三极管参数测试仪 - 360文档中心

三极管的测量方法

三极管的测量方法一、三极管的基本结构和原理三极管是一种半导体器件，由P型半导体和N型半导体组成。

它有三个区域，即发射区、基区和集电区，分别对应P型半导体、N型半导体和P型半导体。

其工作原理是通过控制基极电压来控制集电电流，实现信号放大或开关控制。

二、三极管的分类根据结构不同，三极管可以分为晶体管、场效应晶体管等类型。

其中晶体管又可分为PNP型和NPN型两种。

三、三极管的测量方法1. 静态参数测试静态参数测试主要包括测量三极管的放大倍数β值、截止频率fT值等参数。

具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。

（2）调整测试仪器，使其处于静态参数测试模式下。

（3）给定基极电压Vbe和集电电压Vce，并记录对应的集电电流Ic。

（4）根据公式计算出β值和fT值。

2. 动态特性测试动态特性测试主要包括测量三极管的增益带宽积、输入输出阻抗等参数。

具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。

（2）调整测试仪器，使其处于动态特性测试模式下。

（3）给定输入信号，并记录对应的输出信号。

（4）根据公式计算出增益带宽积和输入输出阻抗。

3. 温度特性测试温度特性测试主要是测量三极管在不同温度下的工作情况，以评估其稳定性和可靠性。

具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。

（2）调整测试仪器，使其处于温度特性测试模式下。

（3）逐步升高或降低环境温度，并记录对应的电气参数值。

（4）根据记录数据分析出三极管的温度特性。

四、注意事项1. 选择合适的测试仪器和设备，确保测量精确可靠。

2. 在进行动态特性测试时，需要注意输入信号和输出信号之间的匹配问题，以避免误差产生。

3. 在进行温度特性测试时，需要控制好环境温度变化速率，以免影响测试结果。

4. 测量过程中需要注意安全问题，避免发生意外事故。

五、总结三极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。

对其进行准确可靠的测量和评估，有助于提高电路的性能和稳定性。

JL294-3晶体管测试仪

测试方法：1、测试操作步骤：（本说明以JL294型仪表为例）①开机；按下K1键使仪表工作②置K2键（PNP与NPN功能转换键）与被测管极性相符位置，将被测管与测试插座可靠连接。

③测试：按下需测试功能对应的按键，读出被测数。

注意：测试时K3～K12之间不准同时按下二个键！④关机；按K1，切断仪表电源。

2、各种三极管测试方法及图示：图中K2置NPN位置，测试PNP三极管时将K2（JL295型为K1）键置PNP位置，管脚接法与图一样。

①为了保证测试的准确性，建议使用外接6V 3A直流稳压电源。

②将三极管管脚按图示插入测试插座。

③仪表K3、K4档用于测试三极管VBR（耐压值），测试电压分别为0～1999V和0～199.9V；按下相应档位的开关，仪表分别显示被测三极管的VCEO、VCBO、VEBO 及VCE、VBC、VBE的耐压值。

④仪表K5、K6、K7三档用于测试三极管VCE（sat）（共发射极饱和压降）。

Ic电流分别为2000mA、300mA、10mA；Ib电流分别为200mA、30mA、1mA；测试时应根据三极管的功率大小按下相应档位的开关，表头显示相对电流下三极管的压降值。

提示：对同一型号的三极管，在相同电流档下测试，饱和压降值越小越好。

提示：小功率三极管不要用大电流档进行测试。

⑤仪表K8、K9、K10三档用于测试三极管hFE（共发射极直流放大系数）。

Ib电流分别为10mA、1mA、0.01mA；通过逐档测试可以观察三极管的放大线性，测得hFE值最大的一档应视为被测管最有效的工作状态。

提示：测试时应根据被测三极管的功率大小，先测试小电流档、再测试中电流档、后测试大电流档（要防止测试电流过大而损坏小功率管），表头分别显示不同工作电流下的直流放大系数。

注1：如果测试电流增大，被测三极管的放大系数不变或增大则说明被测管能在大电流的工作条件下使用；相反，如果随着测试电流的增大而被测三极管的放大系数减小，则说明被测管不能在大电流的工作条件下使用；如果表头显示的测试值不断变动，则说明该三极管不能承受该档的工作电流。

