放大器基础PN结的单向导电性、三极管的电流控制特点
电路与电子技术基础总复习题及解
《电路与电子技术基础》总复习题及解2013.11《电路与电子技术基础》总复习题及解2013.11一、问 答第一章答题1. 电流与电压为关联参考方向是指什么？答：电流参考方向（箭头方向）与电压降参考方向（“+”到“-”的方向）一致的方向。
第二章答题1. 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为短路，理想电流源不作用时视为 开路。
2、求含有受控源单口网络的戴维南（诺顿）等效电路的内阻时，屏蔽掉电源后须用 外施电压、电流 法求得。
第三章答题1、对于电容C 和电感L ，电压和电流间的关系为：，2、换路定律是指： 3、全响应解的两种表达式： （1）全响应=（零输入响应）+（零状态响应）（2）三要素法：第四章答题1、直流电路中，感抗为0，容抗为无穷大。
2、正弦电压 u (t ) =2U cos (?t + ?u )对应的相量表示为 u U U θ∠=•。
3、任意一个相量乘以j相当于该相量逆时针旋转90o 。
1倍，4、三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为相电压是线电压的3且相电压滞后对应线电压30°。
对称电源△接线时，线电流、相电流之间关系为线电流等于3倍相电流，相位滞后对应相电流30°。
5、电阻元件的电压电流的有效值满足：U=IR，关联参考方向下电压和电流同相位，即第五章答题无第六章答题1、本征半导体电子浓度等于空穴浓度；N型半导体的电子浓度大于空穴浓度；P型半导体的电子浓度小于空穴浓度。
2、场效应管属于电压控制型器件，晶体三极管则属于电流控制器件。
3、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结正向偏置；集电结反向偏置。
4、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
5、 PN结的单向导电性，就是PN结正偏时导通，反偏时截止。
6、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic 增加，发射结压降U BE减小。
第七章答题1、共模抑制比K CMR是差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）之比。
三极管的工作原理
三极管的工作原理引言概述：三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它的工作原理是基于PN结的导电性能和控制电流的特性。
本文将详细介绍三极管的工作原理，匡助读者更好地理解这一电子元件的运作机制。
一、PN结的形成1.1 PN结的概念：PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的结构。
1.2 PN结的电性：PN结的两侧形成电场，使得P区和N区的电子和空穴在结附近被吸引，形成电势垒。
1.3 PN结的导电性：当PN结处于正向偏置时，电子从N区向P区挪移，空穴从P区向N区挪移，导致PN结导通。
二、三极管的结构2.1 三极管的构造：三极管由三个掺杂不同的半导体层组成，分别是发射极、基极和集电极。
2.2 三极管的符号表示：三极管的符号表示为一个箭头指向基极，箭头指向基极的一侧是发射极，另一侧是集电极。
2.3 三极管的工作方式：三极管通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
三、三极管的工作原理3.1 放大作用：当基极电流增加时，集电极和发射极之间的电流也增加，实现信号的放大。
3.2 开关作用：三极管可以被用作开关，当基极电流为零时，三极管处于截止状态，不导通；当基极电流增加时，三极管处于饱和状态，导通。
3.3 稳压作用：三极管可以用作稳压器，通过控制基极电流来实现对电路中电压的稳定。
四、三极管的应用领域4.1 放大器：三极管广泛应用于放大电路中，如音频放大器、射频放大器等。
4.2 开关：三极管可用作开关，控制电路的通断，如数字电路、计算机内部电路等。
4.3 稳压器：三极管可以用作稳压器，保护电路中的其他元件不受过高电压的影响。
五、三极管的发展趋势5.1 集成化：随着技术的不断进步，三极管正向着微型化、集成化的方向发展，以适应电子设备的小型化趋势。
5.2 高频化：三极管的工作频率不断提高，适合于更高频率的应用领域，如通信领域。
5.3 多功能化：未来的三极管可能会具有更多的功能，不仅可以实现放大、开关、稳压等功能，还可能具有更多的应用场景。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(四)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 。
PN 具有 特性。
2．硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 伏；其门坎电压V th 约为 伏。
