ZnO纳米晶的室温紫外受激发射特征

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ZnO纳米材料的制备、表征及性能研究

ZnO纳米材料的制备、表征及性能研究

目录中文摘要 (I)Abstract (III)第一章绪论 (1)1.1 纳米材料的概念及其特性 (1)1.2 ZnO结构的特点与性质 (4)1.3 ZnO纳米结构的典型形貌 (8)1.4ZnO纳米材料的制备及研究概况 (13)1.5 ZnO纳米材料的性能及应用 (15)1.6 选题依据和研究内容 (16)第二章实验设备与测试表征方法 (19)2.1实验设备介绍 (19)2.2实验中所需要的主要材料和试剂 (21)2.3衬底的处理 (21)2.4样品的测试与表征 (21)第三章四角状ZnO纳米结构的制备及机理研究 (25)3.1四角状ZnO纳米结构的制备 (25)3.2四角状ZnO纳米结构的表征 (26)3.3 四角状ZnO纳米结构的生长机理 (30)i3.4本章小结 (32)第四章多角状ZnO纳米晶须的制备及机理研究 (33)4.1多角状ZnO纳米晶须的制备 (33)4.2多角状ZnO纳米晶须的表征 (34)4.3多角状ZnO纳米晶须的生长机理 (39)4.4本章小结 (42)第五章花束状ZnO纳米棒的制备及机理研究 (43)5.1花束状ZnO纳米棒的制备 (43)5.2花束状ZnO纳米棒的表征 (43)5.3花束状ZnO纳米棒的生长机理 (48)5.4 本章小结 (50)第六章全文总结及对今后研究工作的建议 (51)参考文献 (53)硕士期间发表的论文 (59)致谢 (61)iiZnO纳米材料的制备、表征及性能研究中文摘要近年来,由于宽禁带半导体材料在短波长发光器件、光探测器和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注,发展十分迅速,成为研究的热点。

ZnO是一种非常重要的多功能n型II–VI直接宽禁带化合物半导体材料。

室温下,其禁带宽度为3.37 eV,而且具有很大的激子束缚能和很好的热稳定性。

ZnO作为一种应用广泛的半导体,其独特的铁电、热电、催化和光催化特性以及在太阳能电池、气敏传感器、紫外光电二极管、透明电极及光电器件方面的重要应用,使其成为各国研究的热点。

ZnO一维纳米结构制备及场发射性能研究

ZnO一维纳米结构制备及场发射性能研究

⑧塑坚查兰堡±兰堕堡壅!!旦二丝塑鲞堕塑堕型鱼墨垄垄塾堡壁塑竺塞2.4zno一维纳米材料的应用纳米材料具有特殊的传输特性,光学特性以及表面效应,鉴于一维纳米材料的独特形貌和优异性能,使一维纳米材料在电子传输和纳米器件的组装中具有特殊的用途。

一维纳米材料纳米材料在场效应晶体管、单电子晶体管、二极管、逻辑电路、激光器、传感器方面具有广泛的应用。

ZnO一维纳米材料也是研究者关注的重点。

目前,已经利用ZnO一维纳米材料制作出了纳米级的紫外激光器,单电子晶体管,发光二极管,光电探测器和化学传感器等【57。

651。

2.4.1zno纳米传感器半导体金属氧化物传感器具有小尺寸,低成本和与微电子加工的高度兼容性的优势,而纳米线基于其超高比表面积的特性,克服了灵敏度不高的基本限制。

zn0是最有前途的半导体金属氧化物气体传感器材料之一。

WaIl等人通过微电子机械系统(MEMS)技术制备Zn0纳米线气体传感器(结构示意图如图2-3所示),并测试了其对乙醇气体的传感性质。

在300。

C的工作温度下,znO纳米线气体传感器对乙醇气体显示出高度的敏感性和迅速的响应,这意味着ZnO纳米线在高灵敏度气体传感器上具有潜在的应用前景阳。

图2.3zno纳米线气体传感器的示意图Fig.2.3SketchofgassensormadeofZnOnanowires⑧浙江大学硕二E学位论文znO一维纳米结构的制备及场发射性能的研究图4.1(a),(b),(c)zno纳米梳的场发射扫描电镜图像Fig.4.1(a),(b),(c)FESEMimagesofznOnanocomb10>和<Ol—lO>方向生长,将会得到纳米带。

ZnO存在着两种不同的极性面,中止于zn的znO(O001)极化面具有化学活性,而中止于O的znO(000一1)极化面在一些生长气氛里具有惰性17…。

根据以上的结论,zn0纳米梳的形成过程由两步组成:先沿着a轴形成纳米带,然后沿着c轴生长出纳米线。

ZnO纳米材料的制备及其发光特性的研究

ZnO纳米材料的制备及其发光特性的研究

ZnO纳米材料的制备及其发光特性的研究本文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在石英基片上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜的种子层,采用水热法制备了Al掺杂ZnO纳米棒(AZO NR)及Al掺杂ZnO纳米管(AZO NT),同时采用液相还原法制备了Cu修饰的AZO纳米管(AZO/Cu NT)。

得出以下结论:1.采用溶胶-凝胶制备AZO纳米薄膜,分析Al掺杂浓度、预热温度、退火温度和匀胶机的旋涂速率等工艺条件对ZnO薄膜性能的影响。

结果表明:样品在Al掺杂浓度为1.5 at.%、预热温度和退火温度分别为400℃和900℃时结晶质量最好,晶粒分别均匀,薄膜的光催化效率也最好;匀胶机的旋涂速率直接影响薄膜的择优取向性,速率为60 r/min时,样品的所有XRD特征峰齐全,表明制备的样品为氧化锌的六角纤锌矿结构,当速率增大到3000 r/min时ZnO样品呈(002)择优取向。

2.采用水热法制备AZO NR,分析Al掺杂浓度、水热温度、水热时间、聚乙烯亚胺和种子层厚度工艺条件对AZO NR性能的影响。

结果表明:Al掺杂浓度为4 at.%、水热温度95℃和水热时间为10 h时样品的结晶质量最好、内应力最小,样品的长径比最大;种子层的厚度越大,纳米棒越致密,而聚乙烯亚胺能有效的减小纳米棒的直径。

