吉林大学专用集成电路设计共154页文档
吉大 通信数电课件 第7章大规模集成电路
D0存的是1111,即D0=W0+W1+W2+W3
2. 存储容量及其表示 2. 存储容量及其表示 一般用“字数 字长(即位数)”表示
指存储器中存储单元的数量
例如,一个 32 8 的 ROM,表示它有 32 个字, 字长为 8 位,存储容量是 32 8 = 256。 对于大容量的 ROM 常用“K”表示“1024”,即 1 K = 1024 = 210 ; 用“M”表示“1024 K”,即 1 M = 1024 K = 210 K = 220 。 例如,一个 64 K 8 的 ROM,表示它有 64 K 个字, 字长为 8 位,存储容量是 64 K 8 = 512 K。
7.3随机存储器(略)
一、RAM 的结构、类型和工作原理
A0 A0 An-1 … 地 址 译 码 器
存储矩阵
R/W CS
读/ 写控制电路 … I/O0 I/O1 … I/Om-1
2n m RAM 的结构图
RAM 与 ROM 的比较 相 同 处
★ ★
都含有地址译码器和存储矩阵 寻址原理相同 ROM 的存储矩阵是或阵列,是组合逻辑电路。 ROM 工作时只能读出不能写入。掉电后数据 不会丢失。
写入的数据可用紫外线擦除, 用户可以多次改写存储的数据。
电可擦写入的数据可电擦除,用户可以 多次改写存储的数据。使用方便。
3. 存储单元结构 3. 存储单元结构 (1) 固定 ROM 的存储单元结构 +VDD Wi Wi VCC Dj 二极管 ROM Dj TTL - ROM 1 Dj MOS - ROM Wi
例如 计算机内存就是 RAM
7.2.1、ROM 的结构和工作原理
由存储距阵、地址译码器组成
集成电路设计word版
集成电路设计
本范例仅供参考,请酌情修改后再使用
岗位职责
1、产品的电路设计、调试和优化;
2、对电路系统的性能测试,验证可靠性;
3、电路元器件的选型认证,编写设计文档。
任职资格
1、电子电气及相关专业毕业,专科及以上学历;英语良好;
2、2年以上相关工作经历;
3、具备电气、电子原材料的知识;熟练使用Protel,Cadense等软件;精通各种电路。
能熟练使用示波器等常用的仪器仪表,熟悉电气标准;
4、有较强的责任心,良好团队协作能力、沟通能力、善于学习。
(注:本资料素材和资料部分来自网络,仅供参考。
请预览后才下载,期待你的好评与关注!)。
吉林大学数字电路课件6
( A B)O ( A3 B3 )( A2 B2 )( A1 B1 )( A0 B0 )( A B) I
B0 B1 B2 B3 A0 A1 A2 A3
(A>B)I
(A>B)o
(A=B)I
(A<B)I
(A=B)o
(A<B)o
74LS85逻辑图
010
(A<B)I (A=B)I (A>B)I
( Ai Bi ) Ai Bi ( Ai Bi ) Ai Bi
i 0,1,2,3 i 0,1,2,3
( Ai Bi )=Ai ( Ai Bi ) Bi ( Ai Bi ) Ai Bi
( A B)O ( A3 B3 )( A2 B2 )( A1 B1 )( A0 B0 )( A B) I ( A3 B3 )( A2 B2 )( A1 B1 )( A0 B0 )( A B) I ( A3 B3 ) ( A3 B3 )( A2 B2 ) ( A3 B3 )( A2 B2 )( A1 B1 ) ( A3 B3 )( A2 B2 )( A1 B1 )( A0 B0 ) ( A B)O ( A3 B3 )( A2 B2 )( A1 B1 )( A0 B0 )( A B) I ( A3 B3 )( A2 B2 )( A1 B1 )( A0 B0 )( A B) I ( A3 B3 ) ( A3 B3 )( A2 B2 ) ( A3 B3 )( A2 B2 )( A1 B1 ) ( A3 B3 )( A2 B2 )( A1 B1 )( A0 B0 )