3．为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结 偏置，集电结 偏置。
对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC 。
4．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC ）耦合、直接耦合和 耦合三大类。
5．在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，组态有电流放大作用， 组态有倒相作用； 组态带负载能力强。
6．将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍。
7．为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：。
②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 。
③稳定输出电流： 。
8．某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000，反馈系数F ＝0.01，则闭环放大倍数≈⋅f A 。
二、选择题1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
βA)共射电路B)共基电路C)共集电路D)共集-共基串联电路3．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）。
A)不用输出变压器B)不用输出端大电容C)效率高D)无交越失真4．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。
三极管 讲解
三极管讲解三极管，也称为晶体三极管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT），是一种半导体器件，用于放大和开关电信号。
它由三个半导体层组成，其中包括两个异种半导体材料（通常是N型和P型硅）和一个绝缘的基底。
三极管有三个电极，分别是发射极（Emitter，E）、基极（Base，B）和集电极（Collector，C）。
三极管的基本工作原理：1.PN结：三极管中的N型和P型半导体层形成两个PN结。
PN结是两种半导体之间的界面，具有整流性质。
2.工作状态：•当NPN三极管中的发射结极（N型）接通正电压，基极（P型）接通负电压时，发射极-基极形成正向偏置，而集电极-基极形成反向偏置。
•当PNP三极管中的发射极（P型）接通负电压，基极（N 型）接通正电压时，发射极-基极形成正向偏置，而集电极-基极形成反向偏置。
3.放大作用：当在发射极和基极之间加上一个小信号电压时，这个信号电压会影响PN结的电流，从而控制集电极和发射极之间的电流。
这种调控作用使得三极管可以作为放大器。
4.工作区域：•放大区域：在适当的工作偏置下，三极管可以进入放大工作区域，通过控制小信号电压来放大输入信号。
•截止区域：当三极管的基极电压太低时，三极管截至，电流无法通过，处于关闭状态。
•饱和区域：当三极管的基极电压适当时，电流可以通过，但达到最大值，三极管处于饱和状态。
三极管的类型：1.NPN型：N型发射极，P型基极，N型集电极。
2.PNP型：P型发射极，N型基极，P型集电极。
三极管的应用：1.放大器：用于放大小信号，如音频信号。
2.开关：用作数字和模拟电路中的开关元件。
3.振荡器：用于产生振荡信号。
4.放大电路：在无线通信和射频电路中使用。
三极管在电子领域中有广泛的应用，是许多电子设备和系统的基础元件之一。
放大电路基础知识
第一节 半导体二极管
2．最大反向工作电压URM 最大反向工作电压URM是指二极管工作时两端所允许加的最
大反向电压。为保证二极管安全工作、不被击穿，通常URM 约为反向击穿电压UR的一半。 3．反向电流 反向电流是指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反 向电流越小，管子的单向导电性能越好。常温下，硅管的反 向电流一般只有几微安；锗管的反向电流较大，一般在几十 至几百微安之间。 4．最高工作频率
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第二节 半导体三极管
由图1-14所示的输出特性曲线可以看出如下三点特性。 曲线的起始部分较陡，且不同的IB曲线的上升部分几乎重合，
表明当UCE较小时，只要UCE略有增大， IC就迅速增加，但 IB几乎不受IC的影响。 当UCE较大（例如大于1 V）后，曲线比较平坦。 曲线是非线性的。由于三极管的输入、输出特性曲线都是非 线性的，所以它是非线性器件。 六、晶体管的主要参数 1．穿透电流 穿透电流ICEO是指基极开路时集一射极之间的电流。
在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在截止状态 或饱和状态，并在截止状态和饱和状态之间经过短促的放大 状态进行快速转换和过渡。
