理用药能力明显不足，无法胜任职业岗位要求。 １．３教材内容缺乏针对性和适用性 １．３．１缺乏高职高专特色 国内现有高职高专药 理学教材基本属于“本科压缩型”，教学内容的设置 过于强调知识的系统性，偏向于高深理论知识，存在 重理论、轻实践现象。 １．３．２缺乏药学职业化 现有药理学教材存在药 理学知识的医疗化现象，处方审核、处方分析、用药 指导、常用药物用法、用量等与药学行业岗位用药所
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能有效实施战略性的人力资源管理， 在企业的经营发展过程 中， 应把对人才的吸纳、 培养和调动人才积极性放在头等重要 的位置上。只有关心人， 满足人的合理需要， 才能调动人的积 极性。医药企业作为高新技术产业， 对人员素质有着更高的 要求。具有战略眼光的企业历来是很重视人力资源的开工和 管理， “ 三九” 集团在生产经营过程中就始终把 “ 尊重人， 理解 人， 关心人， 信任人” 作为管理工作的基本原则， 从而最大限 度地调动员工的积极性和创造性， 增强企业的凝聚力。
(%/
广东药学院学报， %**. ， %’ （1）
员工行为准则等， 这样才能使得企业在激烈竞争环境中处于 良好的状态， 从而保证企业目标的实现。随着 !"#、 !$# 认 证在医药生产、 经营企业的推广， 医药企业应结合各项法律法 规科学地制定各种规章制度、 员工行为准则。企业文化是通 过规章制度而实现对人的有效管理， 一个企业， 特别是高层领
& & 五、 榜样示范
企业的英模人物是企业文化的集中体现者和代表者， 是 广大企业员工的榜样， 运用他的先进事迹和经验推动企业文
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
（ 上接第 1’, 页） & & 当然， 建立配套的教学管理体系， 保证改进教学方法的制 度弹性， 也是教学管理部门需要探讨研究， 从而推动新的 #23 教学方法顺利实施的一个重要方面。 生与学生之间的感情， 教学气氛较以前的传统教学方式明显 轻松、 活跃， 由于师生交流积极， 教学过程容易收到良好效果。 #23 教学方法不仅对学生的知识掌握和智能培养大有裨益， 而且对学生的综合分析、 逻辑思维及口头表达能力的培养非 常有益。此外， 由于 #23 教学方法对教师的素质有较高的要 求， 除了要求应有多学科的知识、 丰富的临床经验、 充分的备 课外， 还应掌握讨论气氛的调动、 引导等技巧。因此， #23 教 学法可促进教师教学技巧和临床工作水平的全面提高。
datasheet_X3100
Preliminary InformationX3100/X3101FEATURE•Software Selectable Protection Levels and Variable Protect Detection/Release Times •Integrated FET Drive Circuitry•Cell Voltage and Current Monitoring •0.5% Accurate Voltage Regulator •Integrated 4kbit EEPROM•Flexible Power Management with 1µA Sleep Mode•Cell Balancing ControlBENEFIT•Optimize protection for chosen cells to allow maximum use of pack capacity.•Reduce component count and cost •Simplify implementation of gas gauge•Accurate voltage and current measurements •Record battery history to optimize gas gauge, track pack failures and monitor system use •Reduce power to extend battery life•Increase battery capacity and improve cycle life battery lifeDESCRIPTIONThe X3100 is a protection and monitor IC for use in battery packs consisting of 4 series Lithium-Ion battery cells. The X3101 is designed to work in 3 cell applications. Both devices provide internal over-charge, over-discharge, and over-current protection circuitry, internal EEPROM memory, an internal voltage regulator, and internal drive circuitry for external FET devices that control cell charge,discharge, and cell voltage balancing.Over-charge, over-discharge, and over-current thresholds reside in an internal EEPROM memory register and are selected independently via software using a 3MHz SPI serial interface. Detection and time-out delays can also be individually varied using external capacitors. Using an internal analog multiplexer, the X3100 or X3101 allow battery parameters such as cell voltage and current (using a sense resistor) to be monitored externally by a separate microcontroller with A/D converter. Software on this microcontroller implements gas gauge and cell balancing functionality in software.The X3100 and X3101 contain a current sense amplifier. Selectable gains of 10, 25, 80 and 160 allow an external 10 bit A/D converter to achieve better resolution than a more expensive 14 bit converter.An internal 4kbit EEPROM memory featuring IDLock ™ , allows the designer to partition and “lock in”written battery cell/pack data.The X3100 and X3101 are each housed in a 28 Pin TSSOP package.Preliminary 3 or 4 Cell Li-Ion Battery Protection and Monitor IC4 cell / 3 cellX3100/X3101 – Preliminary InformationPRINCIPLES OF OPERATIONThe X3100 and X3101 provide two distinct levels of functionality and battery cell protection:First, in Normal mode, the device periodically checks each cell for an over-charge and over-discharge state, while continuously watching for a pack over-current condition. A protection mode violation results from an over-charge, over-discharge, or over-current state. The thresholds for these states are selected by the user through software. When one of these conditions occur, a D ischarge FET or a Charge FET or both FETs are turned off to protect the battery pack. In an over-discharge condition, the X3100 and X3101 devices go into a low power sleep mode to conserve battery power.D uring sleep, the voltage regulator turns off, removing power from the microcontroller to further reduce pack current.Second, in Monitor mode, a microcontroller with A/D converter measures battery cell voltage and pack current via pin AO and the X3100 or X3101 on-board MUX. The user can thus implement protection, charge/discharge, cell balancing or gas gauge software algorithms to suit the specific application and characteristics of the cells used. While monitoring these voltages, all protection circuits are on continuously.In a typical application, the microcontroller is also programmed to provide an SMBus interface along with the Smart Battery System interface protocols. These additions allow an X3100 or X3101 based module to adhere to the latest industry battery pack standards.PIN NAMESPIN DESCRIPTIONSBattery Cell Voltage (VCELL1-VCELL4):These pins are used to monitor the voltage of each battery cell internally. The voltage of an individual cell can also be monitored externally at pin AO.The X3100 monitors 4 battery cells. The X3101 monitors 3 battery cells. For the X3101 device connect the VCELL4/VSS pin to ground.Pin Symbol Description1VCELL1Battery cell 1 voltage input2CB1Cell balancing FET control output 13VCELL2Battery cell 2 voltage4CB2Cell balancing FET control output 25VCELL3Battery cell 3 voltage6CB3Cell balancing FET