I
II
……VI
吉林大学电工课件第一章
第三节 无源理想元件
电阻元件 电感元件
电容元件
返回
一、电阻元件 i
u
1.电压与电流关系 u=iR 满足欧姆定律 R R=u / i 若R为常数则称为线性电阻; 若R随u、i的变化而变化称为非 线性电阻。 只有线性电阻才满足欧姆定律。 2.功率
返回
p=ui= i R=u /R * P总是大于0 即 P≥ 0 电阻是耗能元件。
∫
i dξ 0
t 0
t
∫
t 0
5 ξ 5dξ= 0.2
=25t
当t =10s时, uC(10)=250V 1 1 2 WC= CuC(10)= 0.2×2502J=6250J 2 2 ×
返回
第四节
电
源
电压源
电流源 受控源
返回
一、电压源 1. 理想电压源(恒压源) I US U
特点: (1)输出电压恒定U= US; (2)输出电流取决于外 电路; (3)内阻 R0=0。 U
返回
三、 受控源
在电路中起电源作用,但其大小和方向受 电路中其它支路的电流或电压控制,这种电源 称为受控源。 + -
μu
+ -
ri1
VCCS
gu1
CCCS
βi1
VCVS
CCVS
常见的受控电流源和电压源,如下图。
返回
电流控制的电流源 io ii
ri
βii
ro
电压控制的电压源
ui
ri
+ μui -
uo
O
U
返回
2. 实际电流源
I= IS- U/R0
U
I
I
IS
R0 U
伏安特性
(完整版)集成电路设计
工作平台
•公司、高校:工作站,Unix、Linux操作系统; •高校、个人学习:PC机,Linux操作系统; •极少使用Windows操作系统。 Unix, Linux操作系统:
开放、安全、稳定、可靠、免费使用。
24
工作站平台上的主流EDA软件
Cadence EDA软件
✓数字系统模拟工具Verilog-XL; ✓电路图设计工具Composer; ✓电路模拟工具Analog Artist; ✓射频模拟工具Spectre RF; ✓版图编辑器Virtuoso Layout; ✓布局布线工具Preview; ✓版图验证工具Dracula等
3
集成电路的特点:
➢微型化 ➢高集成度 ➢低成本 ➢功能强大 ➢低功耗 ➢高速 ➢所有元件及连线享用同一基片 ➢损坏后不可维修
4
Intel 公司CPU—Pentium® 4
电路规模:4千2百万个晶体管 生产工艺:0.13um 最快速度:2.4GHz
5
➢ 自上世纪90年代以来:
➢ 数字集成电路飞速发展: 微处理器性能提高了 1000倍!
➢ 人工设计,设计周期长,高性能,高集成度 ➢ 微处理器,模拟电路,IP核…
➢ 标准单元 (Standard Cell)
➢ 预先设计好的标准单元,设计周期短,性能较好 ➢ 专用电路 (ASIC)
➢ 可编程逻辑器件 (FPGA/PLD)
➢ 预先生产的芯片,设计周期最短,低研发成本 ➢ 原形验证(Prototyping),可重构计算
14
集成电路设计方法的比较
全定制
单片成本 开发费用 开发周期
低
高
长
专用集成电路设计第一章
Electronics, 1965年4月19日.
如果汽车工业具有与集成电路相同的开发周期,那今天的劳斯 莱斯只值100美元,而且每加仑汽油可以跑100万英里???
