ZnO纳米晶的室温紫外受激发射特征
ZnO纳米晶薄膜的制备及特性分析
火温度的增加 ,吸收边发 生了红移,吸收肩更明显 ,薄膜具有高的透射率 ( 7 5 — 8 5 % ) ;薄膜方 阻
随温度 增 加 而增 大 ,3 0 0 ℃ 以下退 火方 阻增 加很 小 ( 小 于8 . 5 1  ̄ / s q ) ,4 0 0 ℃ 以上 退 火 方 阻大 幅增 加
f 大于2 1 . 1 Q / s q ) ,因此 , Z n O 纳米晶薄膜最优退火温度点为3 0 0 ℃。
要 :在低温下制备 了粒径小于1 0 n m 的Z n O 纳米晶,用旋涂 法制备Z n O 纳米晶薄膜,X R D 分析
z n O晶相是 纤锌矿 结构 ; S E M与A F M 表 明,纳米 晶薄膜在3 0 0  ̄ C 退 火后 薄膜 的厚度 明显减 小到
1 3 0 n m,表 面粗糙度降低到3 . 2 7 n m,粒径明显增大;紫外一 可见吸收和透射 比光谱表 明,随着退
i n c r e a s e s f r o m 8 . 5
s q a t b e l o w 3 0 0℃ t o 2 1 . 1 g  ̄ / s q a t a b o v e 4 0 0 ℃ .T h e r e f o r e , t h e o p t i ma l a n n e a l i n g t e mp e r a t uΒιβλιοθήκη Baidur e s
ZnO纳米结构光学性质与器件应用研究
ZnO纳米结构光学性质与器件应用研究
近年来,纳米材料的研究引起了广泛的关注,其中氧化锌(ZnO)纳米结构因
其独特的光学性质和广泛的器件应用潜力而备受研究者的关注。本文将深入探讨ZnO纳米结构的光学性质,包括其光吸收、光发射和光散射等方面,同时讨论其
在光电器件中的应用前景。
首先,我们将着重研究ZnO纳米结构的光吸收特性。由于ZnO纳米材料具有
较大的比表面积和量子尺寸效应,使得其对光的吸收率增强。实验研究表明,在紫外光区域(约370 nm以下),ZnO纳米结构的吸收显著增强,这归因于其能带结
构的尺寸量子限制效应。此外,通过控制纳米结构的形状、尺寸和表面修饰等手段,还可以实现对光吸收特性的调控,从而提高光电转换效率。
其次,我们将探讨ZnO纳米结构的光发射特性。ZnO纳米结构表现出独特的
发光行为,包括紫外发光和可见光发光,并且在可见光区域表现出强烈的绿色光发射。这种特殊的光发射行为主要源于ZnO纳米结构的局域化态缺陷和表面态缺陷。实验研究发现,通过调控纳米结构的形状、尺寸和缺陷控制等方式,可以有效地改变其发光行为,为光电器件的设计和制备提供了新的思路。
此外,我们将介绍ZnO纳米结构在光散射方面的应用研究。由于其高度结构
化和可控性,ZnO纳米结构具有出色的光散射性能,可广泛应用于太阳能电池、
光电传感器和光学波导等器件中。特别是在太阳能电池领域,将ZnO纳米结构应
用于光散射层可以显著提高光电转换效率。此外,通过设计多层结构和优化形状等手段,还可以进一步提高其光散射性能,为光学器件的发展提供了新的途径。
ZnO一维纳米结构制备及场发射性能研究
⑧塑坚查兰堡±兰堕堡壅!!旦二丝塑鲞堕塑堕型鱼墨垄垄塾堡壁塑竺塞2.4zno一维纳米材料的应用
纳米材料具有特殊的传输特性,光学特性以及表面效应,鉴于一维纳米材料的独特形貌和优异性能,使一维纳米材料在电子传输和纳米器件的组装中具有特殊的用途。一维纳米材料纳米材料在场效应晶体管、单电子晶体管、二极管、逻辑电路、激光器、传感器方面具有广泛的应用。
ZnO一维纳米材料也是研究者关注的重点。目前,已经利用ZnO一维纳米材料制作出了纳米级的紫外激光器,单电子晶体管,发光二极管,光电探测器和化学传感器等【57。651。
2.4.1zno纳米传感器
半导体金属氧化物传感器具有小尺寸,低成本和与微电子加工的高度兼容性的优势,而纳米线基于其超高比表面积的特性,克服了灵敏度不高的基本限制。zn0是最有前途的半导体金属氧化物气体传感器材料之一。WaIl等人通过微电子机械系统(MEMS)技术制备Zn0纳米线气体传感器(结构示意图如图2-3所示),并测试了其对乙醇气体的传感性质。在300。C的工作温度下,znO纳米线气体传感器对乙醇气体显示出高度的敏感性和迅速的响应,这意味着ZnO纳米线在高灵敏度气体传感器上具有潜在的应用前景阳。
图2.3zno纳米线气体传感器的示意图
Fig.2.3SketchofgassensormadeofZnOnanowires
⑧浙江大学硕二E学位论文znO一维纳米结构的制备及场发射性能的研究
图4.1(a),(b),(c)zno纳米梳的场发射扫描电镜图像
Fig.4.1(a),(b),(c)FESEMimagesofznOnanocomb
zno晶体的正则振动和raman散射
zno晶体的正则振动和raman散射