control output 37VCELL4/VSSBattery cell 4 voltage (X3100)Ground (X3101)8CB4Cell balancing FET control output 49V SS Ground10VCS1Current sense voltage pin 111VCS2Current sense voltage pin 212OVT Over-charge detect/release time input 13UVT Over-discharge detect/release time input 14OCT Over-current detect/release time input 15AO Analog multiplexer output16 AS0Analog output select pin 017AS1Analog output select pin 118AS2Analog output select pin 219SI Serial data input20SO Serial data output21SCK Serial data clock input22CS Chip select input pin23OVP/LMONOver-charge Voltage Protection output/Load Monitor output24UVP/OCPOver-discharge protection output/Over-current protection output25RGO Voltage regulator output pin26RGC Voltage regulator control pin27RGP Voltage regulator protection pin28V CC Power supplyX3100/X3101 – Preliminary InformationCell Voltage Balancing Control (CB1-CB4):These outputs are used to switch external FETs in orderto perform cell voltage balancing control. This functioncan be used to adjust individual cell voltages (e.g.during cell charging). CB1–CB4 can be driven high(Vcc) or low (Vss) to switch external FETs ON/OFF. Whenusing the X3101, the CB4 pin can be left unconnected,or the FET control can be used for other purposes. Current Sense Inputs (VCS1–VCS2):A sense resistor (R SENSE) is connected between VCS1and VCS2 (Figure 1). R SENSE has a resistance in theorder of 20mΩ to 100mΩ, and is used to monitor current flowing through the battery terminals, and protectagainst over-current conditions. The voltage at each endof R SENSE can also be monitored at pin AO.Over-charge Voltage detect Time control (OVT): This pin is used to control the delay time (T OV) associated with the detection of an over-charge condition (see section “Over-charge Protection” on page 13).Over-discharge detect/release time control (UVT): This pin is used to control the delay times associated with the detection (T UV) and release (T UVR) of an over-discharge (under-voltage) condition (see section “Over-discharge Protection” on page 15).Over-current detect/release time control (OCT): This pin is used to control the delay times associated with the detection (T OC) and release (T OCR) of an over-current condition (see section “Over-Current Protection”on page 18).Analog Output (AO):The analog output pin is used to externally monitorvarious battery parameter voltages. The voltages whichcan be monitored at AO (see section “AnalogMultiplexer Selection” on page 20) are:–Individual cell voltages–Voltage across the current sense resistor (R SENSE).This voltage is amplified with a gain set by the user inthe control register (see section “Current MonitorFunction” on page 20.)The analog select pins pins AS0–AS2 select the desiredvoltage to be monitored on the AO pin.Analog Output Select (AS0–AS2):These pins select which voltage is to be multiplexed to the output AO (see section “Sleep Control (SLP)” on page 10 and section “Current Monitor Function” on page 20)Serial Input (SI):SI is the serial data input pin. All opcodes, byte addresses, and data to be written to the device are input on this pin.Serial Output (SO):SO is a push/pull serial data output pin. During a read cycle, data is shifted out on this pin. Data is clocked out by the falling edge of the serial clock. While CS is HIGH, SO will be in a High Impedance state.Note: SI and SO may be tied together to form one line (SI/SO). In this case, all serial data communication with the X3100 or X3101 is undertaken over one I/O line. This is permitted ONL Y if no simultaneous read/write operations occur.Serial Clock (SCK):The Serial Clock controls the serial bus timing for data input and output. Opcodes, addresses, or data present on the SI pin are latched on the rising edge of the clock input, while data on the SO pin change after the falling edge of the clock input.Chip Select (CS):When CS is HIGH, the device is deselected and the SO output pin is at high impedance. CS LOW enables the SPI serial bus.Over-charge Voltage Protection/Load Monitor (OVP/LMON):This one pin performs two functions depending upon the present mode of operation of the X3100 or X3101. —Over-charge Voltage Protection (OVP)This pin controls the switching of the battery pack charge FET. This power FET is a P-channel device. As such, cell charge is possible when OVP/LMON=V SS, and cell charge is prohibited when OVP/LMON=V CC. In this configuration the X3100 and X3101 turn off the charge voltage when the cells reach the over-charge limit. This prevents damage to the battery cells due to the application of charging voltage for an extended period of time (see section “Over-charge Protection” on page 13).X3100/X3101 – Preliminary Information—Load Monitor (LMON)In Over-current Protection mode, a small test current (7.5µA typ.) is passed out of this pin to sense the load resistance. The measured load resistance determines whether or not the X3100 or X3101 returns from an over-current protection mode (see section “Over-Current Protection” on page 18).Over-discharge (Under Voltage) Protection/Over-current Protection (UVP/OCP):Pin UVP/OCP controls the battery cell discharge via an external power FET. This P-channel FET allows cell discharge when UVP/OCP=Vss, and prevents cell discharge when UVP/OCP=Vcc. The X3100 and X3101 turn the external power FET off when the X3100 or X3101 detects either:—Over-discharge Protection (UVP)In this case, pin 24 is referred to as “Over-discharge (Under-Voltage) protection (UVP)” (see section “Over-discharge Protection” on page 15). UVP/OCP turns off the FET to prevent damage to the battery cells by being discharged to excessively low voltages.