核磁共振系统中微波射频开关的设计与应用
微波与射频技术的进展与应用
微波与射频技术的进展与应用一、引言微波与射频技术,即微波和射频技术,属于电磁波谱的高频部分,具有功能强大、应用广泛的特点。
随着信息技术和通信技术的不断发展,微波与射频技术也在不断进步。
本文将介绍微波与射频技术的进展与应用。
二、微波技术微波技术是指频率在300MHz至300GHz之间的无线电信号技术。
微波技术应用于通信、雷达、天线、炉灶等领域。
微波技术的主要特点是高频率、高速度、高精度和高功率。
微波技术有以下的进展和应用:1. 进展(1)高功率微波:高功率微波技术是当今发展的一个重要方向。
它可以应用于安防、防雷电和杀灭微生物等。
(2)微波器件:国内外微波器件的研究很活跃,如微波管、微波集成电路、微波晶体管等。
(3)天线技术:微波技术在天线技术上的应用也很广泛,如技术先进的周期性结构天线、多分辨率天线等。
2. 应用(1)通信:微波技术在通信上的应用主要是无线传输和卫星通信。
随着国家的新一代移动通信网络的发展,对微波技术的需求也会越来越大。
(2)雷达:微波雷达在国防和民用领域有很大的应用,如飞机、船只、车辆、雷达气象预报等。
(3)炉灶:微波技术应用在炉灶上,可以加快加热速度,节省能源。
三、射频技术射频技术是指频率在3kHz至300GHz之间的无线电信号技术。
射频技术应用于通信、无线电和电子等领域。
射频技术的主要特点是高频率、强信号和高速度。
射频技术有以下的进展和应用:1. 进展(1)射频器件:射频器件是射频技术中很重要的组成部分,国内外射频器件的研究也很活跃,如射频开关、射频功放器、半导体射频器件等。
(2)射频标准:射频系统的标准是射频技术的关键,国内外的标准体系也在不断完善。
(3)射频芯片:射频芯片的发展可以提高整个系统的效率和性能,可以做到尺寸小、功耗低、速度快、质量高等。
2. 应用(1)通信:射频技术在无线电通信领域有很大的应用,特别是在雷达、无线电广播、卫星通信等领域。
(2)医疗:射频技术在医疗领域有很大的应用,如微波治疗仪、射频消融机等。
核磁共振系统中微波射频开关的设计与应用
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世 界 电子 元器 件 2 0 . gecec .om 0 81 . cnc
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本 电路 既 有直 流信 号又 有交 流信 号 , 因此 把 二者 分 开 ,使 其 互 不 影 响 非 常重 要 。根 据 频 率 的要 求 应 用 ln OF 的耦 合 电容 , 于 交流 信 号 短 路 , 对 而
目 前 一 般 的 设 计 中 用 现 成 的 开 关 芯 片 实 现 切 换 功 能 。 是 大 多 数 但 关 的 电压 为 O V和 IV。 O
总 体 结 构 设 计
开 关 将 应 用 于 此 共 振 的测 试 系 基 于 L b i 平 台 由计 算 机 提 a Ve w 而 且 供 电 线 路 也 比 较 复 杂 。例 如 统 , 基 于 L b i 它 a Ve w软 件 平 台 , 由计 供 给 射 频 开 关 的 电压控 制信 号 是 数 S 4 7 芯 片 虽 然 可 以完 成 简 单 的 算 机 提 供 给 电压 控 制信 号 。该 控 制 字 信 号 ,极 高 电平 为 5 ,低 电 平 为 W-3 V 开 关 功 能 , 是 它对 防 静 电要 求 非 信 号 是 数 字 信 号 ,只 能提 供 高 低 电 但 O ,而 射 频 开 关 需 要 的 电 压控 制 信 V 常 高 ,一 般 的 实 验 室 和 生 产 车 间 的 平 , 电压 为 5 , 电压 为 0 , 高 V低 V 因此 号 是 IV 因 此 需 要 把 5 O, V转 换 为 IV O, 条 件 很 难 达 到厂 家 的 要 求 ,所 以实 需要 进 行 电压 转 换 才 能提 供 给 开关 图 1 为 转 换 电 路 图 。 当 输 入 信 号 际应 用 起 来 很 不 方 便 ,容 易 损 坏 。 电 路 。 整 个 电 路 由 两 部 分 组 成 :电 ip t 为 5 n u1 V时 , Q3导 通 , 5截 止 , Q Q1 在 本 设 计 中 ,设 计 了 一 种 新 型 的应 压 转 换 电 路 和 射 频 开 关 电 路 。最 导 通 , 所 以 o tu1 0 。 这 时 Q4 up t 为 V 用 pn i e ido s的射 频 开 关 转 换 电 路 , 终 , 得 当L b i d 使 a Ve w提 供 5 V电压 时 , 截 止 , Q6导 通 , Q2截 止 , up t o tu2输 实现 的功 能 是 4路 R 输 入 信 号选 输 入 到 开 关 的 电压 为 1V和 O ;当 F 0 V 出V C为 IV 最 终 , C O。 使得 当L b i a V w e 择 其 中任 意 2路 R F信 号输 出 。 Lbi a Ve w提 供 0 V电压 时 ,输 入 到 开 提 供 5 V电压 时 , 入 到 开 关 的 电压 输
通信中的射频开关技术分析
通信中的射频开关技术分析在如今的通信领域中,射频开关技术因其高密度、高带宽和低功耗等优良特性而被广泛应用。
该技术的发展不仅极大地提高了通信系统的性能,还在一定程度上改善了设备的可靠性和热管理。
本文将对射频开关技术的原理、分类以及应用做详细分析。
一、原理分析射频开关技术的基础是微波传输线和微波场效应晶体管(FET)的共同作用。
微波传输线在工作时会产生电磁场,而微波场效应晶体管则可以受到电磁场的控制,从而实现射频信号的开关。
在射频开关技术中,微波传输线一般分为微带线、同轴线和矩形波导等几种形式。
而微波场效应晶体管则分为金属半导体场效应晶体管(MESFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)两种类型。
其中,MESFET是绝缘层上用金属形成的栅极控制的,而HEMT则是绝缘层上用掺杂剂形成的栅极控制的。
二、分类分析根据用途和结构,射频开关技术可以分为多种类型。
以下是常见的几种类型:1.机械式射频开关机械式射频开关是一种通过机械开关实现射频信号的连接和断开的方式。
该技术主要用于低频率的射频信号开关,其优点是成本低廉、结构简洁,但开关速度较慢。
2.固态射频开关固态射频开关是一种利用微波场效应晶体管控制射频信号开关的方式。
这种技术具有开关速度快、体积小、功耗低的优势,因此被广泛应用于高频率信号的开关。
3.混合式射频开关混合式射频开关结合了机械式和固态射频开关的优点。
其基本原理是利用机械开关的机械结构将微波场效应晶体管组成一个矩阵,并通过控制电路对其进行控制。
混合式射频开关具有高开关速度、低功耗和高密度等优点,是一种值得推广的技术。
三、应用分析射频开关技术广泛应用于如今的通信和无线电领域,例如天线、射频前置放大器、混频器和滤波器等。
在这些应用中,射频开关可以实现不同通道之间的无缝切换,从而提高整个通信系统的性能。
射频开关技术还被广泛应用于军事领域。
比如,在一些依赖于通信的军事行动中,射频开关技术可以实现通信信道的切换和脱敏,从而保障通信的可靠性和保密性。
核磁共振系统中射频开关设计
核磁共振系统中射频开关设计