ZnO晶体的正则振动和Raman散射是研究该材料性质的重要方面。以下将分别介绍这两个方面。一、ZnO晶体的正则振动1. 晶格振动:ZnO晶体中,离子在其位置上做简谐运动,形成了晶格振动。这种振
动与波数有关,可以通过红外光谱进行观测。2. 光学声子:除了离子
之间的相对位移引起的晶格振动外,在固体中还存在着声波传播所引
起的光学声子。它们具有不同频率和极化状态,并且可以通过拉曼散
射进行观测。3. 表面等离激元:当光线入射到ZnO表面时,会激发出
表面等离激元(Surface Plasmon Polariton, SPP),从而产生局域电场增强效应。这种现象也被称为SERS(Surface Enhanced Raman Scattering)效应。二、Raman散射1. 原理:拉曼散射是指物质受到单色光作用后
发生非弹性碰撞而改变能量和频率,并向各个方向辐射出去。其中经
过样品后发生频率变化并反映样品内部结构信息的就是拉曼散射信号。
2. ZnO中常见峰位:(1) E2高模峰: 由于氧原子与锌原子之间共价键断
裂导致E2高模峰出现在440-450cm^-1处;(2) A1(TO)峰: 是由于氧原
子沿着c轴方向震荡而产生A1(TO)峰,在380-390cm^-1处;(3) E2低
模峰: 在250-270cm^-1处,代表了锌原子周围环境对E2高模态影响下
最小能量值;(4) LO (Longitudinal Optical phonon mode): 是指长程距离
上呈周期性排列并以长波长电磁波来驱使整个系统运行时所产生之震
zno发光特点
ZnO发光特点
1. 引言
ZnO(氧化锌)是一种广泛研究的半导体材料,具有良好的电子传导性和光学性能。由于其特殊的晶格结构和能带结构,ZnO能够发出可见光和紫外光,具有较高的光
致发光性能。本文将探讨ZnO的发光特点和相关性质。
2. ZnO晶格结构
2.1. 六方晶系结构
ZnO晶体结构属于六方晶系,具有紧密堆积的排列方式。它的晶格常数为a=b≠c,晶格中的Zn和O离子通过共价键和离子键相互连接,形成稳定的结构。
3. ZnO能带结构
3.1. 能带理论
根据能带理论,ZnO晶体具有导带和价带。导带是一系列能量较高的电子轨道,而
价带是一系列能量较低的电子轨道。能带之间的能隙决定了材料的电子传导和光学性质。
3.2. ZnO的带隙结构
ZnO的能带结构非常有趣,具有大约3.37eV的直接带隙。这意味着当外部能量激
发ZnO晶体时,电子可以直接跃迁到导带中,从而产生发光现象。
4. ZnO的发光机制
4.1. 缺陷相关发光
ZnO晶体中的缺陷可以导致光致发光。具体来说,氧空位和氧空位相关的缺陷在激
发时会产生电荷载流子,从而引发发光现象。这种发光被称为紫外发光,其波长通常在380-400nm之间。
4.2. 缺陷复合发光
除了缺陷相关发光外,ZnO还可以通过掺杂和复合过程发出可见光。通过控制掺杂
材料的种类和浓度,可以实现可见光的发射。例如,镍离子的掺杂可以产生蓝色发光,铜离子的掺杂可以产生绿色发光。
5. ZnO发光应用
5.1. 发光二极管
ZnO作为半导体材料,被广泛应用于发光二极管(LED)的制造。通过合理设计LED 结构和掺杂材料,可以实现高亮度、高效率的发光效果。ZnO发光二极管具有低成本、高稳定性和可调控性等优点,在照明和显示领域有着广阔的应用前景。
氧化锌的特性性能
氧化锌的特性性能
基本性质
ZnO可以有三种可能的晶体结构。如下图所示:分别为闪锌矿型结构,纤锌矿型结构(六方结构,氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)和立方岩盐结构(即NaCL型结构).
(a) (b) (c)
1。2。2 物理化学性质
材料ZnO GaN Si 能隙性质直接带隙直接带隙间接带隙
禁带宽度(eV)3。2 3.39 1.12
晶格常数(nm)
a=0.325 a=0.319
a=0.543 c=0。521 c=0。519
熔点(K)〉1800 2220 1690
静态介电常数a:7。8 a:10.4
11。9 c:8.75 c:9.5
热导率(Wcm-6K—
1 )
0。6 1.3~2。1 1.5
宽禁带半导体参数比较
由上图所示,由于GaN和ZnO的禁带宽度、晶格常数和GaN非常相近,所以ZnO和GaN可以互为缓冲层来生长出高质量的GaN或ZnO薄膜。同时ZnO的激子束缚能远大于GaN(25Mev)等材料,因此在蓝紫光器件方面的应用比其它半导体更有潜力。
ZnO的性质
1 .紫外受激发射特性
ZnO具有较高的化学稳定性和热稳定性,当他在室温禁带宽度约为3。37eV时,对紫外光响应,为直接带隙。能以带间直接跃迁的方式获得高效率的辐射复合,是一种理想的短波长发光器件材料。而且他可预期一个低的阈值来产生受激发射,单色性很好.