3.采用二次水热法制备AZO NT,用化学沉积法制备AZO/Cu NT,分析H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>的量对纳米棒形貌的影响及不同形貌的样品对甲基橙(MO)光催化性的影响。

结果表明:H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>为20 ml时AZO NR呈管状,且AZO/Cu NT表现出良好的光催化性能。

ZnO纳米晶薄膜的制备及特性分析

ZnO纳米晶薄膜的制备及特性分析
p r e p a r e d b y s p i n - c o a t i n g . XRD a n a l y s i s c o n f i r ms t h a t t h e a s — p r e p a r e d Z n O i s h e x a g o n a l wu r t t r u c t u r e . S E M
t r a n s p a r e n c y o f a l l i f l ms a r e 7 5— 8 5 % .W i t h t h e i n c r e a s e o f a n n e a l i n g t e mp e r a t u r e , t h e s h e e t r e s i s t a n c e o f t h e i f l ms
DE NG J i a n - p i n g ,W ANG Mi n - q i a n g ,S ONG Xi a o — h u i
f S c h o o l o f E l e c t r o n i c a n d I n f o r ma t i o n E n g i n e e r i n g ,X i ’ a n J i a o t o n g U n i v e r s i t y ,X i 。 a n 7 1 0 0 4 9 ,C h i n a )
a n d t r a n s mi s s i o n s p e c t r a s h o w t h a t t h e a b s o r p t i o n e d g e h a s s h i te f d t o r e d , t h e a b s o pt r i o n s h o u l d e r wi d e n a n d t h e

ZnO纳米结构光学性质与器件应用研究

ZnO纳米结构光学性质与器件应用研究

ZnO纳米结构光学性质与器件应用研究近年来,纳米材料的研究引起了广泛的关注,其中氧化锌(ZnO)纳米结构因其独特的光学性质和广泛的器件应用潜力而备受研究者的关注。

本文将深入探讨ZnO纳米结构的光学性质,包括其光吸收、光发射和光散射等方面,同时讨论其在光电器件中的应用前景。

首先,我们将着重研究ZnO纳米结构的光吸收特性。

由于ZnO纳米材料具有较大的比表面积和量子尺寸效应,使得其对光的吸收率增强。

实验研究表明,在紫外光区域(约370 nm以下),ZnO纳米结构的吸收显著增强,这归因于其能带结构的尺寸量子限制效应。

此外,通过控制纳米结构的形状、尺寸和表面修饰等手段,还可以实现对光吸收特性的调控,从而提高光电转换效率。

其次,我们将探讨ZnO纳米结构的光发射特性。

ZnO纳米结构表现出独特的发光行为,包括紫外发光和可见光发光,并且在可见光区域表现出强烈的绿色光发射。

这种特殊的光发射行为主要源于ZnO纳米结构的局域化态缺陷和表面态缺陷。

实验研究发现,通过调控纳米结构的形状、尺寸和缺陷控制等方式,可以有效地改变其发光行为,为光电器件的设计和制备提供了新的思路。

此外,我们将介绍ZnO纳米结构在光散射方面的应用研究。

由于其高度结构化和可控性,ZnO纳米结构具有出色的光散射性能,可广泛应用于太阳能电池、光电传感器和光学波导等器件中。

特别是在太阳能电池领域,将ZnO纳米结构应用于光散射层可以显著提高光电转换效率。

此外,通过设计多层结构和优化形状等手段,还可以进一步提高其光散射性能,为光学器件的发展提供了新的途径。

最后,我们将展望ZnO纳米结构在光电器件中的应用前景。

随着纳米技术的不断发展和深入研究,ZnO纳米结构在光电器件中的应用前景逐渐展现。

例如,利用ZnO纳米结构可实现高效的太阳能电池、高灵敏的光电传感器和高性能的发光二极管等器件。

此外,通过控制纳米结构的形状、尺寸和表面改性等手段,还可以进一步提高其器件性能和稳定性。

ZnO纳米材料的制备及其光性能分析

ZnO纳米材料的制备及其光性能分析

ZnO纳米材料的制备及其光性能分析ZnO纳米材料的制备及其光性能分析摘要:随着纳米材料的研究和应用逐渐深入,ZnO纳米材料因其优异的光学性质和广泛的应用潜力而备受关注。