—Over-current protection (OCP)In this case, pin 24 is referred to as “Over-current protection (OCP)” (see section “Over-Current Protection”on page 18). UVP/OCP turns off the FET to prevent damage to the battery pack caused by excessive current drain (e.g. as in the case of a surge current resulting from a stalled disk drive).TYPICAL APPLICATION CIRCUITThe X3100 and X3101 have been designed to operate correctly when used as connected in the T ypical Application Circuit (see Figure 1 on page 5).The power MOSFET’s Q1 and Q2 are referred to as the “D ischarge FET” and “Charge FET,” respectively. Since these FETs are p-channel devices, they will be ON when the gates are at V SS, and OFF when the gates are at V CC. As their names imply, the discharge FET is used to control cell discharge, while the charge FET is used to control cell charge. Diode D1 allows the battery cells to receive charge even if the Discharge FET is OFF, while diode D2 allows the cells to discharge even if the charge FET is OFF. D1 and D2 are integral to the Power FETs. It should be noted that the cells can neither charge nor discharge if both the charge FET and discharge FET are OFF.Power to the X3100 or X3101 is applied to pin VCC via diodes D6 and D7. These diodes allow the device to be powered by the Li-Ion battery cells in normal operating conditions, and allow the device to be powered by an external source (such as a charger) via pin P+ when the battery cells are being charged. These diodes should have sufficient current and voltage ratings to handle both cases of battery cell charge and discharge.The operation of the voltage regulator is described in section “Voltage Regulator” on page 21. This regulator provides a 5VD C±0.5% output. The capacitor (C1) connected from RGO to ground provides some noise filtering on the RGO output. The recommended value is 0.1µF or less. The value chosen must allow V RGO to decay to 0.1V in 170ms or less when the X3100 or X3101 enter the sleep mode. If the decay is slower than this, a resistor (R1) can be placed in parallel with the capacitor.During an initial turn-on period (T PUR + T OC), V RGO has a stable, regulated output in the range of 5VDC ± 10% (see Figure 2). The selection of the microcontroller should take this into consideration. At the end of this turn on period, the X3100 and X3101 “self-tunes” the output of the voltage regulator to 5V+/-0.5%. As such, V RGO can be used as a reference voltage for the A/D converter in the microcontroller. Repeated power up operations, consistently re-apply the same “tuned” value for V RGO. Figure 1 shows a battery pack temperature sensor implemented as a simple resistive voltage divider, utilizing a thermistor (R T) and resistor (R T’). The voltage V T can be fed to the A/D input of a microcontroller and used to measure and monitor the temperature of the battery cells. R T’ should be chosen with consideration of the dynamic resistance range of R T as well as the input voltage range of the microcontroller A/D input. An output of the microcontroller can be used to turn on the thermistor divider to allow periodic turn-on of the sensor. This reduces power consumption since the resistor string is not always drawing current.D iode D3 is included to facilitate load monitoring in an Over-current protection mode (see section “Over-Current Protection” on page 18), while preventing the flow of current into pin OVP/LMON during normal operation. The N-Channel transistor turns off this function during the sleep mode.Resistor R PU is connected across the gate and drain of the charge FET (Q2). The discharge FET Q1 is turned off by the X3100 or X3101, and hence the voltage at pin OVP/LMON will be (at maximum) equal to the voltage of the battery terminal, minus one forward biased diode voltage drop (V P+–V D7). Since the drain of Q2 is connected to a higher potential (V P+) a pull-up resistorX3100/X3101 – Preliminary Information Figure 1. Typical Application CircuitX3100/X3101 – Preliminary Information(R PU) in the order of 1MΩshould be used to ensure that the charge FET is completely turned OFF when OVP/ LMON=V CC.The capacitors on the V CELL1 to V CELL4 inputs are used in a first order low pass filter configuration, at the battery cell voltage monitoring inputs (VCELL1–VCELL4) of the X3100 or X3101. This filter is used to block any unwanted interference signals from being inadvertently injected into the monitor inputs. These interference signals may result from:–Transients created at battery contacts when the bat-tery pack is being connected/disconnected from the charger or the host.–Electrostatic discharge (ESD) from something/some-one touching the battery contacts.–Unfiltered noise that exists in the host device.