如何测量三极管的好坏

如何测量三极管的好坏要测量三极管的好坏，可以通过以下几种方法进行测试:1.使用万用表进行基本测试:首先，将万用表调至电阻测量档位，并确保三极管处于断电状态。

然后，分别将三极管的基、发射器和集电器引脚连接到万用表的探针上。

测量三极管的各个引脚之间的电阻值，并与三极管参数手册中给出的标准值进行比较。

如果测量到的电阻值与标准值相差较大，则可能表示三极管出现了问题。

2.使用测试仪器进行功率放大测试:这种测试方法需要使用一个功率信号发生器，一个负载电阻和一个示波器。

首先，将功率信号发生器的信号源与三极管的基极接触，并将功率信号发生器的负载连接到三极管的集电极上。

然后，将示波器的探头分别接到三极管的基、发射极和集电极上。

接下来，通过改变功率信号发生器的输出信号频率和电平，可以观察到三极管放大的波形。

如果波形失真或幅度不正常，可能意味着三极管出现了问题。

3.使用电源和负载进行工作状态测试:将三极管正确连接到电源和负载电阻上，确保电源的电压和电流符合三极管的工作要求。

然后，通过观察三极管的工作状态来判断其好坏。

正常工作的三极管在工作时会有明显的电流和电压变化，而坏掉的三极管可能几乎没有变化或电流和电压不稳定。

4.进行信号放大测试:这项测试需要使用一个信号源、一个负载电阻和一个示波器。

首先，将信号源的信号线与三极管的基极接触，并将负载电阻连接到三极管的集电极上。

然后，通过改变信号源的频率和幅度，观察示波器上的输出信号波形。

正常的三极管应该能够放大和传输输入信号，如果波形失真或幅度不正常，可能表示三极管出现了问题。

需要注意的是，在测试三极管之前，确保正确连接引脚，并了解三极管的工作电压和电流范围，以避免对测试仪器造成损坏。

此外，还应该参考三极管的参数手册，以了解其特定的测试方法和标准值。

总结起来，测量三极管的好坏可以通过万用表测试电阻、使用测试仪器进行功率放大测试、通过电源和负载测试工作状态和进行信号放大测试等方法进行。

三极管检测方法范文

三极管检测方法范文三极管也称为晶体三极管，是一种具有三个控制区域的半导体器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和稳压等功能。

在使用三极管之前，我们需要对其进行测试和检测，以确保其正常工作并符合设计要求。

下面是三种常用的三极管检测方法。

一、参数检测法参数检测法是通过测量三极管的电流放大倍数、输入电阻和输出电阻等参数来判断其性能是否正常。

具体步骤如下：1.测量电流放大倍数（β）：将三极管的基极与发射极短接，然后通过一个串联的电阻将集电极与正极连接，再接上直流电压。

使用万用表测量电压并记录下来。

然后将基极与发射极用一个电阻分开，同时再给集电极通电。

通过测量集电极电压和基极电压的比值（即电压放大倍数），可以得到三极管的电流放大倍数。

2. 测量输入电阻（Rin）：将三极管的集电极与正极短接，然后通过一个串联的电阻将基极与负极连接，再接上直流电压。

使用万用表测量电流并记录下来。

然后将集电极与正极用一个电阻分开，同时再给基极通电。

通过测量集电极电流和基极电流的比值，可以得到三极管的输入电阻。

3. 测量输出电阻（Rout）：将三极管的基极与发射极短接，然后通过一个串联的电阻将集电极与正极连接，再接上直流电压。

使用万用表测量电流并记录下来。

然后将基极与发射极用一个电阻分开，同时再给集电极通电。

通过测量基极电流和集电极电流的比值，可以得到三极管的输出电阻。

通过以上步骤，我们可以得到三极管的相关参数，并根据规格书中的要求进行比较和判断。

二、特性曲线测量法特性曲线测量法是通过测量三极管的电压-电流特性曲线，来分析其工作状态和性能。

具体步骤如下：1.准备一台特性曲线测试仪或者对应的测试电路，用于实时测量电压和电流。

2.将三极管正确接入测试仪或测试电路，并设置相应的电压和电流范围。

3.逐渐调节电源电压或信号频率，同时记录下相应的电流和电压值。

4.根据测量得到的数据，绘制出三极管的电流-电压特性曲线。

5.根据特性曲线分析，可以判断三极管是否正常工作和是否符合设计要求。

(完整版)三极管参数测试仪

简易半导体三极管参数测试仪
一、任务
设计并制作一个小功率半导体三极管参数测试仪
二、要求
1、基本要求
（1）在V V A I CE B 10,10≈≈μ 条件下，能测出三极管的直流电流放大系
数β，并用数字显示。