通常RF 系统中有许多输入输出的端口,用多端口网络分析仪分析散射
特性价格比较昂贵。
所以一般要用开关对多输入多输出的信号进行切换,然后
用比较简单的二端口网络分析仪进行分析测量。
在核磁共振系统中,一般接收
系统的通道个数小于天线线圈的个数,所以多路线圈也要应用开关进行切换选择。
目前一般的设计中用现成的开关芯片实现切换功能。
但是大多数的开关
芯片可靠性不好,容易损坏,而且供电线路也比较复杂。
例如SW-437 芯片虽
然可以完成简单的开关功能,但是它对防静电要求非常高,一般的实验室和生
产车间的条件很难达到厂家的要求,所以实际应用起来很不方便,容易损坏。
在本设计中,设计了一种新型的应用pin diodes 的射频开关转换电路,实现的功能是4 路RF 输入信号选择其中任意2 路RF 信号输出。
总体结构设计
开关将应用于此共振的测试系统,它基于LabView 软件平台,由计算机提供给电压控制信号。
该控制信号是数字信号,只能提供高低电平,高电压为
5V,低电压为0V,因此需要进行电压转换才能提供给开关电路。
整个电路由
两部分组成:电压转换电路和射频开关电路。
最终,使得当LabView 提供5V
电压时,输入到开关的电压为10V 和0V;当LabView 提供0V 电压时,输入到
开关的电压为0V 和10V。
电压转换电路设计:
基于LabView 平台由计算机提供给射频开关的电压控制信号是数字信号,极高电平为5V,低电平为0V,而射频开关需要的电压控制信号是10V,因此
需要把5V 转换为10V,。
微波开关工作原理
微波开关工作原理
微波开关是一种通过微波信号控制开关状态的设备。
其工作原理通常涉及以下几个步骤:
1. 辐射:微波开关通常会引入一定功率的微波信号(通常工作在几千兆赫的频率范围),通过天线或波导等结构进行辐射。
2. 电磁场:辐射的微波信号会产生一个强大的微波电磁场。
这个电磁场可以在介质中产生局部的电极运动,从而产生电压和电流。
3. 共振:介质中的电极运动会导致介质中存在共振现象。
这种共振可使微波能量局部集中,形成高场强区域。
4. 介质响应:介质中产生的局部高场强区域会引起材料的电导率、电容率和介电常数等物理性质的变化。
5. 开关效应:通过调节微波信号的频率、功率和相位等,可以使介质中的电导率、电容率和介电常数发生变化。
这种变化可以控制开关的状态,实现微波信号的通断。
需要注意的是,微波开关工作原理会有一定的差异,具体取决于采用的结构和工作频段。
上述原理仅作为一般参考。
射频与微波开关系统的设计与应用
电子技术• Electronic Technology78 •电子技术与软件工程 Electronic Technology & Software Engineering【关键词】开关系统 测试系统 射频信号 微波信号在绝大多数的自动化测试系统中,射频与微波测试的应用都十分常见,不管是对民用设施,还是在军用装备进行功能测试的系统中,开关系统都是非常重要和关键的部分,如果开关系统具有合理可靠的布局,相对稳定的性能,操作起来较为方便简洁,那么就可以有效提高设备的应用效率的同时,进一步拓展系统的规模。
1 开关系统的作用分析1.1 利用开关系统进行射频信号切换在测试系统中,射频开关的主要作用就是切换信号,通过在测试点和测试仪器之间建立信号路径进而完成相应的测试。
固态射频开关、舌簧射频继电器以及电磁式微波开关都属于开关系统的基本器件。
只有性能良好的开关器件,才能更好的平衡测试系统的多方性能需求。
1.2 保护信号源,降低电磁干扰控制射频信号传播路径上的特征抗组必须一致,尤其注意严格禁止发生sons 向高阻抗进行传播的情况。
一旦出现该情况,信号路径就会产生强度较大的驻波,甚至可能会导致仪器设备的破坏。
在信号路径上,通过开关接入可以和阻抗相互匹配并且能更好的吸收信号的端接器,进一步保证和提高系统的安全性。
1.3 提高信号品质在测试系统中,尤其是应用了舌簧继电器的产品,射频开关子系统的规模扩展到一定程度,需要通过外部电缆将多个开关设备连接起来,在这个过程中,当位于各模块公共端的开关可以有效缩短电缆接入的长度,对于提高系统带宽具有积极的作用。
1.4 可扩展的微波开关矩阵分析射频与微波开关系统的设计与应用文/杜顺勇 宋阳在一个微波测试系统中,如果存在多个测试对象,那么开关矩阵结构的存在就可以明显提高系统的灵活性。
2 射频与微波开关系统设计技术特点无线通信技术愈发广泛被应用到军事和民用领域中,使得与其对应的测量技术和工具也得到进一步的发展。
一种新型微波射频开关(4×2)的设计与应用
单 的二 端 口网络 分析 仪进 行分 析测 量 。
在 核磁 共 振 MR 系统 中 ,一 般接 收 系统 的通道
本 电路 二极 管 采用 If en公 司 的 B 5 2 导 n no i A 9, 通 的最 佳性 能 电流 是 5mA。 以满 足二 极 管 的要 求 所 在 设 计 中加 人 的控 制 电压 是 1 ,回路 电 阻 R , 0V 7
关 键 词 :i i e ; 射频 开 关 ; 电磁 兼 容 ; 核 磁 共振 pndo s d
中图分 类号 : N T6
文献 标识 码 : A
文章编 号 :0 6 6 7 (0 70 — 0 8 0 1 0 — 9 72 0 )2 0 1— 3
De in a d a pia in o eR - wi h( x ) n M R y tm sg n p l t f h F s t 4 2 i c o t c s se
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《 国外 电 子元器 件)0 8年 第 2期 20 20 0 8年 2月
射频开关原理
射频开关原理
射频开关原理是一种基于电路设计和射频信号传输的技术,用于控制射频信号的开关状态。
射频信号是指频率范围在射频范围内的高频信号,通常用于无线通信、雷达系统、卫星通信等领域。
射频开关的基本原理是利用电磁场和电路设计,通过电路中的控制信号控制射频信号的开关状态。
射频开关通常由微波开关、晶体管开关、PIN二极管开关等组成。
微波开关是一种常见的射频开关,它利用微波元件产生的电磁场来控制射频信号的开闭。
微波开关的关键部件是耦合结构和磁控二极管。
当控制电压施加到磁控二极管上时,磁控二极管的电磁场会改变耦合结构的阻抗,从而改变射频信号的传输路径,实现开关状态的切换。
晶体管开关是一种利用晶体管的电流控制特性来实现射频信号的开关。
晶体管开关中的晶体管通常处于放大工作状态,当控制电流施加到晶体管的基极时,晶体管会进入截止状态,从而阻断射频信号的传输;当控制电流取消时,晶体管会恢复放大状态,射频信号可以继续传输,实现开关状态的切换。
PIN二极管开关是一种利用PIN二极管的特性来实现射频信号的开关。
PIN二极管具有可控制的电阻和电容特性,当控制电
压施加到PIN二极管时,其电阻和电容会发生变化,从而改
变射频信号的传输路径,实现开关状态的切换。
射频开关原理是基于以上几种技术的组合应用,通过适当设计和控制电路,可以实现快速、精确地控制射频信号的开关状态,以满足不同射频系统的需求。
微波感应开关方案
微波感应开关方案引言微波感应开关是一种基于微波技术的感应开关,通过感应周围环境中的物体,实现自动开关的功能。
在日常生活中,我们可以通过微波感应开关实现自动感应灯光、自动开关门等应用。