–RF signals which are induced into the battery pack from the surrounding environment.Such interference can cause the X3100 or X3101 to operate in an unpredictable manner, or in extreme cases, damage the device. As a guide, the capacitor should be in the order of 0.01µF and the resistor, should be in the order of 10KΩ. The capacitors should be of the ceramic type. In order to minimize interference, PCB tracks should be made as short and as wide as possible to reduce their impedance. The battery cells should also be placed as close to the X3100 or X3101 monitor inputs as possible.Resistors R CB and the associated n-channel MOSFET’s (Q6–Q9) are used for battery cell voltage balancing. The X3100 and X3101 provide internal drive circuitry which allows the user to switch FETs Q6–Q9 ON or OFF via the microcontroller and SPI port (see section “Cell Voltage Balance Control (CBC1-CBC4)” on page 11). When any of the these FETs are switched ON, a current, limited by resistor R CB, flows across the particular battery cell. In doing so, the user can control the voltage across each individual battery cell. This is important when using Li-Ion battery cells since imbalances in cell voltages can, in time, greatly reduce the usable capacity of the battery pack. Cell voltage balancing may be implemented in various ways, but is usually performed towards the end of cell charging (“Top-of-charge method”). Values for R CB will vary according to the specific application.The internal 4kbit EEPROM memory can be used to store the cell characteristics for implementing such functions as gas gauging, battery pack history, charge/discharge cycles, and minimum/maximum conditions. Battery pack manufacturing data as well as serial number information can also be stored in the EEPROM array. An SPI serial bus provides the communication link to the EEPROM.A current sense resistor (R SENSE) is used to measure and monitor the current flowing into/out of the battery terminals, and is used to protect the pack from over-current conditions (see section “Over-Current Protection” on page 18). R SENSE is also used to externally monitor current via a microcontroller (see section “Current Monitor Function” on page 20).FETs Q4 and Q5 may be required on general purpose I/Os of the microcontroller that connect outside of the package. In some cases, without FETs, pull-up resistors external to the pack force a voltage on the V CC pin of the microcontroller during a pack sleep condition. This voltage can affect the proper tuned voltage of the X3100/X3101 regulator. These FETs should be turned-on by the microcontroller. (See Figure 1.)POWER ON SEQUENCEInitial connection of the Li-Ion cells in the battery pack will not normally power up the battery pack. Instead, the X3100 or X3101 enters and remains in the SLEEP mode. T o exit the SLEEP mode, after the initial power up sequence, or following any other SLEEP MOD E, a minimum of 16V (X3100 V SLR) or 12V (X3101 V SLR) is applied to the VCC pin, as would be the case during a battery charge condition. (See Figure 2.)When V SLR is applied to VCC, the analog select pins (AS2-AS0) and the SPI communication pins (CS, CLK, SI, SO) must be low, so the X3100 and X3101 power up correctly into the normal operating mode. This can be done by using a power-on reset circuit.When entering the normal operating mode, either from initial power up or following the SLEEP MODE, all bits in the control register are zero. With UVPC and OVPC bits at zero, the charge and discharge FETs are off. The microcontroller must turn these on to activate the pack. The microcontroller would typically check the voltage and current levels prior to turning on the FETs via the SPI port. The software should prevent turning on the FETs throughout an initial measurement/calibration period. The duration of this period is T OV+200ms or T UV+200ms, whichever is longer.Figure 2. Power Up Timing (Initial Power Up or after Sleep Mode)CONFIGURATION REGISTERThe X3100 and X3101 can be configured for specific user requirements using the Configuration Register. Table 1. Configuration Register FunctionalityTable 2. Configuration Register—Upper ByteTable 3. Configuration Register—Lower ByteOver-charge Voltage SettingsVOV1 and VOV0 control the cell over-charge level. See section “Over-charge Protection” on page 13.Table 4. Over-charge Voltage Threshold Selection Over-discharge SettingsVUV1 and VUV0 control the cell over-discharge (under voltage threshold) level. See section “Over-discharge Protection” on page 15.Over-current SettingsVOC1 and VOC0 control the pack over-current level. See section “Over-Current Protection” on page 18. Table 6. Over-Current Threshold Voltage Selection.Cell Charge Enable SettingsVCE1, VCE0 and SWCEN control the pack charge enable function. SWCEN enables or disables a circuit that prevents charging if the cells are at too low a voltage. VCE1 and VCE0 select the voltage that is recognized as too low. See section “Sleep Mode” on page 15.Table 7. Cell Charge Enable FunctionBit(s)Name Function 0-5–(don’t care)6 SWCEN Switch Cell Charge Enable threshold function ON/OFF7CELLN Set the number of Li-Ion battery cells used (3 or 4)8-9VCE1-VCE0Select Cell Charge Enable threshold10-11VOC1-VOC0Select over-current threshold12-13VUV1-VUV0Select over-discharge (under voltage) threshold14-15VOV1-VOV0Select over-charge voltage threshold15141312111098 VOV1VOV0VUV1VUV0VOC1VOC0VCE1VCE0 X3100 Default = 30H; X3101 Default = 00H.76543210 CELLN SWCEN x x x x x x X3100 Default = C0H; X3101 Default = 40H.Configuration RegisterBitsOperation VOV1VOV000V OV = 4.20V (Default)01V OV = 4.25V10V OV = 4.30V11V OV = 4.35V Table 5. Over-discharge Threshold Selection.ConfigurationRegister Bits OperationVUV1VUV0X3100X3101 00V UV=1.95VV UV=2.25V(X3101 default) 01V UV=2.05V V UV=2.35V10V UV=2.15V V UV=2.45V11V UV=2.25V(X3100 default)V UV=2.55VConfiguration