测量范围50~300；测量误差的绝对值小于1100
5+N ，其中N 是直流放大倍数β的显示数值。

（2）当B I 由10μA 变化到20μA ，CE V 保持不变，能测出三极管的交流
放大系数β，并用数字显示。

测量误差要求同（1）。

（3）在V V CE 10=的条件下，测量三极管的集电极—发射极反向饱和电流 CEO I ，用数字显示，测量范围0.1μA~100μA ，测量误差≤10%。

（4）测量三极管的集电极—发射极间的反向击穿电压CEO BR V )(，并用数字显
示；测试条件mA I C 1=，测量范围20V~60V ，测量误差≤5%。

（5）具有三极管管脚插错、损坏指示报警功能。

2、发挥部分
（1）在V V CE 10=条件下，显示出三极管共射极接法输入特性曲线。

（2）在0≈B I ，10μA ，20μA ，30μA ，=CE V 0~12V 条件下，显示出三
极管共射极接法输出特性曲线。

（3）其他。

三、评分标准。

设计制做三极管放大倍数测试仪

课题九设计制做三极管放大倍数测试仪【摘要】本实验设计制做出一种测量晶体管放大倍数仪，其精度可达________? 【关键词】（由同学们自己写）THE DESIGNING AND MAKING THE MEASURING INSTRUMENT OFAMPLIFYING MULTIPLE OF SEMICONDUCTOR TRIODEAbstractThis experiment offers a method to design and make the measuring instrument which is used to measure the amplifying multiple of semiconductor triode. Its accuracy can reach______. Keyword【引言】三极管的参数诸如电流放大倍数β，极间反向电流及其它极限参数，它们是实际工作不同场合下选用不同型号三极管的依据。

其中电流放大倍数β是三极管最为重要的参数，表示三极管的放大倍数一般有色点法：色点橙黄绿蓝紫灰白 β 20-40 40-60 60-80 80-120 120-180 180-270270以上国外进口三极管分A 、B 、C 、D 、E 五档，其范围更大，如C 档200<β<600，E 档300<β<900。

从外观上看，只知道其放大倍数的范围，在设计电路时，有时对β的大小要求很严，如音响系统中推挽放大即NPN 与PNP 对管，其放大倍数必须相同，否则造成声音失真，而一般万用表β误差均在5%左右。

本实验设计制做出了一种在小电流情况下较精确测量放大倍数β的仪器。

（三极管的放大倍数还与通过其基极电流I【测量原理】利用三极管共射极接法的放大原理进行测量，设计电路如下图所示。

设计时，固定基极基准电流b I =10μ这时be U =0.65V ，A ，为防止电池用久之后电压下降造成基准电流不准，即＜10μA ，压管W ，其反向击穿电压 2.80V ，表头满偏I 满=50μA 。

晶体管测试仪使用说明

晶体管测试仪使用说明一、准备工作1.将晶体管测试仪放置在平稳的台面上，并插入电源插头。

2.确保晶体管测试仪的电源开关处于关闭状态。

二、连接测试电路1.将待测晶体管正确插入测试仪的晶体管插座中，确保引脚与插座相对应。

2.连接测试电路。

根据待测晶体管的类型和测试要求，将测试仪的输入和输出端子连接到电路中。

可以通过连接线将测试仪的输入端子与输入信号源连接，将输出端子与负载电阻连接。

三、调整测试仪参数1.打开晶体管测试仪的电源开关，待测试仪开始运行。

2.调整测试仪的工作模式。

根据待测晶体管的类型和测试要求，设定测试仪的工作模式，例如共射、共基或共集模式。

3.调整输入信号源的频率和幅值。

根据测试要求，设定输入信号源的频率和幅值。

可以通过测试仪上的旋钮或按钮进行调节。

四、进行测试1.运行测试仪，开始测试。

根据测试仪的提示或指示灯，逐步进行测试。

2.测试参数的测量。

根据测试仪的操作说明，逐个测量待测晶体管的参数，例如电流放大倍数、输出阻抗和截止频率等。

可以使用测试仪上的按钮或旋钮进行参数测量，并观察测试仪的显示屏或指示灯。

五、结束测试1.结束测试。

根据测试要求，停止输入信号源的工作，并将测试仪的电源开关关闭。

2.拔出待测晶体管。

轻轻拔出待测晶体管，注意不要损坏晶体管或测试仪的插座。

3.关闭电源。

将晶体管测试仪的电源开关关闭，并拔出电源插头，以确保安全和省电。

六、注意事项1.在进行测试之前，确保待测晶体管和测试电路没有电流，并断开电源。

2.在测试时，可以参考晶体管的参数手册，并根据其引脚配置和测试要求进行正确连接和调整。

3.在进行高频测试时，尽量减少测试线的长度，以减少信号衰减和干扰。

4.在使用过程中，注意安全，避免触摸高压或高温区域。

5.使用完毕后，及时清理晶体管测试仪上的灰尘和杂物，并妥善保管，以确保下次使用时的正常运行。

Tek370A晶体管测试仪使用手册

Tek370A晶体管测试仪使用入门1.仪器简介2.测量npn三极管80503.测量pnp三极管2N44034.测量nmos管2N505.测量pmos管irf96306.测量达林顿晶体管TIP1271.仪器简介370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。

