常用高频二极管介绍
常用高压二极管简介及型号
二极管知识简介一、二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
二、二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。
由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。
面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。
平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。
三、二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。
在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1.正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
二极管分类
二极管分类1>按结构材料分:(1)锗二极管(2)硅二极管2>按制作工艺分：(1)点接触型二极管：pn结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。
(2)面接触型二极管：结面积大，用于工频大电流整流电路。
(3)平面型二极管：往往用于集成电路制造工艺中。
pn结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。
3>按功能用途分：(1)硅整流二极管：硅整流二极管除主要应用于电源电路做整流元件外，还可用作限幅、保护、钳位等。
(常用整流二极管主要是1n、2cz系列)(2)检波二极管：检波二极管的结点容小、工作频率高、正向压降小，但允许流过的最大正向电流小、内阻大。
多用于小信号、高频率的电路，用作检波、鉴频、限幅。
(常用检波二极管主要是2ap系列) (3)稳压二极管：利用稳压二极管的反向击穿特性，用作稳压基准电压、保护、限幅、电平转换等。
其中2dw230~2dw232稳压管内部具有温度补偿，电压温度系数低，可用于精密稳压电路。
(常用稳压二极管主要是1n、2cw、2dw系列)(4)光敏二极管：利用光敏二极管在光的照射下，反向电流与光照成正比的特性，应用于光电转换及光控、测光等自动控制电路中。
（常用硅光敏二极管主要是2cu、2du系列）(5)变容二极管：变容二极管的结电容可以随外加偏压的不同而变化，主要应用于lc调谐、自动频率控制稳频等场合。
（常用变容二极管主要是2cc、1n系列）(6)发光二极管：发光二极管能把电能直接快速地转换成光能，在电子仪器、仪表中用作显示器件、状态信息指示、光电开关和光辐射源等。
（常用发光二极管主要是2ef系列）(7)肖特基二极管：肖特基二极管具有反向恢复时间很短、正向压降较低的特性，可用于高频整流、检波、高速脉冲箱位等。
（常用肖特基二极管主要是1n、mbr系列）(8)快速恢复二极管：快速恢复二极管的正向压降与普通硅整流二极管相似，但反向恢复时间小，耐压比肖特基二极管高得多，用作中频整流元件。
常用二极管三极管场效应管参数资料
IC=2A
5A
表 9 3DG 高频小功率硅管及其他同类型硅管（NPN 型）
部标新型
旧型号
PCM
号
/W
极限参数
直流参数 交流参数
ICM BUCBO BUCEO ICBO ICEO hFE /mA /V /V /μA /μA /β
fT /MHZ
3DG6A 3DG100M
20 15
25～2 ≥150
70
3DG6A 3DG100A
≤1 -6~4 550 1
50
10
53 2
250
2CW 2CW1
5.5~6.5 38
≤0.5 -3~5 500 1
30
10
54 3
2CW 2CW1 6.2~7.5 33
55 4
≤6 400 1
15
10
2CW 2CW1 7~8.8 29
56 5
≤7 400 1
15
5
2CW 2CW1 8.5~9.5 26
400
2CZ54G 2CP
500
2CZ54H 2CP1E
600
2CZ54K 2CP1G
800
测试条件 25℃ 25℃
12 25℃ 0.01s
5℃
2CP10 2CZ82A
2CP11 2CZ82B
2CP12 2CZ82C
2CP14 2CZ82D
2CP16 2CZ82E
2CP18 2CZ82F
2CP19 2CZ82G
工作电流= 10 mA
表 4 发光二极管
型号发光Biblioteka 颜色发光最大工作 正向压降 一般工作
发光亮度 发光功率
波长/
电流/mA /V 电流/mA
常见功率器件介绍
常见功率器件介绍功率器件是电力电子领域中重要的一种电子器件，用于变换、传递和控制电能。
常见的功率器件包括大功率二极管、晶闸管、可控硅、IGBT和MOSFET等。
本文将对这些常见的功率器件进行介绍。
1.大功率二极管：大功率二极管是一种常见的功率器件，具有较低的导通压降和较高的瞬态响应速度。
常见的大功率二极管如Schottky二极管，它具有快速导通、快速关断，适合于高频和高效率的电力转换系统。
大功率二极管常用于电流整流和反向保护等电源应用中。
2. 晶闸管（Thyristor）：晶闸管是一种可控硅器件，具有双向导通特性。
晶闸管的导通状态由门极信号控制，一旦导通后，其二极管部分将保持导通状态，直到控制信号消失或电流下降至谷值。
晶闸管适用于高压、高电流的交流电源控制和整流应用，如交流调光、电动机控制和功率变换等。
3.可控硅（SCR）：可控硅是一种具有双向导通特性的功率器件，可通过外部电压触发，从而控制其导通和关断状态。
可控硅的导通需要一个触发脉冲，一旦导通，只能通过降低电流或断开电源来关断。
可控硅广泛应用于高压电源、充电器、交直流变换器和电动机驱动器等系统中。
4. IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：IGBT是一种功率MOSFET和双极型晶体管的混合器件，结合了二者的优点。
IGBT具有低导通压降和高开关速度的特点，在高频和高效率的应用中广泛使用。
IGBT适用于电力电子中的交流调变器、逆变器和电动机驱动器等应用。
5. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：MOSFET是一种具有储存性的功率晶体管，可以在接通状态下进行电流放大，适用于低功率和中功率应用。
MOSFET具有低导通压降、高开关速度和可控性强的优点。
在电源管理、电动机控制和逆变器等应用中，MOSFET是一种常见的功率器件。
总结起来，大功率二极管、晶闸管、可控硅、IGBT和MOSFET是常见的功率器件。
常用的二极管型号
常用的二极管型号二极管是一种最简单的半导体器件，也是电子元器件中使用最广泛的一种。
它主要由N型半导体和P型半导体组成，具有单向导电性质。
在电子设备制造和维护过程中，常用的二极管型号有很多种，这里就来介绍几种常见的二极管型号。
1. 1N4001~1N4007系列1N4001~1N4007系列是常见的电力二极管。
它们的最大工作电压分别为50V、100V、200V、400V、600V、800V和1000V。
这些二极管具有大电流、高反向电压和高温耐受性能，适合用于AC/DC电源、整流器和电动机控制等领域。
2. 1N5817~1N5819系列1N5817~1N5819系列是常见的肖特基二极管。
它们的最大工作电压分别为20V、30V和40V。
这些二极管具有快速响应时间、低前向电压降和高反向电压承受能力，适合用于高频电路、直流稳压器和电路保护等领域。
3. 1N41481N4148是常见的快速切换二极管。
它的最大工作电压为100V，可以承受大电流和高频率的信号，适合用于小信号放大器、逆变器和遥控器等领域。
4. UF4007UF4007是常见的超快恢复二极管。
它的最大工作电压为1000V，具有快速响应时间和高功率承受能力，适合用于高频电源、电线电缆和电机保护等领域。