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第二节 半导体三极管
(1)截止状态 当开关S接位置1时，三极管发射结电压 UBE<UT，相当于开关断开状态，等效电路如图1-11 (b) 所示。
是具有电流放大作用。三极管按其结构不同，分为NPN型和 PNP型两种。相应的结构示意图及电路符号如图1-8所示。 在制作三极管时，其内部的结构特点是： 发射区掺杂浓度高； 基区很薄，且掺杂浓度低； 集电结面积大于发射结面积。 以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。 另外，三极管按其所用半导体材料不同，分为硅管和锗管； 按用途不同，分为放大管、开关管和功率管；按工作频率不 同，分为低频管和高频管；按耗散功率大小不同，分为小功
三极管的工作原理
三极管的工作原理三极管是一种用于放大、开关和稳压等电子元件。
它由三个控制电极组成，分别是基极、发射极和集电极。
三极管中，基极起控制作用，发射极负责输入信号，集电极负责输出信号。
三极管可分为NPN型和PNP型，其工作原理基本相同。
三极管的工作原理可以通过PN结的二极管特性来理解。
PN结是由P型和N型半导体材料结合而成的。
在PN结中，P区充分掺入杂质产生大量空穴，而N区充分掺入杂质产生大量电子。
当P区和N区相接触时，空穴和电子会发生扩散并重新组合，形成一个电子势垒。
当外加电压正向偏置（即正极连接在P区，负极连接在N区）时，电子势垒将变窄，电子和空穴能够自由通过PN结，形成导电通道；而当外加电压反向偏置时，电子势垒将变宽，阻止电子和空穴通过PN结，形成截止状态。
NPN型三极管中，基极连接在P区，发射极连接在N区，集电极连接在P区。
工作时，当基极正向偏置时，即将一个正电压加到基极上，这将使PN结变窄，电流从发射极进入PN结，流入基区，然后大部分电流流入集电极。
这种状态被称为开启状态，一般用于放大信号。
当基极反向偏置时，即将一个负电压加到基极上，PN结变宽，电流很难从发射极进入PN 结，三极管处于关闭状态。
这种状态被称为截止状态，一般用于切断信号。
PNP型三极管中，基极连接在N区，发射极连接在P区，集电极连接在N区。
它的工作原理与NPN型基本相反。
当基极反向偏置时，即将一个正电压加到基极上，PN结变窄，电流从发射极进入PN结，流入基区，然后大部分电流流入集电极。
这种状态被称为开启状态，一般用于放大信号。
当基极正向偏置时，即将一个负电压加到基极上，PN结变宽，电流很难从发射极进入PN结，三极管处于关闭状态。
这种状态被称为截止状态，一般用于切断信号。
此外，三极管还可以作为开关使用。
当输入端给予一个小电流时，三极管处于截止状态；当输入端给予一个足够大的电流时，三极管处于饱和状态。
通过改变输入电流的大小，可以控制输出电流的开关状态。
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
模拟电子技术复习指导(成教)2015
C. 交 流 串 联
8. 图示电路（ C ） 。
A．能振荡，振荡频率是 f =
1 B．满足振荡的相位条件，不满足振幅条件，所以不能振荡 2πRC
C．不满足振荡的相位条件，所以不能振荡 D．满足相位条件，所以能振荡
9. 集 成 运 放 存 在 失 调 电 压 和 失 调 电 流 ， 所 以 在 小 信 号 高 精 度 直 流 放 大 电 路 中 必 须 进 行 （ D ） 。 A. 虚地 B. 虚短 C. 虚断 D. 调零 10. 乙类互补对称功率放大电路（ C ） A．能放大电压信号，但不能放大电流信号 B．既能放大电压信号，也能放大电流信号 C．能放大电流信号，但不能放大电压信号 D．既不能放大电压信号，也不能放大电流信号 11. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ A
17. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（
A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D.
为了防止干扰信号的混入， 应选用 18. 已知输入信号的频率为 40Hz ~10kHz， A．带 阻 B．低 通 C．带 通 D．带阻
19. 串联型稳压电路中，用作比较放大器的集成运算放大器工作在（ A
A. 线性放大 B. 饱和或截止 C. 开环
２
2U 2 sin ωt V，负载电阻为 RL，则半波整流电路流过二极管的平均电流为
（
A ） 。 A. 0.45
U2 RL
B. 0.9
U2 RL
C.
U2 2 RL
D.
2U 2 2 RL
B ）时处于正偏导通状态。
5. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（
A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压
C. 0.9U 2
D.