本文通过对ZnO纳米材料的制备方法及其光性能的分析,探讨了其在可见光谱范围内的应用前景和潜在问题。

1. 引言ZnO是一种重要的半导体材料,在可见光范围内具有良好的透明性和光学性能。

纳米化技术使ZnO纳米材料的制备更加容易,并且能够调控其形貌和结构,进一步扩展了其应用领域。

本文主要研究了ZnO纳米材料的制备方法和其在光学性能方面的应用。

2. ZnO纳米材料的制备方法2.1 水热法水热法是制备ZnO纳米材料常用的方法之一。

通过在高温高压条件下将Zn源物与反应溶液中的脱水剂反应,在特定的温度、压力和时间下得到纳米级的ZnO颗粒。

这种方法可以控制纳米粒子的形貌和大小。

2.2 氧化法氧化法是将氧化锌粉末进一步破碎并通过化学反应得到纳米级ZnO颗粒的方法。

具体步骤包括溶液制备、沉淀制备和煅烧等。

这种方法制备的ZnO纳米材料通常具有较高的纯度和比表面积。

2.3 等离子体辅助沉积法等离子体辅助沉积法是一种通过等离子体溅射氧化锌薄膜并在退火过程中形成纳米颗粒的方法。

这种方法对制备较大面积的纳米薄膜具有较高的效率和可控性。

3. ZnO纳米材料的光性能分析3.1 光吸收与发射性质ZnO纳米材料在可见光谱范围内具有很好的吸光性能,吸收光谱主要集中在紫外光区域,具有很高的吸收系数。

此外,ZnO纳米材料还表现出良好的荧光性能,其荧光峰位主要在380-420 nm范围内。

3.2 光电导性质由于ZnO纳米材料是一种半导体材料,因此具有良好的光电导性能。

通过引入掺杂元素或修饰表面,可以调控和增强ZnO纳米材料的光电导能力。

这使得ZnO纳米材料在光电器件和太阳能电池等领域有广泛的应用前景。

3.3 光催化性能ZnO纳米材料具有较高的光催化性能,可以在可见光区域内吸收光能并产生电子-空穴对。

纳米ZnO的制备及其紫外吸收特性

纳米ZnO的制备及其紫外吸收特性
包蕊, 陈芮
( 云南师范大学 化学化工学院 , 云南 昆明 6 5 0 5 0 0 ) 摘 要: 以Z n ( NO。 ) z・6 Hz O 为主要原 料 , Na z C Os・ 1 0 Hz O为沉淀剂 , 采用溶 液直接沉淀法 制
得Z n O前驱体 。在不同条件下灼烧前驱体 即可得到纳米 Z n O粉末 。用紫外 一可见分光光度计 、 x射线 衍射仪及透射 电子显微镜分别对样 品 的紫外 吸收特性 、 晶型、 粒 子形貌 和尺 寸等进行 了表 征 。结果表 明: 所制得 的纳米 Z n O为六方晶系纤锌矿结构 , 呈 球状或 椭球状 , 在 近紫外光 区有一强 的吸 收, 其对应 的波长约为 3 7 0 n m; 在 4 0 0。 C下灼烧 2 h制得的纳米 Z n O 的紫外 吸收性能最佳 。
纳米zno的制备及其紫外吸收特性znno326h2ona2co310h2o在不同条件下灼烧前驱体即可得到纳米zno衍射仪及透射电子显微镜分别对样品的紫外吸收特性zno为六方晶系纤锌矿结构呈球状或椭球状在近紫外光区有一强的吸收370nm
云 南师 范大 学学 报 ( 自然科 学版 ) 2 0 1 3年 1 1 月3 3 卷 6期 ( Vo 1 . 3 3 No . 6 )
将超 声 技术 与微乳 液技 术相 结合研 究 了表面改 进
由于紫外 线具 有频 率高 , 能量 大 等特点 , 过 量 的紫 外 线 照射会 对 人 体产 生 很 大 的危 害 , 如 增 加 白内 障等 眼部疾 病 发 病率 , 使 皮肤 老 化 甚 至 引 发 皮肤 癌I 1 ] 。研 究 表 明 : 紫外 线 辐射 对 人 体 皮肤 的危 害
沉 淀 法 制 备 纳米 Z n O 颗 粒 具 有 操作 简单 的

新型ZnO纳米针的双光子激射特性

新型ZnO纳米针的双光子激射特性

宽带 半导体材料 Z O具有 较 宽 的禁 带 ( .7 n 3 3 e 和较 大的激子 束缚 能 ( 0 m V) , 室温 下 V) 6 e 在 可 以实现 紫外发 光 , 在 短波 长光 电器 件 方 面具 这
外区波段 的皮 秒 和 飞秒 强 激 光 光 源。N n ig已经
有非常 广泛 的应用前景 。纳米结构 制备 的多样性
摘要 : 室温下采用60n 4 m的飞秒脉冲激光泵浦ZO纳米针得到双光子诱导的光致发光谱。结合单光子下 n
的研究结果 , 实验分析了双光子泵浦下样 品随着受激能量增强产 生的三种紫外发射行为并归结 为 自由激 子 自发辐射 , 激子一 子散射 和电子空穴等离子体复合 。双光子泵浦下 Z O纳米针的受激 阈值是4 8 W/ m , 激 n .2G c 远小于其他 Z O微纳材料的双光子 阈值( W/ m ) n T c 。结果表明 : 这种新型的 Z O纳米针结构能更有效地产生 n
其 它 文 献 上 报 道 过 。长 针 的 直 径 为 20~70 3 0
n 长度在6~ 16I 细针 的直径是 4 . m, m, 1. m, x 64n 长 度为 20 ̄ 7 m。 3 4 0n 实验在室 温下 进行 , 用 的激光 光 源是 美 国 所
光谱 物理公 司 ( p c aP yi ) 产 的 H rcn S et h s s 生 r c ur ae i
上分析 , 只要激 发光功率 足够大 ,n Z O的损 伤 阈值 足够大 , 双光 子吸 收过 程也 能够 将 电子 从价 态 激
发 到导带 , 并形 成激子 , 通过 激子 复合 产生 荧 光。 相 对 单 光子 过 程 , 光子 过 程 有 以下 两 点 优 势 : 双
() 1 泵浦光 移 向长 波 , 光子 过 程 激发 样 品 的深 双

纳米结构氧化锌半导体zno薄膜的室温紫外激光发射

纳米结构氧化锌半导体zno薄膜的室温紫外激光发射

纳米结构氧化锌半导体zno薄膜的室温紫外激光发射引言1.1 概述纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜作为一种具有优异光学和电学性能的材料,近年来受到了广泛关注。

它不仅具有高透过率和低电阻率的特点,还表现出优异的紫外激光发射性能。

随着纳米技术的不断发展,人们对于纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜在光电器件和生物医学领域中的应用前景越来越感兴趣。

1.2 文章结构本文分为五个部分进行阐述。

首先是引言部分,对纳米结构氧化锌半导体ZnO 薄膜的室温紫外激光发射进行了概述,并说明了文章的结构。

接下来是第二部分,详细介绍了纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的基本原理、室温下紫外激光发射机制以及制备方法和工艺技术。

第三部分探讨了纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜在光电器件和生物医学领域的应用前景,并指出了制备和性能优化方面所面临的挑战。

第四部分详细描述了实验方法和结果分析,包括ZnO薄膜制备过程、结构表征和光学特性测试以及实验结果的分析与讨论。

最后一部分是结论及展望,对纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的室温紫外激光发射进行总结,并提出未来研究方向和展望。

1.3 目的本文旨在系统地探讨纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜在室温下的紫外激光发射特性。

通过对纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜基本原理、室温下紫外激光发射机制以及制备技术等方面进行研究,进一步探讨其在光电器件和生物医学领域中的应用前景。

此外,我们还将介绍实验方法和结果,并对纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的未来研究方向进行展望。

以上为文章“1. 引言”部分的详细内容。

2. 纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的室温紫外激光发射:2.1 纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的基本原理:纳米结构氧化锌(ZnO)是一种独特的半导体材料,具有广泛的应用前景。