下图为此仪器操作面板：（1）：调整显示的x轴和y轴坐标间隔，在三极管输出特性中为调整Vce和Ic；（2）：调整扫描最大功率及最大电压，测试时需要设置合适的范围，否则可能烧坏器件；（3）：调整扫描的步距，在三极管输出特性中关于不同的Ib进行扫描，可设置包括电源种类（电源或电流）、扫描步数、工作点偏移、极性（n型、p型）、细分等；（4）调整图像位置及为图像做标记；（5）设置触发方式（单次触发、连续触发），在测试大功率器件时需要使用单次触发，否则可能导致芯片过热。

注意：1）测试中需要将左边output打开；2）测试时测试芯片盖子应盖牢；3）管脚位置不应放错；4）大功率测试时需将上图（5）调整为single模式；将STEP GENERATOR下的PULSE调整为short进行调试，在这种条件下仅扫描设定的点数，否则连续扫描两次可能将器件烧坏。

5）测量pnp或pmos时需要将COLLECTORY SUPPLY下POLARITY调整为。

6)上图（4）右侧position设置中，选择为DISPLAY可以调整图像绝对位置，为观看方便，可将n型（npn、nmos）调整为偏置1格，测量P型（pnp、pmos）图像方向相反，需将图像绝对位置添加负偏置，具体数值根据需要调整，另外上下键一起按可以将纵坐标方向偏置调为0，左右键一起按可以将横坐标方向偏置调为0。

POSION设置中选择为CURSOR，可以调整图像中光斑（亮点）的位置，标记点具体数值可以在图中读出。

按POSITION栏下左、右键可以调整光斑位置，光斑位置的调整与仪器扫描次序一致，即连续按右键、光斑会一直向右移动至设定的最大功率点后依次返回，之后再移至更高的基极电流（栅极电压）曲线，按左键则效果相反。