本文将介绍微波感应开关的工作原理、设计方案以及常见应用场景。
工作原理微波感应开关主要基于微波雷达技术实现。
其工作原理如下:1.发射器发射微波信号:微波感应开关中的发射器会发射一定频率的微波信号。
2.微波信号的反射:当微波信号遇到环境中的物体时,会产生反射。
3.接收器接收反射信号:微波感应开关中的接收器会接收到反射的微波信号。
4.信号处理与判断:接收器接收到的微波信号经过信号处理与判断,判断是否触发开关。
5.开关控制:当判断触发开关时,微波感应开关会控制相关设备的开关状态。
设计方案微波感应开关的设计方案主要包括以下几个方面:发射器设计发射器设计需要考虑以下几个关键参数:•发射频率:选择适合的微波频率,常用的频率有2.4GHz和5.8GHz。
•发射功率:根据感应范围和环境要求确定发射功率大小。
接收器设计接收器设计需要考虑以下几个关键参数:•接收频率:与发射器频率相匹配。
•灵敏度:接收器的灵敏度决定了微波感应开关的感应范围。
信号处理与判断信号处理与判断的主要任务是对接收到的微波信号进行分析和判断,判断是否触发开关。
常见的信号处理与判断方案包括:•阈值判断:设定合适的信号强度阈值,当接收到的信号强度超过阈值时触发开关。
•信号滤波:采用滤波算法对接收到的微波信号进行滤波,提高判断准确性。
开关控制开关控制是微波感应开关的核心功能,根据实际需求选择适合的开关控制方案,常见的方案有:•继电器控制:通过继电器实现对相关设备的开关控制。
•电子开关控制:采用电子开关替代传统继电器,提高开关的寿命和可靠性。
应用场景微波感应开关可以广泛应用于以下场景:1.自动感应灯光:微波感应开关可以感应到人体的存在,当检测到人体靠近时自动打开灯光,延时一定时间后自动关闭灯光。
低场核磁共振短死时间射频线圈与射频开关的设计
低场核磁共振短死时间射频线圈与射频开关的设计
低场核磁共振短死时间射频线圈与射频开关的设计涉及以下几个关键步骤:
1. 确定设计要求和参数:根据应用需求确定核磁共振系统的频率、场强、线圈位置等要求和参数。
2. 线圈设计:根据设计要求,选择合适的线圈结构,可以采用传统的麦克斯韦线圈、鸟笼线圈或者表面线圈等。
根据核磁共振原理和设计要求,确定线圈的几何参数、材料和匝数等。
3. 线圈调谐和匹配:根据设计要求和频率要求,通过调整线圈的结构和参数,实现线圈的谐振和匹配,确保在特定频率下的最佳电路性能。
4. 射频开关设计:根据核磁共振系统的需要,选择合适的射频开关类型和参数。
射频开关通常用于控制射频脉冲的产生和改变射频线圈和样品之间的耦合。
5. 射频开关控制:设计射频开关的控制系统,包括射频信号的生成、调节和控制电路等。
6. 性能测试和调试:完成设计和组装后,需要进行性能测试和调试,通过实验验证设计的准确性和可靠性。
需要注意的是,在设计过程中,还需要考虑到射频线圈与射频开关之间的电路、连接和匹配等问题,确保射频信号的传递和
耦合效果达到最佳状态。
同时,还需要对系统的电磁兼容性和噪声控制等进行综合考虑,以提高系统的性能和稳定性。
微电子射频开关的研制及应用
微电子射频开关的研制及应用随着科技的发展,射频技术越来越多地应用于无线通讯、雷达、导航等领域,而微电子射频开关作为射频技术的重要组成部分,也越来越受到关注。
本文将从微电子射频开关的概念、特点、制作工艺、应用等方面进行详细论述。
一、概念微电子射频开关是一种用于调制和控制微弱射频信号的开关元件。
它可以分为机械式射频开关和电子式射频开关两种。
其中,机械式射频开关利用机械结构控制信号的通断,具有可靠性高、性能稳定等优点;而电子式射频开关则是利用电场或磁场来控制信号的通断,具有响应速度快、尺寸小等优点。
二、特点微电子射频开关具有如下特点:1.高频特性好微电子射频开关的最高工作频率一般可以达到几GHz,具有很好的高频响应特性。
2.尺寸小微电子射频开关的尺寸很小,可以方便地集成到同一芯片上,从而提高整个系统的集成度。
3.可靠性高微电子射频开关采用先进的制作工艺和优质的材料,具有良好的耐压、耐温、耐辐射等特性,从而可以提高设备的可靠性。
4.响应速度快电子式微电子射频开关的响应速度很快,可以达到微秒级别,适用于高速通信等领域。
三、制作工艺微电子射频开关的制作工艺主要分为微电子加工工艺和射频测试工艺两部分。
微电子加工工艺是指将微电子器件制作在硅基板上,主要包括工艺流程设计、光刻、湿蚀、沉积、退火、空洞制作等环节。
其中,工艺流程设计是制作微电子器件的第一步,它决定了器件的工艺流程和相应的工艺参数。
而光刻、湿蚀、沉积等步骤则是根据工艺流程将芯片上的图形雕刻出来,制成微电子器件。
射频测试工艺是指对微电子射频器件进行测试和分析,主要包括特性测试、分析和优化等环节。
其中,特性测试是通过测试仪器对微电子器件的特性进行测量,获取各项参数,以便分析和优化器件性能;分析和优化则是根据测试数据对器件进行分析和优化,以提高器件性能。
四、应用微电子射频开关广泛应用于无线通信、雷达、导航、医疗和安防等领域。
其中,其在无线通信领域的应用尤为广泛。
核磁共振系统中微波射频开关的设计与应用
核磁共振系统中微波射频开关的设计与应用
引言
通常RF 系统中有许多输入输出的端口,用多端口网络分析仪分析散射
特性价格比较昂贵。
所以一般要用开关对多输入多输出的信号进行切换,然后
用比较简单的二端口网络分析仪进行分析测量。
在核磁共振系统中,一般接收
系统的通道个数小于天线线圈的个数,所以多路线圈也要应用开关进行切换选择。
目前一般的设计中用现成的开关芯片实现切换功能。
但是大多数的开关
芯片可靠性不好,容易损坏,而且供电线路也比较复杂。
例如SW-437 芯片虽
然可以完成简单的开关功能,但是它对防静电要求非常高,一般的实验室和生
产车间的条件很难达到厂家的要求,所以实际应用起来很不方便,容易损坏。
在本设计中,设计了一种新型的应用pin diodes 的射频开关转换电路,实现的功能是4 路RF 输入信号选择其中任意2 路RF 信号输出。
总体结构设计
开关将应用于此共振的测试系统,它基于LabView 软件平台,由计算机提供给电压控制信号。
该控制信号是数字信号,只能提供高低电平,高电压为
5V,低电压为0V,因此需要进行电压转换才能提供给开关电路。
整个电路由
两部分组成:电压转换电路和射频开关电路。
最终,使得当LabView 提供5V
电压时,输入到开关的电压为10V 和0V;当LabView 提供0V 电压时,输入
到开关的电压为0V 和10V。
电压转换电路设计:
基于LabView 平台由计算机提供给射频开关的电压控制信号是数字信号,极高电平为5V,低电平为0V,而射频开关需要的电压控制信号是10V,因此。
核磁共振波谱仪用射频功率放大器的设计与实现