5. Zener二极管Zener二极管是一种特殊的二极管，可以反向导通，具有稳压特性。
它的工作电压为几个伏特到数百伏特不等，具有不同的稳压值。
Zener 二极管适用于稳压电源、开关电源和放大器等领域。
以上是常见的二极管型号，每种二极管都有其特定的应用领域和性能特点，选择时应根据实际需要进行合理的选择。
常见的二极管种类
常见的二极管种类常见的二极管种类有正向导通二极管、反向截止二极管、正向截止二极管、恒流二极管、稳压二极管、光电二极管和肖特基二极管。
1. 正向导通二极管:正向导通二极管是一种常用的电子元件，它具有允许电流只能在一个方向上通过的特性。
在正向偏置电压下，二极管内部的PN结会被击穿，电流得以流通。
正向导通二极管在电子电路中常用于整流、放大和开关等应用。
2. 反向截止二极管:反向截止二极管是一种二极管，当施加在其两端的电压为反向偏置时，二极管处于截止状态，几乎不会有电流通过。
这是因为在反向偏置下，二极管的PN结会形成一个高阻抗，阻挡电流的流动。
反向截止二极管常用于保护电路，防止电流逆向流动。
3. 正向截止二极管:正向截止二极管是一种特殊的二极管，当施加在其两端的电压小于某个临界值时，二极管处于截止状态，电流几乎不会通过。
但当电压超过临界值时，二极管会进入导通状态，允许电流通过。
正向截止二极管常用于开关电路、信号处理和数字电路中。
4. 恒流二极管:恒流二极管是一种特殊的二极管，它能够在一定电压范围内提供稳定的恒定电流。
恒流二极管的特性使得它在电流稳定要求较高的电路中得到广泛应用，如LED驱动、恒流源等。
5. 稳压二极管:稳压二极管是一种能够在一定电压范围内提供稳定输出电压的二极管。
它利用了二极管的电压稳定特性，使得在其工作范围内输出电压保持不变。
稳压二极管常用于电源电路中，用于稳定输出电压。
6. 光电二极管:光电二极管是一种能够将光信号转化为电信号的二极管。
它的PN结暴露在外面，当光照射到PN结上时，会产生光生电流。
光电二极管常用于光通信、光电转换和光测量等领域。
7. 肖特基二极管:肖特基二极管是一种具有特殊结构的二极管，它的PN结由金属和半导体构成。
肖特基二极管具有低漏电流、快速开关速度和低反向恢复时间等特点，常用于高频电路、开关电源和功率放大器等应用。
常见的二极管种类包括正向导通二极管、反向截止二极管、正向截止二极管、恒流二极管、稳压二极管、光电二极管和肖特基二极管。
常用高频二极管介绍
常用高频二极管介绍 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】常用高频二极管介绍半导体二极管在高频中主要用于开关、检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中。
一、高频二极管的主要参数1）最大整流电流I FＭ二极管在长期稳定工作时，允许通过的最大正向平均电流。
因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏，所以在实际应用时工作电流通常小于I FM。
2）最大可重复峰值反向电压V RRM指所能重复施加的反向最高峰值电压，通常是反向击穿电压V BR的一半。
击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。
3）反向恢复时间T rr当工作电压从正向电压变成反向电压时，电流不能瞬时截止，需延迟一段时间，延迟的时间就是反向恢复时间。
T rr直接影响二极管的开关速度，在高频开关状态时，通常此值越小越好。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要，T rr越小管子升温越小，效率越高。
4）结电容C J图1所示的PN 结高频等效电路，其中r表示结电阻，C J表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果，它的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。
当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大(主要决定于扩散电容C D)。
当PN结处于反向偏置时，r为反向电阻，其数值较大，结电容较小 (主要决定于势垒电容C B) 。
J图1 PN结的高频等效电路5）正向电压降V F二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
通常硅材料的二极管V F大于1V，锗材料、肖特基二极管为左右。
6）反向电流I R指管子击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。
反向电流I R与温度有密切联系，温度越高，反向电流I R会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。
一般半导体器件手册中都给出不同型号管子的参数，这是正确使用二极管的依据。
常用高压二极管简介及型号
二极管知识简介一、二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
二、二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。
由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。
面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。
平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。
三、二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。
在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1.正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
各种二极管的用途及常用二极管
各种二极管的用途及常用二极管各种二极管的用途常用二极管1.整流二极管作用：利用PN结的单向导电性把交流电变成脉动直流电，整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。
例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。
整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值，并要满足散热条件。
2.检波（也称解调）二极管作用：利用二极管单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号提取出来广泛应用于半导体收音机、录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。
检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，例如2AP系列、1N34/A/、1N60等。
选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管，主要考虑工作频率。
虽然检波和整流的原理是一样的，而整流的目的只是为了得到直流电，而检波则是从被调制波中取出信号成分（包络线）。
检波电路和半波整流线路完全相同。
因检波是对高频波整流，二极管的结电容一定要小，所以选用点接触二极管。
能用于高频检波的二极管大多能用于限幅、箝位、开关和调制电路。
3.变容二极管又称压控变容器，是根据电压变化而改变节电容的半导体，工作在反向偏压状态。
应用：高频调谐、通信电路中可做可变电容器使用。