JY-3晶体管测试仪技术说明书

JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。

晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。

该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。

本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。

当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。

2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。

2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。

中文菜单式界面，操作简便。

2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。

（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。

h FE1、h FE2可以自动分10档。

2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。

三极管参数电性能测试介绍

三极管参数电性能测试介绍三极管参数电性能测试是指对三极管的一系列电气参数进行测量和评估的过程。

三极管是现代电子设备中广泛使用的一种重要电子元器件，它具有放大、开关等多种功能，因此对其电性能进行准确的测试非常重要。

本文将介绍三极管常见的参数以及相应的测试方法。

1.静态参数测试静态参数主要包括最大额定电压、最大额定电流、最大功耗等参数的测试。

其中，最大额定电压是指当三极管工作时能够承受的最大电压，测试时可通过逐渐增加输入电压，观察三极管是否能正常工作以及输出是否保持稳定来判断。

最大额定电流是指当三极管工作时能够承受的最大电流，可通过逐渐增大输入电流，并观察输出电流是否超过三极管的最大额定电流来测试。

最大功耗是指三极管在正常工作时所能消耗的最大功率，可通过测量输入电流和输出电压，计算得出。

2.动态参数测试动态参数主要包括截止频率、增益带宽积、输入/输出电容等参数的测试。

截止频率是指三极管在放大时频率响应的下限，测试时可通过输入一个正弦信号，并逐渐增加频率直到输出信号幅值下降3dB，此时的频率即为截止频率。

增益带宽积是指三极管的放大能力和频率响应的乘积，可通过测量增益和截止频率，然后将两者相乘得到。

输入/输出电容是指三极管输入/输出之间的电容量，测试时可通过应用一个脉冲信号，测量输入和输出的电容量差异。

3.偏置参数测试偏置参数主要包括输入电流、输出电流、漏极电流等参数的测试。

输入电流是指三极管的输入端所消耗的电流，可通过测量输入端电流来得到。

输出电流是指三极管的输出端所输出的电流，可通过测量输出端电流来得到。

漏极电流是指在正常工作时，三极管漏极处的电流，可通过测量漏极电流来得到。

4.温度参数测试温度参数主要包括温度系数和工作温度范围的测试。

温度系数是指三极管在不同温度下输出电流或电压的变化情况，测试时通过控制环境温度，并测量相应的电流或电压变化来得到。

工作温度范围是指三极管能够正常工作的温度范围，测试时通过逐渐增加环境温度，并观察三极管是否能正常工作来判断。

三极管测试标准

华晶
vbe
dvbe
华晶3DD13003V1D常规参数测试
厂家测试条件： Ib=100mA vbe Ic=1000mA vbes Ic=1000mA vces Icbo Iceo Bvcbo Bvceo hfe hfe1 HEAT 序号 Vcb=350V Vcb=200V Ic=100uA Ic=100uA Ic=500mA Ic=750mA Ic=1000mA 无锡华晶 DY-2993多功能晶体管测试仪厂家测试条件： Max=1.0Vd.v=150mV vbe Max=1.1V Ib=250mA vbes Ib=250mA Max=0.4V vces Max=10uAd.I=100uA Icbo d.I=100uA Max=10uA Iceo Min=350V Bvcbo Min=200V Max=1000V Bvceo d.F=30% Vce=5V Max=30 Min=15 hfe Vce=5V Max=28 Min=10 Vce=3V Tim=3S HEAT 测试仪器
vbe
dvbe
vbes
vces
BVcbo BVceo
Hfe
dhfe
hfe1
ts
vbe vbes vces Icbo Iceo Bvcbo Bvceo hfe hfe1 HEAT 序号
华晶/蓝箭3DD13003E1D常规参数测试
厂家测试条件： Ib=100mA vbe Ic=500mA vbes Ic=500mA vces Icbo Iceo Bvcbo Bvceo hfe hfe1 HEAT 序号 Vcb=600V Vcb=400V Ic=100uA Ic=100uA Ic=200mA Ic=600mA Ic=500mA 吉林华微 DY-2993多功能晶体管测试仪厂家测试条件： Max=1.1Vd.v=150mV vbe Ib=100mA Max=1.1V vbes Ib=100mA Max=0.4V vces Max=5uA d.I=50uA Icbo Max=5uA d.I=50uA Iceo Min=600V Bvcbo Min=400V Max=1000V Bvceo Vce=5V Max=30 Min=15 d.F=25% hfe Vce=5V Max=24 Min=9 Vce=6V Tim=3S 测试仪器

晶体管直流参数测试仪DY294

晶体管直流参数测试仪DY294概述晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。

它可以测量晶体管的静态参数，如基极-发射极电压，基极-集电极电压，集电极-发射极电流等。

该仪器适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。

技术参数参数数值基极-发射极电压0~40V基极-集电极电压0~40V集电极-发射极电流0~100mA基极-发射极电流0~10mA电源电压AC220V±10%工作温度-10℃~+40℃相对湿度≤70%RH使用方法准备工作1.检查DY294的供电电压是否为AC220V±10%；2.检查DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.连接测量被测晶体管的电源和四根测试线。

测试线颜色测试线接口被测管脚编号黄色BASE1红色COLLECTOR2黑色EMITTER3绿色BATTERY-测试流程1.接通DY294的电源开关；2.调节TEST SELECTOR旋钮，使其与被测晶体管对应的参数相符（如测试NPN晶体管的集电极-发射极电流，则将TEST SELECTOR旋钮拨至ICE）；3.轻轻按下TEST未装置开关，测得被测晶体管的电参数。

注意事项1.测量前请先确认DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符；2.测量前请先确认DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.测量前请先确认被测晶体管是否已正确连接测试线；4.测量前请先确认DY294的TEST SELECTOR旋钮是否与被测晶体管对应的参数相符；5.测量时请轻轻按下TEST未装置开关，以保证测量结果的准确性；6.测量完毕，请关闭DY294的电源开关，并断开电源线和测试线。

总结晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。

该仪器具有测量范围宽，测量精度高，操作简单等优点，适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。

在测量前请注意DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符，以及DY294的工作温度是否在规定范围内，以保证测量结果的准确性。

一种三极管放大电路参数及故障测试装置的设计

第26卷第6期江苏理工学院学报JOURNAL OF JIANGSU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Vo l.26,No.6 Dec.,20202020年12月随着电子测量技术的高速发展，三极管放大电路在各类电子电路中发挥着十分重要的作用。