电子技术基础试题及答案10套
电子技术基础试题及答案10套1.PN结具有单向导电特性。
2.晶体三极管的电流放大系数一般随温度的增加而增大。
3.射极输出器放在中间级可以兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。
4.阻抗匹配是指只有当负载电阻RL和信号源的内阻rs相等时，负载获得的功率最大的现象。
5.运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。
6.功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有甲类功放、乙类功放和甲乙类功放电路。
7.甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流IBQ，以减少交越失真。
8.带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和调整元件四个部分组成。
9.逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。
10.主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。
选择题：1.若晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于正偏。
2.当晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏时，当基极电流减小时，集电极电流减小。
3.某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数为A^3V。
4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是保证电路满足振幅平衡条件。
5.甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是有交越失真。
6.有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是7.5V。
7.为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流。
9、二进制数1011的十进制表示为11.10、在逻辑电路中，与门的输出只有当所有输入都为1时才为1，否则为0.二、简答题(每题5分，共25分)1、什么是放大电路的增益？如何计算放大电路的增益？答：放大电路的增益是指输出信号与输入信号之间的比值。
模拟电路考试题及答案
自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。
A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。
A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小C ．反向电阻比正向电阻大很多倍D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。
(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。
（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。
A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。
A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。
A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。
（发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。
三极管的工作原理讲解
三极管的工作原理讲解三极管，也称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT），是一种基本的电子器件，广泛应用于电子电路中。
三极管是由两个PN结组成的，其中一个结称为基-发射结，另一个结称为基-集电结，正向极性从发射区域进入，称为NPN型三极管；反向极性从发射区域进入，称为PNP型三极管。
以下以NPN型三极管为例进行说明。
NPN型三极管由三个掺杂不同类型的半导体材料组成，即N型发射区域、P型基区域和N型集电区域。
发射区域连接到电源负极，集电区域连接到电源正极，基区域则是控制电流的区域。
在放大模式下，三极管的工作可以分为截止区、放大区和饱和区三个状态。
1.截止区：当基极电流为零时，三极管进入截止区。
此时集电极与发射极之间没有电流流动，相当于一个开路。
三极管在截止区状态下具有很高的电阻，可以将输入信号完全隔离。
2.放大区：当基极电流增大时，三极管进入放大区。
此时，基极电流会从基区流过，导致发射区中间的P-N结区域变为低阻状态。
这样，发射区的电流就可以通过集电区流出。
由于集电极有较低的电阻，三极管可以放大输入信号，并输出放大后的信号。
3.饱和区：当基极电流达到一定的值时，三极管进入饱和区。