Register BitsOperation VOC1VOC000V OC=0.075V (Default)01V OC=0.100V10V OC=0.125V11V OC=0.150VConfigurationRegister BitOperationSWCEN0Charge enable function: ON1Charge enable function: OFFTable 8. Cell Charging Threshold Voltage Selection.Cell Number SelectionThe X3100 is designed to operate with four (4) Li-Ion battery cells. The X3101 is designed to operate with three (3) Li-Ion battery cells. The CELLN bit of the configuration register (Table 9) sets the number of cells recognized. For the X3101, the value for CELLN should always be zero.Table 9. Selection of Number of Battery Cells1The configuration register consists of 16 bits of NOVRAM memory (T able 2, T able 3). This memory features a high-speed static RAM (SRAM) overlaid bit-for-bit with non-volatile “Shadow” EEPROM. An automatic array recall operation reloads the contents of the shadow EEPROM into the SRAM configuration register upon power-up (Figure 3). Figure 3. Power up of Configuration RegisterThe configuration register is designed for unlimited write operations to SRAM, and a minimum of 1,000,000 store operations to the EEPROM. Data retention is specified to be greater than 100 years.It should be noted that the bits of the shadow EEPROM are for the dedicated use of the configuration register, and are NOT part of the general purpose 4kbit EEPROM array.T he WCFIG command writes to the configuration register, see T able 30 and section “X3100/X3101 SPI Serial Communication” on page 22.After writing to this register using a WCFIG instruction, data will be stored only in the SRAM of the configuration register. In order to store data in shadow EEPROM, aWREN instruction, followed by a EEWRITE to any address of the 4kbit EEPROM memory array must occur, see Figure 4. This sequence initiates an internal nonvolatile write cycle which permits data to be stored in the shadow EEPROM cells. It must be noted that even though a EEWRITE is made to the general purpose 4kbit EEPROM array, the value and address to which it is written, is unimportant. If this procedure is not followed, the configuration register will power up to the last previously stored values following a power down sequence.Configuration Register BitsOperation VCE1VCE000V CE = 0.5V01V CE = 0.80V10V CE = 1.10V11V CE = 1.40VConfigurationRegister BitOperationCELLN1 4 Li-Ion battery cells (X3100 default)0 3 Li-Ion battery cells (X3100 or X3101)1.In the case that the X3100 or X3101 is configured for use withonly three Li-Ion battery cells (i.e. CELLN=0), then VCELL4 (pin7) MUST be tied to Vss (pin 9) to ensure correct operation.Figure 4. Writing to Configuration RegisterCONTROL REGISTERThe Control Register is realized as two bytes of volatile RAM (Table 10, Table 11). This register is written using the WCNTR instruction, see T able 30 and section “X3100/X3101 SPI Serial Communication” on page 22.Table 10. Control Register—Upper Byte Table 11. Control Register—Lower ByteSince the control register is volatile, data will be lost following a power down and power up sequence. The default value of the control register on initial power up or when exiting the SLEEP MOD E is 00h (for both upper and lower bytes respectively). The functions that can be manipulated by the Control Register are shown in Table 12.Table 12. Control Register FunctionalitySleep Control (SLP)Setting the SLP bit to ‘1’ forces the X3100 or X3101 into the sleep mode, if V CC < V SLP . See section “Sleep Mode” on page 15.Table 13. Sleep Mode Selection 15141312111098CBC4CBC3CBC2CBC1UVPCOVPCCSG1CSG07654321SLPxxxxxBit(s)NameFunction0-4–(don’t care)5,60, 0Reserved—write 0 to these locations.7SLP Select sleep mode.8,9CSG1,CSG0Select current sense voltage gain 10OVPC OVP control: switch pin OVP = V CC /V SS 11UVPC UVP control: switch pin UVP = V CC /V SS 12CBC1CB1 control: switch pin CB1 = V CC /V SS 13CBC2CB2 control: switch pin CB2 = V CC /V SS 14CBC3CB3 control: switch pin CB3 = V CC /V SS 15CBC4CB4 control: switch pin CB4 = V CC /V SSControl Register BitsOperationSLP0Normal operation mode 1Device enters Sleep modeCurrent Sense Gain (CSG1, CSG0)These bits set the gain of the current sense amplifier. These are x10, x25, x80 and x160. For more detail, see section “Current Monitor Function” on page 20.Table 14. Current Sense Gain ControlCharge/Discharge Control (OVPC, UVPC)The OVPC and UVPC bits allow control of cell charge and discharge externally, via the SPI port. These bits control the OVP/LMON and UVP/OCP pins, which in turn control the external power FETs.Using P-channel power FETs ensures that the FET is on when the pin voltage is low (Vss), and off when the pin voltage is high (Vcc).OVP/LMON and UVP/OCP can be controlled by using the WCNTR Instruction to set bits OVPC and UVPC in the Control register (See page 10).Table 15. UVP/OVP ControlIt is possible to set/change the values of OVPC and UVPC during a protection mode. A change in the state of the pins OVP/LMON and UVP/OCP, however, will not take place until the device has returned from the protection mode.Cell Voltage Balance Control (CBC1-CBC4)This function can be used to adjust individual battery cell voltage during charging. Pins CB1–CB4 are used to control external power switching devices. Cell voltage balancing is achieved via the SPI port. Table 16. CB1—CB4 ControlCB1–CB4 can be controlled by using the WCNTR In-struction to set bits CBC1–CBC4 in the control register (T able 16).STATUS REGISTERThe