EE141 专用集成电路与系统设计
绪论
Moore 定律
• IC能力随时间按指数规律增长
– – – – 特征尺寸与集成度 性能与功能 芯片尺寸与面积 成本
– 已有: “Nomad Expert Technician System” – 外科医生手术
• 特点
– 最短路径 – 耗电极低 – 保密性强 IEEE Spectrum, Nov 2004, p. 33 Laser Focus World, 40, 12, 71-74, 2004
• 涉及多个学科领域
EE141 专用集成电路与系统设计
绪论
EE141 专用集成电路与系统设计
绪论
网络时代的器件-超越体硅的发展
EE141 专用集成电路与系统设计
绪论
第二节摩尔定律(Moore’s Law)
1965年,Intel公司的Gordon Moore 注意到单块芯片上的晶体 管数目每18至24个月(1.5年至2年)翻一倍。 他在美国《Electronics》杂志35周年纪念文章中预言: “芯片元件数每18个月增倍,而元件成本减半”
• 代的定义为4倍能力, 2年/代 至 3年/代。来自于:
– – – – 特征尺寸:0.7x,意味集成度2x。 速度:2x 芯片尺寸:1.5x,意味芯片面积2x 成本:单位功能成本0.7x/年
绪论
EE141 专用集成电路与系统设计
EE141 专用集成电路与系统设计
绪论
EE141 专用集成电路与系统设计
− 1947年12月16日 − 1950年4月 − 1958年8月 − 1959年1月 − 1960年 − 1965年 − 1968年 − 1971年7月 − ……
专用集成电路设计教学大纲
《专用集成电路设计》教学大纲课程编号:课程名称:专用集成电路设计英文名称:学时:学分:课程类型:限选课程性质:专业课适用专业:微电子学先修课程:数字集成电路(设计)、模拟集成电路(设集成电路设计与集成系统计)开课学期:开课院系:微电子学院一、课程的教学目标与任务目标:本课程为研讨课,通过指导、研讨与上机实践,掌握的设计流程和设计技术,内容侧重于晶体管级电路设计和物理层设计。
任务:通过课程学习,使学生能够根据电路的功能和参数指标,完成逻辑网表设计、晶体管级电路设计和版图设计。
二、本课程与其它课程的联系和分工本课程以《数字集成电路设计》和《模拟集成电路设计》课程为基础,内容侧重于晶体管级电路设计和物理层设计。
使学生把所学的电子线路、器件物理、工艺制造知识融汇到版图设计中去,最终达到电路或系统的功能和参数指标在电路的物理层设计中实现。
三、课程内容及基本要求(一)绪论(学时)具体内容:专用集成电路的设计流程和设计要求。
(二)数字电路基本单元的设计(学时)具体内容:反相器直流、交流特性和设计分析;传输门特性分析和版图设计。
.基本要求()了解反相器物理层设计与反相器直流特性、交流特性的关系和设计考虑。
()了解传输门的结构和模型分析。
.重点、难点重点:结构与版图的对应关系。
难点:结构与版图的对应关系。
(三)组合电路和基本逻辑电路设计(学时)具体内容:组合逻辑的设计规则;根据逻辑函数进行逻辑简化,画出逻辑图、晶体管级电路图和版图。
1.基本要求()根据逻辑函数进行逻辑简化()画出逻辑图、晶体管级电路图和版图。
.重点、难点重点:组合电路的晶体管级电路图和版图设计。
难点:组合电路的晶体管级电路图和版图设计。
(四)开关逻辑电路、基本逻辑部件设计(学时)具体内容:用传输门构成多路复合器()、多路分离器()、各种门电路、通用功能模块和各种触发器;四位并行逐次进位加法器和四位并行超前进位加法器的电路设计和版图设计。
.基本要求了解开关逻辑电路、基本逻辑部件的设计。
2021吉林大学集成电路工程考研真题经验参考书
我们专业的复习,其实来说没多大难度,但是试卷的难度不高,不代表我们考试时候进面的难度不高,我们不能懈怠,要拼尽全力,争取一次上岸。
下边我说一下我的上岸经验。
今年的英语阅读比较难,很多同学在考试的时候刚发现不会做心态就收到了很大影响,甚至还有在考试期间就着急到哭出来的同学,还有考完英语就不再来考的。