有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管，适用于参放的参放变容二极管，以及固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管，用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
4.快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的，但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，约4～5ms，不能适应高频开关电路的要求。
快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ns。
快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。
常用二极管的基本特点和选型
常用二极管的特点和选型根据材料的导电能力，我们将形形色色的材料划分为导体、绝缘体和半导体。
半导体是一种具有特殊性质的物质，它的导电能力介于导体和绝缘体之间，所以被称为半导体。
常见的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）。
二极管（Diode）算是半导体家族中的元老了，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来（从正极流向负极）。
一、基础知识1、二极管的分类二极管的种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）；按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
根据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。
2、二极管的型号命名方法（1）按照国产半导体器件型号命名方法：二极管的型号命名由五个部分组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号（同一类产品的档次）。
3、几种常见二极管特点（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF 在1 安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF 在1 安以下的采用全塑料封装。
（2）开关二极管在脉冲中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，其特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500 毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装。
（3）稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，因为它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管。
它是利用PN 结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的。
（4）变容二极管变容二极管是利用PN 结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。
变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q 值以适合应用。
常见二极管分类及应用简介
各种二极管的用途及常用二极管分类介绍常用二极管１．整流二极管作用:利用PＮ结的单向导电性把交流电变成脉动直流电，整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高,但PN结电容比较大,一般广泛应用于处理频率不高的电路中。
例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。
整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值，并要满足散热条件。
２.检波(也称解调）二极管作用:利用二极管单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号提取出来广泛应用于半导体收音机、录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。
检波二极管一般可选用点接触型锗二极管,例如2ＡＰ系列、1N34/A/、１Ｎ6０等。
选用时,应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管，主要考虑工作频率。
虽然检波和整流的原理是一样的,而整流的目的只是为了得到直流电，而检波则是从被调制波中取出信号成分（包络线)。
检波电路和半波整流线路完全相同。
因检波是对高频波整流，二极管的结电容一定要小, 所以选用点接触二极管。
能用于高频检波的二极管大多能用于限幅、箝位、开关和调制电路。
3.变容二极管又称压控变容器,是根据电压变化而改变节电容的半导体,工作在反向偏压状态。
应用：高频调谐、通信电路中可做可变电容器使用。
有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管，适用于参放的参放变容二极管，以及固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管,用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
４.快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的,但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，约４~5mｓ,不能适应高频开关电路的要求。
快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ｎs。
快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管（Schottky Diode）是一种由半导体材料制成的二极管，其具有较快的开关速度、低的开关功耗和较小的反向恢复时间等优点。
在电子设备和电路中广泛使用，特别是在高频应用、功率电子和数字和模拟电路中。
下面是一些常用的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
1.1N5817-正向电压降：0.45V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：15ns2.BAT41-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：150nA-耐反向电压：30V- 反向恢复时间：4ns3.BAT85-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：200mA -反向漏电流：150nA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：4ns4.SB540-正向电压降：0.55V-最大正向连续电流：5A-反向漏电流：200uA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：25ns5.MBR2045CT-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：35ns-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：100V- 反向恢复时间：40ns7.11DQ06-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：60V- 反向恢复时间：20ns-正向电压降：0.52V-最大正向连续电流：16A-反向漏电流：50uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：16ns9. TPSMBxxA-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：600mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：5-180V（不同型号可选）- 反向恢复时间：5-50ns（不同型号可选）10.LMBS82-正向电压降：0.32V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：4ns以上是一些常见的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
