CCL450DK3-AD中文资料
A4504中文资料
上图是典型的功率器件接口电路以及时序图；
众所周知，当功率管IPM开关工作时，原则上是绝对不能使上下两臂同时导通的。
即使在高下稍有交迭也会潜在威胁功率管和周遍电路，特别是在大电流状态下。
防止这一现象的办法是一只的时候必须确保他的对管已经完全关闭。
在此加入了一段小小的延时，被称之为“死区”。
如何缩是工程师的一项重要的课题。
“开通”IPM延时时间取决于光耦的寄生延时数据又要参照IPM的驱动电路，其中重要的是参大和最小延时时间，上图的LED是输入电压，OUT是输出电压。
大多数设计应用是：当输入为高电打开。
那么根据图上下输入的需要延时的时间至少应该是（tPLHmax-tPHLmin），此数据在手册上大多数情况下，IPM数据手册给定的死区时间是大于光耦所规定的最少要求延时的。
HCPL-4504高速光耦与IPM连接的例图：
设计注意：
1：7脚8脚需要短路连接；
2：IPM功率越大上拉电阻值越小；
3：光耦副边的引线须尽量小于2cm；
1)与DIP-IPM连接原理图：（见DIP-IPM设计手册）
2）与通用IPM连接原理图：
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CLC450资料
UNITS
NOTES
FREQUENCY DOMAIN RESPONSE -3dB bandwidth Vo < 0.5Vpp Vo < 2.0Vpp -0.1dB bandwidth Vo < 0.5Vpp gain peaking <200MHz, Vo = 0.5Vpp gain rolloff <30MHz, Vo = 0.5Vpp linear phase deviation <30MHz, Vo = 0.5Vpp TIME DOMAIN RESPONSE rise and fall time settling time to 0.05% overshoot slew rate 2V step 1V step 2V step 2V step
General Description
The CLC450 has a new output stage that delivers high output drive current (100mA), but consumes minimal quiescent supply current (1.5mA) from a single 5V supply. Its current feedback architecture, fabricated in an advanced complementary bipolar process, maintains consistent performance over a wide range of gains and signal levels, and has a linear-phase response up to one half of the -3dB frequency. The CLC450 offers superior dynamic performance with a 100MHz small-signal bandwidth, 280V/µs slew rate and 6.1ns rise/fall times (2Vstep). The combination of low quiescent power, high output current drive, and high-speed performance make the CLC450 well suited for many battery-powered personal communication/computing systems. The ability to drive low-impedance, highly capacitive loads, makes the CLC450 ideal for single ended cable applications. It also drives low impedance loads with minimum distortion. The CLC450 will drive a 100Ω load with only -75/-64dBc second/third harmonic distortion (Av = +2, Vout = 2Vpp, f = 1MHz). With a 25Ω load, and the same conditions, it produces only -70/-60dBc second/third harmonic distortion. It is also optimized for driving high currents into single-ended transformers and coils. When driving the input of high-resolution A/D converters, the CLC450 provides excellent -79/-75dBc second/third harmonic distortion (Av = +2, Vout = 2Vpp, f = 1MHz, RL = 1kΩ) and fast settling time. Available in SOT23-5, the CLC450 is ideal for applications where space is critical.
PCB 结构、加工流程、线路阻抗控制、线路阻抗计算简介 for update_170815
公式3，介质损耗：
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PCB线路阻抗控制
4、高速板材介质损耗，铜箔的表面粗糙度，PP的玻纤效应影响。
2> 铜箔表面粗糙度 左图是几种常规的铜箔对表面粗糙度的定义，其中有STD(标准铜箔)、RTF(反转铜箔)
和VLP/HVLP(低/超低表面粗糙度铜箔)，可见不同的铜箔铜牙(粗糙度)相差明显。
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PCB线路阻抗控制
2、PCB加工过程的蚀刻偏差
线路蚀刻：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光、显影、蚀刻的工艺步骤， 达到所需铜面线路图形。