ZnO薄膜具有优异的光学和电学性质,使其成为实现室温紫外激光发射的理想材料。

这是因为ZnO具有直接带隙特性,并且能够实现较高的载流子浓度。

此外,纳米结构ZnO通过量子限制效应,可以显著改变其电子结构和光学特性。

室温下激发强度对ZnO晶须发光的影响

室温下激发强度对ZnO晶须发光的影响

长装置 中的石英玻璃管( 壁厚 5m 中进行单晶生长 , m) 实验装置为 F —- 00H 一P单晶炉 , zT1 0 一 1 0 V 热源是
由 4个 椭球 面反 射镜 和 4只 卤素灯组 成 的红外 聚焦型 加热 器 , 焦点 温度 最 高可 达 到 2 0 20℃ .预制棒 通
过最高加热温区的速率为 25m / , . m h 旋转速率 5rmn i.晶体生长气氛为 0 3 P 的氧气气氛. / . a M 为保证
制备 I. 4 尽管 Z O的熔点温度 ( 2 0 J n 约 0 0℃) 很高 , 但加热温度超过 9 0℃后 Z O极易升华 , 0 n 利用这一
特性 可 以把 Z O沉 积 在不 同的基 底 上 ( u i A: ) n A ,s, 1 等 .通 过 V S方法 已经制 备 出针状 、 状 、管状 O L 线
O 1 ; 6 4 0 4 . 6 1 O 1 ; 6 94 文献标识码 A 文章编 号 0 5 -7 0 2 1 )2 2 33 2 1 9 (0 0 0 - 4 4 0 0 4 中图分类号
Z O由于在 室 温下具 有 宽禁 带 (.7e 和高 激子 结合 能 (0m V) n 33 V) 6 e 的特 点 ,在 紫外 波 段光 电器 件
生长 方法 .F z法 晶体生 长 可 以不 使用 籽 晶 ,能有 效地 避免 因基 底 晶格 不 匹配所 造成 的 Z O 晶体 缺 陷. n 本 文 采用 浮 区法生 长 Z O晶体 ,在 03MP 气 ( 度 9 .% ) 氛 下 , 长 出较 大 尺 寸 的 Z O n . a氧 纯 99 气 生 n 透 明棒 状 晶须 .利用 x射线 衍射 对 晶体结 构进 行 表征 , 并通 过 R ma 谱 和光 致发 光光 谱研 究 了其光 a n光 谱特性 .研究 结果 表 明 ,F z法 生长 的 Z O晶须具 有 优异 的发 光特 性 . n

ZnO纳米结构形态调控与表面光电性能研究

ZnO纳米结构形态调控与表面光电性能研究

ZnO纳米结构形态调控与表面光电性能研究氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体功能材料,室温下能带带隙为3.37eV,激子束缚能高达60 meV,远高于其它宽禁带半导体材料(如:GaN为25 meV,ZnSe为22 meV)的激子束缚能,是室温热能的2.3倍(26 meV),因此ZnO 中的激子能够在室温下稳定存在,另外由激子-激子散射诱发的受激辐射的阈值要比电子-空穴等离子体复合的受激辐射阈值低,ZnO有望用于在短波长发光二极管、半导体激光器、紫外探测器、太阳能电池、高频和大功率器件。

另外,ZnO 还具有制备工艺简单,能带及导电类型易调控和无毒无污染等优点。

ZnO由于其晶体具有极性特征,导致了其丰富的纳米形态,诸如纳米线(棒)、纳米管、纳米带、纳米片、纳米环、纳米花、纳米螺旋结构等,不同的结构各有其特定的用途,使得ZnO的形貌和结构控制具有重要意义。

ZnO与硫能产生强的相互作用,可以作为硫的吸附剂使用。

本研究将含硫化合物应用到ZnO的制备过程中,不仅在一定程度上实现了对ZnO的形核、生长和形貌的控制,而且获得了一些新型的复合纳米结构,同时有针对性地对有关体系的荧光发射性能、表面光电压和光电流性能和电荷转移机理进行了研究,内容包括以下几方面:(一)、以十二烷基硫醇为代表研究了直链硫醇(C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>SH,n=5,6,8,10,12)在硝酸锌。

六次甲基四胺水热合成ZnO过程中对形态结构的影响,用X-射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜、荧光光谱等技术对得到的纳米结构进行了全面的表征。

实验事实证明:在反应过程中反应体系分为两相,硫醇相和水溶液相。

ZnO在水相中成核,与水相中溶解的十二烷基硫醇作用后因疏水作用而被萃取到硫醇相中,进而使ZnO的生长停止。

通过高温烧结硫醇相中的ZnO前驱体,可以得到ZnO的纳米颗粒。

ZnO单晶材料不同温度下光致发光性能研究

ZnO单晶材料不同温度下光致发光性能研究
21 0 0年 第 5期
大 众 科 技
DA ZHONG KE J
No. 2 0 5, 01
( 第 1 9期 ) 总 2
( muai l N .2 ) Cu lt ey o1 9 v
Z O单 晶材料 不同温度 下光致发光性 能研 究 n
夏 威 孟 宪权 刘 文 军 朱振 华
P o ne 邮 (v h t n o B)
( )实验 方 法 一
… I… ‘ … m
lm c Z0 c ×lm n 体材料表面光滑 ,透 明。光致发光仪器的光 源为 H — d 3 5 m e C 2n 单模 激光器,激发功率为3m 。单色仪采 5W 用H RB o i vn 产 的 iR 2 ,探 测 器 为 光 电倍 增 管 。 O IA J b n Y o 生 H 30
( 武汉大学物理科 学与技 术学院 ,湖北 武汉 4 0 7 3 0 2)
【 摘 要 】对 z 0 单晶材料 不同温度 下进行 了光致发 光研 究。室温下 Z O 单晶有两个发光峰 ,分别 为 3 5m 的紫外发光 n n 7n 峰和 50 m 的可见光发光带。随着温度 的降低 ,出现 两个 紫外发光峰 ,分别为 自由激子 ( X)和束 缚激 子( x) 7n F D 发光峰 ,并且 束缚激子发 光峰 随着温度 降低较 自由激子变化明显。 较低 温度时在 3 0m 到 4 0 m 出现 多个发光峰 , 7n 0n 为声- (O)  ̄ - L 参与的受主束 - 缚激子 ( x)发光峰。1K 时出现 四个紫外发光峰 ,分 别为 自由激子 ( x) 面激子 ( X)和束缚激子( x) A 0 F 、表 S D 发光峰。 【 关键 词 】Z O 单 晶 ;低 温 ;光 致 发 光 n 【 图分 类号 】T 0 . 中 N143 【 献标 识码 】A 文 【 章 编 号 】1 0 - 1 1 0 00 — 1 7 0 文 0 8 15 ( 1)5 0 1— 1 2