其输入输出电阻、电压增益、幅频特性是放大电路的关键指标。

同时，当电路发生故障时，也希望有特定的设备能简单直观地判断故障所在，所以本文提出了一种三极管放大电路参数及故障测试装置的设计。

本设计以MSP430为主核心处理器，采用直接数字式频率合成器在MSP430单片机的控制下构成扫频信号源，配合隔离电路，消除放大电路对信号源的影响。

同时，利用单片机控制继电器的开关，在放大电路的输入端和输出端分别测取几组不同的电压值，将所得数据输入单片机，计算输入输出电阻以及电压增益，减小测量误差，提高测量精度。

1系统方案设计本设计是以特定放大器和电路特性测试模块为主，配合相应的DDS信号源、AD采集模块、12864液晶显示模块、MSP430单片机模块。

如图1所示，第一个模块是信号发生模块，利用正弦信号相位与时间呈线性关系的特性，通过查表的方式得到信号的瞬时幅值，从而实现频率合成。

DDS具有超宽的相对宽带、超细的分辨率以及相位的连续性，采用这种方法设计的信号源可工作于调制状态，可对输出电平进行调节，也可输出各种波形。

第二个模块是输入电阻测量模块。

如图2所示，采用MSP430单片机测量输入电阻，在被测电路的输入端加一个被测电阻R s，利用MSP430单片机分别测出电阻两端的电压，输入电阻可由公式（1）求出：Ri=uius-u i×R s。

（1）第三个模块是输出电阻测量模块。

如图3所示，采用MSP430单片机测量输入电阻，在被测电一种三极管放大电路参数及故障测试装置的设计崔渊，房鸿旭，高倩，陈祝洋（江苏理工学院电气信息工程学院，江苏常州213001）摘要：提出一种三极管放大电路参数及故障测试装置，其由特定放大器和电路特性测试模块为主，配合相应的DDS信号源、AD采集模块、12846液晶显示模块和MSP430单片机模块组成。

测量三极管需要注意什么

测量三极管需要注意什么测量三极管是电子工程师和电子爱好者日常工作中不可或缺的一项任务。

三极管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和调节等功能。

在测量三极管时，我们需要注意以下几个方面：1. 选择适当的测试仪器在测量三极管之前，我们应该选择适当的测试仪器，常用的仪器有万用表、示波器和三极管特性曲线测试仪等。