这种心态是绝对绝对不可取的,阅读难了相应的新题型和完型就会简单。
退一万步讲,就算是所有都不会做也要坚持考完,这是对自己付出的交代。
我是背单词用《一本单词》。
我从一开始就背单词,然后做真题的阅读,真题资料我选的是《木糖英语真题手译版》,从九几年的题开始做,刚上手真的看不懂,几乎全错,自己也会受打击什么的,但是这个时候正确率是最不重要的,重要的是我可以大致了解考研英语的题材和体型设置以及重复率很高的词,当词出现在情景中更能给我留下印象。
每天一篇很细的扣下来,进度很慢但是不需要急,会越来越快。
完型和阅读同理。
并且这个过程中还可以跟着蛋核英语课程学习,效果非常好。
作文尽量多读多记,然后在考前尽量自己总结一个不是那么难那么假大空的模板。
除此之外,蛋核英语微信公众号和木糖英语微信公众号这两个公众号给大家提供了不少写作范文,大家可以搜索一下相关公众号。
翻译偶然性很大,一个题材你接触过和没有了解,翻译的结果完全不同,所以历年真题非常重要,需要很仔细的翻译历年真题,要做到准确通顺,至少三遍。
新题型是一个偏技巧型的体型,蛋核英语的老师会有非常独到且易于理解的方法。
我的政治目标成绩是75,虽然最后没达到目标成绩但是得分还算可以,至少没拉分。
推荐李凡《政治新时器》系列考研政治教材与练习题,建议三刷李凡《政治新时器》的选择题。
我的政治复习开始比较晚,我的复习步骤是先看一章知识点,然后再去做相应的练习题,总的下来是刷了三遍选择题。
后期是李凡押题,选择题都是做了两遍。
然后考研政治的主观题部分是在临考前一个月左右开始准备的,从最后的成绩来看,主观题大家得分都差不多,差就差在选择题,尤其是多选题上。
吉林大学通信工程学院数字电路01章
A B
0 0 1 1 0 1 0 1
Y
0 1 1 0
• 【例4.2】 分析逻辑电路,确定其逻辑功能。 • 解:(1)逐级写出逻辑表达式
Y1 ABC (A B C ) Y 2 ABC (A B C )AB AC BC Y2 AB AC BC
• (2)化简逻辑函数
• 【例4.1】 分析逻辑电路,确定该电路的 逻辑功能。 • 解:逐级推导电路输出端的逻辑表达式。 • (1)写出逻辑函数表达式并化简
P1 AB P2 AP1 A AB A B
P3 P1 B BAB AB
Y P2 P3 A B AB A B AB
• (2)由逻辑表达式列出真值表。真值表可 以完全描述电路的逻辑功能。 • (3)确定逻辑功能。由真值表可以确定电 路的功能为异或逻辑,Y = A⊕B。
• • •
7448七段显示译码器功能表 输入A3~A0是BCD代码,输出Ya~Yg是7位二进制代码。 Yi=1,字段亮;Yi=0,字段灭。
输 入
LT
数 字 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 灯测试 灭零 熄灭 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 × 0 ×
Y1 A BC ABC A B C ABC Y2 AB AC BC
• (3)由逻辑表达式列出真值表 • (4)确定逻辑功能。分析真值表可以得出,电 路实现的是一位二进制数全加器的功能。
ABC 000 001 010 011 100 101 110 111
Y1 Y2 0 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1
• 74138芯片,有3个地址输入端,8个输出 端,3线-8线译码器 • 输入的3位二进制码有8种状态,译码器 将每组输入代码译成对应的一根输出线 上的低电平信号。 • 当控制门GS的输出为高电平(S=1)时, 译码器的输出逻辑表达式
吉林大学《数字电路设计基础》课程
S1 <= “0000”;
a
二、VHDL数据类型与数据对象
数据对象
端口 信号
当做“操作变 量” 使用
可编程器件及数字系统设计
一、VHDL概述