status of the X3100 or X3101 can be verified by using the RDSTA T command to read the contents of the Status Register (T able 17).Table 17. Status Register.The function of each bit in the status register is shown in T able 18.Bit 0 of the status register (VRGS+OCD S) actually indicates the status of two conditions of the X3100 or X3101. Voltage Regulator Status (VRGS) is an internally generated signal which indicates that the output of the Voltage Regulator (VRGO) has reached an output of 5VD C ± 0.5%. In this case, the voltage regulator is said to be “tuned”. Before the signal VRGS goes low (i.e. before the voltage regulator is tuned), the voltage at the output of the regulator is nominally 5VDC ± 10% (See section “Voltage Regulator” on page 21.) Over-current D etection Status (OCD S) is another internally generated signal which indicates whether or not the X3100 or X3101 is in over-current protection mode.Signals VRGS and OCDS are logically OR’ed together (VRGS+OCDS) and written to bit 0 of the status register (See Table 18, T able 17 and Figure 2).Control Register BitsOperationCSG1CSG000Set current sense gain=x1001Set current sense gain=x2510Set current sense gain=x8011Set current sense gain=x160Control Register BitsOperation OVPC UVPC1x Pin OVP=V SS (FET ON)0x Pin OVP=V CC (FET OFF)x1Pin UVP=V SS (FET ON)x0Pin UVP=V CC (FET OFF)Control Register BitsOperation CBC4CBC3CBC2CBC1x x x1Set CB1=V CC (ON) x x x0Set CB1=V SS (OFF) x x1x Set CB2=V CC (ON) x x0x Set CB2=V SS (OFF) x1x x Set CB3=V CC (ON) x0x x Set CB3=V SS (OFF) 1x x x Set CB4=V CC (ON) 0x x x Set CB4=V SS (OFF)76543210 00000CCES+OVDSUVDSVRGS+OCDS。
periodical__yxjy__yxjy2009__0906pdf__090615
在有限条件下进行药理学实验教学改革张林跫邓先扩黔南民族医学高等专科学校药学系（都匀５５８００３）摘要在有限的办学条件下，充分利用现有资源，训练学生药理学实验基本技能，强化学生对药理实验中“量”的理解，注意提高学生学习兴趣，培养学生独立思考的能力和实事求是的科学精神，增设命题式设计性实验，加强生命伦理教育，使用现代教学手段，努力提升学生综合素质，使学生初步建立较完善的药理学实验学科体系，达到高职高专人才培养的要求。
关键词有限条件；高职高专；药理学实验；教学改革高职高专教育是一种广义的职业教育，其目的是培养出界于本科教育和中专及技工教育之间既要有一定理论水平，又要有一定专业技能；既要具备一定的综合素质，又要具备一定专业能力的宽口径、厚基础、广用途的人才。
…药理学是一门理论性和实践性很强的专业学科，其教学过程包括理论教学和实践教学，两者相辅相成，缺一不可。
实验教学对于培养学生严谨的科研思维、创新能力和协作精神具有至关重要的作用。
通过实验教学，不仅能使学生加深对理论知识的理解，更重要的是通过实践，直接培养学生的科学思维、实验设计、实验操作和观察、搜集、处理实验数据及撰写实验报告等能力，为今后独立工作打下坚实的基础。
［２１如何在有限的教学条件下，将学生培养成符合社会发展需要，达到具有高度的社会责任感，宽厚的现代基础理论，坚实的医药学专业知识与技能，扎实的解决实际问题的能力，勇于观察、思考以及探索创新的要求，笔者根据在教学中的经验作一初步探讨。
一、充分利用现有资源训练基本操作受实验条件等因素的限制，部分学校现开设的药理学实验基本上都为验证性实验，每次都只是验证理论课上所学的结论，有时会造成实验资源的浪费。
比如，在“肝功能损害对硫喷妥钠作用的影响”实验中，学生观察小鼠翻正反射后处死动物实验就结束了。
笔者让学生在主体实验结束后，练习小鼠的捉持、皮下、腹腔及尾静脉注射等基本技能；再如，在“传出神经药对兔瞳孔作用”的实验后，给学生进行兔耳缘静脉注射的操作练习。
periodical__yxjyts__yxjy2006__0610pdf__061012
! 探索药理学实验教学改革 # 培养学生创新思 维能力及综合应用能力
高等教育的目标是培养具有实践能力及创新精神的各类 人才 $ 药理学是一门实验性科学 # 其实验教学是药理学教学不 可缺少的重要部分 $ 药理学实验课是学生们加强对理论知识的 理解和巩固 * 培养学生科学思维和创新思维的重要环节 $ 传统 的药理学实验教学方法因教学观念陈旧及教学手段单一等 # 已 远远不能适应新的教学理念 (’)$ 为此 # 我们进行了以下药理学实 验改革 ’
到双语教学的真正目的 # 而实施全英语授课又与学生实际情况 不符 $ 为此 # 我们以美国著名医学院校教材 ( 图解药理学 )! 英文 影 印 版 "为 依 据 #制 作 了 符 合 高 职 护 理 学 教 学 大 纲 和 学 生 实 际 情 况 的 药 理 学 英 文 教 案 及 ./0 教 学 课 件 # 在 授 课 * 板 书 及 ./0 课件中 # 力求英文内容达到 $"12#"1$ 而对普通护理专业及康 复 * 药学等专业的学生 # 英文授课内容制定为 ’"1 左右 $
;摘
要 <! 我校药理教研室针对国内外市场对护理专业应用型人才的需求 % 探索了一系列药理学教学改革的举措 ) 积极推广双语教
学 $ 大胆改革药理学实验教学 $ 合理使用现代化教育教学技术等 &
;关键词 <! 药理学 * 教学改革 * 探索 ;中图分类号 <! *#(!+" ;文献标识码 <! , ;文章编号 <! %#-%./$#0!!""#"%"."0%0."!
杀 了 学 生 主 动 学 习 的 积 极 性 #所 以 减 少 验 证 性 实 验 *增 设 创 新 性实验已势在必行 $ 为此 # 我们增设了部分有创新性的设计性 实验内容 # 如让同学们自行设计动物实验以鉴别肾上腺素 * 去 甲肾上腺素及异丙肾上腺素 # 将原有的局部麻醉药的表面麻醉 作用及毒性比较实验也改为其它方式的设计性的实验等 $ 这一 实验教学改革 # 使同学们充分发挥利用了他们的聪明才智 # 培 养提高了他们科学思维及创新思维的能力 $
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师使用的临床主要药物作为教学重点之一，其中也
加入一些课本上还没加入的新药，使学生的知识面
得到更快的更新，为下一步临床实习打下良好的基
础。
参考文献
【ｌ】１ 谭菁瑜，梁丽霞，欧阳葆怡，等．麻醉药理学见习模拟教学方式的 探讨【Ｊ】．西北医学教育，２００７，１５（６）：１１６“１１６７ 【２】吕俊华，钟玲，熊爱华．药理学实验教学体系平台的构建田．药学
教育，２００４，２０（３）：３８枷
【３】吴章怀，章卓。李华，等计算机模拟教学在麻醉药理学教学中应
用【Ｊ１．四川生理科学杂志。２００９。３１（２）：９０—９２ 【４】Ｅｕｌｉｎｏ ＴＹ。Ｇｏｏｄ ＭＬ．Ｓｉｍｕｌａｔｏｒ
Ｌｏｒａｌ ｍｏｄｅｌ ｂｏｍ
ｉｎ ｔｒａｉｎｉｎｇ
ｉｎ∞∞ｔｌｌ∞ｉａ
ｇｒｏｗｉｎｇ
ｓｕｂｊｅｃｔ ｗｏｕｌｄ
ｐｌａｙ
ｖｉｔａｌ ｒｏｌｅ ｉｎ ｔｒａｉｎｉｎｇ
ｓｔｕｄｅｎｔ’ｓ ｉｄｅａ ｏｆ ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ
ａｎｄ
ｃｒｅａｔｉｖｉｔｙ．Ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ
ｍｏｄｅｍ ｔｅａｃｈｉｎｇ ｍｅａｎｓ ｗｉｔｈ ｃｌｉｎｉｃａｌ
ｍｅｄｉｃｉｎｅ ｉｓ
ａｎ
ｅｖａｌｕａｔｉｖｅ ｔｅｎｄｅｎｃｙ ｆｏｒ ｅｄｕｃａｔｉｏｎ ｏｆ ａｎｅｓｔｈｅｔｉｃ ｐｈａｒｍａｃｏｌｏｇｙ ｉｎ ｔｈｅ ｆｕｔｕｒｅ． ｒｅｆｏｒｍ ｐｒｏｇｒａｍ；Ｔｅａｃｈｉｎｇ ｍｅｔｈａｄ
征的改变，然后通过模拟药物治疗，达到治疗效果。 通过模拟教学能给学生留下最真实的感官印象，从 而使《麻醉药理学》的教学更贴合实际，也培养了学
脑打印的方式输出家兔血流动力学及肌松监测的记 录。从学生课后的反馈可看出，互动式的教学能提 高学生的课堂兴趣与积极性。互动式的教学还能提
periodical__ybdxyxxb__ybdx2010__1002pdf__100230
［３］Ｇｉａｎｇ ＤＷ，Ｋｉｄｏ
ａｔｅｄ ｗｉｔｈ
ＤＫ．Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｇｌｏｂａｌ ａｍｎｅｓｉａ ａｓｓｏｅｉ—
ｕｓｅ
ｃｅｒｅｂｒａｌ ａｎｇｉｏｇｒａｐｈｙ ｐｅｒｆｏｒｍｅｄ ｗｉｔｈ
ｏｆ
［４］
ｉｏｐａｍｉｄｏｌ［Ｊ］．Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ，１９８９，１７２（１）：１９５． 榇原幸人．神经内科［Ｍ］．２版．东京：文光堂，１９９５：
通过下调ＰＩ ３一Ｋ和蛋白激酶８、病灶粘连激酶、基质
比值升高，提示通过Ｂａｘ上调发挥凋亡作用．Ｓｕ 等ｕ２３对人胰腺癌细胞株的研究也证明，转染Ａｄ—
ＩＬ－２４后３ ｈ时，对Ａｄ—ＩＬ．２４敏感的ＡｓＰＣ一１，ＭＩＡ
金属蛋白酶２和基质金属蛋白酶９的合成，使肿瘤 细胞体外侵袭转移能力下降，并对肺癌的转移模型 也有抑制作用．
万方数据
・
１５０・
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｙａｎｂｉａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ
ＪｕｒＬ ２０１０
Ｖ０１．３３ Ｎｏ．２
例．Ｌｉ等¨刈用Ａｄ—ＩＬ－２４转染人乳腺癌ＭＤＡ—ＭＢ
２３１细胞４８ ｈ，经ＲＴ－ＰＣＲ检测结果示，Ｂａｘ／Ｂｃｌ－２
的形成．
４．３抑制肿瘤细胞的转移扩散Ｒａｍｅｓｈ等¨印用 Ａｄ—ＩＬ－２４基因转染Ｈ１２９９细胞和Ａ５４９细胞发现，
ＣＯＳ细胞的能力增强，说明ＩＬ－２４受体有２种，
即ＩＬ一２２ Ｒ １／ＩＬ一２０ Ｒ ２和ＩＩ。一２０ Ｒ １／ＩＬ一２０ Ｒ ２，均是
异源二聚体，均属于细胞受体家族．ＩＩ。－２４与上述 ２种受体的亲和力相同，ＩＩ，２４可单独结合ＩＬ－２０
Ｒ ２
亚单位，与ＩＩ，一２０Ｒ１或ＩＬ一２２Ｒ１共表达不仅可增加 亲和力，亦是受体活化所必需的．
periodical__jzyxyxb-shkxb__jzyx2009__0903pdf__090309
的术语如何等多方面）进行评估，以检验ＳＰ的应 用效果。（见表２）通过量化观察比较，我们发现 使用ｓＰ进行内科临床教学的学生对内科学的临床 诊疗能力与应用真实病人相比差异无显著性，ＳＰ 扮演效果与真实病人相比差异无显著性。
实习学生在内科学教学中应用ＳＰ和真实病人进行问诊、查体成绩的比较（ｉ±ｓ）