蚀刻的目的：蚀刻的目的是将图形转移以后有图形的受抗蚀剂保护的地方保留，其
他未受保护的铜蚀刻掉，最终形成线路，达到导通的目的。 蚀刻分类：蚀刻有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，通常内层采用酸性蚀刻，湿膜或干膜 为抗蚀剂。外层采用碱性蚀刻，锡铅为抗蚀剂。 内层蚀刻(DES流程)：显影→蚀刻→退膜 外层蚀刻(SES流程)：显影→镀铜镀锡→退膜→蚀刻→退锡
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PCB线路阻抗控制
3、PCB加工过程中，层压带来的流胶率的偏差
PCB压合原理：通过“热与压力”使PP结合不同内层芯板和外层铜箔, 并利用外层 铜箔作为外层线路之基地。
半固化片的特性：
1> RC%（Resin content)：指半固化片中除了玻纤布以外，树脂成分所占的重量 百分比。 RC%的多少直接影响到树脂填充导线间空隙的能力，同时决定压板后的 介电层厚度。 2> RF%（ Resin flow）：指压板后，流出板外的树脂占原来半固化片总重量的百 分比。 RF%是反映树脂流动性的指标，它也决定压板后的介电层厚度 3> VC%（volatile content）：指半固化片经过干燥后，失去的挥发成分的重量 占原来半固化片总重量的百分比。VC%的多少直接影响压板后的品质。
FR-4是什么 铜箔基板的定义
FR-4之定义出自NEMA规范:LI1-1983, 指玻纤环氧树脂的试烧样本, 其尺寸为5吋长, 0.5吋宽, 厚度不拘的无铜基板, 以特定的本生灯, 在样本斜放45度的试烧下将其点燃, 随即移开火源而让已加有耐燃剂(如20%的溴)的板材自行熄灭, 并以码表记下离火后的“延烧”的秒数. 经过十次试烧后其总延烧的秒数低于50秒者称为V-0, 低于250秒者称为V-1. 凡合乎V-1的玻纤环氧树脂板材, 皆称为FR-4.PCB除了常用的FR-4材质外, 其它还有高功能高Tg树脂, 如: BT, Polymide, Cyanate Ester及PTFE等. 但是FR-4的低价位, 良好接着力, 低吸湿性等优点是其它树脂所比不上的, 因此大部分的PCB都是使用FR-4材质制作铜箔基板（Copper-clad Laminate）简称CCL，为P C板的重要机构组件。
它是由铜箔（皮）、树脂（肉）、补强材料（骨骼)、及其它功能补强添加物（组织）组成。
PC板种类层数应用领域纸质酚醛树脂单、双面板(FR1＆FR2)电视、显示器、电源供应器、音响、复印机、录放机、计算器、电话机、游乐器、键盘环氧树脂复合基材单、双面板(CEM1&CEM3)电视、显示器、电源供应器、高级音响、电话机、游乐器、汽车用电子产品、鼠标、电子记事本玻纤布环氧树脂单、双面板(FR4 )适配卡、计算机外设设备、通讯设备、无线电话机、手表、游乐器玻纤布环氧树脂多层板(FR4 & FR5)桌上型计算机、笔记型计算机、掌上型计算机、硬盘机、文书处理机、呼叫器、行动电话、IC卡、数字电视音响、传真机、汽车工业、军用设备一什么叫PCB？PCB 即Printed Circuit Board。
就是指印制电路板，在公共基板上，按预定设计形成点间连接及印制元件的印制板。
PCB的种类按基材分有：刚性印制板，柔性印制板，刚柔印制板，按印制电路板导体图形的层数可分为：单面印制板，双面印制板，多层印制板。
常用三极管参数大全
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材导final project----材料四面体之高频基板
上海交通大學高頻基板之材料四面体所別材料科學與工程學院學號5130519142姓名李韋志指導教授韓秀君西元2014年 6 月目錄摘要(abstract)1.前言2.高頻材料四面体2-1高頻基板的表現(performance)2-2高頻基板的結構設計與特性(structure & properties) 2-3高頻基板的制備及其難點(synthesis)3.高頻基板的展望與應用4.結束語參考文獻圖目錄<圖1>數位通訊科技演進與面臨問題<圖2>高頻基板當前應用產品與規格需求<圖3>材料四面体<圖4>傳輸訊號損失計算公式<圖5>柔性高頻基板技術發展藍圖<圖6>剛性高頻基板技術發展藍圖<圖7>樹脂材料結構設計<圖8>LCP薄膜與PI薄膜介電特性<圖9>剛性基板制備流程圖<圖10>含浸示意圖<圖11>有膠式柔性基板制備流程圖<圖12>高溫壓合設備示意圖<圖13>集膚效應<圖14>銅箔基板粗糙度與信號損失關係圖<圖15>柔性高頻基板未來發展規則摘要隨著信息處理需求的增大，具有高速信息處理的電子用品已經成為了人們日常生活不可或缺的一部分。
在信號傳輸速度上，預測將在今後五十年內增長10倍以上，實現這種高速化技術已經成為印刷電路板及覆蓋銅板產業的當前最重要任務。
*[1]因為高介電常數(Dk)會使傳輸速度變慢，而高散失因子(Df)則會使信號部分轉化為熱能損失使信號強度減弱。
降低Dk & Df已經成為PCB(印刷電路板)業者們的共同目標，各式新型也一一湧出。
本文以材料四面体(Material tetrahedron)為主體，參考諸多相關論文、期刊與廠商報告。
就高頻基板(substrate)中的特性、結構設計與制備及表現一一介紹以研究基板材料高速化、高頻化的理論及特性。
DK450规格书.pdf
功能描述功能描述：：DK450高性能5V 精密稳压源，是专用于AC-DC 电源的输出稳压精密电压基准，电路输出简洁。
产品特点产品特点：：芯片内设有精密基准电压源及输出的恒流电路，对于输出5V 的AC-DC 产品，无需外部加任何元件，芯片可以直接恒流驱动光电藕合器件，作到元件最少，以降低产品的不良率及减少PCB 的面积。