王克伦纳米结构氧化锌半导体zno薄膜的室温紫外激光发射 -回复

王克伦纳米结构氧化锌半导体zno薄膜的室温紫外激光发射 -回复

王克伦纳米结构氧化锌半导体zno薄膜的室温紫外激光发射-回复题目:王克伦纳米结构氧化锌半导体ZnO薄膜的室温紫外激光发射引言:纳米科技已经深入各个领域,广泛应用在材料学、电子学、光学以及生物医学等领域。

其中,纳米结构的氧化锌半导体ZnO薄膜因其在室温下能够发射紫外激光,引起了广泛的研究兴趣。

本文将深入探讨王克伦提出的一种新型的方法来制备具有纳米结构的氧化锌半导体ZnO薄膜,并在室温下实现紫外激光的发射。

一、氧化锌半导体ZnO薄膜的概述1. 简介氧化锌(Zinc Oxide, ZnO)是一种广泛应用在光电器件中的半导体材料。

具有宽能隙、高效率、低成本等特点,使其成为近年来研究的热点之一。

2. 薄膜制备方法当前,制备氧化锌半导体ZnO薄膜的常用方法主要有磁控溅射、分子束外延和溶液沉积等。

然而,这些方法存在着成本高、温度要求高等问题,因此需要寻找更加有效且低成本的制备方法。

二、纳米结构的氧化锌半导体ZnO薄膜的制备方法1. 王克伦提出的方法王克伦等学者提出了一种制备纳米结构的氧化锌半导体ZnO薄膜的新方法。

他们使用溶液沉积法,并结合了后续的热退火和掺杂步骤,成功地制备出了具有纳米结构的ZnO薄膜。

2. 实验步骤(1)制备溶液:将适量的锌盐和有机溶剂混合,并加热搅拌,以制备出溶液;(2)溶液沉积:将制备好的溶液通过旋涂或喷涂等方法涂覆在合适的基片上;(3)热退火:将涂覆好的基片在一定的温度下加热退火,使溶液中的有机物脱除,形成ZnO薄膜;(4)掺杂:在退火后的薄膜上进行掺杂处理,以改变薄膜的电学性质。

三、纳米结构的氧化锌半导体ZnO薄膜的室温紫外激光发射机理1. 紫外激光的发射机理当ZnO材料被外界激发时,电子和空穴会被激发到导带和价带之间的能级。

随后,电子和空穴通过辐射再组合的方式释放出能量,产生紫外激光。

2. 纳米结构的影响纳米结构的ZnO薄膜相较于常规结构的薄膜,在材料光学特性方面具有独特优势。

其较高的表面积使得电子和空穴的复合几率增加,有利于激光的发射。

金属纳米阵列增强ZnO紫外发光机理的研究

金属纳米阵列增强ZnO紫外发光机理的研究

金属纳米阵列增强ZnO紫外发光机理的研究金属纳米阵列增强ZnO紫外发光机理的研究引言随着纳米科技的快速发展,金属纳米阵列作为一种重要的纳米材料,已经在多个领域展现出了独特的光学、电学性质。

而锌氧化物(ZnO)是一种广泛应用于光电器件中的半导体材料,具有宽带隙、高热稳定性和优异的光电性能。

许多研究表明,金属纳米阵列可以显著增强ZnO材料的紫外发光效果。

本文将探讨金属纳米阵列增强ZnO紫外发光的机理。

金属纳米阵列制备与表征金属纳米阵列是由金属纳米粒子在二维或三维排列而成的结构。

制备金属纳米阵列的方法包括溶液法、化学气相沉积法等。

其中最常用的方法是溶液法。

通过控制溶液中金属离子的浓度、反应温度和时间可以调节金属纳米颗粒的尺寸与间距。

扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)可以用来表征金属纳米阵列的形貌和结构。

金属纳米阵列增强ZnO紫外发光的实验结果实验结果表明,在室温下,通过沉积金属纳米阵列在ZnO薄膜上,可以显著增强ZnO的紫外发光强度。

例如,在一定制备条件下,使用溶液法制备了具有一定尺寸和间距的银(Ag)纳米阵列,并将其沉积在ZnO薄膜表面。

在掺杂浓度相同时,与普通ZnO薄膜相比,ZnO薄膜中存在金属纳米阵列的样品表现出更强烈的紫外发光。

通过调节金属纳米阵列的形貌和间距,还可进一步控制ZnO的发光波长。

金属纳米阵列增强ZnO紫外发光的机理探讨1. 表面等离子体共振效应金属纳米阵列可以产生表面等离子体共振效应,当光波与金属纳米颗粒表面相互作用时,会在金属纳米阵列表面激发出表面等离子体共振波。