注：问诊成绩＋查体成绩＝１００分 表２学生评估ＳＰ扮演病人的演示与真实病人效果比较（叉±ｓ）
表示认同。大多数学生认为，ＳＰ在临床教学中的
应用，更能提高他们的问诊及查体技能水平，确实 能达到与真实病人相同的实习效果。在随后的跟踪 调查中，我们还发现经过ＳＰ培训的大部分学生在 毕业后接触病人时的交流水平明显高于未经过ｓＰ 培训的学生。这说明ＳＰ在内科学实践教学中有其 推广价值和意义。◆
【参考文献】 ［１］刘威。陈游，苗雄鹰．急腹症标准化病人的培训及其在临
如何使医学生在内科学教学中尤其是Ｉ临床教学 的实践阶段掌握扎实的问诊技巧、查体基本功，进 而提高对内科常见病、多发病的识别和诊断能力， 是内科学教学中必须解决的问题之一。然而，随着 病人自身保护意识的逐渐增强，患者拒绝实习医生 的诊疗行为已日趋明朗化。为解决这一教学矛盾， 弥补传统教学方式的不足，辽宁医学院自２００６年 底开始尝试将标准化病人（Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚｅｄ
２７
・医学教育・
万方数据
床教学中的应用［Ｊ］．中国高等医学教育，２００６，２０ （１）：１０一１１。５７． ［２］高爱民，邓兆滨，王寿宇．探索标准化病人（ＳＰ）在诊断 学实践教学中的应用［Ｊ］．大连大学学报２００５，２６（６）：
６ｌ一６３．
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匹耍匿药２Ｑ鲤生鱼旦篁璺生鲞蔓鱼塑Ｉｉ垫四丛曼鱼ｉ！型』螋婴尘』丛坠２Ｑ螋，ｙ尘：丝，堕Ｑ：查切除修复交叉互补基因１与铂类耐药的研究进展李建旺综述李邦华审校【关键词１切除修复交叉互补基ｌ（ＥＲＣＣｌ）；ＤＮＡ修复；核苷酸切除修复；铂类耐药【中图分类号１Ｒ９７９．１铂类药物是２０世纪６０年代开发的新型无机抗癌药．经历了近３０年的研究发展。
已相继成功开发了顺铂（Ｃｉｓｐｌａｔｉｎ）、卡铂（Ｃａｒｂｏｐｌａｔｉｎ）、奈达铂（Ｎｅｄａｐｌａｔｉｎ）、奥沙利铂（Ｏｘａｌｉｐｌａｔｉｎ）、舒铂（Ｓｕｎｐｌａ）和洛铂（Ｌｏｂａｐｌａｔｉｎｌ，用于临床治疗癌症。
但耐药性却使它们对许多肿瘤治疗的疗效受限。
铂类耐药的原因很多．其中ＤＮＡ损伤修复能力增强是导致铂类耐药的主要原因．切除修复交叉互补基因１（ｅｘｃｉｓｉｏｎｒｅｐａｉｒＣＯＳＳｃｏｍｐｌｅｅｔｉｏｎ１ＥＲＣＣＩ）则是ＤＮＡ修复中的一个重要因子．切除修复交叉互补基因ｌ一直是肿瘤研究的热点．近年来ＥＲＣＣｌ在铂类耐药中作用日益明确．尤其在顺铂及奥沙利铂耐药性的研究近年来非常热门。
本文就其研究进展作一综述。
１ＥＲＣＣｌ与铂类耐药的机理铂类耐药是由多种因素引起．包括药物积聚减少；药物解毒增加（如谷胱甘肽和金属硫蛋白）；ＤＮＡ损伤修复能力（ＤＮＡｒｅｐａｉｒｃａｐａｃｉｔｙ．ＤＲＣ）增强及铂类一ＤＮＡ加合物增加等。
ＤＲＣ改变是铂类耐药的重要分子基础［４１。
ＤＮＡ损伤修复能力增强是导致铂类耐药的主要原因。
铂类药物含有类似烷化剂的双功能基团．与细胞内亲核基团结合．无选择地分布在肿瘤组织中。
它抗癌作用的主要靶点为ＤＮＡ．阻止其复制及转录。
造成细胞死亡。
铂类药物的细胞毒作用主要是形成铂一ＤＮＡ加合物．包括单加合物与链内交联．从而抑制ＤＮＡ复制及转录．导致ＤＮＡ断裂和错误编码．且该加合物的浓度与铂类化疗效果相关１５１。
ＤＮＡ损伤修复过程异常复杂，如ＤＮＡ损伤的识别、受损片段的切除、新ＤＮＡ链的合成和新链ＤＮＡ与母链的连・６２５・・综述与讲座・接等。
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中国美容医学２０１０年３月第１９卷第３期ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｅｓｔｈｅｔｉｃＭｅｄｉｃｉｎｅ．Ｍａｒ．２０１０．Ｖ０１．１９．Ｎｏ．３４５３ｔｏｍｏｇｒａｐｈｉｃａｎｇｉｏｇｒａｐｈｙａｎｄｄｏｐｐｌｅｒｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ叨．ＰｌａｓｔＲｅｃｏｎｓｔｒＳｕｒｇ，２００８，１２１（１Ｓｕｐｐｌ）：１－８．［３０］ＳｍｉｔＪＭ，Ｄｉｍｏｐｏｕｌｏｕ丸ＬｉＳＳＡＧ，ｅｔａ１．ＰｒｅｏｐｅｒａｔｉｖｅＣＴａｎｇｉｏｇｒａｐｈｙｒｅｄｕｃｅｓｓｕｒｇｅｒｙｔｉｍｅｉｎｐｅｒｆｏｒａｔｏｒｆｌａｐｒｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ【Ｊ】．ＪＨａｓｔＲｅｃｏｎｓｔｒＡｅｓｔｈｅｔＳｕｒｇ，２００９，６２（９）：ｌｌ１２・ｌｌ１７．【３１］ＭａｓｉａＪ，ＫｏｓｕｔｉｃＤ，ＣｌａｖｅｒｏＪＡ，ｅｔａ１．ＰｒｅｏｐｅｒａｔｉｖｅＣｏｍｐｕｔｅｄＴｏｍｏｇｒａｐｈｉｃＡｎｇｉｏｇｒａｍｆｏｒＤｅｃｐＩｎｆｅｒｉｏｒＥｐｉｇａｓｔｒｉｃＡｌｔｅ巧ＰｅｒｆｏｒａｔｏｒＦｌａｐＢｒｅａｓｔＲｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ忉．ＪＲｅｃｏｎｓｗＭｉｃｒｏｓｕｒｇ，２０１０２６（１）：２１・２８．【３２］ＲｏｚｅｎＷＭ，ＳｔｅｌｌａＤＬ，ＢｏｗｄｅｎＪ，ｃｔａ１．Ａｄｖａｎｃｅｓｉｎｔｈｅｐｒｅ－ｏｐｅｒａｔｉｖｅｐｌａｎｎｉｎｇｏｆｄｅｅｐｉｎｆｅｒｉｏｒｅｐｉｇａｓｔｒｉｃａｒｔｅｒｙｐｅｒｆｏｒａｔｏｒｆｌａｐｓ：ｍａｇｎｅｔｉｃｒｅｓｏｎａｎｃｅａｎｇｉｏｇｒａｐｈｙ田．Ｍｉｃｒｏｓｕｒｇｅｒｙ，２００９，２９（２）：１１９・１２３．［３３１ＬｅｈｍａｎｎＣ，ＧｕｌｎｅｎｇｒＲ，ＭｏｎｔａｎｄｏｎＤ．Ｓｅｎｓｉｂｉｌｉｔｙａｎｄｃｕｔａｎｅｏｕｓｒｃｉｎｎｃｒｖａｔｉｏｎａｆｔｅｒｂｒｅｓｓｔｒｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎｗｉｔｈｍｕｓｃｕｌｏｃｕｔａｎｅｏｎｓｆｌａｐｓ阴．ＡｎｎＰｌａｓｔＳｕｒｇ，１９９１，２６（４）：３２５—３２７．【３４］ＹａｎＸＱ，ＹＡＮＧＨＹｔＺｈａｏＹＭ，ｅｔａ１．Ｄｅｅｐｉｎｆｅｒｉｏｒａｐｉｇａｓｔｒｉｃｐｅｒｆｏｒａｔｏｒｆｌａｐｆｏｒｂｒｅａｓｔｒｃｃｏｎｓｔｎｍｔｉｏｎ：ｅｘｐｅｒｉｅｎｃｅｗｉｔｈ４３ｎａｐｓ【Ｊ】．ＣｈｉｎＭｅｄＪ，２００７．１２０（５）：３８０－３８４．【３５］ＢｌｅｎｄｅｄＰＮ，ＤｅｍｕｙｎｃｋＭ，ＭｅｔｅＤ，ｅｔａ１．Ｓｅｎｓｏｒｙｎｅｌ＇Ｖ＠ｒｅｐａｉｒｉｎｐｅｒｆｏｒａｔｏｒｆｌａｐｓｆｏｒａｕｔｏｌｏｇｏｕｓｂｒｅａｓｔｒｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ：ｓｅｎｓａｔｉｏｎａｌｏｒｓｅｎｓｅｌｅｓｓ［Ｊ］？ＢｒＪＰｌａｓｔＳｕｒｇ．１９９９。
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ｆ｜缶床医药实践２０１０年２月第１９卷第２Ａ期文章编号：１６７１—８６３１（２０１０）０２－－０１１３一０３三氧治疗联合ＥＣＦ方案治疗进展期胃癌的疗效观察郭志强，段惠萍（山西省汾阳医院，山西汾阳０３２２００）・１１３・摘要目的：观察三氧治疗对晚期胃癌ＥＣＦ方案化疗的影响。
方法：５５例胃癌患者均采用ＥＣＦ方案化疗，其中治疗组２８例加用三氧治疗．比较两组近期疗效、化疗后生活质量、不良反应及细胞免疫功能情况。
结果：两组病例近期疗效比较，治疗组与对照组相似（Ｐ＞０．０５）；化疗后患者生活质垦评价治疗组优于对照组（Ｐ＜ｏ．０５），治疗组化疗后肝功能损害低于对照组（Ｐ＜ｏ．０５），治疗组化疗后的细胞免疫功能较对照组明显增强（Ｐ＜ｏ．０５）。
结论：三氧治疗联合ＥＣＦ方案治疗晚期胃癌，在稳定病灶、改善临床症状、提高患者生活质量、增强细胞免疫方面显示出一定优势。
关键词三氧治疗；胃癌；化学疗法中图分类号：Ｒ７３５．２文献标识码：Ｂ胃癌是最常见的恶性肿瘤之一，进展期胃癌占整个胃癌发病率的６０％－－－８０％，其多伴有淋巴、血行及（或）腹膜转移，或直接浸润扩散｜１］。
ＥＣＦ化疗方案对进展期胃癌疗效确切，但化疗过程中的毒副反应一直是困扰临床的重要问题ｆ２］。
应用三氧联合ＥＣＦ方案治疗进展期胃癌取得了较好疗效，报告如下。
１资料与方法１．１一般资料２００７年２月一２００９年２月收治的进展期胃癌患者５５例，均经病理学证实，有可评价病灶，预计生存期≥３个月ＫＰＳ评分≥６０分。
三氧治疗联合ＥＣＦ方案组（治疗组）２８例，单纯ＥＣＦ化疗组（对照组）２７例；男３２例，女２３例；年龄３２～７３岁，中位年龄４９岁。
两组患者间一般情况均衡，具有可比性，均可评价疗效及毒性反应。
１．２治疗方法对照组：予ＥＣＦ方案化疗，表柔比星５０ｍｇ／ｍ２，第１天；亚叶酸钙２００ｍｇ／ｍ２，第１～３天；氟尿嘧啶６００ｍｇ／ｍ２，第１～３天；顺铂２５ｍｇ／ｍ２，第１～３天。
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Ｉ菏杂志。
２００１，２０（１）：２２—２４．［５】ＣｏｍｂｏｓＰ。
ＦａｕｖａｇｅＢ。
ＯｌｅｙｅｒＣ．Ｎｏｓｕｅｍｎｉａｌｐｎｅｕｍｏｎｉａｉｎｍｅｅｈａｎ．ｉｅａｄｌｙｖｅｎｔｉｌａｔｅｄｐａｔｉｃｍ．ａｐｍｓｐｅｃｆｉｖｅＩａｌｌｄｏｌｎｉ８ｅｄｅｖａｌｕａｔｉｏｎ０ｆｔｈｅＳｔｅｒｉｃａｔｈｄｏｓｅｄｓｕｃｔｉｏｎｉｎｇｓｙｓｔｅｍ［Ｊ】．ＩｎｔｅｎｓｉｖｅＣａｒｅＭｅｄ，２０００，２６（７）：８７８—８８２．【６】ｌｅｅＥＳ．ＫｉｍＳＨ．ＫｉｎｄＳ．ＥｆｆｅｃｔＳｏｆａｄｏｗｃｌｅｎｄｏｔｒａｃｈｅａｌＳＵＣ－ｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍＯｇｌｏｘｙｇｅｎｓａｔｕｒａｔｉｏｎ，ｖｅｎｔｉｌａｔｏｒａｓｓｏｃｉａｔｅｄｐｎｅｕｍｏｎｉａ，ａｎｄｎｕｒｓｉｎｇ娟ｃａｃｙ［Ｊ】．ＴａｅｈｅｎＫａｎｈｏＨａｋｈｏｅＣｈｉ．２００４，３４（７）：１３１５—１３２５．［７】尹利华。
王建荣。
张利岩．密闭式吸痰研究进展［Ｊ】．南方护理学报，２００５．１２（４）：１３一１５．Ｃ８］Ｍａ掰ｉ甜ｅＳＭ，ＬｅｌｌｏｕｃｈｅＦ，ＰｉｇｅｏｔＪ。
ｅｔａ１．Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎｏｆｏｎｄｏｔｎｉｃｈｅ－ＩＩｓｕｃｔｉｏｎｉｎｇｉｎｄｕｃｅｄａｌｖｅｏｌａｒｄｅｒｅｃｍｉｔｍｅｎｔｉｎａｃｕｔｅｌｕｎｇｉｎｊｕｒｙ［Ｊ］．ＡｍＪｌｔｅｓｐｌｒＣｒｉｔＣａｒｅＭｅｄ．２００３，１６７（９）：１２１５—１２２４．［９】ＣｏｒｅｄａＭ，ｙｉｌｈＦ，ＣｏｌｏｍｂｏＥ．ｅｔａ１．ＣＩｏｓｅｄｓｙｓｔｅｍｅｎｄｏｔｒａｃｈｅｕｌ・１０３・ｓｕｃｔｉｏｎｉｎｇｍａｉｎｔａｉｎｓｌｕｎｇｖｏｌｕｍｅｄｕｒｉｎｇｖｏ｜ｕｍｅｃｏｏｔｒｏｌｌｅｄｍｅｏｌｕｍ－ｉｅａｌｖｅｎｔｉｌａｔｉｏｎ［Ｊ］．ＩｎｔｅｎｓｉｖｅＣａｒｅＭｅｄ，２００１．２７（４）：６４８—６５４．【１０］王晓萍．传统式吸痰与密闭式吸痰方式的辐床比较［ｊ】．中国实用护理杂志，２００４，２０（４）：４１．［１１】ＳａｌｖａｔｏｒｅＭ．Ｍａｇｇｉｏｒｅ，ＦｍｍｅｕｉｓＬｅｌｌｅｕｅｈｅ，ＪｅｒｏｍｅＰｉｇｅｏｔ，ｅｔｄ．Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎｏｆｅｎｄｏｔｒａｃｈｅａｌｓｕｃｔｉｏｎ—ｉｎｄｕｃｅｄａｌｖｅｏｌａｒｄｅｒｅｅｕｉｔｍｏｎｔｉｎａｃｕｔｅｌｕｎｇｉｎｊｕｒｙ［Ｊ］．ＡｍｅｒｉｃａｎＪｏｕｒｎａｌｏｆＲｅｓｐｌｍｔｅｌｙａｎｄＣｒｉｔＣａｒｅＭｅｄｉｃｉｎｅ，２００３，１６７（９）：１２１５—１２２４．［１２】Ｓｔｅｎｑｖｉｓｔ，ｓ．Ｌｉｎｄｇｒｅｎ，ｓ．Ｋａｒａｓｏｎ，ｅｔａ１．Ｗａｒｎｉｎｇ！Ｓｕｃｔｉｏｎ．Ａｌｕｎｇｍｏｄｅｌｅｖａｌｕａｔｉｏｎｏｆｃｌｏｓｅｄｓｕｃｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍ［Ｊ］．ＡｃｔａＡｒｍｅｓｔｈｅｓｉｏｉＳｔａｎｄ。
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当代医学２０１０年４月第１６卷第１０期总第２０１期ＣｏｎｔｅｍｐｏｒａｒｙＭｅｄｉｃｉｎｅ，Ａｐｔ．２０１０，Ｖ０１．１６Ｎｏ．１０ＩｓｓｕｅＮｏ．２０１ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００９—４３９３．２０１０．１０．０１９组织因子及组织因子途径抑制物在ＰＣＩ中无复流的研究进展何凌宇夏勇［摘要】研究发现组织因子及组织因子途径抑制物与ＰＣＩ中无复流的发生密切相关，现就组织因子及组织因子途径抑制物与无复流做一综述。