VHDL是超高速集成电路硬件描述语言 (Very High speed Integrated Circuit Hardware Description Language)的英文缩写。 语法和风格:
(1)类似与现代高级编程语言,如C语言。 (2)VHDL描述的是硬件,它包含许多硬件特
作用:声明在实体和结构体定义中将用到的 数据类型、元件或子程序等。
声明格式: Library IEEE; Use IEEE.STD_Logic_1164.All
a
一、VHDL概述
(2)ENTITY定义区
作用: ENTITY(实体)用于定义电路的外 观,即I/O端口的类型和数量。
定义格式:
Entity 实体名 is
INOUT
a
一、VHDL概述
(3)ARCHITECTURE定义区
实体的实现。即说明电路执行什么动作或实现功能。
定义格式:
Architecture 结构体名 of 实体名 is
[ 声明语句;]
Begin
(内部信号、变量、常数等声明)
并行描述语句;
End 结构体名;
程序的核心部分
a
一、VHDL概述
(4)CONFIGURATION部分 作用: 当实体有多个结构体时,利用 CONFIGURATION语句来为实体选择一个结构体, 作为内部电路结构。
吉林大学数字集成电路习题汇总
8. NMOS器件置于图0.4所示电路中,Vin=2V。电流源输出I=50uA,R为一可变 电阻,变化范围10kΩ-30kΩ,晶体管M1存在短沟道效应,并具有以下参数: k’=110 ×10-6V/A2, VT=0.4V, VDSAT=0.6V, (W/L)=2.5u/0.25u 注:忽略体偏置效应和沟长调制效应(γ=0,λ=0) A. 当R= 10kΩ时,确定M1工作区, VD, VS B. 当R= 30kΩ时,确定M1工作区,VD, VS C. 当R= 10kΩ时,如λ≠0,VS会增加还是降低?为什么?
D. 设γ=0,λ=0。推导反相器阈值电压VM的表达式。 注:M1,M2,M3的宽长比分别为(W/L)1, (W/L)2,(W/L)3。 在下列条件下,阈值电压是多少?
5.3 a. b. c. d.
NMOS反相器如图5.3所示 解释该电路为何可被视为一反相器 确定VOH, VOL,计算VIH,VIL 计算NML, NMH 计算输入为(i)Vin=0V和(ii)2.5V时的平均功耗
NMOS的I-V曲线,(W/L)=确定λ 列出方程
6. 考虑如下图所示NMOS反相器,假设所有NMOS器件的体端均接地,输入 IN电压摆幅2.5V。 A. 建立方程,计算节点x电压。(设γ=0.5) B. M2处于何种工作状态? (设γ=0) C. 当IN=0时,OUT输出电压是多少?(设γ=0)
7. 由表0.2所示数据确定MOS器件(采用深亚微米工艺)参数。器件适用 于通用MOS模型,由材料参数,有VDSAT=-1V -2ΦF=-0.6V 注:表3.3所示数据不再适用于本题 A. 该晶体管为PMOS还是NMOS?为什么? B. 确定VT0 C. 确定γ D. 确定λ E. 确定MOS工作状态(线性?饱和?速度饱和?截止?)
专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合共93页
▪
26、要使整个人生都过得舒适、愉快,这是不可能的,因为人类必须具备一种能应付逆境的态度。——卢梭
▪
27、只有把抱怨环境的心情,化为上进的力量,才是成功的保证。——罗曼·罗兰
专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综 合
16、自己选择的路、跪着也要把它走 完。 17、一般情况下)不想三年以后的事, 只想现 在的事 。现在 有成就 ,以后 才能更 辉煌。
18、敢于向黑暗宣战的人,心里必须 充满光 明。 19、学习的关键--重复。
20、懦弱的人只会裹足不前,莽撞的 人只能 引为烧 身,只 有真正 勇敢的 人才能 所向披 靡。
▪
28、知之者不如好之者,好9、勇猛、大胆和坚定的决心能够抵得上武器的精良。——达·芬奇
▪
30、意志是一个强壮的盲人,倚靠在明眼的跛子肩上。——叔本华
谢谢!