这种表面等离子体共振波将电磁波能量集中在金属纳米颗粒周围,从而增强了ZnO材料的紫外发光效果。

2. 荧光增强效应金属纳米阵列在紫外光激发下,能够引起局部电磁场增强,从而增强ZnO材料的荧光效果。

这是因为金属纳米颗粒表面存在局部表面等离子体共振,可以放大ZnO材料荧光发射的强度。

3. 能量转移过程金属纳米阵列与ZnO材料之间还存在能量转移的过程。

ZnO纳米晶的室温紫外受激发射特征

ZnO纳米晶的室温紫外受激发射特征
第 3 0 卷 , 第 9 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 2 0 1 0 年 9 月 Spectro sco py and Spectr al Analy sis
V ol.30 , N o.9 , pp2525-2 528 Septembe r , 2010
Z nO 半导体量 子点 材料 与体 材料 相比 具有 崭新 的 光电 特性 , 纳米结构中的量子尺寸效应使得激 子的振子 强度有数 量级上的增加 , 在室 温三 维 受限 下的 Z nO 纳米 微晶 , 或者 Z nO 半导体量子点材料中便可观察到自由激 子的发光 。基于 Z nO 的激子特性对制备氧化锌基的光电子器 件至关重 要 , 对 Z nO 量子点中激 子的 发光 性质 及其 跃迁 过程 进行 研究 就显 得十分必要 。虽然人们已经在 各种形态的 ZnO , 包括 各种方 法制备的薄膜 , 纳米结构 , 荧光粉中都 相继观 察到了 紫外受 激发射[ 3-9] , 但多在超晶格 和高 质量的 薄膜 中观 察到自 由激 子的发光[ 1 , 3-5, 9-12] , 在 纳 米 晶中 较 少 观 察到 自 由 激 子的 发 光[ 13] 。虽然在高质量的薄膜中 , 有报道自由激子发光 , 激子激子散射引起的带边发射随泵浦功率的变化 , 但是 没有报道 自由激子以及激子-激子散 射引 起的发 射带 的动 力学过 程随
其中zno是宽带隙的半导体材料不但具有和gan相近的晶格特性而且具有更高的熔点和激子束缚能60mev特别是zno常温下光泵浦紫外激光的实现型导电型zno研究的进展更掀起了zno的研究热zno半导体量子点材料与体材料相比具有崭新的光电特性纳米结构中的量子尺寸效应使得激子的振子强度有数量级上的增加在室温三维受限下的zno纳米微晶或者zno半导体量子点材料中便可观察到自由激子的发光

光谱学与光谱分析_ ZnO纳米颗粒受激发射的时间分辨特性

光谱学与光谱分析_ ZnO纳米颗粒受激发射的时间分辨特性

ZnO 纳米颗粒受激发射的时间分辨特性
王晓芳1 , 谢平波1 , 赵福利2 , 汪河洲2
11 华南理工大学材料科学与工程学院 , 广东 广州 510641 21 中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室 , 广东 广州 510275
摘 要 在飞秒脉冲激光激发下 , 观察到了均匀沉积法获得的 ZnO 纳米颗粒的受激辐射现象 , 并从频域和 时域两方面研究了 ZnO 纳米多晶的室温激射特性 。氧化锌纳米颗粒中出现激子2激子散射导致的激射阈值为 71 2 GW ·cm - 2 , 激射模式类似于 F2P 谐振腔模式 , 时域谱则表现为寿命曲线中出现快速衰减成分 。与荧光 的时间衰减曲线不同 , P 带时间衰减具有对称结构 , 高斯拟合结果只有几个 p s , 接近条纹相机的时间分辨率 极限 。研究 ZnO 纳米颗粒的受激发射与激光特性对揭示 ZnO 晶体的内部结构和激子激发态的性质 、激光产 生的机理等有重要意义 。
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光谱学与光谱分析 第 29 卷
的发光强度迅速增强 , 谱线宽度也出现大幅度地窄化到 10 nm 以下 , 谱带发光强度的非线性增强和谱线宽度的大幅度 窄化是无反馈型自发辐射放大[8] 。图 1 ( b) 给出了 ZnO 纳米 颗粒谱带的积分强度对激发光强度的依赖关系 。显然 , 在激 发功率达到 33μW 左右 、谱线宽度从原本的几十纳米突然减
关键词 ZnO 纳米颗粒 ; 时间分辨 ; 受激发射 中图分类号 : O6571 3 文献标识码 : A DOI: 101 3964/ j1issn1 100020593 (2009) 0621459204
引 言
ZnO 为直接带隙半导体 , 室温禁带宽度约为 31 37 eV , 对应紫外光波长 , 能以带间直接跃迁的方式获得高效率的紫 外辐射复合[1] 。ZnO 的另一个重要特性是激子束缚能很大 , 高达 60 meV , 能有效工作于室温 ( KB T~26 meV) 及更高温 度 , 而且光学增益与块状 ZnO 晶体相比要高一个数量级以 上 , 可达 300 cm - 1 , 这就使得 ZnO 成为短波长半导体激光器 材料研究的国际热点[224] 。但是早期可能由于晶体生长技术 的限制并没有观察到 ZnO 室温下的激子复合发光 , ZnO 晶 体中高密度的缺陷很容易使自由激子散射而离化[5 , 6] 。

氧化锌纳米晶_卟啉复合材料能量及电子转移过程

氧化锌纳米晶_卟啉复合材料能量及电子转移过程

第16卷 第6期长 春 大 学 学 报Vol .16 No .6 2006年12月JOURNAL OF CHANGCHUN UN I V ERSI TY Dec .2006 文章编号:1009-3907(2006)06-0034-03收稿日期:2006-08-22基金项目:吉林省教育厅科研课题(20030123)作者简介:谭芳(1975-),女,长春大学理学院实验员,硕士,主要从事半导体纳米光电材料的研究。

氧化锌纳米晶\卟啉复合材料能量及电子转移过程谭 芳(长春大学理学院,吉林长春 130022)摘 要:利用溶胶2凝胶方法制备了半导体ZnO 纳米材料,用混合方法将ZnO 与卟啉有机物(对2二羟基苯基卟啉)形成复合体系。

通过对复合体系光学性质变化的研究,建立了半导体晶体2有机化合物的能级结构图,提出了纳米材料———有机物复合体系中的能量及电子转移过程[1]。

关键词:Zn O 纳米晶;荧火光谱;光电光谱;转移过程中图分类号:O471.4 文献标识码:A1 ZnO 光学性质ZnO 具有纤锌矿结构,密度为5.67g/c m 3,晶格常数为a =3.249!,c =5.206!。

激子不易发生热离化,可在室温下实现高效率的激光发射,是一种具有很大应用潜力的短波长发光材料[1-3]。

ZnO 的光致发光(P L )表现为近带边(NBE )紫外发光和深能级(DL )发射。

DL 发射是与结构缺陷和杂质相关的,结构缺陷来自生长过程中氧供能量不足,即锌和氧的化学剂量比失衡[526]。

图1 卟啉前线轨道能级图2 卟啉类材料的光学性质卟啉(Por phyrin )是一类特殊大环共轭芳香体系[7]。

在紫外2可见光区,卟啉化合物的特征吸收谱包括约400nm 的一个强的B 带(也称为Soret 带)和出现在450~700n m 的几个相对比较弱的吸收带(称为Q 带)[8],这种吸收谱可根据四轨道模型来解释(如图1)[9]。