此时，发射极与集电极之间的P-N结区域处于低阻状态，电流大量地从发射极流出到集电极。
三极管在饱和区状态下相当于一个导电的开关，可以将信号输出为高电平。
在开关模式下，三极管通常处于饱和区和截止区之间的状态。
在饱和区，基极电流足够大，导致发射极与集电极之间的P-N结区域处于低阻状态，电流从发射极到集电极流动，相当于一个导通的开关。
在截止区，基极电流为零，三极管处于断开状态，相当于一个断开的开关。
通过控制基极电流的大小，可以控制三极管的放大或开关功能。
因此，三极管在电子电路中被广泛应用于放大信号和控制电流的功能。
例如，它可以被用作放大器、开关、振荡器和逻辑电路等。
总之，三极管的工作原理是基于PN结的特性，在不同的工作状态下，通过控制基极电流大小，实现放大信号或控制电流的目的。
2023年模拟电子技术基础问题
2023年模拟电子技术基础问题【2023年模拟电子技术基础问题一】1、交流负反馈放大电路的的四种基本组态？答：交流负反馈有四种组态,即电压串联、电压并联、电流串联和电流并联,有时也称为交流负反馈的四种方式。
2、放大电路中引入电流串联负反馈后，将对性能产生什么样的影响？答：对电压增益有削弱作用、提高其增益稳定性、降低失真、提高输入电阻、提高输出电阻等。
3、放大电路中引入电压串联负反馈后，将对性能产生什么样的影响？答：对电压增益有削弱作用、能提高其增益稳定性、降低失真、降低输入电阻、降低输出电阻等。
4、放大电路中引入电流并联负反馈后，将对性能产生什么样的影响？答：对电压增益有削弱作用、能提高其增益稳定性、降低失真、降低输入电阻、提高低输出电阻等。
5、放大电路中引入电压并联负反馈后，将对性能产生什么样的影响？答：对电压增益有削弱作用、能提高其增益稳定性、降低失真、降低输入电阻、降低低输出电阻等。
6、什么是深度负反馈？在深度负反馈条件下，如何估算放大倍数？答：在反馈放大器中，如中？1，则，满足这种条件的放大器叫深度负反馈放大器，此时的放大器的闭环增益已经完全由反馈系数决定。
7、负反馈愈深愈好吗？什么是自激振荡？什么样的反馈放大电路容易产生自激振荡？如何消除自激振荡？答：不是。
当负反馈放大电路的闭环增益中 =0，则，说明电路在输入量为0时就有输出，称电路产生了自激振荡。
当信号频率进入低频或高频段时，由于附加相移的产生，负反馈放大电路容易产生自激振荡。
要消除自激振荡，就必须破坏产生振荡的条件，改变AF的频率特性，使。
8、放大电路中只能引入负反馈吗？放大电路引入正反馈能改善性能吗？答：不是。
能，如自举电路，在引入负反馈的同时，引入合适的正反馈，以提高输入电阻。
9、电压跟随器是一种什么组态的放大器？它能对输入的电压信号放大吗？答：电压跟随器是一种电压串联放大器。
它不能对输入的电压信号放大。
10、电压跟随器是属于什么类型的反馈放大器？答：电压跟随器是一种电压串联反馈放大器。
第一章 基本放大电路
2.实验电路 以下是说明晶体管的放大原理和其中的电流分 配的实验电路. IC
IB
A
mA
+ + V UCE + EC
RB
V UBE – 输出回路 输入回路 – – + – EB 共发射极放大电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
3. 各电极电流关系及电流放大作用
IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
带正电
空穴
价电子
温度愈高，晶体中产生 的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，有空穴的原子吸引相邻原子的价电子 来填补空穴，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空 穴的运动（相当于正电荷的移动）。
本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出 现两部分电流
(1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流
P
IR
内电场 外电场
N
–
内电场被加 强，少子的漂 移加强，由于 少子数量很少， 形成很小的反 向电流。
+
PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小， 反向电阻较大，PN结处于截止状态。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
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PN结具有单向导电性
正偏时，结电阻小，正向电流大——导通
例1：
+ ui –
R D + uo –
已知： 二极管是理想的，
ui 10sin t V, E 5V, R 1K
试画出 uo 波形。
二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。
E
ui
E
电子技术基础模拟部分复习-08-09-2
考试时间：第10周周日下午14：00—16：00考试地点：新综1（机械07-1班、07-2班、07-3班）新综2（自动化07-1班、07-2班、重修生）电子技术基础模拟部分复习1、第3章二极管及其基本电路1）PN结的单向导电性2）二极管的理想模型及含二极管的基本电路分析2、第4章双极型三极管及放大电路基础1)BJT的电流关系2)BJT的3种组态：共射、共集、共基的判断3)基本共射极电路4)射极偏置电路5)共集电极放大电路要求：（1）. 电路图：1）能够识别电路类型:共射、共集？2）会画直流通路、交流通路、小信号等效电路。
