一种新型的分布式MEMS移相器的小型化设计

一种新型螺旋形分布式RF MEMS移相器的设计

一种新型螺旋形分布式RF MEMS移相器的设计张晓桐;董自强;张松;胡天宇;苗峻;李旭;朱林;唐立赫;王大宇【摘要】针对传统的分布式射频(RF)微机电系统(MEMS)移相器结构可靠性较低、平面面积较大、对制作工艺要求较高的问题,设计了一种新型5位分布式RF MEMS移相器,对其螺旋形共面波导结构和31个MEMS开关组进行了简要介绍及仿真分析.移相器体积为2.6 mm×2.6 mm×0.505 mm,工作频率为40 GHz时,31个仿真相移量与设计目标相移量的误差小于3.72°,满足高频、小面积、低损耗和低成本的MEMS相控阵系统应用的需求.【期刊名称】《无线电工程》【年(卷),期】2019(049)008【总页数】6页(P727-732)【关键词】RFMEMS;移相器;MEMS开关;相控阵雷达【作者】张晓桐;董自强;张松;胡天宇;苗峻;李旭;朱林;唐立赫;王大宇【作者单位】中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081【正文语种】中文【中图分类】TP391.40 引言由于RF MEMS微波器件的优良特性[1-6]，应用于移相器的研究逐渐增多[7-12]，尤其对于分布式RF MEMS移相器的研究更为广泛[13]。

高杨等[14]利用19个MEMS开关，采用CPW传输线，按折叠布局，设计平面面积1.81 mm×3.84 mm的分布式MEMS移相器，在Ka波段的插入损耗均小于0.8 dB，回波损耗均大于15 dB，相移误差小于0.4°。

一种分布式微小位移测量系统的研制

一
种分布式微小位移测量系统的研制
李海涛，等
一
种分布式微小位移测量系统的研制
ＳｔｕｄｙａｎｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｔｈｅＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＭｉｃｒｏ — ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＳｙｓｔｅｍ源自度达到１００ｍ。
关键词：微小位移测量
中图分类号：ＴＰ２７３
线阵ＣＣＤＦＰＧＡ数据采集网络通信
文献标志码：Ａ
ＲＳ一４８５
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｍｅａｓｕｒｅｍｉｃｒｏ — ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔａｃｃｕｒａｔｅｌｙ，ｔｈｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｍｉｃｒｏ — ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｙｓｔｅｍｗｉｔｈｈｉｇｈｐｒｅｃｉｓｉｏｎｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ．ＴｈｅｓｙｓｔｅｍｉｓｂａｓｅｄｏｎｌｉｎｅａｒＣＣＤａｎｄｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｂｙｕｓｉｎｇＦＰＧＡａｎｄｎｅｔｗｏｒｋｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ．ＴｈｅｌｏｇｉｃｔｉｍｅｓｅｑｕｅｎｃｅｉｓｄｅｓｉｇｎｅｄｔｈｒｏｕｇｈＦＰＧＡｔｏｒｅａｌｉｚｅｈｉｇｈｓｐｅｅｄｄｒｉｖｉｎｇｏｆｔｈｅｌｉｎｅａｒＣＣＤ，ａｎｄｔｈｅｌｏｎｇｄｉｓｔａｎｃｅｄａｔａｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎａｎｄｔｈｅｃａｐａｂｉｌｉｔｙｉｆｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇｍｕｌｔｉｐｌｅｓｔａｔｉｏｎｓａｒｅｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｂｙｎｅｔｗｏｒｋｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｔｈｅｓｙｓｔｅｍｈａｓｂｅｅｎｕｓｅｄｉｎｏｎｅｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｍｉｃｒｏ — ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｔｅｓｔ，ａｎｄｓｕｐｐｏｒｔｓ３２ｌｉｎｅａｒＣＣＤｔｅｓｔｎｏｄｅｓ．ＴｈｅｄａｔａｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｒａｔｅｏｆＣＣＤｒｅａｃｈｅｓ５０００ｆｒａｍｅｓｐｅｒｓｅｃｏｎｄ，ｔｈｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ

微电子机械系统(MEMS)

– Patients can distinguish simple items after training
Small high-resolution electrodes that
– do not degrade when passing high current levels in saline – high-density hermetic packaging – fully integrated electronics including power supplies – bidirectional high-rate data telemetry
MEMS技术
从广义上讲，MEMS是指集微型传感器、微型执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统以及电源于一体的微型机电系统 MEMS技术是一种多学科交叉的前沿性领域，它几乎涉及到自然及工程科学的所有领域，如电子、机械、光学、物理学、化学、生物医学、材料科学、能源科学等
力传光声感温度化学其它感测量器
研究领域
技术基础：设计、工艺加工(高深宽比多层微结构)、微装配工艺、微系统的测量等。应用研究：如何应用这些MEMS系统也是一门非常重要的学问。人们不仅要开发各种制造MEMS的技术，更重要的是如何将MEMS 器件用于实际系统，并从中受益。
MEMS的分类
微传感器：
– 机械类：力学、力矩、加速度、速度、角速度(陀螺)、位置、流量传感器 – 磁学类：磁通计、磁场计 – 热学类：温度计 – 化学类：气体成分、湿度、PH值和离子浓度传感器 – 生物学类：DNA芯片
衬底掩膜胶金属铸塑材料
硅MEMS工艺
化学腐蚀高深宽比深槽刻蚀键合
体硅工艺

RF MEMS在微波器件中的小型化应用

不能完成的任务。
念。所谓ＲＦＭＥＳ是利用ＭＥＭ就ＭＳ技术制作用于无线通讯的射频器件或射频系统，可以认为，ＭＳ是指在射频系ＲＦＭＥ统中用ＭＥＭＳ技术实现的，于低频、频、通无线电波直用中普
ａｖｔｇｓｏａｅＯｔｅｔａｉｏａｄｖｃｒｎｙｅ．ｓｄｏｈｎｙｉｔｅａｐｃｔｎｐｏｐｃｆＲＦＭＥＭＳｔｃｎｌｇｄａａｅｍｐｒｄｔｄｔｎｌｅｉｅａｅａａｚｄＢａｅｎｔｅａａｓ，ｐｌａｏｒｓｅｔｏｎｃｈｒｉｌｌｓｈｉｉｅｈｏｏｙｉｓｄｓｒｅｅｃｂｄ．ｉＫｅｒｓ：ＲＦＭＥＭＳｍｉｉｔｒａｏｐｌａｏｙｗｏｄ；ｎａｕｉｔｎａｐｉｔｎｚｉｃｉ
ＭＥＭＳ技术与射频技术的结合产生了ＲＭＳ这一新概ＦＭＥ
定稿日期：０２０－２２１－６１
等；ＭＥ ⑤ ＭＳ目标是具有智能化的微系统目。
２１０２年第１期《３计算机与网络》
技术论坛
【要】摘文章首先阐述了微电子机械系统（Ｍｓ术的基本概念、ＭＥ）技工艺流程及发展概况；其次，介绍了ＲＦＭＥ技术在ＭＳ射频系统中的应用及ＲＦＭＥＭＳ器件在功耗、体积、质量、能和成本上的优势；性最后重点介绍了ＲＦＭＥ技术应用，ＭＳ包括ＫＦ