电路原理电路原理：：极限参数极限参数：：供电电压-----------------------------------0.3V~8V供电电流----------------------------------200UA 引脚电压-----------------------------------0.3V~8V ESD 耐压---------------------------------- 2.5KV储存温度------------------------------------50℃~150℃工作温度------------------------------------20℃~125℃焊接温度-----------------------------------280℃/5S电压分档电压分档：：L 档A 档B 档H 档4.9V~5.0V5.0V~5.1V5.1V~5.2V5.2V~5.3V电气参数电气参数：：项目测试条件最小额定最大单位供电电压25℃ 4.9 5.0 5.3V 供电电流VDD=5.0V 70100200UA K 脚电流6V>VDD>5.3V 0.2815mA 温度变化率VDD=5.0V-20℃～125℃ 4.955.05.05V应用电路应用电路：：图1（芯片应用图）图2（常用电路应用图）如图所示，应用开关电源的基准源中，芯片将省去常用电路中的R1、R2、R3、C2四只元件封装尺寸封装尺寸：：TO-92-------------------------------------------------------------------SOT-23包装信息包装信息：：封装小包装大包装TO-92100010000SOT-23300030000DK450。
AD集成库元件简写中英文对照表
转载：/uid-25148547-id-138696.htmlAD集成库元件简写中英文对照表序号英文简写元件英文名元件中文名1Res semi Semiconductor Resistor半导体电阻2Cap semi Semiconductor Capacitor半导体电容器3Cap Var Variable or Adjustable Capacitor可变或可调电容4Cap Pol1Polarized Capacitor (Radial)极化电容（径向）5Cap Pol2Polarized Capacitor (Axial)极化电容（轴向）6Cap Capacitor电容（径向）7Cap Pol3Polarized Capacitor (Surface Mount)极化电容（表面贴装）8Cap Feed Feed-Through Capacitor馈通电容9Cap2Capacitor电容10Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)压敏电阻（电压敏感电阻）11Res Tap Tapped Resistor抽头电阻12Res Thermal Thermal Resistor 热敏电阻13Rpot Potentiometer Resistor （侧调或顶调）电位器14Rpot SM Square Trimming Potentiometer（顶调）方形电位器15Res Bridge Resistor Bridge电阻桥16Bridge1Full Wave Diode Bridge整流桥17Bridge2Bridge Rectifier整流桥集成组件（比1封装较大）18Res Adj Variable Resistor可变电阻19Res3Resistor IPC的高密度贴片电阻20 D Tunnel2Tunnel Diode - Dependent Source Model隧道二极管 - 依赖源模型21 D Varactor Variable Capacitance Diode变容二极管22 D Schottky Schottky Diode肖特基二极管23Diode 1N5402 3 Amp General Purpose Rectifier3放大器通用整流器其中，cap，cap2，cap pol1和cap pol2分别如下图所示：其中，径向型电容如下图所示：轴向型电容如下所示：有极性电阻为电解电容，无极性电阻为普通电容，电解电容的容量一般比普通电容的大，在滤波时电解电容用于滤低频，普通电容用于滤高频。
德力西 CDPV3熔断器 规格书 说明书
DC1500V选型规格书德力西集团有限公司公司地址：浙江省温州市柳市工业园电话：*************DC1500V目录适用范围 (1)命名 (1)技术参数 (1)外形安装尺寸 (1)特性曲线 (2)工作条件 (3)周围空气 (3)海拔 (4)大气条件 (4)熔断器安装、使用及维护 (4)熔断器的运输和贮存 (5)熔断器的开箱及检查 (5)订货须知 (5)DC1500V适用范围CDPV3-450G半导体设备保护用熔断体适用于额定电压不超过DC1500V，额定电流不超过450A，额定短路能力不超过250kA的配电线路中作为整流二极管、晶闸管及其半导体器件组成的成套装置的短路和某些不允许过电流的过载保护。
本产品为部分范围保护用熔断体，具有强限流、高分断能力等特点,适用于储能、风电等行业应用。
可以作为储能系统、动力系统及其他器件和设备的短路保护。
命名熔断体的命名技术参数表1熔断体的主要术参数外形安装尺寸（1）产品型号额定电压（V）熔断体额定电流（A）额定分断能力I1(kA)熔断体的额定耗散功率(W)分断范围和使用类别CDPV3-450G DC150040,50,63,80,100,125,160,200,250,300,315,350,400,450250≤109aRDC1500V特性曲线（2）DC1500V工作条件正常工作条件及修正参数熔断器在下述的正常使用条件下工作，不需要额外的修正。
超过正常使用条件时，如果在允许使用条件范围内，可能需要修正一些参数或咨询。
如果超过允许使用条件的范围，应咨询我公司，并进行条件的工作适应性评估和测试。
推荐长期通流的电流值不大于额定电流80%。
周围空气温度正常使用条件-5℃～40℃。
允许使用条件-40℃～85℃。
周围空气温度变化的参数修正：在低于-5℃下工作，熔断器的低倍过载过电流的弧前时间略有延长，额定电流略有增大。
但是除非-5℃以上不是工作范围，一般不考虑增加熔断器额定电流。
AD常用库及元件名
AD常用库及元件名2010-06-24 16：00原理图常用库文件：Miscellaneous Devices。
ddbDallas Microprocessor。
ddbIntel Databooks。
ddbProtel DOS Schematic Libraries。
ddbPCB元件常用库:Advpcb。
ddbGeneral IC.ddbMiscellaneous。