2.透明导体特性
ZnO的光学透明性是由宽禁带引起的.ZnO的透光率与膜厚、衬底温度等因素有关。一般地,膜厚增加,吸收增加,透光减少.ZnO的导电性主要不是依赖本征激发,而是靠附加能级的电子或空穴激发。
ZnO纳米材料的制备及其光性能分析
ZnO纳米材料的制备及其光性能分析
ZnO纳米材料的制备及其光性能分析
摘要:
随着纳米材料的研究和应用逐渐深入,ZnO纳米材料因其优异
的光学性质和广泛的应用潜力而备受关注。本文通过对ZnO纳米材料的制备方法及其光性能的分析,探讨了其在可见光谱范围内的应用前景和潜在问题。
1. 引言
ZnO是一种重要的半导体材料,在可见光范围内具有良好的透
明性和光学性能。纳米化技术使ZnO纳米材料的制备更加容易,并且能够调控其形貌和结构,进一步扩展了其应用领域。本文主要研究了ZnO纳米材料的制备方法和其在光学性能方面的应用。
2. ZnO纳米材料的制备方法
2.1 水热法
水热法是制备ZnO纳米材料常用的方法之一。通过在高温高压条件下将Zn源物与反应溶液中的脱水剂反应,在特定的温度、压力和时间下得到纳米级的ZnO颗粒。这种方法可以控制纳米粒子的形貌和大小。
2.2 氧化法
氧化法是将氧化锌粉末进一步破碎并通过化学反应得到纳米级ZnO颗粒的方法。具体步骤包括溶液制备、沉淀制备和煅烧等。这种方法制备的ZnO纳米材料通常具有较高的纯度和比表面积。
2.3 等离子体辅助沉积法
等离子体辅助沉积法是一种通过等离子体溅射氧化锌薄膜并在退火过程中形成纳米颗粒的方法。这种方法对制备较大面积的
纳米薄膜具有较高的效率和可控性。
3. ZnO纳米材料的光性能分析
3.1 光吸收与发射性质
ZnO纳米材料在可见光谱范围内具有很好的吸光性能,吸收光
谱主要集中在紫外光区域,具有很高的吸收系数。此外,ZnO
纳米材料还表现出良好的荧光性能,其荧光峰位主要在380-420 nm范围内。
纳米氧化锌紫外屏蔽机理
纳米氧化锌紫外屏蔽机理
全文共四篇示例,供读者参考
第一篇示例:
纳米氧化锌是一种常用的紫外线屏蔽剂,在化妆品、防晒霜、涂
料等产品中广泛应用。它的紫外屏蔽机理主要是通过散射和吸收来阻
挡紫外线的侵害。本文将从纳米氧化锌的特性、紫外线的危害、纳米
氧化锌的紫外屏蔽机理等方面进行探讨。
一、纳米氧化锌的特性
纳米氧化锌是一种具有特殊结构的氧化锌微粒,其粒径通常在
1~100纳米之间。由于其粒径较小,纳米氧化锌具有较大的比表面积
和高活性。纳米氧化锌还具有优异的光学性能和抗紫外性能,使其成
为一种理想的紫外线屏蔽剂。
二、紫外线的危害
紫外线是一种高能量辐射,主要分为UVA、UVB和UVC三种波长。UVA波长为320~400纳米,UVB波长为280~320纳米,UVC波长为200~280纳米。日常生活中暴露在紫外线下会引起皮肤免疫系统的损伤,加速皮肤老化,甚至引发皮肤癌等严重疾病。有效的紫外线防
护至关重要。
三、纳米氧化锌的紫外屏蔽机理
1. 散射作用
纳米氧化锌粒子的尺寸远小于紫外线波长,当紫外线照射到纳米
氧化锌表面时,会发生多次反射和散射现象,使紫外线的能量被搓碎,减少对皮肤的伤害。这种散射作用使纳米氧化锌成为一种有效的紫外
屏蔽剂。
2. 吸收作用
3. 光稳定作用
纳米氧化锌具有良好的光稳定性,能够长时间保持其紫外屏蔽效果。其稳定性主要源于其特殊的晶体结构和表面修饰,使其在紫外线
照射下不易发生退化。
第二篇示例:
纳米氧化锌(ZnO)作为一种纳米材料,具有优异的紫外光屏蔽性能,因此被广泛应用于防晒产品中。纳米氧化锌在防晒产品中的主要
新型ZnO纳米针的双光子激射特性
研究 的 Z O纳米针 不同于 一般 的纳 米针 , n 这种 新 型的 Z O纳米针有一 套复 合 的结构 : n 一根 长针 上 长满无数 微小 的 细针 , 这种 纳 米针 结构 还 没有 在
光谱 , 为纳 米光 电器件 的设计提供 有利 的指 导 。 能
Z O具 有较大 的二 阶非线 性 系数 ¨ ’ , 理 论 n ” 从
新 型 Z O纳 米针 的双 光 子 激射 特性 n
姜 小芳 ,李小龙 ,曹俊枫 赵丰华 , ,郭萌祖 扶雄辉 , ,丘志仁 , 明姆 吴
( 中 山 大学 光电 材 料 与技 术 国家 重 点 实验 室 ,广东 广州 1 5 07 125; 2 .中 山大学 化学 与化 工学 院 ,广东 广州 5 07 ) 125
第3卷 第1 1 期
发 光 学 报
CHI NES OURNAL OF LUMI EJ NES ENCE C
Vo _ No l3l .1
F b.,2 0 e 01
文章 编 号 : 0 07 3 (00 0 -190 10 - 2 2 1 ) l 0-5 0 0
和易控性 使得 各 种各 样 的 Z O纳 米 结 构成 为近 n
期研究 的热 点 。 。到 目前 为止 , n Z O纳米 结 构
报 道 了基 于半导体量子 阱在亚能级跃 迁 的双光 子 激光器 ¨ 。本文 研究 的 Z O纳米 针具 有新 颖 的 n
纳米结构氧化锌半导体zno薄膜的室温紫外激光发射
纳米结构氧化锌半导体zno薄膜的室温紫外激光发射
引言
1.1 概述
纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜作为一种具有优异光学和电学性能的材料,近年来受到了广泛关注。它不仅具有高透过率和低电阻率的特点,还表现出优异的紫外激光发射性能。随着纳米技术的不断发展,人们对于纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜在光电器件和生物医学领域中的应用前景越来越感兴趣。
1.2 文章结构
本文分为五个部分进行阐述。首先是引言部分,对纳米结构氧化锌半导体ZnO 薄膜的室温紫外激光发射进行了概述,并说明了文章的结构。接下来是第二部分,详细介绍了纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的基本原理、室温下紫外激光发射机制以及制备方法和工艺技术。第三部分探讨了纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜在光电器件和生物医学领域的应用前景,并指出了制备和性能优化方面所面临的挑战。第四部分详细描述了实验方法和结果分析,包括ZnO薄膜制备过程、结构表征和光学特性测试以及实验结果的分析与讨论。最后一部分是结论及展望,对纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的室温紫外激光发射进行总结,并提出未来研究方向和展望。
1.3 目的
本文旨在系统地探讨纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜在室温下的紫外激光发射特性。通过对纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜基本原理、室温下紫外激光发射机制以及制备技术等方面进行研究,进一步探讨其在光电器件和生物医学领域中的应用前景。此外,我们还将介绍实验方法和结果,并对纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的未来研究方向进行展望。
以上为文章“1. 引言”部分的详细内容。
2. 纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的室温紫外激光发射:
氮族掺杂纳米材料
《应用胶体化学》论文大作业氮族掺杂纳米材料
姓名:
学号:
年级:
摘要:ZnO的禁带宽度为3.37eV,具有较大的激子束缚能(60meV),以及恶劣条件下的高稳定性。由于ZnO是本征 N 型半导体材料,很容易获得N型ZnO,但是P型ZnO却很难制备。经过人们的大量努力,目前P 型Zn O薄膜的研究已经取得了一些初步进展。氧化锌一维纳米材料具有许多特异的物理、化学特性,在构建纳米电子和光学器件方面具有巨大的应用潜力,受到广泛的关注。因此人们对于获得p型氧化锌纳米材料的研究也都非常热衷。本文介绍四种氮掺杂氧化锌一维纳米材料的合成方法及相关研究。
关键词:氮掺杂ZnO 样品表征
目录
摘要 (2)
一.氮族掺杂纳米材料的理论与实际意义 (4)
二.氮族掺杂纳米材料的国内外研究现状及比较分析 (4)
(一)氮族掺杂Z N O纳米材料的研究现状 (4)
(二)氮族掺杂Z N O纳米材料的研究方案 (5)
2.1采用沉淀法制备 ZnO 纳米材料前驱体 (5)
2.2采用水热沉淀法制备zno纳米晶粉末前驱体 (7)
2.3采用液相沉淀法制备ZnO 纳米材料前驱体 (8)
2.4采用一步燃烧合成法制备ZnO 纳米材料前驱体 (9)
三.氮掺杂纳米材料的优缺点 (9)
四.展望氮族掺杂纳米材料的应用前景 (11)
(一)氮掺杂氧化锌纳米材的应用前景 (11)
(二)氮掺杂氧化锌纳米材料展望 (12)
一.氮族掺杂纳米材料的理论与实际意义
(一)纳米材料的简介
纳米材料是指尺度为 (1-100) nm 的超微粒经压制、烧结或溅射而成的凝聚态固体。它断裂强度高、韧性好、耐高温,纳米复合同时也提高材料的硬度、弹性模量、Weibull 模数 ,并对热膨胀系数、热导率、抗热震性产生影响。对材料独特性能的追求和对其进行控制的渴望促使人们不断研究新的纳米材料,微粒尺寸由100um 减少到几个纳米 ,但研究表明,材料的性能并不是随着尺寸的降低而无限提高的,性能的提高是在一定限度内的。
纳米ZnO的制备及其紫外吸收特性
分光 光度计 ( 北 京普 析通用 仪器 有 限责任公 司) 。
Fra Baidu bibliotek1 . 2 实验 方 法
应速 度 快、 易 形成 微 小颗 粒 等特 点_ 8 ] , 王 文 亮 等_ g ] 以无 机锌 盐和 草酸 钠 为原 料 , 采 用 此 法得 到
沉 淀 法 制 备 纳米 Z n O 颗 粒 具 有 操作 简单 的
特 点 。李 晓娥 等[ 6 ] 综 述 了采 用 均 匀 沉 淀 法 制 备 纳米 Z n O 的研究 进 展 。王 翠 英 等 E ] 以不 同金 属 丝 为 电极 , 采用 交 流 电 沉积 法 制 得 了椭 球状 纳 米
1 . 1 . 1 试 剂
Z n ( NO3 ) 2・6 H2 O、 Na 2 C O3・1 0 H2 O 及 无
作 为其 中之一 的纳 米 Z n O还具有消毒 、 抗菌 、 除 臭 和 价格便 宜 等特点 , 因此 , 被 认 为是具 有 良好应
用 前景 的抗 紫外 线材 料 [ 。 ] 。
通信作者 : 陈 芮( 1 9 7 5 一) , 女, 博士 , 讲师 , 主要从事发光材料及 生物 质谱 方面的研 究.