Ka波段分布式MEMS移相器低驱动电平容性开关的机电设计

第30卷　第5期2007年10月电子器件Ch inese Jou r nal Of Elect ro n DevicesVol.30　No.5Oct.2007Electr omechanical Design of Low 2Dr iven Volta ge Capacit ive SwitchesB ased on K a 2B an k Distr ibuted M EMS Phase Shif ter s 3H E X un 2j un1,2,WU Qu n 1,J I N B o 2sh i 1,SO N G M in g 2x i n 2,YI N J i n g 2h ua21.S chool of El ect ronics and In f ormati on Technol og y ,Harbi n Inst it ut e of Technol og y ,Harbi n 150001,Chi na;2.S chool of Ap pl ied S ciences ,Harbi n Univers it y of Science and Technolo gy ,Harbi n 150080,ChinaAbstract :The R F MEMS capaciti ve swi tche s have de monst rated great pot enti al i n microwave phase shift ersand millimete r 2wave circuit s and devices due t o t heir very low lo ss ,low power consumption ,and low co st cha racteristics.To reduce t he driven 2vol tage of switches based on K a band di st ri but ed M EMS pha se shift 2ers ,t he mec hanical desi gns of different low spri ng 2constant hi nge beam st ruct ure a re p re se nt ed.The dis 2pl acement dist ribut io n ,driven volt age ,mechanical modes and R F performance of t he swit ches usi ng t he se bea ms are a nal yzed by using Intelli Sui te TM a nd ADS sof t ware si mulation tool.The result s demonst rate t hat for t he st ruct ure of beam2swit ch ,t he dri ven volta ge i s 3V ,t he nat ural frequencies of all modes are more t han 31k Hz ,t he insertion lo ss a nd ret urn loss are 0.082dB ,18.6dB at 35GHz ,re spect ively.At sa me t ime ,t he pha se shif t of 105.9o is obtaine d.K ey w or ds :MEMS pha se shift ers ;capaciti ve swi tches ;low dri ven 2volt age ;elect ro mechanical perfor mance ;RF performance EEACC :1250;2570K a 波段分布式MEM S 移相器低驱动电平容性开关的机电设计3贺训军1,2,吴　群1,金博识1,宋明歆2,殷景华21.哈尔滨工业大学电子与信息技术研究院,哈尔滨150001;2.哈尔滨理工大学应用科学学院,哈尔滨150080收稿日期6223基金项目国家自然科学基金资助项目(656);哈尔滨工业大学跨学科交叉性研究基金资助(I T MD 3)作者简介贺训军(2),男,博士生,主要研究方向为R F M MS 器件设计与封装,x j @;吴　群(552),男,教授,博士生导师,主要研究方向为微波毫米波器件与电路,q @摘　要:为降低K a 波段分布式M EMS 移相器容性开关的驱动电压,提出不同形状新型低弹性系数铰链梁结构M EMS 电容开关的机电设计概念.采用IntelliSuite TM 和ADS 软件分析了三种梁结构M EM S 电容开关的位移分布、驱动电压、机械振动模式和射频性能等参数,结果表明:所设计新型bea m2结构MEMS 电容开关具有优越的机电特性和射频特性,即开关的驱动电压为3V ,机械振动模式固有频率都大于31kHz ,在35GHz 处插入损耗和回波损耗分别为0.082dB 和18.6dB ,而相移量可达到105.9o .关键词:M EM S 移相器;电容开关;低驱动电压;机电特性;射频特性中图分类号:TN 304 文献标识码:A 文章编号:100529490(2007)0521835204 随着射频微电子机械系统(R F M EMS )技术的发展,R F MEMS 开关和器件在毫米波频段显示出低插入损耗、高隔离度、频带宽、成本低、超小型化、易于与IC 、M M IC 电路集成等优点.因此,采用MEMS 开关和器件与传输线相结合构成移相器来实现电子移相扫描控制相阵天线成为研究热点.传统移相器通过半导体开关来改变信号传输的路径,从而使其获得附加相移,但是存在高插入损耗、较低:200101:07102H .200.07:1977E he un un 19/wu hit.e .