ddb部分分立元件库元件名称及中英对照AND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃，钟BVC 同轴电缆接插件BRIDEG 1 整流桥（二极管）BRIDEG 2 整流桥(集成块）BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LEDDPY_7-SEG 7段LEDDPY_7—SEG_DP 7段LED（带小数点）ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFET MOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN三极管NPN—PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管PNP 三极管NPN DAR NPN三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY—DPDT 双刀双掷继电器RES1。
华正电子产品资料
覆铜板材料专业制造商The professional manufacturer for CCL产品资料Product Data地址：浙江省杭州市余杭镇金星工业园区Address: Jinxing Industry Zone Yuhang Hangzhou ZhejiangTEL: 86-0571-******** FAX: 86-0571-******** PC: 311121目录 / Catalog板材 CCL产品类别Classification板材型号 CCL Dsg.特性简述 FeatureTg (DSC,℃)页码 Page常规FR-4 ConventionalFR-4H140-1 /FR4-74 UV 板UV Blocking 135 or else Tg3H150高耐热性中Tg 板Excellent thermal resistance &Mid-Tg150 5无铅制程专用板Lead-free CompatibleH170LF高耐热性高Tg 板Excellent thermal resistance &Hi-Tg170 7无卤板 Halogen-free Compatible H1308无卤板Halogen-free 140 or else Tg9高CTI High CTIH1600 CTI 600 135 11CEM-3 H2130普通型UV 板Conventional, UV Blocking130 13铝基板Al-Substrate CCLHA40系列 散热性极佳，性价比高Excellent thermal conductivity, high cost performance_ 15附1. 半固化片规格Prepreg Spec. Page17附2. 覆铜板厚度公差表 / CCL thickness and tolerance listPage 18特性/ FeaturesTg135±5 ℃（DSC ）可依需求提供多种Tg 值 / Different Tg available upon request Tg ：140±5℃、 Tg 150±5℃、 Tg 170±5℃ UV Blocking 与 AOI 兼容可提高PCB 生产效率UV Blocking and AOI compatible,so as to increase productivity efficiency可依需求提供仪表专用的FR-4板材/ the meter appropriative FR-4 CCL upon request可依需求提供具UV 阻挡功能的自然色板材/ UV Blocking and natural color CCL upon request 可依需求提供不具UV 阻挡功能的自然色板材（白料）/ No UV Blocking and natural color CCL upon request应用领域/ Applications电脑、通讯设备、仪器仪表、摄像机、 电视机、电子游戏机等.Computer,Communication equipment, Instrumentation, VCR,Television, Electronic game machine, etc.主要特性 / General properties检测项目Item 单位 Unit 检测条件 Test Condition规范值 Spec 典型值 Typical Value玻璃化转变温度Tg ℃ DSC 135±5 135.5 剥离强度 1oz Peel Strength N/mm 288, 10S ℃ ≥1.40 1.81 热应力 Thermal stress S 288,solder dip ℃ ＞10 60 s No delamination经向 LW ≥415 580 弯曲强度 Flexural Strength N/mm 2纬向CW ≥345 485 燃烧性Flammability － E 24/125 UL94V-0 V-0 表面电阻Surface Resistivity M Ω After moisture ≥1.0×104 5.16×107体积电阻VolumeResistivityM Ω·cm After moisture ≥1.0×106 5.07×108介电常数 Dielectric Constant － 1 MHZ C 24/23/50 ≤5.4 4.6 介质损耗角正切 Loss Tangent － 1 MHZ C 24/23/50 ≤0.035 0.015 耐电弧Arc Resistance S D48/50＋D0.5/23 ≥60 125 击穿电压Dielectric Breakdown KV D48/50＋D0.5/23≥40 58 吸水率Moisture Absorption% D24/23 ≤0.8 0.15 热分解温度Td ℃ Weight Loss 5%－ 306 Alpha 1 ppm / ℃ － 65 Alpha 2 ppm / ℃ － 305 CTE Z-axis50 - 260 ℃% TMA － 4.5 T288min TMA － 2 相比漏电起痕指数 CTIVIEC-60112 175～250175Specimen Thickness : 1.6mm ; Explanation: C: Humidity conditioning; D: Immersion conditioning in distilled water ; E: Temperature conditioning ;◆介电常数/ Dielectric constant◆热处理后板材经纬向尺寸变化Dimensional change in cross and length direction after heat treatment产品系列 / Purchasing information厚度Thickness 铜箔Copper foil 标准尺寸 Standard size0.15~3.2mm 18um ~ 105um 37"×49"、41"×49"、43"×49" ※Other sheet size and thickness could be available upon request特性/ FeaturesTg150±5 ℃（DSC ）UV Blocking 与 AOI 兼容可提高PCB 生产效率UV Blocking and AOI compatible,so as to increase productivity efficiency 优异的耐热性，Td ≥325℃，T288≥5min ，适合于无铅焊工艺；High thermal performance ，Td ≥325 ,T288℃≥5min ，suitable for lead-free process 。