（2）. 定性分析：1）了解电路的基本功能，输出与输入的相位关系。
2）根据输出波形判断失真类型。
（3）. 定量计算：1）能根据BJT的极间电压判断所处工作区。
2）估算法计算Q点。
-- I B、I C、V CE。
3）根据小信号等效电路计算动态参数。
-- A V、R i、R o3、第5章场效应管放大电路1)MOSFET的3种组态：共源、共漏、共栅的判断2)共源放大电路4、第6章模拟集成电路1)BJT镜像电流源：电路分析、计算、电流源在电路中的作用2)射极耦合差分放大电路：结构、概念、作用5、第7章反馈放大电路1)负反馈放大电路的四种组态及判断2)负反馈放大电路的四种组态对放大电路性能的影响3)深度负反馈电路的虚短、虚断要求：（1）. 定性分析：1）根据瞬时极性法判断反馈极性：正、负反馈？2）判断反馈类型。
-- 负载短路法判断是电压负反馈还是电流负反馈？-- 电路结构法判断是并联负反馈还是串联负反馈？3）根据反馈类型指出反馈对输出电压、输出电流、输出电阻、输入电阻的影响，对信号源内阻的要求。
（2）. 定量计算：计算深度负反馈下的电路的电路增益。
6、第2章运算放大器1)理想运放2)同相放大电路3)反相放大电路4)求差电路5)求和电路6)积分电路7)微分电路要求：（1）. 电路图：能够识别电路类型:何种运算电路？（2）. 定性分析：运算电路的功能。
模电复习-2012-04题(参考答案)
《模拟电路》复习资料（2012-04）一、填空题1、某放大电路的电压增益为80 dB ，相当电压放大倍数为_10000_ 倍。
2、负反馈放大电路可以改善放大器性能。
具体体现在 提高放大倍数稳定性 、改善非线性失真 、 展宽通频带等方 面。
4、典型差分放大器中，R E 的作用是 P104抑制零点漂移，对共模信号有很强的抑制能力 。
5、如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_9_V ，经过电容滤波后为_12__ V ，二极管所承受的最大反向电压为_210__ V 。
6、共模抑制比K CMR 越大，抑制共模信号能力 越强 。
7、处于放大状态的NPN 型晶体管，U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是_ U C >U B >U E __ 处于饱和状态的NPN 型晶体管U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是__U B >U E ; _ U B >U C _ ；【解7：】归纳：晶体管工作状态：放大区：发射结正偏；集电结反偏（特点：I C =βI B ）截止区：发射结反偏；集电结反偏（特点：I C =0）饱和区：发射结正偏；集电结正偏（特点：U CE =U CES ，I C 不受I B 控制）8、集成运放工作在线性区时具有“虚短”、“虚断”的特点。
“虚短”的含义是 运放的净输入电压等于0即：U +=U - ，“虚断”的含义是 运放的净输入电流等于0即：i +=i - =0 。
9、单相桥式整流电路中，若输入电压U 2 = 30V ，则输出电压U 0 = 27 V ；若负载电阻R L = 100 Ω，整流二极管I D (AV ) =0.135_A 。
【】10、乙类功率放大器中，每只晶体管的半导通角是 900 。
改善交越失真的办法是 使两管在静态时处于弱导通状态，具体做法是利用二极管的压降产生偏置电压 。
11、当输入信号频率为f L 和f H 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的_0.707(或21 )_倍，或者是下降了3dB 。
电子技术基础填空
模拟电子技术1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。
为了增大输出电阻，应在放大电路中引入电流负反馈。
9、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（反偏）状态，但其两端电压必须（大于），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（截止）状态。
10、对功率放大器的要求主要是（P0大）、（功率大）、（波形不失真）。
11、差分放大电路是为了（抑制零点漂移）而设置的。
零点漂移就是静态工作点的漂移。
12、为了使放大器带负载能力强，一般引入（电压）负反馈。
13、当温度升高时，三极管的等电极电流I增加，发射结压降UBE减小。
14、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用直流负反馈，为了减小输出电阻采用电压负反馈。
15、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（截止）失真，下半周失真时为（饱和）失真。
16、空穴为多数载流子。
半导体中的空穴带正电。
自由电子为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。