的额定功率、占用的面积较大,集成度低等缺点.本文采用的方法是通过改变传输信号的传播常数来实现相移,它的基本工作原理是在共面波导传输线上周期加载MEMS金属桥,通过在金属桥和传输线之间施加电压改变金属桥高度,从而改变金属桥与传输线之间的电容和信号在传输线中的传播常数.因此可以得到改变入射波相移的分布式MEMS移相器(图1所示),它具有低插入损耗、低成本、微小尺寸和IC兼容等优点,在微波单片集成电路、卫星导航和相阵天线中被认为是最有吸引力的器件之一[122].RF MEMS开关作为分布式MEMS移相器的关键模块,其性能好坏直接决定分布式MEMS移相器性能指标.通常所采用的开关为并联式电容开关,驱动开关所需力可以通过静电、电磁和热等方式获得[324].到目前为止,只有静电驱动型MEMS电容开关具有高可靠性和实用性,但该类型开关仍有一些问题需待解决,例如驱动电压过高(20280V),导致功耗过大,而无法应用于低供电电压的场合[5].目前,国内外有许多关于高驱动电压MEMS电容开关的报道[3,527],低驱动电压开关的研究报道非常少,而适合于Ka波段分布式MEMS移相器的低驱动电压开关就更少.因此,本研究为了降低K a波段分布式MEMS移相器电容开关的驱动电压,提出不同形状新型低弹性系数铰链梁结构的机电设计.(a)up状态 (b)down状态图1　分布式MEMS移相器两种工作状态1　模型表征及静态分析1.1　电容开关机械模型静电驱动电容开关的机械模型为在共面波导信号线上方悬挂双端固定有效弹性系数为k、有效面积为A的MEMS金属梁,而金属梁和信号线分别作为开关的上下两电极,如图2所示.为了避免上下电极接触而短路,在下电极信号线上淀积一层厚度为d0、介电常数为εr绝缘层,上电极和介质层之间的空气缝高度(MEMS梁高度)为g0.当下电极未加载电压时,开关处于导通状态;而当下电极加载电压为V,由于受到静电力作用,上电极将向下运动与介质接触,使开关闭合处于短路状态图2　双端固定M EMS梁开关的简化模型1.2　驱动电压函数描述采用静态分析方法对R F MEMS开关进行分析,对于电压驱动开关总势能U为[8]:U=12kz2-12ε0AV2g0+d0εr-z(1)其中:z为MEMS桥偏离平衡位置的位移.当开关加载驱动电压时,开关的M EMS梁将向下运动.为了维持系统在给定的状态,所需的反作用力F 可以通过总势能在运动方向偏微分获得,即: F=9U9z=kz-12ε0AV2(g0+d0εr-z)2(2)系统的平衡状态是指反作用力消失时状态,即:F=kz-12ε0AV2(g0+d0εr-z)2=0(3)平衡状态的稳定度可以通过系统的刚度K来确定,即:K=9F9z=1-ε0AV2(g0+d0εr-z)2(4)将平衡方程(3)代入(4)可得:K=1-2kz(g0+d0εr-z)(5)从上式可知,当K>0时系统处于稳定平衡状态,K<0时系统处于不稳定平衡状态,K=0时系统处于临界状态,而临界状态就是静电力迅速下拉MEMS梁的状态,可得驱动电压为:V p=8kg0(g0+d0εr)227ε0A≈8kg3027ε0A(6)其中有效弹性系数k取决于金属梁的几何尺寸和所采用材料的杨氏模量.2　低驱动电压开关设计从方程(6)可知,MEMS电容开关驱动电压主要与双端固定梁的有效弹性系数k、空气缝隙高度g0和有效面积有关为了降低驱动电压,本文主要进行低有效弹性系数设计研究,从而设计出三种不同形状铰链的梁结构,它们分别是由形状不同、宽度和长度分别为6381电　子　器　件第30卷.A.10μm和70μm铰链支撑中心面积为A(W CPW3w beam=100μm3100μm2)的梁结构,如图3所示.(a)bea m1(b)beam2(c)bea m3图3　三种不同铰链形状的梁结构3　低驱动电压开关特性分析本文采用Int elli suit e TM和ADS软件分析具有上述结构的MEMS电容开关位移分布、驱动电压、机械振动模式和射频性能.当电容开关梁的长度、厚度和高度分别为l=240μm,t0=0.4μm、g0=2.5μm,以及开关长度为300μm时,位移分布、驱动电压和射频性能的模拟结果如图4～图6所示,而机械振动模式表1所示.3.1　低驱动电压开关位移分析图4分别为bea m1、beam2和bea m3电容开关(a)bea m1(b)beam2()3图　三种不同梁结构开关的局部位移在down状态下的局部位移图.从图中可知,当电压增大到驱动电压时,支撑梁结构的铰链发生弯曲,从而使梁结构的矩形面积与共面波导信号线完全接触.此时,MEMS梁的应力在铰链两端固定处最大,从两端固定处向中间逐渐减小,中间接触位置处最小.如果加载驱动电压超过材料可承受强度时,在铰链两端固定处容易发生断裂,使MEMS开关发生断裂失效.因此,设计开关时,为了避免开关驱动电压过高和失效,梁的高与长之比不能过大.3.2　低驱动电压开关电压分析图5为加载电压与开关的位移关系图,加载电压小于驱动电压时,梁偏离平衡位置的位移都很小;而当电压增大到驱动电压时,梁偏离平衡位置的位移突然增大,迅速与共面波导信号线接触.从模拟结果可得,beam1、beam2和bea m3的驱动电压分别为5V、3V和1.5V.表明通过改变支撑梁结构的铰链形状可以明显降低梁结构的有效弹性系数和驱动电压,这与理论非常吻合.但是,为了降低驱动电压不能过多地增加铰链的折叠数,目的是避免梁的恢复力太小而不能使梁恢复到平衡位置,导致MEMS开关黏附失效.图5　三种不同梁结构开关的位移与驱动电压3.3　低驱动电压开关机械振动模式分析为了优化MEMS电容开关的机械性能,采用Int ellis ui te TM软件对三种梁结构的机械振动模式进行分析,模拟结果见表1.表1　三种不同梁结构开关的机械振动模式str uct ure1st mode2nd mode3rd modeF/k Hz Dir.F/k Hz Dir.F/k Hz Dir.beam1136.42Z216.82X401.24Ybeam230.874Z34.789X56.534Ybeam312.953Z13.462X23.284Y 其中Z表示沿z轴方向振动,而X和Y分别表示绕x轴和y轴方向转动.