AD元器件库名称对照
Actel Acte l公司Actel 3200DX.In tLibActel的3200DX.In tLibActe l 40M X.Int Lib A ctel的40MX.IntLi bAc tel 42MX.I ntLib Acte l的42M X.Int Lib Actel ACT1.Int Lib A ctel公司的ACT 1.In tLibActe l ACT 2.In tLibActel公司的AC T 2.I ntLibAct el AC T 3.I ntLib Acte l公司的A CT 3.IntLi bAc tel A xcele rator.IntL ib Ac tel的A xcele rator.IntL ibA cteleX.In tLibActel的eX.I ntLibAct el Pr oASIC 500K.IntL ib Ac tel的P roASI C 500K.Int Lib Actel ProA SIC P LUS.I ntLib Acte l的Pro ASICPLUS.IntLi bAc tel S X.Int Lib A ctel的SX.In tLibActe l SX-A.Int Lib A ctel的SX的，A.IntL ibA ctelSX-S.IntLi b Act el的SX的，S.I ntLibAn alogDevic es AD I公司AD Am plifi er Bu ffer.IntLi b公元放大器Buff er.In tLibAD A nalog Comp arato r.Int Lib公元模拟Com parat or.In tLibAD A nalog Mult iplie r Div ider.IntLi b公元模拟乘法器Di vider.IntL ibA D Aud io Pr e-Amp lifie r.Int Lib公元音频前置A mplif ier.I ntLibADCommClock Data Reco very.IntLi b公元通讯时钟数据R ecove ry.In tLibAD C onver ter A nalog to D igita l.Int Lib A D转换模数转换器Di gital.IntL ibA D DSP 16-B it.In tLib公元DSP的16 Bi t.Int Lib AD DS P 32-Bit.I ntLib公元DSP的32 B it.In tLibAD D iffer entia l Amp lifie r.Int Lib公元微分Amp lifie r.Int Lib AD In strum entat ion A mplif ier.I ntLib公元仪表A mplif ier.I ntLibADLogar ithmi c Amp lifie r.Int Lib广告对数Amp lifie r.Int Lib AD Op erati onalAmpli fier.IntLi b广告业务Ampli fier.IntLi bAD Powe r Mgt Char ge Pu mp.In tLib公元电源管理费Pump.IntL ibA D Pow er Mg t DC-DC Co nvert er.In tLib公元电源管理的DC - DC C onver ter.I ntLib ADPower MgtSuper visor y Cir cuit.IntLi b公元电源管理监督C ircui t.Int Lib AD Po wer M gt Sw itchi ng Re gulat or.In tLib公元电源管理开关Reg ulato r.Int Lib AD Po wer M gt Vo ltage Refe rence.IntL ib公元电源管理电压Refer ence.IntLi bAD Powe r Mgt Volt age R egula tor.I ntLib公元电源管理电压Re gulat or.In tLibAD R F and IF F reque ncy S ynthe siser.IntL ib公元R F和IF频率Synt hesis er.In tLibAD R F and IF M ixer.IntLi b公元RF和IF M ixer.IntLi bAD RF a nd IF Modu lator Demo dulat or.In tLib公元射频和中频调制器D emodu lator.IntL ibA D RFand I F Mod ulato r.Int Lib公元RF和IF Modu lator.IntL ibA D The rmoco upleAmpli fier.IntLi b公元热电偶Ampl ifier.IntL ibA D Tra nsimp edanc e Amp lifie r.Int Lib公元阻Ampl ifier.IntL ibA D Var iable Gain Ampl ifier.IntL ib公元可变增益Am plifi er.In tLibAD V ideoAmpli fier.IntLi b公元视频Ampli fier.IntLi bAD Vide o Pro cesso r.Int Lib公元视频Pro cesso r.Int Lib AD Vo ltage Cont rolle d Amp lifie r.Int Lib公元压控Amp lifie r.Int Lib Agil ent T echno logie s安捷伦科技Ag ilent LEDDispl ay 7-Segme nt, 1-Digi