・
7 4・
云南 师 范 大 学 学 报 ( 自然 科 学 版 )
宽禁带半导体ZnO材料的调研
3
半导体的应用
2021/6/16
元素半导体材料 硅:半导体集成电路,半导体器件和硅太阳能电池的基础材料。 锗:由于其特有性质,应用主要集中与制作各种二极管,三极管等。
时产生空穴-电子对,因此具有吸收紫外线的功能。 纳米ZnO比普通ZnO对可见光的吸收弱得多,有很好的透过率,因此具有高度
的透明性。 纳米ZnO在阳光尤其在紫外线照射下,在水和空气(氧气)中,能自行分解出
自由移动的带负电的电子(e-),同时留下带正电的空穴(h+)。这种空穴可 以激活空气中的氧变为活性氧,有极强的化学活性,能与多种有机物发生氧 化反应(包括细菌内的有机物),从而把大多数病菌和病毒杀死。 纳米ZnO应用于防晒化妆品中,不但使体系拥有收敛性和抗炎性,而且具有吸收 人体皮肤油脂的功效。
GaN 3.39 纤锌矿 a=3.189 c=5.185 2770 1.3 a=5.6 c=7.7 1000 3.5 5.0
4Βιβλιοθήκη Baidu-SiC 3.26
纤锌矿 a=3.073 c=10.053
2070 3.0~3.8 3.5~5.0
6H-SiC 3.03
纤锌矿 a=3.018 c=15.117
2070 3.0~3.8 3.5~5.0
ZnO纳米结构形态调控与表面光电性能研究
ZnO纳米结构形态调控与表面光电性能研究氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体功能材料,室温下能带带隙为3.37eV,激子束缚能高达60 meV,远高于其它宽禁带半导体材料(如:GaN为25 meV,ZnSe为22 meV)的激子束缚能,是室温热能的2.3倍(26 meV),因此ZnO 中的激子能够在室温下稳定存在,另外由激子-激子散射诱发的受激辐射的阈值要比电子-空穴等离子体复合的受激辐射阈值低,ZnO有望用于在短波长发光二极管、半导体激光器、紫外探测器、太阳能电池、高频和大功率器件。另外,ZnO 还具有制备工艺简单,能带及导电类型易调控和无毒无污染等优点。ZnO由于其晶体具有极性特征,导致了其丰富的纳米形态,诸如纳米线(棒)、纳米管、纳米带、纳米片、纳米环、纳米花、纳米螺旋结构等,不同的结构各有其特定的用途,使得ZnO的形貌和结构控制具有重要意义。
ZnO与硫能产生强的相互作用,可以作为硫的吸附剂使用。本研究将含硫化合物应用到ZnO的制备过程中,不仅在一定程度上实现了对ZnO的形核、生长和形貌的控制,而且获得了一些新型的复合纳米结构,同时有针对性地对有关体系的荧光发射性能、表面光电压和光电流性能和电荷转移机理进行了研究,内容包括以下几方面:(一)、以十二烷基硫醇为代表研究了直链硫醇
(C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>SH,n=5,6,8,10,12)在硝酸锌。六次甲基四胺水热合成ZnO过程中对形态结构的影响,用X-射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜、荧光光谱等技术对得到的纳米结构进行了全面的表征。
纳米结构ZnO的制备及性能研究
纳米结构ZnO的制备及性能研究
一、本文概述
氧化锌(ZnO)是一种重要的半导体材料,因其独特的物理和化
学性质,在纳米科技领域引起了广泛的关注。纳米结构ZnO的制备及性能研究对于推动材料科学、电子学、光电子学、生物医学等多个领域的发展具有重要意义。本文旨在深入探讨纳米结构ZnO的制备方法、结构特性、以及其在各种应用场景中的性能表现。
本文将概述纳米结构ZnO的基本性质,包括其晶体结构、能带结构、光学特性等。随后,我们将详细介绍几种常见的纳米结构ZnO制备方法,包括物理法、化学法以及生物法等,并对比各种方法的优缺点。在此基础上,我们将重点关注纳米结构ZnO的性能研究,包括其电学性能、光学性能、光催化性能、以及生物相容性等。我们将通过实验数据和理论分析,全面揭示纳米结构ZnO的性能特点及其在不同应用场景中的潜在应用价值。
本文还将展望纳米结构ZnO的未来发展趋势,探讨其在新能源、环保、生物医学等领域的应用前景。我们希望通过本文的研究,能够为纳米结构ZnO的制备和性能优化提供有益的参考,推动其在各个领域的实际应用。
二、ZnO纳米结构的制备方法
ZnO纳米结构的制备方法多种多样,主要包括物理法、化学法以及生物法等。这些方法的选择取决于所需的ZnO纳米结构的尺寸、形貌、纯度以及应用的特定要求。
物理法:物理法主要包括真空蒸发、溅射、激光脉冲沉积等。这些方法通常在高温、高真空环境下进行,能够制备出高质量的ZnO纳米结构。然而,这些方法通常需要昂贵的设备和复杂的操作过程,限制了其在大规模生产中的应用。
化学法:化学法因其设备简单、操作方便、易于大规模生产等优点,在ZnO纳米结构制备中得到了广泛应用。其中,溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、水热法和微乳液法等是常用的化学制备方法。例如,溶胶-凝胶法通过控制溶液中的化学反应,可以制备出具有特定形貌和尺寸的ZnO纳米颗粒。化学气相沉积法则可以通过调节反应气体的流量、温度和压力等参数,实现ZnO纳米线的可控制备。
zno及纳米zno研究进展
第26卷 第6期
2006年6月
物 理 实 验 P H YSICS EXPERIM EN TA TION
Vol.26 No.6
J un.,2006
收稿日期:2005208213;修改日期:2006204207 作者简介:林传金(1979-),男,福建漳浦人,北京师范大学物理系2003级硕士研究生,研究方向为低维材料及其物性. 通讯作者:王引书(1967-),女,甘肃静宁人,北京师范大学物理系副教授,博士,主要从事低维半导体材料的性能研究
.