从表1可知,梁主要以沿z轴方向机械振动第一种模式为主,而其他方向振动模式发生几率很小,并且所有振动模式的固有频率都大于3z3　低驱动电压开关的射频特性分析为了分析三种不同结构的M MS电容开关的射7381第5期贺训军,吴　群等:K a波段分布式M EMS移相器低驱动电平容性开关的机电设计c bea m41kH..4E频性能,本文采用ADS 软件对三种不同形状梁结构电容开关在K a 波段的插入损耗、回波损耗和相移量进行分析,结果如图6所示.图6中的(a )、(b )、(c )分别为三种不同形状梁结构开关在20～50GHz 时插入损耗、回波损耗和相移量随频率变化曲线,结果表明:beam 2结构表现出优越的射频性能,在频率为35GHz 处插入损耗和回波损耗分别为0.082dB 和18.6dB ,而相移量达到105.9o /0.3mm.(a)三种不同梁结构开关的插入损耗(a )三种不同梁结构开关的回波损耗(a )三种不同梁结构开关的相移图6　三种不同梁结构开关的射频特性4　讨论从上面分析可知,如果采用等宽度平面梁bea m 1,它具有优越的机械特性,其固有频率大于136k Hz ,不易受外界的干扰.但是它的射频特性比较差,驱动电压比较高,而失去实用价值,因此必须采用更优化的平面结构.如采用beam 3结构,由于弹性梁的有效长度增长,其等效弹性系数变小,根据式(6)可知驱动电压降低,与模拟结果相吻合.但是这种结构也会引入大的电感分量,而其等效电感分量随着弹性梁结构变细和变长而增大该分量在设计开关时可以提高在Ka 频段的隔离度,但对K a 波段分布式MEMS 移相器的相移量有明显的影响,使相移量变小,而它对插入损耗和回波损耗基本不影响(如图6所示).同时由于弹性梁的有效长度增长使得其恢复力和机械固有频率降低,容易导致黏附失效和抗外界机械干扰能力不强.综合分析beam2的机电特性和射频特性可得,它不仅具有优越的机电特性,而且也具有优越的射频特性.5　结论随着MEMS 电容开关广泛地应用在微波毫米波电路和器件中,通常其驱动电压对电路和器件性能有重要影响.通过分析应用于高频的静电驱动R F MEMS 电容开关的模型和工作原理,提出通过设计低弹性系数铰链来降低开关驱动电压的机电设计思想,设计出三种不同铰链形状梁结构.采用In 2telli Suit e TM 和ADS 模拟工具分析三种低弹性系数铰链梁结构电容开关的机电特性和射频特性,结果表明:如果梁结构的铰链形状设计得当,可以保证较好的机电特性和射频特性.参考文献:[1]　Pill an s B ,Eshelman S ,and Malczewski A ,et al.X 2Band R FMEMS Phase Shift ers for Phased array Ap plicat ions [J ].IE EE Microwave and Gui ded Wave L et t ers ,1999;9(5):5172519.[2]　K i m M ,Hacker J B ,and Mi hailovich R E ,et al.A dc 2to 240GHz four 2bit R F MEMS True 2Ti me Del ay Net work [J ].IE EE Microwave and W i rel es s Component s Let t er s ,2001;11(8):56258.[3]　Gold sm i t h C L ,Es hel m an S an d Dennist on D.Perfo rmance ofLow 2Lo ss R F M EM S Capaci ti ve Swit ches [J ].IEEE Mi cro 2wave and Gui ded Wave Lett ers ,1998;8(6):2692271.[4]　Hyman D and Mehregany M.C ont act Physics of G ol d Mi cro 2co ntact s fo r M EMS Swi tches[J ].IEEE Transact ions on Com 2ponent s and Packagi ng Technology ,1999,22(8):3572364.[5]　Rebeiz G M and Mul davi n J B.R F M EMS Switches and S wi tchC ircui t s[J ].IEEE Microwave Magazi ne ,2001,45:59271.[6]　Mi ao M ,Xi ao Z Y and Wu G Y.Capacit ive R F MEMS Swi tchwit h Composit e Beam[C ].Proceeding s of SPIE ,2002,4928:2482252.[7]　Zhang H X ,Hao Y L and Xi ao Z Y.Desi gn of a Novel B ul kMicro 2Machined R F M EMS Swit ch [C ]//t he Int ernat ional C onference o n Mico and Nano System s ,2002:2412245.[8]　El at a D and Leus V.Swit chi ng ti m e ,Im p act Veloci t y and R e 2lease Respon s e ,of Vol tage and Charge Dri ven El ect ro stati c Swi tches[C ]//ICMENS ,2005:118921192.8381电　子　器　件第30卷.。