高频变容二极管型号
高频变容二极管型号
高频变容二极管的型号有很多种，常见的有以下几种：
1. 1N5132：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。
2. 1N5201：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。
3. 1N5202：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。
4. 1N5205：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。
5. 1N5221：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。
需要注意的是，不同型号的高频变容二极管在参数和应用方面可能存在差异，应根据具体的电路要求进行选择。
常用二极管型号及参数大全
1.塑封整流二极管序号型号 IF VRRM VF Trr 外形A V V μs1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-12 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-413 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-154 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-155 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-67 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-68 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.09 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-4110 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-4111 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-4112 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-4113 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-4114 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-1515 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-517 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-121 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-1522 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-1523 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-1524 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-1526 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-1527 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-1528 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-1529 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD2.快恢复塑封整流二极管序号型号 IF VRRM VF Trr 外形A V V μs（1）快恢复塑封整流二极管1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02～10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02～10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02～10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02～10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1515 ERC18-02～10 1.2A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02～10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02～10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02～10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13～15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5（2）SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02～30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02～30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02～30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02～30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41 （3）快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1.0 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-153.超高频塑封二极管1 ERA34-10 0.1A 1000V 3 0.15 R-12 ERA32-02～10 1A 200-1000V 1.3 0.1 DO-413 ERB32-02～10 1.2A 200-1000V 1.3 0.1 DO-154 ERC30-02～10 1.5A 200-1000V 1.3 0.1 DO-155 ERC32-02～10 3A 200-1000V 1.3 0.1 DO-201AD6 EG01E-EG01C 0.5A 200-1000V 2 0.1 DO-417 EG1E-EG1C 1A 200-1000V 1.8 0.1 DO-418 RG10Z-RG10C 1.2A 200-1000V 2 0.1 DO-159 RG2Z-RG2C 1.5A 200-1000V 1.8 0.1 DO-1510 RG4Z-RG4C 3A 200-1000V 2 0.1 D0-201AD4.超快恢复塑封二极管序号型号 IF VRRM VF Trr 外形A V V ns（1）超快恢复塑封二极管1 SF10-SF50 1-5A 50-1000V 0.95-1.7 352 SF80-SF160 8-16A 50-600V 0.95-1.4 35 TO-2203 EGP10-EGP50 1-5A 50-200V 1.1 354 ERC38～04-ERC38～10 1A 400-1000V 1.7 50 DO-415 RL2-RL2C 2A 400-1000V 1.7 50 DO-156 RL3-RL3C 3A 400-1000V 1.7 50 DO-201AD7 1H1-1H8 1A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 R-18 HER10-HER60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-759 HER80-HER160 8-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 TO-22010 UF10-UF60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-7511 EL1Z-EL1 1.5A 200-350V 1.3 50 DO-15（2）MUR超快恢复整流二极管1 MUR120-MUR1120 1A 200-1200V 0.95-1.5 35-50 DO-412 MUR420-MUR4120 4A 200-1200V 0.95-1.6 35-75 DO-201AD3 MUR820-MUR8120 8A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC4 MUR1020-MUR10120 10A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC5 MUR1520-MUR15120 15A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC6 MUR2020-MUR20120 20A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AB7 MUR3020-MUR30120 30A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD8 MUR6020-MUR60120 60A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD （3）RHRP、RHRG超快恢复二极管1 RHRP820-RHRP8120 8A 200-1200V 2.1-3.2 35-70 TO-220AC2 RHRP1520-RHRP15120 15A 200-1200V 2.1-3.2 40-75 TO-220AC3 RHRP3020-RHRP30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-220AC4 RHRG3020-RHRG30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AC5 RHRG5020-RHRG50120 50A 200-1200V 2.1-3.2 50-100 TO-247AC6 RHRG6020-RHRG60120 60A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AD （4）BYV29～79、BYT28～79超快恢复二极管1 BYW29-100～200 8A 100-200V 1.1 25 TO-220AC2 BYV29-300～500 9A 300-500V 1.25 60 TO-220AC3 BYQ28 -100～200 10A 100-200V 1.1 20 TO-220AB4 BYT28-300～500 10A 300-500V 1.4 60 TO-220AB5 BYV79-100～200 14A 100-200V 1.3 30 TO-220AC6 BYT79-300～500 14A 300-500V 1.4 60 TO-220AC7 BYV32-100～200 20A 100-200V 1.1 25 TO-220AB8 BYV34-300～500 20A 300-500V 1.1 60 TO-220AB9 BYV42-100～200 30A 100-200V 1.1 28 TO-220AB10 BYV44-300～500 30A 300-500V 1.25 60 TO-220AB5.肖特基整流二极管序号型号 IF VRRM VF 外形A V V（1）肖特基塑封整流二极管1 1N5817-1N5819 1A 20-40V 0.45-0.6 DO-412 1N5820-1N5822 3A 20-40V 0.45-0.6 DO-201AD3 SRT12-SRT100 1A 20-100V 0.55-0.85 R-14 SR10-SR50 1-5A 20-100V 0.55-0.855 SB120-SB1B0 1A 20-100V 0.55-0.85 DO-416 SB220-SB2B0 2A 20-100V 0.55-0.85 DO-157 SB320-SB3B0 3A 20-100V 0.55-0.85 DO-201AD8 SB520-SB5B0 5A 20-100V 0.55-0.85 D0-201AD9 ERA81-002～009 1A 20-90V 0.55-0.9 DO-4110 ERB81-002～009 2A 20-90V 0.55-0.9 DO-1511 ERC81-002～009 3A 20-90V 0.55-0.9 DO201AD12 EK03-EK09 1A 20-90V 0.55-0.81 DO-4113 EK13-EK19 1.5A 20-90V 0.55-0.81 DO-1514 EK33-EK39 2A 20-90V 0.55-0.81 DO-1515 EK43-EK49 3A 20-90V 0.55-0.81 DO-201AD（2）MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管1 MBR1020-MBR1060 10A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC2 MBR1620-MBR1660 16A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC3 MBR2020CT-2060CT 20A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB4 MBR2520CT-2560CT 25A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB5 MBR3020PT-3060PT 30A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD6 MBR4020PT-4060PT 40A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD7 MBR6020PT-6060PT 60A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD8 PBYR735-745 7A 20-45V 0.56-0.66 TO-220AC9 PBYR1020-1060 10A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC10 PBYR1635-1660 16A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC11 PBYR2020CT-2045CT 20A 20-45V 0.56-0.65 TO-220AB12 PBYR3035PT-3060PT 30A 20-60V 0.56-0.77 TO-247AD 6.玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号 IF VRRM VF Trr 外形A V V ns（1）BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管1 BYV26A-BYV26E 1A 200-1000V 1.5 0.03 DO-204AP2 BYV12-BYV16 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP3 BYV96A-BYV96E 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP4 BYV27-50～200 2A 50-200V 1.1 0.025 DO-204AP5 BYV28-50～200 3.5A 50-200V 1.1 0.03 G36 BYT52A-BYT52M 1A 50-1000V 1.3 0.2 DO-204AP7 BYT54A-BYT54M 1.25A 50-1000V 1.5 0.1 DO-204AP8 BYT53A-BYT53M 1.5A 50-1000V 1.1 0.05 DO-204AP9 BYT56A-BYT56M 3A 200-1000V 1.4 0.1 G310 BYM26A-BYM26M 2.3A 200-1000V 1.5 0.03 G311 BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.1 0.15 G312 BYW32-BYW38 2A 200-1000V 1.1 0.2 DO-204AP13 BYW52-BYW56 2A 200-1000V 1.1 4 DO-204AP14 BYW72-BYW76 3A 200-600V 1.1 0.2 G315 BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.5 0.2 G316 BY228 3A 1500V 1.5 20 G3（2）GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管17 GP10-GP30 1-3A 50-1000V 1.118 RGP01-10～RGP01-20 0.1A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4119 RGP05-10～RGP05-20 0.5A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4120 RGP10-RGP60 1-6A 50-2000V 1.3 0.15-0.57.PD、TR、PR系列高压塑封二极管1 PD0112-PD0160 0.1A 1200-6000V 1.2-5 DO-412 PD0312-PD0360 0.3A 1200-6000V 1.2-5 DO-153 PD0512-PD0560 0.5A 1200-6000V 1.2-5 DO-154 PD112-PD130 1A 1200-3000V 1.2-4 DO-155 PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4 DO-156 PD212-PD220 2A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD7 PD312-PD320 3A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD8 PD612-PD620 6A 1200-2000V 1.2-2.5 R-69 TR0112-TR0160 0.1A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-4110 TR0312-TR0360 0.3A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1511 TR0512-TR0560 0.5A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1512 TR112-TR130 1A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1513 TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1514 TR212-TR220 2A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 DO-201AD15 TR312-TR320 3A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.7 DO-201AD16 TR612-TR620 6A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 R-617 PR01-PR1 0.1-1A 1200-3000V 1.5-4 0.1-0.5 DO-1518 RC2 0.3A 2000V 3 0.5 DO-4119 RU4D-RP3F 1.5A-2A 1300-1500V 1.5 0.3 DO-201AD8.稳压二极管序号名称型号 PZM VZW V稳压二极管1 BZX55 0.5W 2.4V-47V2 1N5985B～1N6031B 0.5W 2.4V-200V3 1N4728～1N4764 1W 3.3V-100V4 1N5911B～1N5956B 1.5W 2.7V-200V5 2CW37-2.4～36 0.5W 2.4V-36V6 2CW51-2CW68 0.25W 3V-28.5V7 2CW101-2CW121 1W 3V-37.5V8 2DW50-2DW64 1W 41V-190V9 2DW80-2DW190 3W 41V-190V10 2DW110-2DW151 10W 4.3V-470V11 2DW170-2DW202 50W 4.3V-200V12 温度补偿稳压二极管 2DW230-2DW236 0.2W 5.8V-6.6V9.高速开关二极管序号型号 IC VRM Trr 外形mA V ns1 1N4148 150 100V 4 DO-352 1N4149-1N4154 150 35-100V 2-4 DO-353 1N4446-1N4454 150 40-100V 1-4 DO-354 1N914 75 100V 4 DO-355 BAV17-BAV21 250 25-250V 50 DO-356 BAW75-BAW76 300 35-75V 4 DO-357 2CK70-2CK79 10-280 20-60V 3-10 DO-358 2CK80-2CK85 10-300 20-60V 5-10 DO-359 1S1553-1S1555 100 70-35V 3 DO-3510 1S2471-1S2473 130-110 90-40V 3 DO-35几种常用二极管的特点1．整流二极管整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。