核磁共振波谱仪用射频功率放大器的设计与实现李由;毛文平;王恢旺;刘洋;陈方;刘朝阳【摘要】介绍了一种应用于核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance,NMR)波谱仪的宽频带射频功率放大器的设计与实现,提出了射频功率放大器门控信号的设计,探讨了利用传输线变压器构建功率MOSFET输入输出阻抗匹配网络的方法,该射频功率放大器采用多级驱动结合功率放大的结构,包含2个工作模块和基于宽频带定向耦合器的辅助电路,支持高带和宽带通道的相关实验,将该射频功率放大器应用在自主研发的500 MHz高分辨率液体NMR谱仪上,测量射频功放的上升、下降时间及输出线性度,并对比测试1H和13C NMR标样的信噪比,实验结果证明了该设计的可行性.%The design and implementation of a broadband RF power amplifier used in nu clear magnetic resonance spectrometer were introduced. Based on a two-stage architec ture, the power amplifier was composed of a high frequency module, a broadband mod ule and two directional couplers, to meet various requirements of NMR experiments. The rise time, fall time and power linearity of the power amplifier was measured on a home-built 500 MHz NMR spectrometer. Comparison of NMR sensitivity demonstrated good performance of this power amplifier in common NMR experiments.【期刊名称】《波谱学杂志》【年(卷),期】2011(028)003【总页数】13页(P326-338)【关键词】核磁共振(NMR);功率放大器;传输线变压器;匹配网络【作者】李由;毛文平;王恢旺;刘洋;陈方;刘朝阳【作者单位】渡谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉磁共振中心(中国科学院武汉物理与数学研究所)湖北武汉 430071;中国科学院研究生院,北京 100049;渡谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉磁共振中心(中国科学院武汉物理与数学研究所)湖北武汉 430071;中国科学院研究生院,北京 100049;渡谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉磁共振中心(中国科学院武汉物理与数学研究所)湖北武汉 430071;中国科学院研究生院,北京 100049;渡谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉磁共振中心(中国科学院武汉物理与数学研究所)湖北武汉 430071;渡谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉磁共振中心(中国科学院武汉物理与数学研究所)湖北武汉430071;渡谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉磁共振中心(中国科学院武汉物理与数学研究所)湖北武汉 430071【正文语种】中文【中图分类】O482.53引言在核磁共振实验过程中,需要射频功率放大器将核磁共振波谱仪发射的射频脉冲放大至几十到几百瓦[1],输出加到探头发射线圈以激发实验样品,而产生的核磁共振NMR信号只有微伏量级,故射频功放的噪声会严重干扰NMR信号的接收,是影响核磁共振波谱仪NMR信噪比的重要因素之一.不同原子核的旋磁比不相同,在相同的静磁场强度下核磁共振频率不同,同时为兼容不同静磁场强度的核磁共振系统,要求核磁共振波谱仪的观察通道的射频功率放大器覆盖一定的频带宽度.现代脉冲傅立叶变换核磁共振波谱仪的射频脉冲宽度可短至几微秒,过长的射频功放上升和下降时间会影响该脉冲输出的准确度.此外,核磁共振脉冲序列中的形状脉冲要求射频功放的输出具有良好的线性度.因此用于核磁共振波谱仪的射频功率放大器应具有较大的输出功率、较低的噪声、较宽的工作频带、较短的上升和下降时间、良好的输出线性度,以满足核磁共振实验的需要.目前,针对射频功率放大器的研究主要集中在通讯行业,多采用连续波工作方式或工作频带较窄,不适合用于核磁共振波谱仪[2].国外厂家生产的核磁共振波谱仪专用射频功放价格昂贵,维护修理困难.因此,自主研制符合国产核磁共振波谱仪使用需要的射频功放具有重大的应用意义.近年来,国内高校和科研院所相继开展了这方面的研究工作[3-5].为满足不同的应用需求,本文设计并实现了一种可以应用于300 MHz~500 MHz高分辨率液体核磁共振波谱仪的射频功率放大器.下文首先介绍射频功放的整体及各功能模块的设计,然后重点介绍利用传输线变压器设计功率MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field-effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)宽频带阻抗匹配网络的方法,最后给出射频功放性能综合测试结果,验证方案的可行性.1 设计与实现射频功率放大器对发射机输出的脉冲激发信号进行功率放大,在核磁共振波谱仪系统中的连接关系如图1所示.图1 核磁共振波谱仪功率放大器连接关系图Fig.1 Connection diagram of RF power amplifier本设计的射频功率放大器由高带和宽带2个功放组成,分别激发高旋磁比核(如1H、19F等)和其他低旋磁比的异核(如13C、31P、15N等),用于300 MHz~500 MHz高分辨率液体核磁共振波谱仪.两功放结构相同,下面以高带功放为例进行详述.功放采用多级功率MOSFET级联结构[6],通过匹配网络将各级功率MOSFET的输入、输出阻抗匹配至50Ω,再进行级间互联,射频功率放大器的整体设计框图如图2所示.1.1 驱动级芯片及功率MOSFET输入高带功放的射频脉冲信号最大功率为0 dBm,功放整体增益需>47 dB.驱动级对射频脉冲信号仅进行初步放大,工作在小信号、非饱和状态,驱动级的输入和输出阻抗已在集成芯片内部匹配至50Ω.二级功率MOSFET输出功率大,工作在大信号、易饱和状态且需采用分离器件构建其输入输出阻抗匹配网络,存在各种器件的分布参数的影响.基于上述2个方面考虑,设计分配约30 dB增益至驱动级,便于整体电路的设计与调试,分配约10 dB增益至二级功率MOSFET,避免其工作在饱和状态,有利于电路的稳定.图2 自主研制的射频功率放大器整体设计框图Fig.2 Schematic diagram of home-built RF power amplifier功率MOSFET是高带功率放大器的核心部分,决定高带功放的主要性能指标.选用功率MOSFET的工作频带应覆盖300 MHz~500 MHz.一级功率MOSFET设计分配增益10 dB~12 dB.在高频段,分离功率MOSFET之间的互感取代其与地之间的等效电感,成为影响电路性能的主要因素.选用 Gemini封装(2个相同的金属氧化物半导体场效应晶体管并排封装在1个法兰内)芯片,可有效降低该互感.