氧化锌及纳米氧化锌研究进展
林传金,田 强,王引书
(北京师范大学物理系,北京100875)
摘 要:ZnO 是一种重要的直接宽带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37eV ,激子束缚能为60meV ,对于开发蓝绿、蓝光、紫外等多种发光器件有巨大潜力.纳米ZnO 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学、化学等性质,是目前纳米材料的研究热点之一.本文介绍了ZnO 和纳米ZnO 的一些基本性质,综述了近年来纳米ZnO 的合成以及应用等方面研究的一些进展.
关键词:ZnO ;纳米ZnO ;研究进展
中图分类号:O493 文献标识码:A 文章编号:100524642(2006)0620012208
1 引 言
近十年来,宽带隙半导体材料如禁带宽度为
3.0eV 的6H 2SiC (2K )和禁带宽度为3.5eV 的GaN 一直活跃在最前线[1].ZnO 作为另一种宽带隙半导体材料,室温禁带宽度为3.37eV ,自由激子束缚能为60meV ,正以其优越的特殊性质得到广泛的关注.1997年,中国香港科技大学的Zu 和Tang [2]等人首先报道了激光分子束外延(PL MB E )生长的ZnO 薄膜在室温下的光泵浦紫外受激发射,目前关于多种纳米微晶结构的ZnO 室温紫外激光发射已有很多的报道[3~5],这也为半导体激光器件的研制提供了新的途径.随着p 型ZnO 研究不断取得进展,国际ZnO 研究权威Look 教授2004年在对ZnO 光发射器件的未来展望中指出,p 2n 同质结ZnO 激光器在不久的将来将成为可能[6].ZnO 在低维结构研究领域也是一个热门的课题,有关纳米ZnO 合成的新技术及各种特殊性质不断得到报道.
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2 实验结果与讨论
图 1 为 850 ℃退火后 Z nO 纳米晶 的 X 射线 衍射(X RD)
谱图 , 表明用 溶胶-凝 胶 法制 备的 Z nO 为 六 方纤 锌 矿结 构 。
在 850 ℃下合 成的 ZnO 粉 体已 具 有较 好的 结 晶特 性 , ZnO
的主要特征峰均清 晰可 辨 。根据
摘 要 Z nO 的激子特性对制备氧化锌基的 光电子器件至关重要 , 因此对 Z nO 量 子点中激 子的发光性 质及 其跃迁过程进行研究显得十分必要 。采用溶胶-凝 胶法制备了 ZnO 纳米晶 , X 射线衍射(X RD)结果表明 样品 具有六角纤锌矿多晶结构 。研究了在不 同泵浦功率激发下 ZnO 纳米 晶的紫外发射 的时间积 分光谱和时 间分 辨光谱 , 观察到自由激子发光 , 激子-激子碰撞和电子-空穴等离子体引起 的受激发射 , 研究 了在不同泵 浦功 率激发下自由激子及激子-激子碰撞随泵浦功率依赖的动力学过程 。研究结果对理 解激子带 边发射有一 定帮 助 , 对 Z nO 材料在短波长半导体光电器件方面有潜在的应用价值 。
泵浦功率的演化 。 本文采用溶胶-凝胶 法制备了 Z nO 纳 米晶 , 用 X 射 线衍
射(XRD)和光致发光谱(P L)分 析了 Z nO 纳米晶 的晶体 结构 和发光性能 。在飞秒 脉冲 激发 下观 察到 ZnO 纳 米晶 在室 温 下有很强的紫外受激辐 射 , 研究了样品的紫 外发射稳态 和瞬 态光谱随激发功率的依 赖关系 , 观 察到自 由激子的 发光 , 激 子-激子碰撞和电子-空 穴等离子 的受激 发射 , 描述 了室温 下 紫外受激辐射的机理 , 讨论了带边发射的动力学过程 。
发光性能测试采用 的激发光 源是光 参量放 大器(Spectra P hy sics :O PA-800C)的 四倍 频 输 出 , 自 动 锁模 的 T i:Sapphire 固体飞秒 激光器(Spectra-Phy sics:M ai T ai , 重复率 80 M Hz)的输出经振荡级(Spectr a-Physics , H urricane)展宽 、 放
Fig.1 XRD pattern of ZnO nanocrystals
为研究样品的激子发光特性 , 研究了 在不同激 发功率下 样品紫外发射的时间积分光谱和时间分辨光谱 。如图 2(a)所
示 , 在较低激发功率时 , 在 3.30 eV (375 nm)附近 有较强的 紫外发光峰 , 这 是自由 激子的 发光峰 Eex 。ZnO 在室温 下的 禁带宽度为 3.37 eV , 而其室 温下的 激子束 缚能为 60 meV ,
En
= Eex
-E
ex b
1
-
1 n2
-
3 2
kT