二极管选型及参数大全
二极管选型及参数大全一、二极管的基本概念和参数二极管是一种特殊的电子元件，也是电子电路中最常用的元件之一、它是由一个p区和一个n区组成，具有单向导电性。
二极管具有一些基本参数，如正向电压降、反向电压能承受能力、反向饱和电流等。
1. 正向电压降（Forward Voltage Drop，VF）：二极管在正向导通时的电压降。
不同类型和材料的二极管具有不同的正向电压降，一般在0.3V到0.7V之间。
2. 反向电压能力（Reverse Voltage Capability，VR）：二极管可以承受的最大反向电压。
超过该电压，二极管会被击穿，导致损坏。
反向电压能力常用伏特（V）表示。
3. 反向饱和电流（Reverse Saturation Current，IR）：指在反向偏置下，通过二极管的电流大小。
该电流通常很小，以毫安（mA）或微安（μA）为单位表示。
4. 正向压降温升系数（Temperature Coefficient of Forward Voltage Drop，TCVF）：当二极管被加热时，正向电压降会发生变化，该变化与温度的变化程度有关。
一般以mV/℃表示。
5. 反漏电流（Reverse Leakage Current，IRL）：二极管在反向偏置下的微小电流。
该电流通常很小，以毫安或微安为单位表示。
6. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage，VBR）：二极管在反向偏置时，超过该电压会使二极管发生击穿现象。
反向击穿电压以伏特为单位表示。
7. 速度参数（Speed Parameters）：指二极管的响应速度，主要包括正向恢复时间、反向恢复时间、正向恢复过程中的电压峰值等。
二、常见二极管类型和参数根据不同的用途和工作要求，二极管可以分为多种类型。
以下是常见的几种二极管类型及其参数：1. 整流二极管（Rectifier Diode）：整流二极管一般用于将交流电转换为直流电的电路中，具有较高的反向电压能力和正向电流承受能力。
大电流锗二极管型号
大电流锗二极管型号
一、1N60型锗管二极管
1N60型锗管二极管是国内较为常见的一种，主要用于放大、检波和稳压等电路。
其特点是正向电压降低、反向电阻大，适用于低频信号的检测。
1N60型锗管二极管的最大耐压为50V，最大正向电流为30mA。
二、1N34A型锗管二极管
1N34A型锗管二极管也是较为常用的一种，主要用于收音机等低频电路。
其特点是正向电压低、反向电压高，适用于较弱的信号检测。
1N34A型锗管二极管的最大耐压为60V，最大正向电流为30mA。
三、1N270型锗管二极管
1N270型锗管二极管是一种高频二极管，适用于中、高频的放大和混频电路。
其特点是正向电压低、反向电阻大，适用于高频信号的检测和放大。
1N270型锗管二极管的最大耐压为20V，最大正向电流为30mA。
四、OA85型锗管二极管
OA85型锗管二极管是一种电压稳压二极管，主要用于直流电源电压稳定。
其特点是稳定电压范围窄、反向电流大，适用于需要较高精度的电压稳定电路。
OA85型锗管二极管的最大耐压为30V，最大正向电流为10mA。
综上所述，锗管二极管在电子电路中起着非常重要的作用，具有性能稳定、使用寿命长等优点。
在选择锗管二极管型号时，需要根据具体的电路要求和性能特点进行选择。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管是一种具有特殊结构的二极管，具有快速开关速度、低反向电流和低电压丢失的特点，广泛应用于电源管理、开关电源、高频电路、自增放大器、矩阵存储等领域。
下面是一些常见的肖特基二极管型号及其参数。
1.1N5711：1N5711是一种常用的肖特基二极管型号，其最大正向电流为15mA，最大反向电流为2uA，最大反向电压为70V。
2.BAT54：BAT54是一种超小型、超低电压丢失的肖特基二极管，其最大正向电流为600mA，最大反向电流为5uA，最大反向电压为30V。
该型号适用于电源管理、无线通信、自增放大器等应用领域。
3.BAS70：BAS70是一种超小型、超低电压丢失、低反向电流的肖特基二极管，其最大正向电流为70mA，最大反向电流为50nA，最大反向电压为70V。
该型号适用于电源管理、高频电路、模拟开关等领域。
4.1N5819：1N5819是一种经典的肖特基二极管型号，其最大正向电流为1A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、充电器、汽车电路等应用领域。
5.SB520：SB520是一种超速肖特基二极管，其最大正向电流为5A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为20V。
该型号适用于变换器、电源管理、DC/DC转换器等高功率应用领域。
6.SR240：SR240是一种高速肖特基二极管，其最大正向电流为2A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、电机驱动、变换器等高速开关应用领域。
以上只是常见的一些肖特基二极管型号及其参数，不同型号的肖特基二极管在正向电流、反向电流和反向电压等参数上存在差异。
在实际选择时，需要根据具体应用场景和要求来选择合适的肖特基二极管型号。
常用高频二极管介绍
常用高频二极管介绍半导体二极管在高频中主要用于开关、检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中。
一、高频二极管的主要参数1）最大整流电流I FＭ二极管在长期稳定工作时，允许通过的最大正向平均电流。
因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏，所以在实际应用时工作电流通常小于I FM。
2）最大可重复峰值反向电压V RRM指所能重复施加的反向最高峰值电压，通常是反向击穿电压V BR的一半。
击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。
34图1时，rrJ1 PN结的高频等效电路5二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
通常硅材料的二极管1V，锗6场合，二、几种常用高频二极管的特点1、快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。
由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t rr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。
具有开关特性好，反向恢复时间T rr短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。
可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管。
2、超快恢复二极管SRD （Superfast Recovery Diode）在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间T rr比FRD更短，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