本设计选用功率MOSFET UF2840G作为一级功率放大、功率MOSFET UF28100V作为二级功率放大,其在CW(Continuous Wave,连续波)模式下对于过载和负载失配承受的VSWR(Voltage Standing Wave Ratio,电压驻波比)达30∶1[7],有利于提高高带功率放大器的使用寿命.1.2 偏置网络偏置网络中的电感对射频信号呈高阻抗,能够有效抑制射频信号通过偏置网络形成串扰.但功率MOSFET本身存在输入电容,该输入电容易与偏置网络中的电感组成谐振回路,并与后级产生寄生耦合引起振荡,严重时其峰值电压可将栅极氧化层击穿[8],损坏功率MOSFET.本设计采用电阻与电感并联取代通常的单电感偏置网络,消除电路的寄生振荡(如图3所示),提高射频功放的稳定性.各级功率MOSFET的静态工作点通过偏置电路(BIAS CIRCUIT)中的滑动变阻器独立调整.图3 偏置网络与功率MOSFET连接设计Fig.3 Net between bias circuit and power MOSFET1.3 门控信号射频功放的输入是发射机输出的射频脉冲信号,该信号经过功率放大后加到探头发射线圈,激发样品产生微伏级弱共振信号[9].在脉冲信号发射的间隔,电源、电子线路等外界因素产生的任何噪声经过射频功率放大器放大后会严重影响接收信号的质量[5],应该在无脉冲信号输入时关闭射频功放.本设计中,射频功放门控信号的输出同步发射机输出的射频脉冲信号[4]:发射机输出射频脉冲信号期间,门控信号输出高电平,向功率MOSFET的栅极提供偏置电压,功率MOSFET对射频脉冲信号进行功率放大;发射机无射频脉冲信号输出时,门控信号输出低电平,关断功率MOSFET.图4 定向耦合器原理图Fig.4 Schematic diagram of directional coupler1.4 定向耦合器功率放大后的信号经定向耦合器输出,定向耦合器是具有方向性的功率耦合器件,射频功放保护电路根据其耦合检波出的电压监测射频功放输出和负载反射的状态,在异常情况下关断射频功放电源以保护功率MOSFET等昂贵器件.定向耦合器的设计原理如图4所示,绕制方向相反的线圈L1、L2在屏蔽盒内与MAIN LINE垂直耦合.当有功率放大信号经MAIN LINE输出时,通过线圈L1、L2在A、B点产生感应电压UL1、UL2.功率放大信号、输出反射信号分别经R1~R6、C1~C6组成的2个网络在A、B点建立电压UF、UR.有UA=UL1+UF、UB=UL2+UR,调试R1~R6、C1~C6大小及线圈耦合系数,使得UA为最大值(UL1、UF在相位上相加)、UB为最小值(UL2、UR在相位上相减),实现定向耦合作用.UA、UB经二极管1SS86检波输出作为定向耦合器的正向、反向耦合电压,反映射频功放输出和负载反射状态.1.5 保护电路保护电路是核磁共振波谱仪用射频功率放大器的重要组成部分,用以防止射频功放发生异常或振荡时输出的大功率信号烧毁电路中的功率MOSFET等昂贵器件.本设计中,4路原理相同的保护电路分别处理宽带功率放大器输出和负载反射波、高带功率放大器输出和负载反射波经定向耦合器检波出的对应电压,其中一路保护电路的设计原理如图5所示.定向耦合器检波出的弱信号经运算放大器AD846放大,提供给比较器LM311的负输入端.射频功率放大器在正常工作条件下输出最大功率信号,经定向耦合器检波出的正向和反向耦合电压REF已提前测出(以高带功率放大器为例,其正向耦合电压为40 mV),并提供给比较器LM311的正输入端.若射频功率放大器工作正常,比较器LM311输出高电平,因无负脉冲触发,单稳态多谐振荡器74HC123的Q端输出低电平、¯Q端输出高电平,绿灯亮、红灯灭.在射频功率放大器工作异常或振荡瞬间,比较器LM311负输入端电压大于REF,比较器LM311输出由高电平变为低电平出现负脉冲,触发单稳态多谐振荡器74HC123,其Q端输出高电平、¯Q端输出低电平,经J6端口输出立刻关断射频功率放大器电源,同时,红灯亮、绿灯灭,提示射频功率放大器工作异常或振荡.图5 保护电路原理图Fig.5 Schematic diagram of protection circuit for RF power amplifier1.6 匹配网络射频功率放大器的输入信号频率范围较宽,全频带内各级功率MOSFET的输入、输出阻抗匹配网络的设计是实现射频功放的关键,故选择利用变压器进行阻抗变换.电子变压器包括:集中参数变压器、分布参数传输线段阻抗变换器、传输线变压器.集中参数变压器以高频磁芯为媒介,因分布电容和漏感的矛盾,无法在宽频带范围内满足应用要求.分布参数传输线段阻抗变换器在低频段尺寸很大,在低频段和高频段相对带宽很小,仅限微波波段的窄带应用[10].传输线变压器由传输线绕在磁芯上构成.在高频段通过电磁能交替转换的方式传输能量,传输线模式起主要作用,最高工作频率显著提高.在低频段通过磁耦合、传输线方式传输能量,变压器和传输线模式同时起作用,兼具集中参数变压器和分布参数传输线段阻抗变换器的优点.本设计选用传输线变压器构建各级功率MOSFET的输入、输出阻抗匹配网络.同轴线特性阻抗(50Ω、25Ω、12.5Ω等)均是实阻抗,而功率MOSFET输入、输出阻抗一般是复阻抗,无法直接计算阻抗变换比以选择传输线变压器的类型及同轴线的特性阻抗.本设计中,对功率MOSFET在特征频点的输入、输出阻抗进行归一化变换[11],根据该归一化阻抗和源、负载阻抗计算阻抗变换比,综合全频带内的匹配情况,选择传输线变压器的类型,设计覆盖全频带的功率MOSFET输入、输出阻抗匹配网络.以二级功率MOSFET UF28100V输出阻抗匹配网络设计为例说明.如表1所示,负载阻抗为50Ω,功率MOSFET UF28100V在300 MHz漏极-漏极输出阻抗为7.50+j1.00 Ω,经归一化变换计算得漏极-漏极输出归一化阻抗为7.57Ω,理论上应选择阻抗变换比为1∶6.61、同轴线特性阻抗为19.46Ω的传输线变压器;在500 MHz漏极-漏极输出阻抗为3.50-j3.50Ω,经归一化变换计算得漏极-漏极输出归一化阻抗为4.95Ω,理论上应选择阻抗变换比为10∶1、同轴线特性阻抗为15.73Ω的传输线变压器.表1 功率MOSFET UF28100V输出阻抗及归一化阻抗Table 1 Output and normalized impedance of power MOSFET UF28100Vf/MHz Zout/Ω|Zout|/Ω 100 14.50+j0.50 14.50 300 7.50+j1.00 7.57 500 3.50-j3.50 4.95 全频带内仅能选取一种阻抗变换比的传输线变压器.从同轴线特性阻抗和工程实践角度考虑,可供选择的传输线变压器包括:阻抗变换比为1∶1、1∶4、1∶9、1∶16的单线、双线、三线传输线变压器.根据上述计算,排除选择阻抗变换比为1∶1和1∶16的传输线变压器.假设选择阻抗变换比为1∶4的传输线变压器,300 MHz~500 MHz频带始末段功率MOSFET UF28100V漏极-漏极输出阻抗经传输线变压器阻抗变换后与端口50Ω阻抗严重失配.因此,重点兼顾频带末段的阻抗匹配选择阻抗变换比为1∶9的传输线变压器,由此产生频带始段部分阻抗失配及中频段增益隆起.针对频带始段的部分阻抗失配,在功率MOSFET UF28100V两输出端并联电容,调整电容值补偿功率MOSFET UF28100V输出电容予以修正[12,13].