对于简单的基本参数测量，如三极管的电流放大倍数和静态工作点等，我们可以使用万用表进行测量。

当需要观察信号的变化和波形时，我们可以使用示波器。

而如果需要深入了解三极管的工作特性，包括静态电流、动态电流和输出特性等，我们可以使用三极管特性曲线测试仪进行测量。

2. 确定引脚的功能和结构三极管通常有三个引脚，分别为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

在测量之前，我们需要确定引脚的功能和结构，确保正确与测试仪器的连接。

常见的NPN型和PNP型三极管的引脚顺序可能不同，所以我们需要查阅三极管的规格书或手册来确认引脚的功能和编号。

3. 电路和测试接线的准备在测量三极管之前，我们需要准备好相应的电路和测试接线。

电路可以采用基本的放大电路或开关电路，以提供合适的电源和信号源。

测试接线应该遵循正确的原则，例如在放大电路中，可以使用直流电源和信号源连接到三极管的引脚上，同时接地。

此外，还应该注意测试接线的稳定性和可靠性，以避免测量误差和损坏测试设备。

4. 测试环境和工作条件在进行三极管测量前，我们还需要确保测试环境和工作条件的稳定性和可靠性。

由于三极管的工作受到温度、湿度和电源等因素的影响，我们需要在适当的环境条件下进行测量。

例如，在进行静态工作点的测量时，我们应该将温度控制在合适的范围内，避免温度对测试结果的影响。

5. 测量方法和步骤在真正开始测量三极管之前，我们需要熟悉测量的方法和步骤。

具体的测量方法将根据测量的参数和特性而有所不同。

例如，在测量三极管的电流放大倍数时，我们可以使用基本的电流测量方法，通过改变输入和输出电流的比例来计算放大倍数。

三极管饱和压降测试方法

三极管饱和压降测试方法
1. 测试仪器和设备，进行三极管饱和压降测试时，需要使用万
用表、直流电源和电阻器等仪器设备。

万用表用于测量电压和电流，直流电源用于提供测试电压，电阻器用于限制电流。

2. 测试电路连接，首先，将三极管正确连接到测试电路中。

通常，基极通过一个适当的电阻器连接到正极，集电极连接到正极，
而发射极连接到负极。

确保连接正确并稳固。

3. 测试电流和电压，接通直流电源，通过改变电源的电压值，
记录不同电压下三极管的电流值。

在饱和状态下，电流会饱和，不
再随电压的增加而增加。

通过记录不同电压下的电流值，可以得到
三极管的饱和压降特性曲线。

4. 数据处理和分析，将所得数据整理并绘制成电流-电压曲线图。

通过曲线图可以清晰地看出三极管的饱和压降情况，从而进行
准确的分析和计算。

5. 注意事项，在进行测试时，需要注意保持测试环境的稳定，
避免外界干扰。

另外，要确保测试电路连接正确，以免因连接错误
导致测试结果不准确。

总的来说，三极管饱和压降测试方法涉及到测试仪器和设备的选择和连接、测试电流和电压的记录以及数据处理和分析等多个方面。

通过全面的测试方法，可以准确地得到三极管在饱和状态下的压降大小，为电路设计和分析提供准确的参考数据。

晶体管测试仪使用方法

晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪是一种用于测试晶体管性能和功能的设备。

以下是晶体管测试仪的使用方法：
1. 准备工作：
- 确保晶体管测试仪的电源已接通并处于工作状态。

- 将待测试的晶体管正确插入测试仪的测试座，并确保与测试仪的接口连接牢固。

2. 设置测试参数：
- 通过测试仪的控制面板或操作界面，设置需要测试的参数，如电压、电流、频率等。

这些参数根据测试需求和晶体管规格进行设置。

3. 进行测试：
- 将测试仪的测试电源接通，并调整到适当的电压、电流或频率值。

- 开始测试时，观察测试仪的显示屏或指示灯，确保测试仪正常工作。

- 确保测试过程中晶体管没有异常现象，如短路、过载等。

如果发现异常，及时停止测试并检查故障原因。

4. 结果分析：
- 将测试仪测量得到的数据记录下来，包括电压、电流、频率等。

- 根据测试结果进行分析，判断晶体管的性能和功能是否符合要求。

常见的
测试项目包括开关特性、放大特性、输入输出特性等。

5. 维护保养：
- 测试完成后，及时关闭测试仪的电源，并进行清洁和保养。

如清除灰尘、调整测试座位等，以确保下次测试的准确性和可靠性。

- 定期检查测试仪的各个部件和连接线，确保其正常工作和连接牢固。

请注意，以上是一般的晶体管测试仪使用方法，不同型号和品牌的测试仪可能会有一些细微的差异。

在使用前请仔细阅读测试仪的说明书，并遵循厂家提供的操作指南。

使用型晶体管特性图示仪测试三极管

测试三极管
1．调节功耗限制电阻选择旋钮，观察示波器中曲线变化。
测试三极管
2．调节Y轴选择开关，观察示波器中曲线变化
测试三极管
3．调节X轴选择开关，观察示波器中曲线变化
测试三极管
4．调节阶梯信号选择开关，观察示波器中曲线变化
测试三极管
5．调节级/簇旋钮，观察示波器中曲线变化
课后测评
xj4822b蚌埠职教中心蚌埠技师学院使用前的准备确认输入电源电压可靠后接通xj4822b型晶体管特性图示仪的电源把专用插座插入到测试输入端然后把三极管放入到专用插座中将峰值电压旋钮调至0
使用XJ4822B型晶体管特性图示仪测ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ三极管
蚌埠职教中心（蚌埠技师学院）周少梅
使用前的准备
确认输入电源电压可靠后接通XJ4822B型晶体管特性图示仪的电源，把专用插座插入到测试输入端，然后把三极管放入到专用插座中，将峰值电压%旋钮调至0。打开电源开关。预热15分钟后，可进行测试，调整显示屏聚焦和辉度，以显示适中为佳。
使用前的准备
测试三极管
1．将功耗限制电阻选择旋钮、峰值电压范围选择按钮、Y轴选择开关、X轴选择开关、阶梯信号选择开关、级/簇旋钮置于测试所需的位置。
X轴选择开关、阶梯信号选择开关、级/簇旋钮置于测试所需的位置.
测试三极管
测试三极管
2．顺时针缓慢地增大峰值电压%，荧光屏上即有曲线显示，这条曲线即为三极管的输出特性曲线。

DY294晶体管直流参数测试仪.