方程中 Eex 是自由激子能量 ,
E
ex b
Baidu Nhomakorabea
≈60
meV
是 Z nO 的 激子束
缚能 , k 是玻尔兹曼常数 , n 是激发态的量子数 , n=2 , 3, … ,
∞。室温时方程给出了 Eex -E2 =84 meV 的 结果 , 这与样品 在室温下自由激子发射峰 Eex(3.30 eV)和自 由激子-激 子非
Z nO 半导体量 子点 材料 与体 材料 相比 具有 崭新 的 光电 特性 , 纳米结构中的量子尺寸效应使得激 子的振子 强度有数 量级上的增加 , 在室 温三 维 受限 下的 Z nO 纳米 微晶 , 或者 Z nO 半导体量子点材料中便可观察到自由激 子的发光 。基于 Z nO 的激子特性对制备氧化锌基的光电子器 件至关重 要 , 对 Z nO 量子点中激 子的 发光 性质 及其 跃迁 过程 进行 研究 就显 得十分必要 。虽然人们已经在 各种形态的 ZnO , 包括 各种方 法制备的薄膜 , 纳米结构 , 荧光粉中都 相继观 察到了 紫外受 激发射[ 3-9] , 但多在超晶格 和高 质量的 薄膜 中观 察到自 由激 子的发光[ 1 , 3-5, 9-12] , 在 纳 米 晶中 较 少 观 察到 自 由 激 子的 发 光[ 13] 。虽然在高质量的薄膜中 , 有报道自由激子发光 , 激子激子散射引起的带边发射随泵浦功率的变化 , 但是 没有报道 自由激子以及激子-激子散 射引 起的发 射带 的动 力学过 程随
因而其室温自由激子发光峰 应该在 3.31 eV , 这与样 品的室 温紫外发光峰的中心波长相吻合 。在图 2(a)中 Eex 带 的低能 侧位于 3.20 eV 处还有一个峰 , 这是由激子-激子非弹性散射 引起的第一个发射峰 , 两个激 子相互 碰撞期 间 , 其中 一个 n =1 的自由激子将另一 个激子碰撞到 n>1 的激子状态 , 而自 身失去一部分能量后被散射回到基态同时发 出一个光 子 , 其 峰值能量由下面的方程给出[1 , 3-5 ,13, 14]
收稿日期 :2009-10-11 , 修订日期 :2010-01-16 基金项目 :国家自然科学基金项目(10774031)和广东省自然科学基金项目(07001790)资助 作者简介 :贾继扩 , 1984 年生 , 广东工业大学物理与光电工程学院硕士研究生 e-mai l :jjkszy @y ahoo .com .cn
*通讯联系人 e-mai l :l uoli @gdut .edu .cn
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光谱 学与光谱分析 第 30 卷
大 、 压缩后得到毫焦量级输出 波长为 800 nm 的 fs 子 脉冲激 光 , 再经过 光参 量 放大 器(Spectra Phy sics:O PA-800C)后 , 输出重复率为 1 kH z, 脉宽 160 fs, 中心波长为 320 nm 的超 短脉冲激光 , 最大输出功率为 200 μW 。用高能激光衰减器衰 减能量 , 用焦距为 75 mm 的石 英透 镜聚 焦激 发光 源后 入射 到样品面 , 用光学准直系统前向 收集发 射光 , 时间积 分和时 间分辨的光 谱由 连接 光 栅光 谱仪(H amama tsu spectro g raph C5094)的同步扫描 条纹 相机(Hamamatsu , C6860)记录 , 实 验在室温下进行 。X RD 测试中采用的仪器是 Bruker D8 衍射 仪。
Fig.2 Pumping power dependent PL (a) and time-resolved spectra of the p2 band of ZnO nanocrystals at room temperature (b)
图 3(a)是在不同激发功率下自由激子峰 Eex 和激子-激子 非弹性散射引起的发射的最后一 个峰 p 的时 间分辨光谱 。在 低功率下 , 自由激子表现为 自发 发射(15 μW 激发 时其衰 减 可用单指数拟合 , 寿命 为 30 ps), 随泵 浦功率 加大 , 其衰 减 要用双指数拟合 , 自由激子发光强度衰减曲 线中出现一 个短 寿命(约 2.75 ps)和一个长寿命(约 36 ps), 长寿命起源 于其 自发发射 , 短 寿命 起源 于 激子-激 子碰 撞 。在 低功 率 下 , P2 和 P 带衰减较自由激子慢 , 容易完全填满饱和 , 发射以 自由 激子为主 ;中等功 率激 发下 , 激 子-激子 碰撞 频繁 , 这 时 P2 峰衰减加 快 , 比 自 由 激 子 还 快 , 出 现 P2 的 受 激发 射(2.6 ps);高功率下激子-激 子碰 撞更 加频 繁 , P 带衰 减加 快 , 出