在功率MOSFET UF28100V漏栅极间串入RC(Resistance Capacitance Series,电阻电容)串联回路,利用负反馈修正功率MOSFET UF28100V在频带始端和末端的增益差异,可将中频段的增益隆起限制在2 dB~3 dB以内,不影响本射频功放在核磁共振波谱仪中的应用[14].此外,串联电阻、电容选取低Q(Quality Factor,品质因素)值.因功率MOSFET UF28100V为Gemini封装,选择双线传输线变压器.功率MOSFET UF28100V输出匹配网络如图6所示,推广设计其输入匹配网络及其他级功率MOSFET匹配网络.图6 功率MOSFET UF28100V匹配网络Fig.6 Matching Circuit of power MOSFET UF28100V2 射频功率放大器测试结果图7 自主研制的射频功率放大器输出线性度测量.(a)高带功放;(b)宽带功放Fig.7 Power linearity measurement of home-built RF power amplifier图8 自主研制的射频功率放大器谐波特性测量.(a)高带功放;(b)宽带功放Fig.8 Harmonic measurement of home-built RF power amplifier表2 高带功率放大器指标Table 2 Specifications of home-built high frequency power amplifierRange Gain Gain Flatness MaximumPout P1dB Blanked Noise 300 MHz to 500 MHz 47.90 dB ≤4 dB 48.77 dBm 46.92 dBm 51.81 dBm/MHz表3 宽带功率放大器指标Table 3 Specifications of home-built broadband power amplifierRange Gain Gain Flatness MaximumPout P1dB Blanked Noise 6 MHz to 200 MHz 53.41dB ≤4dB 53.17dBm 52.41dBm49.62dBm/MHz使用ATTEN ELECTRONICS公司ATS500-2-30型衰减器、Mini-Circuits公司VA T-30+型衰减器配合Agilent公司N5182A型信号源和E4445A型频谱分析仪,测试自主研制的射频功率放大器的性能指标.高带功放的输出线性度测量结果如图7(a)所示,谐波特性测量结果如图8(a)所示,性能指标如表2所示.宽带功放的输出线性度测量结果如图7(b)所示,谐波特性测量结果如图8(b)所示,性能指标如表3所示.此外,将该射频功率放大器与自主研制的500 MHz核磁共振系统进行联合调试,辅以 Tektronix公司MSO4104型示波器测试自主研制的射频功率放大器的上升、下降时间等相关指标.图9是高带功放上升时间测试图,其中CH1是高带功放输出信号,CH2是BLAN K信号,自主研制的射频功放整机测试结果见表4.各项性能指标的测试结果说明自主研制的射频功率放大器具有较大的输出功率、较低的噪声、较宽的工作频带、较短的上升和下降时间、良好的输出线性度,达到设计要求.同时,该射频功率放大器具有生产成本低的优点,设备实物如图10所示.图9 高带功放上升时间测量Fig.9 Risetime measurement of home-built high frequency power amplifier at1H NMR frequency图10 自主研制的射频功率放大器Fig.10 The photograph of home-built RF power amplifier表4 自主研制的射频功率放大器测试结果Table 4 Measurements of home-built RF power amplifierpw90 Risetime Falltime High frequency power amplifier at1H NMR frequency 8μs 200 ns 40 ns Broadband power amplifier at13C NMR frequency 25μs 800 ns 60 ns图11 1H NMR信噪比对比实验.(a)自主研制的射频功率放大器;(b)HERLEY 3900Fig.11 1H NMR sensitivity.(a)home-built RF power amplifier;(b)HERLEY 3900表5 自主研制的射频功率放大器与HERLEY 39001H信噪比对比实验结果Table 5 1H NMR sensitivity of home-built RF power amplifiervsHERLEY 39001 2 3 4 5 Average S N Rhome-built 737.5 742.8 725.2 728.4 731.4 733.06 S N RHERLEY3900 741.2 735.9 734.7 732.0 726.6 734.08为检验研制的射频功率放大器的实际应用效果,在自主研发的核磁共振谱仪上进行NMR实验,并与HERL EY公司3900型固态射频功率放大器在同等条件下进行NMR信噪比对比.使用Varian公司11.7 T(对应的1H核磁共振频率500 MHz)的超导磁体、金山公司的双通道反式检测探头以及自主研制的核磁共振谱仪控制台[15].实验样品采用1H NMR标样(0.1%乙基苯,0.01%TMS,99.89%氘代氯仿)、13C NMR标样(40%p-二氧六烷,60%氘代苯),按照VNMRJ软件计算NMR信噪比的方法计算信噪比.图11是其中1组对比实验1H NMR谱图,多次对比测试结果见表5.图12是其中1组对比实验13C NMR谱图,多次对比测试结果见表6.对比结果显示在自主研制的射频功率放大器上与在HERL EY公司3900型固态射频功率放大器上获得的1H和13C信噪比相当,可应用于300 MHz~500 MHz高分辨率液体核磁共振波谱仪进行核磁共振实验,能够满足核磁共振波谱仪实际应用的需求.图12 13C NMR信噪比对比实验.(a)自主研制的射频功率放大器;(b)HERLEY 3900Fig.12 13C NMR sensitivity.(a)home-built RF poweramplifier;(b)HERLEY 3900表6 自主研制的射频功率放大器与HERLEY 390013C信噪比对比实验结果Table 6 13C NMR sensitivity of home-built RF power amplifiervsHERL EY 39001 23 4 5 Average S N Rhome-built 85.7 84.2 83.7 85.6 83.1 84.46 S N RHERLEY3900 84.0 85.1 83.3 80.6 83.1 83.223 总结本文介绍了一种可以应用于300 MHz~500 MHz高分辨率液体核磁共振波谱仪的宽频带射频功率放大器的设计与实现.研制宽带射频功放的关键在于设计功率MOSFET输入输出阻抗的匹配网络,文中采用阻抗归一化结合传输线变压器的方法进行构建,并通过NMR实验检验功率放大器的综合性能,验证了整体设计的可行性. 