【关键词１组织因子，组织因子途径抑制物；无复流［Ａｂｓｔｒａｃｔ］Ｍａｎｙｓｔｕｄｉｅｓｈａｖｅｆｏｕｎｄｔｈａｔｔｉｓｓｕｅｆａｃｔｏｒａｎｄｔｉｓｓｕｅｆａｃｔｏｒｐａｔｈｗａｙｉｎｈｉｂｉｔｏｒｉｓｃｌｏｓｅｌｙｒｅｌａｔｅｄｔｏｎｏ—ｒｃｆｌｏｗｏｆＰＣＩ．Ｔｈｉｓａｒｔｉｃｌｅｓｕｍｍａｒｉｚｅｓｒｅｓｅａｒｃｈｉｎｔｏｔｈｅｐｒｏｇｒｅｓｓｉｎｎｏ－ｒｅｆｌｏｗｏｆＰＣＩｉｎｔｉｓｓｕｅｆａｃｔｏｒａｎｄｔｉｓｓｕｅｆａｃｔｏｒｐａｔｈｗａｙｉｎｈｉｂｉｔｏｒ．【Ｋｅｙｗｏｒｄｓ］ｔｉｓｓｕｅｆａｃｔｏｒ；ｔｉｓｓｕｅｆａｃｔｏｒｐａｔｈｗａｙｉｎｈｉｂｉｔｏｒ；ｎｏ－ｒｃｆｌｏｗ近年来，组织因子及组织因子途径抑制物在ＰＣＩ中冠状动脉无复流（ｎｏｒｅｆｌｏｗ，ＮＲ）中的作用备受关注，研究表明，组织因子及组织因子途径抑制物可能不但参与无复流的发生发展，而且与无复流的预后密切相关。
组织因子（ｔｉｓｓｕｅｆａｃｔｏｒ，ＴＦ）作为外源性凝血途径起始启动子，是血栓形成的关键成分。
组织因子途径抑制物（ｔｉｓｓｕｅｆａｃｔｏｒｐａｔｈｗａｙｉｎｈｉｂｉｔｏｒ，ＴＦＰＩ）是调节ＴＦ介导的凝血过程的主要生理抑制物，是新确定的一种抗凝物质。
在ＰＣＩ中ＴＦ及ＴＦＰＩ与微血栓形成相互关联，共同影响着无复流的发生发展。
现就ＴＦ及ＴＦＰＩ在ＰＣＩ中无复流的研究进展作一综述。
１组织因子与无复流１．１组织因子在无复流发病机制中的作用目前研究表明ＰＣＩ术中冠状动脉无复流核心发病机制是微血栓形成和心肌再灌注损伤所造成的冠脉微循环障碍…，ＴＦ在微血栓形成方面起着重要作用。
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作者单位：６４（３０００四川，泸州医学院附属医院肿瘤科［苏州（硕士研究生）、吴敬波］
万方数据
酉直至医垫！Ｑ生！旦
筮！兰鲞笙≥塑』螋婴鲎遁坚塑！型塾蠼鲤ｉ！墅！！！！塑！ｇ坚！！：！！！：！！：堕坚！：丛型：垫！！ 胶质瘤病人的ｌ／ＩＩ期临床试验。
。５２９・
能够使病人获益¨“。然而，临床试验也发现一些方案结合治 疗剂量的替拉扎明有较大的毒性。这是由于其低于标准的药 代动力学的特点和对轻度乏氧的正常组织也有细胞毒性ｕ ２｜。 研究者尝试合成一种ＴＰＺ类似物来改进治疗如前讨论的治疗 特点。最近的研究焦点在于提高替拉扎明在血管外的弥散能 力。由于这个能力对于替拉扎明来说是不足的，所以限制了它 对乏氧细胞的放射增敏能力。基于这个目标，Ｄｅｎｎｙ【ｌ副和他的 同事在奥克兰大学合成了一系列新的基于ＴｆｆＺ的１，２，４一苯 并三唑类似物，它在人结肠癌移植瘤模型的放疗实验表明它有 合适的血管外转运能力和乏氧细胞毒性。实验表明在肿瘤移 植瘤模型中该化合物的活性是ＴＰＺ的三倍¨“。该研究组声称 新的关于１１Ｐｚ的三均三嗪的氧化物和二氧化物在肿瘤治疗中 对乏氧细胞有选择性毒性并能作为放射增敏剂使用。在实验 中发现这些化合物在体内对乏氧肿瘤细胞比三均三嗪具有更 低的还原电位，它的前导化合物在人结肠癌移植瘤模型中比 ＴＰＺ更能增强分次放疗的抗肿瘤作用，但是这个具有放射增敏 性的活性成分还未确定。 另一类乏氧选择性生物还原药物代表是二硝基苯芥，它能 选择性活化乏氧肿瘤细胞的硝基还原酶，从而产生ＤＮＡ交联 芥子的细胞毒素。因为这一类药物的第一代化合物只有低水 溶性，在奥克兰大学的专利申请书中表明进一步合成了新的磷 酸酯类似物。研究表明它的前导化合物ＰＲ一１０４【１４１在静脉注 射时在小鼠身上能够很好耐受，该化合物通过全身的磷酸酶能 被迅速水解为乙醇。ＰＲ一１０４Ａ，它是ＰＲ一１０４的一种代谢产 物，它能够通过亲脂性到达在肿瘤深处的乏氧靶向细胞，在此 能够转化为ＰＲ一１０４Ｈ的细胞毒性物质【ｌ“。ＰＲ一１０４在肿瘤 移植瘤模型是一种有放射增敏性的活性物质，并且它的放射增 敏活性已经证明比ＴＩ：＇Ｚ更强，最可能的原因是ＰＲ一１０４代谢 产物的细胞毒性增加和它对乏氧肿瘤组织扩散距离更远有 关¨“。ＰＲ一１０４正在进行肿瘤病人的Ｉ／Ⅱ期临床试验。 Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ药物公司的研究者基于异环磷酰胺具有ＤＮＡ交 联毒性的特征合成了一系列能活化低氧肿瘤细胞的非手性氨 基磷酸酯芥。它的前导化合物是ＴＨ～３０２¨“，一种含有２一硝 基咪唑的溴基类似物，它能够选择性将乏氧肿瘤细胞转化为激 活状态。研究表明它即使单药使用也对肿瘤治疗有效，并且联 合吉西他滨在胰腺癌移植瘤模型中能获得更好的肿瘤治疗效 果ⅢＪ。进一步研究表明对荷瘤鼠连续给予５天放疗，并在每 次放疗后３０分钟用药，ＴＨ一３０２能够增强放疗的抗肿瘤效果。 目前，ＴＨ一３０２与各种化疗方案联合用药在进展期实体瘤病 人的临床试验已经开始。 ＡＱ４Ｎ在临床前期试验中表现出令人鼓舞的抗肿瘤效果， 现正在进行临床试验。ＡＱ４Ｎ本身对ＤＮＡ亲核力低，不产生毒 性，但是当其在还原酶作用下最终代谢成ＡＱ４。ＡＱ４通过抑制 拓扑异构酶Ⅱ干扰细胞增殖，产生细胞毒性【４１。临床前期试验 表明在放疗前后ＡＱ４Ｎ以一种剂量依赖的方式来增加电离辐 射的抗肿瘤效果。最近～项关于食管癌的Ｉ期临床试验表明 ＡＱ，ｔＮ在能够增强放疗效果的药物剂量上具有良好的安全性 和耐受性［１ ８｜。现已开始ＡＱ４Ｎ联合放疗和替奠唑胺治疗恶性
１
乏氧细胞增敏剂
这些化合物是一类具有亲电子活性结构的硝基芳烃化合
物，该结构能参与乏氧细胞的生物还原代谢。它能够减弱硝基 对氧的模拟作用，从而减弱放疗对ＤＮＡ自由基的应答。所以 该类药物能够在乏氧条件下固定ＤＮＡ损伤，不能使ＤＮＡ损伤 进行修复。在这类化合物中，２一硝基咪唑衍生物如米索硝唑， 被发现在临床前试验中对肿瘤有较好的放射增敏作用归ｏ，然而 由于副反应大而使用受限。尽管５一硝基咪唑，尼莫唑在丹麦 进行头颈部肿瘤放疗时获得一些成功，但是由于其神经毒性而 阻碍了在临床的推广。 为了减少硝基咪唑的疏水性，科学家们倾向于通过修改硝 基咪唑的侧链来减少它对神经组织的累积毒性。最先研究的 药物为依他硝唑，它对老鼠的神经毒性小于米索硝唑，但在临 床实验的研究中依他硝唑联合放疗对病人没有明显的治疗效 果。最近，由Ｐｏｌａ化疗公司合成了Ｄｏｒａｎｉｄａｚｏｌｅ。它是一个类 似米索硝唑的药物并具有良好的水溶性。临床前实验表明在 活体实验中当放疗前肌注治疗剂量的药物于动物时， Ｄｏｒａｎｉｄａｚｏｌｅ能增强对肿瘤生长的抑制。一个Ｉ／Ⅱ期临床试 验表明Ｄｏｒａｎｉｄａｚｏｌｅ在非小细胞肺癌病人的放疗中具有很小的 神经毒性¨１。最近在一个长期随访的有安慰剂对照的Ⅲ期研
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２００７．４３５：２９７—３２１．
制ＨＩＦ—ｌ表达或ＨＩＦ—ｌ活性，从而阻断多种机制来控制肿瘤 进展和放疗抵抗，这可能为实体瘤的治疗带来良好的效果。 现有的抗肿瘤复合物包括热休克蛋白一９０，拓扑异构酶， 微管复合物，组蛋白脱乙酰基酶和各种激酶，它们已被证明能 够干扰ＨＩＦ一１介导的转录。最近研究证明ＴＡＳ一１０６通过抑 制ＨＩＦ—ｌｏｔ和下调ｓｕｒｖｉｖｉｎ基因表达来增强电离辐射对乏氧 肿瘤细胞诱导的凋亡【２“。然而，很多这些药物针对ＨＩＦ一１是
在过去的十多年里，科学家提出了许多方法来克服肿瘤 乏氧所导致的放疗抵抗¨。２ Ｊ。第一个措施是在放疗时增加肿 瘤组织的含氧量，包括高压氧治疗；口服烟酰胺并且吸人氧和 ５％二氧化碳的混合气的治疗旧Ｊ。药物乙丙昔罗口１的使用，可 增强氧扩散到低氧肿瘤组织的能力，是一种合成的血红蛋白变 构调节剂。内皮缩血管肽Ｂ型受体激动剂的使用，它能够选择 性提高肿瘤的血供。第二个策略主要是Ｌ些针对乏氧细胞靶 向作用的药物和乏氧细胞增敏剂，包括糖酵解抑制剂，具有生 物还原活性的细胞毒素【ｌ－２．４］，第三个途径是靶向作用于ＨＩＦ 一１的药物。ＨＩＦ—ｌ是一个能够提高乏氧肿瘤细胞生存率的 转录因子¨Ｊ。最近的研究进展主要与后两种策略有关。
Ｊ。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
究中，不可切除的胰腺癌晚期病人在放疗前１０～４０分钟输注 Ｄｏｒａｎｉｄａｚｏｌｅ能使该组比安慰剂组和放疗组的３年生存率明显 提高‘”。 硝基咪唑的肌苷衍生物没有改变硝基咪唑的还原电位和 疏水性，而是用一个Ｂ一核苷构型使该药物通过开放的核苷运 载体更容易进入乏氧细胞。在体外实验的克隆存活率测定中 表明１一Ｂ—Ｄ一（５一脱氧一５一碘代阿糖呋喃糖）一２一硝基咪 唑对乏氧的大肠癌细胞是一个良好的放射增敏剂¨】。 提高膜转运介导的葡萄糖摄取能力能提高乏氧细胞的糖 酵解能力，并能通过其他途径来增强硝基咪唑对肿瘤组织的亲 和力”Ｊ。为了此目的，通过２一硝基咪唑的衍生物的改造合成 具有这一特征的ＴＸ一２２２４，它包括部分乙酰化葡萄糖，并具有 良好的放射增敏性。用乳房的肉瘤细胞在乏氧条件下培养并 做菌落形成实验，尽管ＴＸ一２２２４和硝基咪唑有相似的疏水性， 但是＇ＩＸ一２２２４比米索硝唑具有更高的放射增敏活性Ｌ９Ｊ。 一氧化氮（ＮＯ）同样为乏氧肿瘤细胞的潜在放射增敏剂， 因其对其它自由基有较高的活性，所以在低剂量放射时，它对 乏氧肿瘤细胞比富氧细胞更能增加ＤＮＡ双链损伤的数量¨…。 因此，Ｄｕｋｅ大学的专利声称在体内用ＮＯ传递的方法来增强肿 瘤的放射治疗，这个方法为吸入一种含１００ ｐｐｍ的亚硝酸乙酯 和１００％氧气的混合气体。实验研究数据表明：进行放疗后，吸 入混合气体的大鼠肿瘤其再生长延长时间要比单独呼吸空气 或者氧气的大鼠要明显增加。其它ＮＯ传递的用于肿瘤放射 增敏的方法为通过诱导一氧化氮合成酶促进局部ＮＯ的产 生【Ｊ引。此方案能否用于临床现仍不清楚。此外，已有证据，ＮＯ 能够上调ＨＩＦ一１的活性促进肿瘤的放射敏感性¨“。
１６７２—７１９３（２０１０）０３—０５２８—０４
研究表明，肿瘤的生长是无序的生长，血管生成不充分，所 以人体实体瘤大多存在氧缺乏区域，这一区域的肿瘤细胞抵抗 电离辐射的能力超过含氧量正常的肿瘤细胞的２—３倍，其主 要原因是减少了氧自由基对ＤＮＡ增殖的损伤…。实体瘤乏氧 是放疗失败的主要原因，克服乏氧所导致的放疗抵抗是提高肿 瘤治疗效果的一个重要途径ｏ［１
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肿瘤乏氧放疗增敏剂研究进展
苏州（综述），吴敬波（审校）
【关键词］ 肿瘤；乏氧；放疗增敏剂
７３０．５
［中图分类号】Ｒ ［文章编号】
［文献标识码］Ａ Ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７２—７１９３．２０１０．０３．０６５
４
ＨＩＦ一１抑制剂
ＨＩＦ一１的基因表达是和乏氧有关，它增加了肿瘤血管生
成、肿瘤细胞的糖酵解以及肿瘤的生存和转移¨ｊ。它是由一个 Ｂ亚基和～个ｎ亚基组成的，其稳定性是由翻译后修饰调节。 ＨＩＦ～１在富氧细胞中由于泛素化和胰蛋白酶介导的降解变得 很不稳定Ｉｓ］。ＨＩＦ一１ Ｏｔ在含氧量正常的条件下也能通过很多 生长因子和致癌信号途径的作用导致表达增加。在多种肿瘤 中ＨＩＦ～１的活性明显增加，并且它与侵袭性生长和放疗抵抗 有关，它是预后不良的指标之一。因此，通过药物多途径的抑
现已合成的丝裂霉素Ｃ类似物是以醌为基础的生物还原 药物，它能够产生Ｅ０９。Ｅ０９能选择性地增加乏氧肿瘤细胞的 活性。类似于其它醌类物质，Ｅ０９的激活是通过不同的细胞还 原酶产生半醌和氢醌自由基负离子，从而引起ＤＮＡ交联损 伤Ｌ４１。虽然Ｅ０９在一些肿瘤的治疗中单独使用临床效果不 好，但是在临床前期肿瘤模型中它与放疗联合使用获得了较理 想的效果¨Ｊ。一项关于光谱药学的专利说明声称Ｅ０９能有效 增强肿瘤放疗的敏感性。有数据表明在人恶性胶质瘤荷瘤鼠 模型中Ｅ０９与分次放疗联合使用能以一种累积的方式减少肿 瘤生长而不引起全身性的毒性。虽然短的血浆半衰期和低扩 散的特点可能限制Ｅ０９在实体瘤的治疗效果，但这在膀胱内 注射治疗表浅膀胱癌时有优势。目前，Ｅ０９正在进行膀胱癌的 ⅡＩ期试验，其在膀胱癌中放疗增敏的效果仍有待检验。 耶鲁大学和韦恩药学院的研究者开发出了ＫＳｌｌ９，它是乏 氧肿瘤细胞中的酶硝基还原产生的氯乙苯类，能够引起乏氧肿 瘤细胞的ＤＮＡ交联。在鼠皮下移植实体瘤模型中，ＫＳｌｌ９结 合放疗有明显的放射增敏作用¨…。由于ＫＳｌｌ９的低水溶性会 妨碍其临床应用，所以韦恩药学院的研究者合成了水溶性的磷 酸盐衍生物。研究表明含有磷酸盐的ＫＳｌｌ９和环磷酰胺联合 使用在鼠乳腺癌和人肺癌移植瘤的体内试验中有协同抗肿瘤 作用。