ZnO 纳米晶的室温紫外受激发射特征
贾继扩1 , 罗 莉1* , 张 伟1 , 黄方映1 , 戴强钦1 , 丁才蓉2 , 汪河洲2
1 .广东工业大学物理与光电工程学院 , 广东 广州 510006 2 .中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室 , 广东 广州 510275
关键词 Z nO 纳米晶 ;自由激子 ;受激发射 ;瞬态光谱 中图分类号 :O 657.3 文献标识码 :A DOI:10.3964/ j.issn.1000-0593(2010)09-2525-04
引 言
近年来 , 蓝紫光材料及其发 光二极 管 、 激 光器以 其潜在 的巨大应用市场成为研究的热点 , 而 以 GaN , ZnO 系列材料 的研究最为突出 。其中 Z nO 是宽带隙的半导体材料 , 不但具 有和 GaN 相近的 晶格特 性 , 而且具 有更 高的 熔点 和激 子束 缚能 (60 meV), 特别是 ZnO 常 温下光泵浦 紫外激光 的实现 和 p 型 导 电 型 ZnO 研 究 的 进 展 更 掀 起 了 ZnO 的 研 究 热 潮[ 1 ,2] 。
第 3 0 卷 , 第 9 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 2 0 1 0 年 9 月 Spectro sco py and Spectr al Analy sis
V ol.30 , N o.9 , pp2525-2 528 Septembe r , 2010
1 实 验
用电子分析天平秤 取 13.17 g 的乙酸锌 , 溶解于 200 m L 乙二醇甲醚中 , 把装 有溶 液的 烧杯 放到 81-2 型 恒温 磁力 搅 拌器 上 , 逐 渐升高 温度 , 调节转 速 , 使乙酸 锌慢慢 溶解 , 加 入少量乙酰丙 酮 , 使其 完 全溶 解 并防 止沉 淀 。经 过 40 ~ 60 min 的 搅拌 , 形成 Z n 离 子浓 度为 0.3 mo l · L -1 的 透明均 质 溶液 。接着 , 对溶液进行热处 理 , 于 100 ℃对溶液进行 3 d 的 烘化 。将固体颗粒装进坩埚中 , 放入电阻 炉中在 850 ℃的条 件下进行退火 。退火处理完毕后 , 样品呈现白色 。
Scherre r 公式
D
=
0.9λ B cosθB
可算出晶粒尺寸 , 式中 D 代表晶粒尺寸(nm);B 是衍射峰的
半高度 , λ代表 X 射线 波长 , 本实 验中 λ=0.154 nm ;θB 是 Br ag g 衍射角 , 经计算得氧 化锌晶粒尺寸是 44.9 nm 。
弹性散射引起的受 激发射 的第一 个峰(3.22 eV)之间的 能量 差 80 meV 相吻合 , 这个发射峰也就是 P2 带 。随着激发功率 增加 , P2 峰越来越尖锐 , 出现了受激发射 。当泵浦功率 进一 步增加(如 70 μW)时 , 观察到一个稳定 的不随激发功率 增加 而改变位置的新 发射 峰 , 位 于 3.204 eV 处 , 比 P2 峰 的能 量 (3.22 eV)低 16 meV , 室 温时 方程(1)给出 了 E2 -E∞ =15 meV , 表明该峰 属于 激子-激 子非 弹性 散射 引起 的发 射的 最 后一个峰 , 称为 p 峰 。该峰谱线半高宽为 0.031 eV , 表明其 为受激 发 射 。在 实 验 室 中 继 续 不断 增 大 泵 浦 功 率(如 100 μW)时 , 发现样品的激射强度不再 明显地 继续增大 , 而 逐渐 呈饱和趋势 。这时激射显示了连续 的红移 和展宽 。由于 在高 密度激发条件下激子趋 于离化 , 这时紫外受 激发射主要 由电 子-空穴等离子体的辐 射复合 引起 , 这是电 子-空穴 等离子 体 (EHP)引起的受 激发射 。图 2(a)显示 出自 由激 子发 光和 激 子-激子非弹性散射 峰之 间存 在竞争 关系 。 下 面详 尽的研 究 了在不同激发功率 下自由 激子 发光 和激子-激 子非 弹性散 射 的动力学过程 。图 2(b)是室温 时在不 同激发 功率下 p2 带的 时间分辨光谱 , 该图显示低功率下(如 30 μW)该峰发射 强度 随时间单指 数 衰减 , 表 明 其 为自 发 发射 , 随着 激 发功 率 增 加 , p2 带的衰减时间 越来越 短 , 当 激发功 率为 70 μW 时 p2 带出现了受激发射 , 这时 p2 带的 下降 沿的衰 减时 间和上 升 沿的上升时间相等 , 表明出现了受激发射 。