参考文献:【相关文献】[1] Gao Han-bin(高汉宾),Zhang Zhen-fang(张振芳).Nuclear Magnetic Resonance Theory and Experimental Methods(核磁共振原理与实验方法)[M].Wuhan(武汉):Wuhan University Press(武汉大学出版社),2008.[2] Wang Wei-dong(王卫东),Bao Shang-lian(包尚联),Zu Dong-lin(俎栋林).Implementation of fast MR imaging using extrapolation of signals(利用信号外推实现磁共振快速成像)[J].Chinese Journal of Biomedical Engineering(中国生物医学工程学报),2000,19(1):78-83.[3] Shen Jie,Xu Qin,Liu Ying,et al.Home-built magnetic resonance imaging system(0.3T)with a complete digital spectrometer[J].Rev Sci Instrum,2005,76(10):105101.1-105101.8.[4] Li Geng-ying,Jiang Yu,Yan Xiao-long,et al.Digital nuclear magnetic resonance spectrometer[J].Rev Sci Instrum,2001,72(12):4 460-4 463.[5] Yang Zhi-qiang(杨志强),Qu Yan-tao(曲延涛),LIANGBing(梁冰).Design and realization of the NMR power amplifier(核磁共振功率放大器的设计与实现)[J].Chinese Journal of Electron Devices(电子器件),2007,30 (5):1 182-1 185.[6] Schematic Manual ARX30[EB].Bruker Inc.1992.[7] UF28100V Datasheet[EB/OL].Tyco Electronics.2009..[8] Wang Yu-dong(王宇晨),Liu Xun-chun(刘训春),Hao Ming-li(郝明丽),et al.UHF broadband high power amplifier module(UHF宽带大功率放大器模块)[J].Chinese Journal of Electron Devices(电子器件),2007,30 (1):82-85.[9] Qiu Zu-wen(裘祖文),Pei Feng-kui(裴奉奎).Spectroscopy of Nuclear MagneticResonance(核磁共振波谱) [M].Beijing(北京):Science Press(科学出版社),1989.[10]Zhang Ji-gang(张纪纲).Ferrite used in RF broadband(射频铁氧体宽带器件)[M].Beijing(北京):Science Press(科学出版社),1986.[11]Granberg H O.Building,push-pull,multi-octave VHF Power Amplifiers[J].Microwaves RF,1987,11:31-38.[12]Cripps S C.RF Power Amplifiers for Wireless Communications(2nded)[M].Norwood:Artech House INC, 1977.[13]Cripps S C.Advanced Techniques in RF Power Amplifier Design[M].Norwood:Artech House INC,2002.[14]Wang Wen-juan(王文娟),Hu Peng(胡鹏),Mao Wen-ping(毛文平).An ARM-and CPLD-based preamplifier control system for NMR spectrometers(基于ARM和CPLD的NMR谱仪前放控制设计)[J].Chinese J Magn Reson(波谱学杂志),2009,26(3):351-358.[15]Fang Hui-ru(方惠如),Chen Yi-qun(陈义群),Jiang Ting-ting(姜婷婷).Software testing for the console system of an NMR spectrometer(NMR波谱仪控制台系统的软件测试)[J].Chinese J Magn Reson(波谱学杂志), 2009,26(3):335-342.。
射频开关 工作原理
射频开关工作原理
射频开关是一种用于控制无线电频率的电子开关。
它的工作原理基于电磁波的传播与干涉。
射频开关通常由一个或多个开关单元和一个集成电路控制器组成。
开关单元是由一个或多个晶体管构成的,其中每个晶体管可作为一个开关。
这些晶体管通常是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT)。
当射频开关处于关闭状态时,开关单元将电显示地传递到输出端口。
而当开关打开时,它将射频信号从输入端口切换到一个或多个输出端口。
射频开关的控制器通常由数字信号处理器、微控制器或可编程逻辑器件等组成。
这些控制器接收来自用户的控制信号(如电压或电流),并相应地控制开关单元的开关状态。
通过改变开关单元的开关状态,射频开关可以在输入和输出端口之间实现快速且准确的信号切换。
射频开关的工作原理基于电磁波的传播和干涉现象。
当射频信号通过开关单元时,电磁波在晶体管的通道中传播。
通过控制晶体管开关状态,可以选择让射频信号通过或者阻塞。
当射频信号通过多个开关单元时,它们之间的干涉效应会影响信号的强度和相位。
通过精确控制开关单元的开关状态和连接方式,可以实现对射频信号的精确调控和无线电系统的灵活控制。
总的来说,射频开关通过精确控制开关单元和控制器的工作状
态,实现对射频信号的切换和调控。
它广泛应用于无线通信、雷达系统、无线电广播等领域,为无线电频率的传输和处理提供了重要的功能和灵活性。
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核磁共振系统中微波射频开关的设计与应用
作者:西门子迈迪特(深圳)磁共振有限公司射频部
引言
通常RF系统中有许多输入输出的端口,用多端口网络分析仪分析散射特性价格比较昂贵。
所以一般要用开关对多输入多输出的信号进行切换,然后用比较简单的二端口网络分析仪进行分析测量。
在核磁共振系统中,一般接收系统的通道个数小于天线线圈的个数,所以多路线圈也要应用开关进行切换选择。
目前一般的设计中用现成的开关芯片实现切换功能。
但是大多数的开关芯片可靠性不好,容易损坏,而且供电线路也比较复杂。
例如SW-437芯片虽然可以完成简单的开关功能,但是它对防静电要求非常高,一般的实验室和生产车间的条件很难达到厂家的要求,所以实际应用起来很不方便,容易损坏。
在本设计中,设计了一种新型的应用pin diodes的射频开关转换电路,实现的功能是4路RF输入信号选择其中任意2路RF信号输出。
总体结构设计