t.Int Lib安捷伦LED显示7段，1 Digi t.Int Lib Agile nt LE D Dis play7-Seg ment, 2-Di git.I ntLib安捷伦LE D显示7段，2 Di git.I ntLib Agi lentLED D ispla y 7-S egmen t, 3-Digit.IntL ib安捷伦LED显示7段，3Digit.IntL ib A gilen t LED Disp lay 7-Segm ent,4-Dig it.In tLib安捷伦LED显示7段，4 Dig it.In tLibAgil ent L ED Di splay Alph anume ric.I ntLib安捷伦LE D显示屏A lphan umeri c.Int Lib Agile nt LE D Dis playDigit & Wo rd Ic on.In tLib安捷伦LED显示数字和字Icon.IntL ib A gilen t LED Disp lay O verfl ow.In tLib安捷伦LED显示屏Ov erflo w.Int Lib Agile nt Op toele ctron ic LE D.Int Lib安捷伦光电LE D.Int Lib Alle gro快板All egroAmpli fierPower Ampl ifier.IntL ib快板放大器功率A mplif ier.I ntLibAll egroAnalo g Tim er Ci rcuit.IntL ib快板模拟定时器C ircui t.Int Lib Alleg ro Au tomot ive B us Li ne Dr iverRecei ver.I ntLib快板汽车公交线路驱动器Rece iver.IntLi bAl legro Auto motiv e Ign ition Circ uit.I ntLib快板汽车点火Circ uit.I ntLibAll egroInter faceDarli ngton Driv er.In tLib快板接口达林顿Driv er.In tLibAlle gro I nterf ace D C & S teppe r Mot or Co ntrol ler.I ntLib快板接口与直流步进电机Cont rolle r.Int Lib Alleg ro In terfa ce DC Moto r Con troll er Dr iver.IntLi b快板界面直流电机控制器Dri ver.I ntLibAll egroInter faceLED D river.IntL ib快板接口的LED Driv er.In tLibAlle gro I nterf ace P eriph eralDrive r.Int Lib快板接口外设D river.IntL ibA llegr o Int erfac e Pri nterDrive r.Int Lib快板接口打印机Drive r.Int Lib Alleg ro In terfa ce Se rvo M otorContr oller Driv er.In tLib快板伺服电机控制器接口Drive r.Int Lib Alleg ro In terfa ce St epper Moto r Con troll er Dr iver.IntLi b快板步进电机控制器接口Dri ver.I ntLibAll egroInter faceVacuu m Flu oresc ent D ispla y Dri ver.I ntLib快板接口真空荧光显示屏Driv er.In tLibAlle gro P owerMgt V oltag e Det ector.IntL ib快板电源管理电压Detec tor.I ntLibAll egroPower MgtVolta ge Re gulat or.In tLib快板电源管理电压Reg ulato r.Int Lib Alleg ro RF andIF No ise R educt ion C ircui t.Int Lib快板的RF和I F降噪Ci rcuit.IntL ib A llegr o RFand I F Rad io Re ceive r Cir cuit.IntLi b快板射频和中频无线电接收机C ircui t.Int Lib Alleg ro Se nsorFluid Dete ctor.IntLi b快板传感器流体De tecto r.Int Lib Alleg ro Se nsorHall-Effec t Sen sor.I ntLib快板传感器霍尔效应S ensor.IntL ibA llegr o Sen sor S mokeDetec tor.I ntLib快板传感器烟雾Det ector.IntL ibAlter a Alt era公司Alt era A CEX 1K.Int Lib A ltera的ACEX 1K.I ntLibAlt era A PEX 20K.In tLibAlter a的顶点20K.In tLibAlte ra AP EX 20KC.In tLibAlter a的顶点20KC.I ntLibAlt era A PEX 20KE.I ntLib Alte ra的顶点20KE.IntLi bAl teraAPEXII.In tLibAlter a的顶点I I.Int Lib Alter a Bus Inte rface Cont rolle r.Int Lib A ltera的总线接口Contr oller.IntL ibA ltera Clas sic E P.Int Lib A ltera的经典EP.IntL ibA ltera Cycl one.I ntLib Alte ra的Cy clone.IntL ibA ltera EPCConfi gurat ion D evice.IntL ib Al tera公司的EPC配置Dev ice.I ntLibAlt era E PCS C onfig urati on De vice.IntLi b Alt era公司的EPC配置Devi ce.In tLibAlte ra FL EX 10K.Int Lib A ltera公司的Fl ex 10K.Int Lib Alter a FLE X 6000.Int Lib A ltera公司的Fl ex 6000.In tLibAlte ra FL EX 8000.In tLibAlter a公司的F lex 8000.I