N型半导体中多数载流子是自由电子，P型半导体中多数载流子是空穴17、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正偏，反之称为反偏。
18、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
19、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。
为稳定交流输出电压，采用电压负反馈，为了提高输入电阻采用串联负反馈.。
PN结器件电流电压特性
实验一 PN 结器件电流—电压特性一、基本原理PN 结是半导体结型器件的核心，是IC 电路的最基本单元，诸多半导体器件都是由PN 结组成的。
最简单的结型器件是半导体二极管，根据不同场合的用途，使用不同掺杂及材料制备工艺制成多种二极管，如整流二极管、检波二极管、光电二极管（发光二极管、光敏二极管）等；三极管与结型晶体管就是由两个PN 结构成的。
因此深入了解与掌握PN 结的基本特性，是掌握与应用晶体管等结型器件的基础。
PN 结的最重要特性是单向导电性，即具有整流特性。
也就是说，正向表现低阻性，反向为高阻性。
若在PN 结上加上正向偏压（P 区接正电压、N 区接负电压）则电流与电压呈指数关系，如下式 ⎥⎦⎤⎢⎣⎡⋅=nkT qv I I ex p 0 （Ⅰ） 式中q 是电子电荷，K 是波尔兹曼常数，T 是工作温度（K ），V 是外加电压，n 是复合因子，根据实际测量曲线求出。
随着电压缓慢升高，电流从小急剧增大，按指数规律递增。
对于用Ⅲ-Ⅴ族宽禁带材料制成的发光二极管而言，当外加电压V 0.5 V 、电流很小时（I 0.1 mA ）,则通过结内深能级复合占主导地位，这时n ≈2。
随着外加电压的升高，PN 结载流子注入以扩散电流起支配作用，I 就急剧上升，这时n ≈1。
根据实际测量I-V 关系求得n 值大小就可作为判断一个结型二极管优劣的标志。
如果PN 结两边外加反向偏压（P 区接负压、N 区接正电压）这时在PN 结空间电荷层内载流子的漂移运动大于扩散运动。
（从P 区内电子向N 区运动，N 区内空穴向P 区运动）从而空间电荷层展宽，载流子浓度低于热平衡状态下平衡浓度。
反向PN 结在反偏压比较大时空间电荷区宽度21002⎥⎦⎤⎢⎣⎡=N V q Xm εε （Ⅱ）式中，0ε为自由空间电容率，ε介电常数，N 0为PN 结低掺杂边的凈杂质浓度。
所以在外加反向偏压V V B （反向击穿电压）时，电流 I 值很小，反向偏置PN 结电流很小、表现很 高电阻性。
电子技术
一、填空：1．在半导体硅中掺入 元素，会使 大量增加，这种半导体称为N 型半导体。
2．PN 结的单向导电性是指加正向电压则处于 状态，加反向电压则处于 状态。
3．射极输出器的主要特点是：电压放大倍数接近 ，输入电阻 ，输出电阻 。
4．直接耦合放大电路的最大问题是 。
5．若反馈信号与输入信号比较使净输入信号减小，则称这种反馈称为 。
若反馈信号与输入信号比较使净输入信号增大，则称这种反馈称为（ ）- 。
1．半导体的导电能力介于 __________ 和_________之间。
2．PN 节加正向电压，处于_________状态；加反向电压，处于___________状态。
3．晶体管工作在截止区的条件是，发射结和集电结均________偏置；晶体管工作在饱和区的条件是，发射结和集电结均________偏置。
4．负反馈对放大电路性能的影响：_________放大倍数、提高______的稳定性、改善______。
5．直流稳压电源要将交流电变为满足要求的直流电，一般要经过_______ 、_______、________、_______四个环节。
6．单相半波整流电路，变如果压器二次侧电压的有效值为10V ，则二极管承受的最高反向电压为 ____________V ，上述电路，加上电容滤波后，二极管承受的最高反向电压为_________V 。
7．一与非逻辑门电路，如果Ａ＝１，Ｂ＝１，则Ｙ＝_________。
8．十进制数15转化为二进制数是________，二进制数11011转化为十进制数是_____。
9．JK 触发器是在脉冲________触发。
D 触发器是在脉冲_______触发。
1.在纯净半导体中，掺入三价元素，就会形成( )型半导体，如掺入五价元素，就会形成( )型半导体。
2.PN 结具有( )导电性，其导电的方向是从( )区到( )区。
3.由直流负载所获得电压波形，可分为( )整流电路和( )整流电路。
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在硅或锗晶体中掺入三价元素原子， 这种杂质 半导体中空穴浓度大大高于电子浓度，主要依 靠空穴导电，故称为空穴半导体或P型半导体 （解释 ）。
空穴是多数载流子，电子是少数载流子 （本征半 导体的两种载流子）
pn结
四．PN结
虽然杂质半导体导电性 能大大增强，可是其导 电性能不便于控制
对一块半导体采用不同的
常温下，本征半导体 导电性能很微弱的， 难以达到实用目的
在本征半导体中掺入微量 的杂质（其它元素的原 子），就成为杂质半导体， 其导电性能大大增强
在硅或锗的晶体中掺入少量五价元素原子，这种杂质 半导体中电子浓度大大高于空穴浓度，主要依靠电子 导电，故称为电子半导体或N型半导体（解释 ）
电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载 流子（简称少子）（本征半导体的两种载流子）