被测参数连接方法档位K键被测参数连接方法档位K键DY-294/JL294-3晶体管直流参数测试PNPNPNBV CBO三极管C、B耐压0~200V0~2000VK3、K4BV CBO三极管C、B耐压0~200V0~2000VK3、K4~~BV EBO三极管E、B耐压0~200V 0~2000V K3、K4BV EBO三极管E、B耐压0~200V 0~2000V K3、K4BV CEO三极管C、0~200V0~2000VK3、K4BV CEO三极管C、0~200V 0~2000VK3、K4E耐压E耐压BV CES三极管0~200V0~2000VK3、K4BV CES三极管0~200V0~2000VK3、K4I CEO 漏电流C E I CEO 漏电流C E 电流C、E 极2000uAK11电流C、E 极2000uAK11I CBO 漏电流C、B 极2000uAK11I CBO 漏电流C、B 极2000uAK11I EBO 漏电流E、B 极2000uAK11I EBO 漏电流E、B 极2000uAK11h FE 放10uA~10K8、K9、h FE 放10uA~10K8、K9、大倍数mA(IbK10大倍数mA(IbK10V CE sat饱和压降10mA~2A (IcK5、K6、K7V CE sat饱和压降10mA~2A (IcK5、K6、K7二极管反向击穿电压0~200V 0~2000V K4、K7二极管反向击穿电压0~200V0~2000VK4、K7二极管正向压降0~200VIc=10mA K4、K7二极管正向压降0~200VIc=10mAK4、K7向降向降稳压二极管稳压值0~200V0~2000VK3、K4稳压二极管稳压值0~200V0~2000VK3、K4发光二极发光二极管正向压降0~200VK2、K4管正向压降0~200VK2、K4发光二极管反向电压0~200V K2、K4发光二极管反向电压0~200V K2、K4双向可控硅击穿电压0~200V0~2000V K3、K4双向可控硅击穿电压0~200V0~2000VK3、K4单向可控硅击穿电0~200V0~2000V K3、K4单向可控硅击穿电0~200V0~2000V K3、K4压02000V 压02000VP-MOS管耐压测试0~200V0~2000V K3、K4P-MOS管耐压测试0~200V0~2000VK3、K4瓷介电容瓷介电容涤纶电容云母电容独石电容耐压测试0~200V0~2000V K3、K4涤纶电容云母电容独石电容耐压测试0~200V0~2000VK3、K4压敏电阻0~200V压敏电阻0~200V动作电压0200V 0~2000V K3、K4动作电压0200V 0~2000V K3、K478XX三端稳压器78XX K1279XX三端稳压器79XX K12。

三极管β值自动测量分选仪

辽宁工学院电子技术基础（上）课程设计（论文）题目：三极管β值自动测量分选仪院（系）：信息科学与工程学院专业班级：自动化033学号： 030302072学生姓名：张威指导教师：教师职称：起止时间：2005.6.6—2005.6.19目录第1章总体方案论证 (1)1.1 摘要 (1)1.2 设计的任务和要求 (1)1.3 设计的总体框图 (2)1.4 各个单元图的介绍 (2)第2章设计的部分电路分析 (2)2.1 直流稳压电源的原理分析 (2)2.2 输入电路设计 (4)2.3 输出电路设计 (5)第3章整体电路组合及性能分析 (7)3.1 整体电路组合 (7)3.2 功能介绍 (8)第4章总结 (8)参考文献 (8)第1章总体方案论证1.1摘要本设计是在学习《电子技术基础》的模拟电路以后，为巩固电子知识而进行的一次课程设计，设计题目为〈三极管β值自动测量分选仪〉，本设计主要应用：直流稳压电源，低频小功率硅管，电流/电压转换器，电压比较器，LED显示管，以及LED显示驱动器，该设计可以直接测量三极管β植，测量过程方便简单，测量结果直观易懂，可以直接从LED显示管直接读取测量结果，该设计将测量值β共分五挡，，其β的范围分别为50～80，80～120，120～180，180～270，270～400。

分档编号分别是1，2，3，4，5，当三极管正常工作在放大区时，可以利用本设计很快测出β值在什么挡，从而可以知道β在什么放大范围，以下将具体介绍本设计的原理和应用。

1.2设计的任务和要求设计任务：1.设计一自动测量分选仪，对低频小功率硅管的直流电流放大系数β值进行分档选出2.设计放大器所需的直流稳压电源设计要求：1.分析设计要求，明确性能指标。

必须仔细分析课题要求、性能、指标及应用环境等，广开思路，构思出各种总体方案，绘制结构框图2.确定合理的总体方案。

对各种方案进行比较，以电路的先进性、结构的繁简、成本的高低及制作的难易等方面作综合比较，并考虑器件的来源，敲定可行方案。