卟啉分子具有两个简并的最低未占据分子轨道(LUMO )(π轨道),这两个轨道具有e g 对称性和两个几乎简并的最高占据分子轨道(HOMO )(π3轨道),这两个轨道具有a 1u 和a 2u 对称性。

ZnO纳米带的光学性能研究

ZnO纳米带的光学性能研究

摘要:ZnO作为一种重要的宽带隙半导体材料,具有较好的光学性能。

ZnO纳米带以其统一的几何尺寸,较少的线缺陷,作为特殊的纳米材料,展现了其独特的性质。

本文综述了ZnO纳米带的制备方法,掺杂不同物质对其光学性能的影响,也对当前对ZnO纳米技术的研究与应用做了简要介绍,并对其今后的研究进行了相应的展望。

关键词:ZnO纳米带光学性质Abstract:ZnO is an important wide band gap semiconductor material with special optical properties. ZnO nanobelts with its uniform geometry, less linear defects, as the special nanomaterial, demonstrated its unique character. This paper reviews the methods of synthesizing ZnO nanobelts, doped optical properties of different substances to their different effects, but also on the current of the ZnO nanotechnology research and application of a brief introduction, and the future prospects for research accordingly.Key words:ZnO nanobelts optical properties1 引言ZnO是典型的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下的带隙宽度为3.37eV,具有较高的激子束缚能(~60meV),保证其室温下紫外激光发射[1]。