?3、肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的简称。
肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，肖特基二极管也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
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常用高频二极管介绍
半导体二极管在高频中主要用于开关、检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中。
一、高频二极管的主要参数
1）最大整流电流I FＭ
二极管在长期稳定工作时，允许通过的最大正向平均电流。
因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏，所以在实际应用时工作电流通常小于I FM。
2）最大可重复峰值反向电压V RRM
指所能重复施加的反向最高峰值电压，通常是反向击穿电压V BR的一半。
击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。
3）反向恢复时间T rr
当工作电压从正向电压变成反向电压时，电流不能瞬时截止，需延迟一段时间，延迟的时间就是反向恢复时间。
T rr直接影响二极管的开关速度，在高频开关状态时，通常此值越小越好。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要，T rr越小管子升温越小，效率越高。
4）结电容C J
图1所示的PN 结高频等效电路，其中r表示结电阻，C J表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果，它的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。
当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大(主要决定于扩散电容C D)。
当PN结处于反向偏置时，r为反向电阻，其数值较大，结电容较小 (主要决定于势垒电容C B) 。
J
图1 PN结的高频等效电路
5）正向电压降V F
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
通常硅材料的二极管V F大于1V，锗材料、肖特基二极管为0.5V左右。
6）反向电流I R
指管子击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。
反向电流I R与温度有密切联系，温度越高，反向电流I R会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。
一般半导体器件手册中都给出不同型号管子的参数，这是正确使用二极管的依据。
在高频应用场合，要注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压的同时，还应特别注意二极管的最高工作频率（通常由反向恢复时间T rr和结电容C J决定），否则电路工作不正常或者管子升温严重，影响可靠性。
二、几种常用高频二极管的特点
1、快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N 硅片。
由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t rr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。
具有开关特性好，反向恢复时间T rr短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。
可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管。
2、超快恢复二极管SRD （Superfast Recovery Diode）
在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间T rr比FRD更短，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
3、肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode）
是肖特基势垒二极管的简称。
肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，肖特基二极管也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。
肖特基二极管的主要优点包括两个方面：
1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2）由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。
肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。
由于肖特基二极管的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小。
当然，由于肖特基二极管的反向势垒较薄，并且在其表面较易击穿，所以反向击穿电压比较低；肖特基二极管比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
不过近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
4、检波二极管
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。
虽然检波和整流的原理是一样的，而整流的目的只是为了得到直流电，而检波则是从被调制波中取出信号成分（包络线）。
因检波是对高频波整流，二极管的结电容一定要小，通常为点接触二极管；为提高检波效率，要求正向电压降V F要小，所以通常采用正向压降比较低的锗材料，目前，结电容小的肖特基二极管已广泛应用检波领域，如1N60。
5、开关二极管
利用其单向导电特性使其成为了一个较理想的电子开关。
半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断），所以二极管可作开关用。
开关二极管是专门用来做开关用的二极管，它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短。
开关二极管除能满足普通二极管的性能指标要求外，还具有良好的高频开关特性（反向恢复时间较短），被广泛应用于各类高频电路中。
开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管等多种。
常用的国产普通开关二极管有2AK系列，高速开关二极管有2CK系列。
进口高速、超高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装）等等。
6、PIN型二极管（PIN Diode）
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。
PIN中的I
是“本征”意义的英文略语。
当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。
在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。
因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。
它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。