93
专用集成电路设计大作业
专用集成电路设计大作业首先,在进行专用集成电路设计时,需要明确设计的目标和需求。
这包括电路的功能、性能和功耗等方面的要求。
例如,如果设计目标是实现一个高速数据处理芯片,那么需要考虑芯片的时钟频率、数据吞吐量和功耗等因素。
接下来,进行电路设计。
根据设计目标,选择合适的电路结构和器件。
例如,在高速数据处理芯片设计中,可以采用流水线结构来实现数据并行处理,选择高速器件来满足高速时钟要求。
然后,进行电路布局。
布局是将电路元件按照一定规则进行合理摆放,以实现最佳性能和最小面积。
在布局过程中,需要考虑电路元件之间的信号传输和功耗等因素,避免引起互相干扰和耗散。
接着,进行电路布线。
布线是将电路元件之间的信号线进行连接,以实现电路功能的传输。
布线过程中需要考虑信号传输的延迟、功耗等因素。
同时,合理规划信号线的走向和长度,减少信号传输的互相干扰。
最后,进行电路验证。
电路验证是为了确保设计的电路能够满足预期的功能和性能要求。
通过模拟仿真和数字电路仿真等方法,验证电路的逻辑正确性和性能是否满足要求。
同时,还可以进行物理验证,包括电气测试和功能验证等。
在进行专用集成电路设计时,需要充分考虑电路的可靠性和可制造性。
通过合理的设计和验证,尽量避免电路故障和不稳定性。
同时,还需要考虑电路的可制造性,包括工艺限制和成本因素等。
总之,专用集成电路设计是一个综合性的工程,需要综合考虑电路功能、性能、功耗、布局、布线和验证等方面的因素。
只有通过合理的设计和验证,才能满足特定应用领域的需求。
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薄膜混合IC
按规模分类 SSI/MSI/LSI/VLSI/ULSI/GSI
数字电路
组合逻辑电路 时序逻辑电路
按功能分类 模拟电路
线性电路
非线性电路
数模混合电路
1.1.3 ASIC的设计手段
设计手段的演变过程
IC的设计方法和手段经历了几十年的 发展演变,从最初的全手工设计发展到现 在先进的可以全自动实现的过程。这也是 近几十年来科学技术,尤其是电子信息技 术发展的结果。从设计手段演变的过程划 分,设计手段经历了手工设计、计算机辅 助设计(ICCAD)、电子设计自动化EDA、 电子系统设计自动化ESDA以及用户现场可 编程器阶段。
3、《VerilogHDL高级数字设计》 [美]Michael D. Ciletti 著
4、《VerilogHDL数字系统设计教程 》 夏宇闻 编著,北京航空航天大学出版社
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
HDL语言与ASIC原理
课程简介:
《HDL语言与ASIC原理》课程从浅到深全 面地介绍专用集成电路的设计方法和过程。由 于本课程的课时有限,因此,对于多个教材的 内容进行选择和取舍,根据专业方向和学时限 制,选择了参考教材中部分章节内容组成了 《HDL语言与ASIC原理》作为本课程的教学内 容。
此 后 40 多 年 来 , IC 经 历 了 从 SSI(Small Scale ntegreted)-MSI-LSI-VLSI-ULSI的发展历程。现在的 IC工艺已经接近半导体器件的极限工艺。以CMOS数字 IC为例,在不同发展阶段的特征参数见表1-1。
表1-1 集成电路不同发展阶段的特征参数主要特征
HDL语言与ASIC原理
授课教师:高延军
联系电话:13664301822
HDL语言与ASIC原理
参考教材
1、《专用集成电路》 【美】Micheal john sebastian smith 著
虞惠华 汤庭鳌等译,电子工业出版社 国外电子与通信教材系列
2、《Verilog HDL程序设计教程》 王金明编著,人民邮电出版社
3.用计算机辅助工程CAE的电子设计自动化EDA:
>40 >15 10-15
0.5-1.2 0.2-0.5 0.1-0.2