一般硅管UON取0.7，锗管取0.3
可通过一个例题（书P195-例7.2.1）来理解
七．晶闸管
晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗 称可控硅。
晶闸管不是二极管，但在应用中具有与二极 管相似的一些特性
晶闸管的应用特点 （解释见书P197-7.2.4小节）
七．本部分的重点 ▪ 重点：PN结的形成及特性
常温下，少量的价电子可能获 得足够的能量，摆脱共价键的 束缚，成为自由电子；同时在 原来的共价键中留下一个空位， 称为“空穴”，这种现象称为 价电子被 本征激发（解释）。如上图 所属原子 本征激发使本征半导体具有 核束缚 微弱的导电性
原子核 （正离 子）
为什么关心空穴？空穴的移动
三．杂质半导体的导电特性
放大器基础
PN结的单向导电性、三极管 的电流控制特点
本章内容为电工电子技术课程重点教学内容
读者学完本章应重点理解PN结的单向导电性， 三极管的电流控制特点；掌握半导体二极管、三 极管的模型；能利用三极管的直流、交流小信号 模型分析简单的三极管应用电路；深入理解放大 的实质及利用三极管构成小信号放大器的一般原 则；掌握三极管放大电路的三种基本组态及其特 性，进而理解工程实用放大器电路组成原理及特 点；理解场效应管的电压控制特点，对照三极管 理解场效应管的外特性、模型及其应用
截止时特性 导通时特性
导 通 时
当然，理想二极管实 际并不存在的。
特
性
实际二极管导通时，电
截 止
阻不为零，导通电压 随 电流的增加略有增加
时
特
性
模型如上
符号
电路模型
用左图分析误差相对较大，用右图分析过程复杂
虽然二极管导通时导 通电压 随电流的增加 略有增加，但增幅不 大，可认为二极管正向
导通电压基本不变，记为 UON。模型如右
掺杂工艺，使其一侧成为 P型半导体，而另一侧成 为N型半导体，则可成为 导电性能可控制的半导体。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面两侧，多数载流子由于浓度差 将产生扩散运动（由于浓度引起的运动），如上图
电子空穴相遇将复合而消失，在交界面两侧形成了一 个由不能移动的正、负离子组成空间电荷区，也就是 PN结，又称耗尽层
可知，ＰＮ结具有单向导电性。 即ＰＮ结正偏导通，反偏截止 。 可进一步学习PN结的其它特性
五．二极管的特性及参数 Protel等EDA
软件使用符号
国标 符号
将ＰＮ结加上相应的电极引线和
管壳，就成为半导体二极管，文
字符号D、图形符号如右
二极管的主体是PN结，但由于管壳、引线等因素的 影响，两者特性仍有区别
先引入理想二极管
二极管的伏安特性可 用PN结的电流方程来 描述，是非线性的。
在工程近具有单向导电性。即二极管正偏时导通，反偏 时截止 。 若二极管导通时电阻为0，截止时电阻为无穷大，则 这样的二极管称为理想二极管。 符号 截止时特性 模型如上。
理想二极管
PN结二极管模型
第5章第1部分
在本次课中，我们将介绍本征、杂质半 导体的导电特性；PN结的形成及其特性； 二极管及其模型。
相关知识点与学习目标
本课涉及“PN结的引入及其特点、半导体二 极管”2个知识点，通过本课学习，应理解PN结 的单向导电性，掌握二极管的模型及其应用方 法
一．本征半导体
半导体器件是组成各 种电子电路的基础。
第5章第2部分
在本次课中，我们将介绍三极管的伏安 特性及其直流、交流模型
相关知识点与学习目标
本课涉及“三极管的电流控制特性及其模型、 三极管电路直流分析”2个知识点，通过本课学 习，应理解三极管的电流控制特点，掌握三极 管的直流、交流小信号模型
一．三极管的引入
二极管具有单向导电 性，应用十分广泛。 是常用的半导体器件 之一。
平衡状态下的PN结如上图
动态平衡
在ＰＮ结上加正 向电压，即外电 源的正端接Ｐ区， 负端接Ｎ区，称 为ＰＮ结正偏 （如左图）
由于正偏时外电场与内电场的方向相反，空间电荷区变 窄，内电场被削弱，多子扩散得到加强，少子漂移将被 削弱，扩散电流（扩散运动产生的电流）大大超过漂移 电流（漂移运动产生的电流），最后形成较大的正向电 流（由Ｐ区流向Ｎ区的电流），称为ＰＮ结导通。
导电能力介于导体和绝缘体 之间的物质称为半导体。
纯净的具有单晶体结构的半导体称为本征半 导体。晶体结构如右图
由于价电子被原子核束
缚，若不能从外部获取
能量，摆脱原子核的束 缚，则不具有导电特性
价电子被 所属原子 核束缚
原子核 （正离 子）
二．本征半导体具有微弱的导电性
热力学零度（-273.16℃） 时，若价电子不能从外部获 取能量，摆脱原子核的束缚， 不具有导电特性
典型二极管在常温时的伏安特性如下
特性曲线分三个区： 正向工作区 反向工作区 击穿区
可进一步学习二极管 的主要参数 (书P193-7.2.1
小节)
可进一步学习二极管的应用 (见书P196)
六．二极管简化电路模型 导通时特性
一个实际器件的物理特性 是非常复杂的。在分析电 路时，实际器件常用相应 的模型来表示。
在ＰＮ结上加反 向电压，即外电 源的正端接N区， 负端接P区，称 为ＰＮ结反偏 （如左图）
由于外电场与内电场方向一致，空间电荷区变宽，内电 场增强，不利于多子的扩散，有利于少子的漂移。在电 路中形成了基于少子漂移的反向电流（由Ｎ区流向Ｐ区 的电流）。由于少子数量很少，因此反向电流很小，Ｐ Ｎ结截止。