ntLibAlt era M AX 3000A.I ntLib Alte ra的MA X的3000A.In tLibAlte ra MA X 5000.Int Lib A ltera的最大5000.In tLibAlte ra MA X 7000AE.I ntLib Alte ra的MA X的7000AE.I ntLibAlt era M AX 7000B.I ntLib Alte ra的MA X的7000B.In tLibAlte ra MA X 7000S.In tLibAlter a的MAX的7000S.Int Lib Alter a MAX 9000.IntL ib Al tera的MAX的9000.I ntLibAlt era M AX II.IntL ib Al tera的MAX的I I.Int Lib Alter a Mer cury.IntLi b Alt era的M ercur y.Int Lib Alter a Str atixGX.In tLibAlter a公司的S trati x GX.IntLi bAl teraStrat ix.In tLibAlter a的Str atix.IntLi bAl teraStrat ix II.IntL ib Al tera公司的Str atixII.In tLibAMP安普A MP CH AMP M iniat ure R ibbon 050Serie s II.IntLi b安普CH AMP卫星微型丝带050系列I I.Int Lib AMP C ard E dge 050 Se riesPCI.I ntLib安普卡边050系列P CI.In tLibAMPCompa ctPCI Type A.In tLib安普Comp actPC I的A类I ntLibAMP Comp actPC I Typ e A_B.IntL ib安普C ompac tPCI的类型A_B.IntL ibA MP Co mpact PCI T ype B.IntL ib安普C ompac tPCI的B型Int Lib AMP C ompac tPCITypeC.Int Lib安普Compa ctPCI的C型In tLibAMPCompa ctPCI Type D.In tLib安普Comp actPC I的类型四IntLi bAM P Com pactP CI Ty pe E.IntLi b安普的C ompac tPCI型大肠杆菌I ntLibAMP Comp actPC I Typ e F.I ntLib安普的Co mpact PCI型楼IntLi bAM P Com pactP CI Ty pe M.IntLi b安普的C ompac tPCI型米IntL ibA MP DSubmi niatu re 050 Ser ies.I ntLib放D微型050 Se ries.IntLi bAM P D S ubmin iatur e AMP LIMIT E 2000.Int Lib放D微型AMP LIMIT E 2000.Int Lib AMP H igh-S peedMICTO R.Int Lib A MP的高速MICTO R.Int Lib AMP M emory Modu le DI MM II.IntL ib AM P的内存模块的DIM M II.IntLi bAM P Mem ory M odule DIMM.IntL ib AM P的内存模块DIMM.IntL ibA MP Me moryModul e SIM M II.IntLi b AMP的内存模块的SIMM II.I ntLibAMP Memo ry Mo duleSIMM.IntLi b AMP的内存模块SIMM.IntLi bAM P Ser ial B us IE EE1394.Int Lib安普串行总线I EEE1394.In tLibAMPSeria l Bus USB.IntLi b安普串行总线USB.IntL ibAmphe nol安费诺Am pheno l RFCoaxi al MC X.Int Lib安费诺射频同轴MCX.I ntLibAmp henol RF C oaxia l MMC X.Int Lib安费诺射频同轴MMCX.IntLi bAs tronTechn ology阿斯技术Astr on Ca rd Ed ge EI SA.In tLib阿斯卡边缘E ISA.I ntLibAt mel爱特梅尔A tmelAT40K.IntL ib爱特梅尔AT40K.Int Lib Atmel AT6000.In tLib爱特梅尔AT6000.IntLi bAt mel A T94K.IntLi b爱特梅尔AT94K.IntL ibA tmelIndus try C ompat ibleCPLD.IntLi b爱特梅尔产业的协调CPLD.IntLi bAt mel I ndust ry St andar d SPL D.Int Lib爱特梅尔行业标准SPLD.IntL ibA tmelMemor y EEP ROM.I ntLib爱特梅尔记忆EEPR OM.In tLibAtme l Mic rocon troll er 8-Bit A VR.In tLib爱特梅尔微控制器8位A VR.In tLibAtme l Pro priet ary C PLD.I ntLib爱特梅尔专有CPLD.IntL ibBulgi n Com ponen ts布金组件Bu lginIEC M ains.IntLi b布金独立选举委员会Mains.IntL ibBurr-Brown伯尔-布朗BBAmpli fierBuffe r.Int Lib B B心跳放大器Buff er.In tLibBB A nalog Comp arato r.Int Lib B B心跳模拟Compa rator.IntL ibB B Ana log C urren t Mir ror.I ntLib BB心跳模拟电流M irror.IntL ibB B Ana log I ntegr ator.IntLi b BB心跳模拟In tegra tor.I ntLibBBAnalo g Mul tipli er Di vider.IntL ib BB心跳模拟乘法器Div ider.IntLi bBB Comm unica tionTrans ceive r.Int Lib B B心跳通信Trans ceive r.Int Lib BB Co mmuni catio n xDS L Int erfac e.Int Lib