基于RF MEMS开关的4位分布式移相器的设计

基于RF MEMS开关的4位分布式移相器的设计李勇;许高斌;陈兴;马渊明【摘要】RF MEMS移相器与传统移相器相比,具有低损耗、频带宽、微型化,同时与IC、MMIC电路易于集成等特点,文中设计一种Ka波段DMTL型RF MEMS移相器,采用了15个MEMS电容式并联开关,同时在MEMS开关中加入MIM电容,实现了4位相移.文中对Ka波段4位RF MEMS移相器进行设计与分析,通过MEMS开关的切换实现信号延迟通路,0～180°步进22.5°的相移功能.通过改变驱动电压从而调整MEMS桥的高度,仿真测得开关理论下压电压为18.9 V.仿真结果表明在中心频率31 GHz时,其插入损耗大于-2.2 dB,回波损耗小于-25 dB,相移误差在1.5°范围内,移相器具有较好的移相性能.【期刊名称】《仪表技术与传感器》【年(卷),期】2016(000)005【总页数】4页(P29-31,43)【关键词】RF MEMS开关;微电子机械系统;Ka波段;移相器【作者】李勇;许高斌;陈兴;马渊明【作者单位】合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽省MEMS工程技术研究中心,安徽合肥230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽省MEMS工程技术研究中心,安徽合肥230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽省MEMS工程技术研究中心,安徽合肥230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽省MEMS工程技术研究中心,安徽合肥230009【正文语种】中文【中图分类】TN4微波和毫米波移相器在相控阵天线的电信部件和雷达中是必不可少的应用，随着近年来MEMS技术的发展，与基于铁氧体材料，PIN二极管或场效应晶体管(FET)开关移相器相比，RF MEMS移相器具有宽频带、高线性度、损耗小和超小型化，同时与IC、MMIC电路易于集成等特点，因此RF MEMS移相器有着广泛的应用前景[1-3]。