开关将应用于此共振的测试系统,它基于LabView软件平台,由计算机提供给电压控制信号。
该控制信号是数字信号,只能提供高低电平,高电压为5V,低电压为0V,因此需要进行电压转换才能提供给开关电路。
整个电路由两部分组成:电压转换电路和射频开关电路。
最终,使得当LabView提供5V电压时,输入到开关的电压为10V和0V;当LabView提供0V电压时,输入到开关的电压为0V和10V。
电压转换电路设计:
基于LabView平台由计算机提供给射频开关的电压控制信号是数字信号,极高电平为5V,低电平为0V,而射频开关需要的电压控制信号是10V,因此需要把5V转换为10V,图1为转换电路图。
当输入信号input1为5V时,Q3导通,Q5截止,Q1导通,所以output1为0V。
这时Q4截止,Q6导通,Q2截止,output2输出VCC为10V。
最终,使得当LabView提供5V电压时,输入到开关的电压为10V和0V;而当输入信号input1为0V时,Q3截止,Q5导通,Q1截止,所以output1为10V。
此时Q4导通,Q6截止,Q2导通,output2
输出为0V,输入到开关的电压为0V和10V。
满足微波射频开关的工作电压。
开关电路设计:
设计思想:利用直流信号控制pin diodes二极管的通断,输入射频信号通过导通的二极管输出;改变控制逻辑,从而改变控制输入射频信号的输出。
设计步骤如下:
1)设计直流控制电路
在本电路中二极管用的是INFINEON technologies公司的BA592,导通的最佳性能电流是5mA。
所以满足二极管的要求在设计中加入的控制电压是10V,回路电阻R7、R8、R11、R12的大小均为10K。
2)根据散射特性的要求设计交流信号电路
由于电路工作的中心频率为63.6MHz,属于高频段,因此要保证输入输出端口的匹配。
具体来说,一路射频信号输出的时候,另外一路信号应该接50R电阻匹配。
由于本电路既有直流信号又有交流信号,因此把二者分开,使其互不影响非常重要。
根据频率的要求应用10nF的耦合电容,对于交流信号短路,而对于直流信号是断路;应用18μH的耦合电感,对于交流信号断路,而对于直流信号短路。
3)基本模块及模块之间的连接
图2和图3是基本模块。
图2是两输入两输出模块(2x2):在CTRL3、CTRL4之间加入10V的直流电压,即在CTRL3加10V电压,CTRL4加0V电压时,使得二极管D6、D9导通。
此时输入信号input1通过二极管D9输出,输入信号input2通过二极管D6输出。
当控制信号反向,即CTRL4加10V电压,而CTRL3加0V电压时,二极管D5、D10导通,输入信号input1通过二极管D5输出,输入信号input2通过二极管D10输出。
从而达到两路输入信号同时输出,而且可以通过控制信号的逻辑改变输入信号输出方向的目的。
图3是两输入一输出模块(2x1):控制信号7,8控制二极管的通断,实现二极管D13、D16同时导通或者二极管D14、D15同时导通,与模块1相同。
但是两路输入信号只有一路输出,另外一路输出接50R电阻实现匹配,从而实现两路输入一路输出,而且可以实现通过控制信号选择哪一路输出的功能。
图4是整个电路的模块连接框图,清晰地表示了模块之间的逻辑关系,以及信号的传输过程。
例如当控制逻辑为1111时,输入信号input1和input3通过二极管从上面的通路输入2x1输出模块,由于控制逻
辑为高,只有input1可以从output1输出;而输入信号input2和input4通过二极管从下面的通路输入下方的2x1输出模块,同样由于控制逻辑为高,只有input2可以从output1输出,这样就实现了四路输入信号只有input1和input2分别从output1和output2输出。
当改变控制逻辑时,就可以选择想要的输入信号的输出。
例如控制逻辑如果为1110,则输出信号为input1和input4。
4路控制信号可以控制12种状态,对应地建立起数据库,通过LabView编写相应的程序应用到测试中。
4)印制电路板的设计
1.电磁兼容性设计:为了控制印制电路板的差模辐射,应将信号和回线紧靠在一起,减小信号路径形成的环路面积,因为信号环路的作用就相当于辐射或接收磁场的环天线。
在本设计中每个模块的射频信号接地路径最短,减少了差模辐射;共模辐射是由于接地面存在地电位造成的,这个地电位就是共模电压。
当连接外部电缆时,电缆被共模电压激励形成共模辐射。
控制共模辐射,首先要减小共模电压。
本设计中采用地线网络和接地平面,布成双层版,全部在上层走线,下层全部铺地,合理选择了接地点;本电路属于高频高速电路,满足2W准则(W是印制板导线的宽度,即导线间距不小于两倍导线宽度),以减小串扰。
此外,射频导线短、宽、均匀、直,转弯处采用45°角,导线宽度没有突变,没有突然拐角。
2.地线设计:地线设计是最重要的设计,往往也是难度最大的一部分。
"地线"可以定义为信号流回源的低阻抗路径,它可以是专用的回线,也可以是接地平面,有时也可以采用产品的金属外壳。
理想的"地"应是零电阻的实体,各接地点之间没有电位差。
本设计中,下层板布成接地板,完全铺地,各接地点之间没有电位差。
在PCB版制作中,模块之间设置跳线,使得模块之间互相独立,这样做的目的是:模块可以单独测试性能,当电路出现问题时,方便检测,迅速查出问题所在。
3.在PCB版制作中,模块之间设置跳线,使得模块之间互相独立,这样做的目的是:模块可以单独测试性能,当电路出现问题时,方便检测,迅速查出问题所在。
设计的性能和优点
1)由于设计的合理性和对称性,保证了在一定的带宽(120MHz)内很低的传输损耗,如图5(S21)所示。
其中S21表示的是:对于一个微波网络,当其他端口都匹配,即接50R电阻匹配时,所测两端口的传输,其物理公式:S21=Uout / Uin。
曲线在中心频率63.6MHz、带宽120MHz的条件下,保持了很低的传输损耗,大约为-0.29dB,而且在整个带宽内性能很稳定。
2)电感的隔交流作用和电容的隔直流作用,保证了输入输出端口良好的匹配,得到很好的反射系数,如图5(S11,S22))所示,在中心频率63.6MHz处,反射系数可以达到-30dB左右。
中心频率的大小是由核磁共振的B0场大小决定的,对于1.5T系统共振频率为63.6MHz。
3)保证了很好的隔离度,如图6所示,中心频率处隔离度达到-30 dB以下。
4)在实际应用中,对于使用频率高的电子元器件一个最重要的性能和指标就是对于应用环境要求不能太苛刻,可靠性要好,不易损坏。
在本设计中由于使用了pin-diodes,电路的可靠性得以明显提高,克服了以往的开关芯片容易损坏,可靠性差的缺点。
模块化设计及其应用实例
1.成品所做成的元器件,其功能电路及其引脚功能如图7所示。
2.应用实例:由于在核磁共振系统中接收通道的数目远小于它的天线线圈数目,所以需要应用开关来
切换选择。
其中一个应用实例就是采用7个RFSW(4x2)应用如图8的逻辑组合,可以实现16路信号任意2路信号的输出,然后接到系统上接收信号成像。
结论
由于设计的合理性,此微波射频开关参数(反射系数、传输系数、隔离度)非常理想。
本设计高度模块化,使得电路故障的检测变得容易。
另外,本设计应用灵活,4输入2输出可以利用一定的组合逻辑得到想要的输入输出组合。
在核磁共振系统中,16输入2输出得到广泛应用。