4-5 6
8
12
1.1.2.集成电路的分类
可以按器件结构类型、集成电路规模、使用 基片材料、电路功能以及应用领域等方法划分。
双极型
TTL
ECL
NMOS
单片IC
MOS型
PMOS
按结构分类
混合IC
BiMOS 厚膜混合IC
CMOS BiMOS
主要特征 SSI MSI LSI VLSI ULSI GSL 元件数/片 <102 102-103 103-105 105-107 107-109 > 109
特征线宽 μm 氧化层厚 nm 结深 μm 硅片直径 inch
5-10 3-5 >120 >100
1.2-2 2 2-3
1-3 < 1 0.3-0.5 .12-0.18
定义:将某种特定应用电路或电路系统用集成电 路的设计方法制造到一片半导体芯片上的技术称为 ASIC技术。
特点:体积小,成本低,性能优,可靠性高,保 密性强,产品综合性能和竞争力好。
1.1.1 集成电路的发展历程
1947年12月Bell实验室肖克莱、巴丁、 布拉顿发明了第一只点接触金锗晶体管, 1950年肖克莱、斯帕克斯、迪尔发明单晶锗 NPN结型晶体管。
1.原始手工设计:
设计过程全部由手工操作,从设计原理 图,硬件电路模拟,到每个元器件单元的 集成电路版图设计,布局布线直到最后得 到一套集成电路掩膜版,全部由人工完成。
设计流程为:设计原理图,硬件电路,电 路模拟,元器件版图设计,版图布局布线, (分层剥离,刻红膜,初缩精缩,分步重 复)制版,流片,成品。
2.计算机辅助设计:
从70年代初开始,起初仅仅能够用个人计算 机辅助输入原理图,接着出现SPICE电路模拟软 件,逐渐开始ICCAD的发展,后来越来越多的计 算机辅助设计软件,越来越强的计算机辅助设计 功能,不但提供了先进的设计方法和手段,更推 动ICCAD技术向自动化设计发展。初期的ICCAD功 能较少,只能对某些功能进行辅助设计,现在利 用计算机辅助设计可以实现的功能大致包括:电 路或系统设计,逻辑设计,逻辑、时序、电路模 拟,版图设计,版图编辑,反向提取,规则检查 等等。
希望通过本课程的学习,使微电子专业的 同学对ASIC的设计方法有一个基本的认识, 为今后从事与该方向相关的工作打下一个基础。
HDL语言与ASIC原理
课程主要内容:
第一部分 绪论 第二部分 Verilog HDL 语言 第三部分 ASIC库设计 第四部分 实践篇
第一部分 绪论
1.1 概述
专 用 集 成 电 路 ASIC ( Application Specific Integrated Circuits)技术是在集成电路发展的基 础上,结合电路和系统的设计方法,利用 ICCAD/EDA/ESDA等计算机辅助技术和设计工具,发展 而来的一种把实用用电路或电路系统集成化的设计方 法。
1952年5月英国皇家研究所的达默提出 集成电路的设想。
1958年德克萨斯仪器公司基尔比为首的 小组研制出第一块由12个器件组成的相移振 荡和触发器集成电路。
这就是世界上最早的集成电路,也就是 现代集成电路的雏形或先驱。
集成电路的发展除了物理原理外还得益于许多新 工艺的发明:
50年美国人奥尔和肖克莱发明的离子注入工艺;
吉林大学专用集成电路设计
1、战鼓一响,法律无声。——英国 2、任何法律的根本;不,不成文法本 身就是 讲道理 ……法 律,也 ----即 明示道 理。— —爱·科 克
3、法律是最保险的头盔。——爱·科 克 4、一个国家如果纲纪不正,其国风一 定颓败 。—— 塞内加 5、法律不能使人人平等,但是在法律 面前人 人是平 等的。 ——波 洛克
56年美国人富勒发明的扩散工艺;
60年卢尔和克里斯坦森发明的外延生长工艺;
60年kang和Atalla研制出第一个硅MOS管;
70年斯皮勒和卡斯特兰尼发明的光刻工艺等等, 使晶体管从点接触结构向平面结构过渡并给集成电路 工艺提供了基本的技术支持。因此,从70年代开始, 第一代集成电路才开始发展并迅速成熟。