ZnO作为一种继GaN蓝光二极管诞生以来倍受瞩目的宽禁带直接带隙半导体,在紫外、蓝绿、黄红等波段都观察到光发射现象[2]。

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泵浦功率的演化 。 本文采用溶胶-凝胶 法制备了 Z nO 纳 米晶 , 用 X 射 线衍
射(XRD)和光致发光谱(P L)分 析了 Z nO 纳米晶 的晶体 结构 和发光性能 。在飞秒 脉冲 激发 下观 察到 ZnO 纳 米晶 在室 温 下有很强的紫外受激辐 射 , 研究了样品的紫 外发射稳态 和瞬 态光谱随激发功率的依 赖关系 , 观 察到自 由激子的 发光 , 激 子-激子碰撞和电子-空 穴等离子 的受激 发射 , 描述 了室温 下 紫外受激辐射的机理 , 讨论了带边发射的动力学过程 。
第 3 0 卷 , 第 9 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 2 0 1 0 年 9 月 Spectro sco py and Spectr al Analy sis
V ol.30 , N o.9 , pp2525-2 528 Septembe r , 2010
1 实 验
用电子分析天平秤 取 13.17 g 的乙酸锌 , 溶解于 200 m L 乙二醇甲醚中 , 把装 有溶 液的 烧杯 放到 81-2 型 恒温 磁力 搅 拌器 上 , 逐 渐升高 温度 , 调节转 速 , 使乙酸 锌慢慢 溶解 , 加 入少量乙酰丙 酮 , 使其 完 全溶 解 并防 止沉 淀 。经 过 40 ~ 60 min 的 搅拌 , 形成 Z n 离 子浓 度为 0.3 mo l · L -1 的 透明均 质 溶液 。接着 , 对溶液进行热处 理 , 于 100 ℃对溶液进行 3 d 的 烘化 。将固体颗粒装进坩埚中 , 放入电阻 炉中在 850 ℃的条 件下进行退火 。退火处理完毕后 , 样品呈现白色 。
En
= Eex
-E
ex b
1
-
1 n2
-
3 2
kT
方程中 Eex 是自由激子能量 ,
E
ex b
≈60
meV
是 Z nO 的 激子束
缚能 , k 是玻尔兹曼常数 , n 是激发态的量子数 , n=2 , 3, … ,
∞。室温时方程给出了 Eex -E2 =84 meV 的 结果 , 这与样品 在室温下自由激子发射峰 Eex(3.30 eV)和自 由激子-激 子非
ZnO 纳米晶的室温紫外受激发射特征
贾继扩1 , 罗 莉1* , 张 伟1 , 黄方映1 , 戴强钦1 , 丁才蓉2 , 汪河洲2
1 .广东工业大学物理与光电工程学院 , 广东 广州 510006 ห้องสมุดไป่ตู้ 2 .中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室 , 广东 广州 510275
Scherre r 公式
D
=
0.9λ B cosθB
可算出晶粒尺寸 , 式中 D 代表晶粒尺寸(nm);B 是衍射峰的
半高度 , λ代表 X 射线 波长 , 本实 验中 λ=0.154 nm ;θB 是 Br ag g 衍射角 , 经计算得氧 化锌晶粒尺寸是 44.9 nm 。
弹性散射引起的受 激发射 的第一 个峰(3.22 eV)之间的 能量 差 80 meV 相吻合 , 这个发射峰也就是 P2 带 。随着激发功率 增加 , P2 峰越来越尖锐 , 出现了受激发射 。当泵浦功率 进一 步增加(如 70 μW)时 , 观察到一个稳定 的不随激发功率 增加 而改变位置的新 发射 峰 , 位 于 3.204 eV 处 , 比 P2 峰 的能 量 (3.22 eV)低 16 meV , 室 温时 方程(1)给出 了 E2 -E∞ =15 meV , 表明该峰 属于 激子-激 子非 弹性 散射 引起 的发 射的 最 后一个峰 , 称为 p 峰 。该峰谱线半高宽为 0.031 eV , 表明其 为受激 发 射 。在 实 验 室 中 继 续 不断 增 大 泵 浦 功 率(如 100 μW)时 , 发现样品的激射强度不再 明显地 继续增大 , 而 逐渐 呈饱和趋势 。这时激射显示了连续 的红移 和展宽 。由于 在高 密度激发条件下激子趋 于离化 , 这时紫外受 激发射主要 由电 子-空穴等离子体的辐 射复合 引起 , 这是电 子-空穴 等离子 体 (EHP)引起的受 激发射 。图 2(a)显示 出自 由激 子发 光和 激 子-激子非弹性散射 峰之 间存 在竞争 关系 。 下 面详 尽的研 究 了在不同激发功率 下自由 激子 发光 和激子-激 子非 弹性散 射 的动力学过程 。图 2(b)是室温 时在不 同激发 功率下 p2 带的 时间分辨光谱 , 该图显示低功率下(如 30 μW)该峰发射 强度 随时间单指 数 衰减 , 表 明 其 为自 发 发射 , 随着 激 发功 率 增 加 , p2 带的衰减时间 越来越 短 , 当 激发功 率为 70 μW 时 p2 带出现了受激发射 , 这时 p2 带的 下降 沿的衰 减时 间和上 升 沿的上升时间相等 , 表明出现了受激发射 。
发光性能测试采用 的激发光 源是光 参量放 大器(Spectra P hy sics :O PA-800C)的 四倍 频 输 出 , 自 动 锁模 的 T i:Sapphire 固体飞秒 激光器(Spectra-Phy sics:M ai T ai , 重复率 80 M Hz)的输出经振荡级(Spectr a-Physics , H urricane)展宽 、 放
摘 要 Z nO 的激子特性对制备氧化锌基的 光电子器件至关重要 , 因此对 Z nO 量 子点中激 子的发光性 质及 其跃迁过程进行研究显得十分必要 。采用溶胶-凝 胶法制备了 ZnO 纳米晶 , X 射线衍射(X RD)结果表明 样品 具有六角纤锌矿多晶结构 。研究了在不 同泵浦功率激发下 ZnO 纳米 晶的紫外发射 的时间积 分光谱和时 间分 辨光谱 , 观察到自由激子发光 , 激子-激子碰撞和电子-空穴等离子体引起 的受激发射 , 研究 了在不同泵 浦功 率激发下自由激子及激子-激子碰撞随泵浦功率依赖的动力学过程 。研究结果对理 解激子带 边发射有一 定帮 助 , 对 Z nO 材料在短波长半导体光电器件方面有潜在的应用价值 。
收稿日期 :2009-10-11 , 修订日期 :2010-01-16 基金项目 :国家自然科学基金项目(10774031)和广东省自然科学基金项目(07001790)资助 作者简介 :贾继扩 , 1984 年生 , 广东工业大学物理与光电工程学院硕士研究生 e-mai l :jjkszy @y ahoo .com .cn
关键词 Z nO 纳米晶 ;自由激子 ;受激发射 ;瞬态光谱 中图分类号 :O 657.3 文献标识码 :A DOI:10.3964/ j.issn.1000-0593(2010)09-2525-04
引 言
近年来 , 蓝紫光材料及其发 光二极 管 、 激 光器以 其潜在 的巨大应用市场成为研究的热点 , 而 以 GaN , ZnO 系列材料 的研究最为突出 。其中 Z nO 是宽带隙的半导体材料 , 不但具 有和 GaN 相近的 晶格特 性 , 而且具 有更 高的 熔点 和激 子束 缚能 (60 meV), 特别是 ZnO 常 温下光泵浦 紫外激光 的实现 和 p 型 导 电 型 ZnO 研 究 的 进 展 更 掀 起 了 ZnO 的 研 究 热 潮[ 1 ,2] 。
Fig.2 Pumping power dependent PL (a) and time-resolved spectra of the p2 band of ZnO nanocrystals at room temperature (b)
图 3(a)是在不同激发功率下自由激子峰 Eex 和激子-激子 非弹性散射引起的发射的最后一 个峰 p 的时 间分辨光谱 。在 低功率下 , 自由激子表现为 自发 发射(15 μW 激发 时其衰 减 可用单指数拟合 , 寿命 为 30 ps), 随泵 浦功率 加大 , 其衰 减 要用双指数拟合 , 自由激子发光强度衰减曲 线中出现一 个短 寿命(约 2.75 ps)和一个长寿命(约 36 ps), 长寿命起源 于其 自发发射 , 短 寿命 起源 于 激子-激 子碰 撞 。在 低功 率 下 , P2 和 P 带衰减较自由激子慢 , 容易完全填满饱和 , 发射以 自由 激子为主 ;中等功 率激 发下 , 激 子-激子 碰撞 频繁 , 这 时 P2 峰衰减加 快 , 比 自 由 激 子 还 快 , 出 现 P2 的 受 激发 射(2.6 ps);高功率下激子-激 子碰 撞更 加频 繁 , P 带衰 减加 快 , 出
Fig.1 XRD pattern of ZnO nanocrystals
为研究样品的激子发光特性 , 研究了 在不同激 发功率下 样品紫外发射的时间积分光谱和时间分辨光谱 。如图 2(a)所
示 , 在较低激发功率时 , 在 3.30 eV (375 nm)附近 有较强的 紫外发光峰 , 这 是自由 激子的 发光峰 Eex 。ZnO 在室温 下的 禁带宽度为 3.37 eV , 而其室 温下的 激子束 缚能为 60 meV ,
Z nO 半导体量 子点 材料 与体 材料 相比 具有 崭新 的 光电 特性 , 纳米结构中的量子尺寸效应使得激 子的振子 强度有数 量级上的增加 , 在室 温三 维 受限 下的 Z nO 纳米 微晶 , 或者 Z nO 半导体量子点材料中便可观察到自由激 子的发光 。基于 Z nO 的激子特性对制备氧化锌基的光电子器 件至关重 要 , 对 Z nO 量子点中激 子的 发光 性质 及其 跃迁 过程 进行 研究 就显 得十分必要 。虽然人们已经在 各种形态的 ZnO , 包括 各种方 法制备的薄膜 , 纳米结构 , 荧光粉中都 相继观 察到了 紫外受 激发射[ 3-9] , 但多在超晶格 和高 质量的 薄膜 中观 察到自 由激 子的发光[ 1 , 3-5, 9-12] , 在 纳 米 晶中 较 少 观 察到 自 由 激 子的 发 光[ 13] 。虽然在高质量的薄膜中 , 有报道自由激子发光 , 激子激子散射引起的带边发射随泵浦功率的变化 , 但是 没有报道 自由激子以及激子-激子散 射引 起的发 射带 的动 力学过 程随
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