B B心跳通讯的xDSL Inte rface.IntL ibB B Con verte r Ana log t o Dig ital.IntLi b BB心跳转换器模数转换器D igita l.Int Lib BB Co nvert er Da ta Ac quisi tionSyste m.Int Lib B B心跳转换器数据采集Syste m.Int Lib BB Co nvert er Di gital to A nalog.IntL ib BB心跳转换器数字到An alog.IntLi bBB Conv erter RMSto DC.IntL ib BB心跳转换器RMS来D C.Int Lib BB Co nvert er Vo ltage to C urren t.Int Lib B B心跳转换器电压Cu rrent.IntL ibB B Con verte r Vol tageto Fr equen cy.In tLibBB心跳转换器电压F reque ncy.I ntLibBBDiffe renti al Am plifi er.In tLibBB心跳微分Ampl ifier.IntL ibB B Dig italFilte r.Int Lib B B心跳数字Filte r.Int Lib BB In strum entat ion A mplif ier.I ntLib BB心跳仪表Amp lifie r.Int Lib BB In terfa ce Br idgeDrive r.Int Lib B B心跳接口桥Driv er.In tLibBB I nterf ace C arrie r Mul ti-wi re In terfa ce.In tLibBB心跳接口载波多丝Inter face.IntLi b BB Inte rface Curr ent L oop R eceiv er.In tLibBB心跳接口电流回路Recei ver.I ntLibBBIsola tionAmpli fier.IntLi b BB心跳分离Am plifi er.In tLibBB L ogari thmic Ampl ifier.IntL ib BB心跳对数A mplif ier.I ntLibBBOpera tiona l Amp lifie r.Int Lib B B心跳业务Ampli fier.IntLi bBB Powe r Mgt DC-D C Con verte r.Int Lib B B心跳电源管理的DC - DCConv erter.IntL ibB B Pow er Mg t Vol tageRefer ence.IntLi b BB心跳电源管理电压Ref erenc e.Int Lib BB Po wer M gt Vo ltage Regu lator.IntL ib BB心跳电源管理电压Re gulat or.In tLibBB S ample andHoldAmpli fier.IntLi b BB心跳采样和保持Ampl ifier.IntL ibB B Sen sor P eak D etect or.In tLibBB心跳传感器山顶D etect or.In tLibBB T ransc onduc tance Ampl ifier.IntL ib BB心跳跨导A mplif ier.I ntLibBBUnive rsalActiv e Fil ter.I ntLib BB心跳通用有源F ilter.IntL ibB B Var iable Gain Ampl ifier.IntL ib BB心跳变增益Ampli fier.IntLi bBB Vide o Mul tiple xer.I ntLib BB心跳视频Mul tiple xer.I ntLibBBVolta ge Co ntrol led A mplif ier.I ntLib BB心跳压控Amp lifie r.Int Lib BB Vo ltage Cont rolle d Osc illat or.In tLibBB心跳压控Osci llato r.Int Lib C-MA C Mic roTec hnolo gy架C-陆委会显微技术C-MAC Crys tal O scill ator.IntLi b架C -陆委会水晶Oscil lator.IntL ibC liffElect ronic Comp onent s克利夫电子元件CLIFF Jack Sock et.In tLib悬崖杰克So cket.IntLi bCo operBussm ann库珀博士曼Coilt ronic s Pas siveTrans forme r.Int Lib C oiltr onics被动Tra nsfor mer.I ntLibFor merly: Coo perET Pass ive T ransf ormer.IntL ib 曾任：Coop erET被动Tran sform er.In tLibCyp ressMicro Syste ms赛普拉斯微系统Cypr ess M icroc ontro ller8-Bit.IntL ib Cy press微控制器8 Bit.IntLi bCy press Semi condu ctor赛普拉斯半导体公司Cypre ss Co mmuni catio n Rec eiver.IntL ib赛普拉斯通信Re ceive r.Int Lib Cypre ss Co mmuni catio n Tra nscei ver.I ntLib赛普拉斯通信Tran sceiv er.In tLibCypr ess C ommun icati on Tr ansmi tter.IntLi b赛普拉斯通信Tra nsmit ter.I ntLibCyp ressLogic Tran slato r.Int Lib赛普拉斯逻辑T ransl ator.IntLi bCy press Memo ry As ynchr onous FIFO.IntL ib赛普拉斯内存异步FIFO.IntLi bCy press Memo ry St aticRAM.I ntLib赛普拉斯记忆静态RA M.Int Lib Cypre ss Pe riphe ral B us In terfa ce Co ntrol ler.I ntLib赛普拉斯外设总线接口Contr oller.IntL ibC ypres s Per ipher al Mu ltifu nctio n Con troll er.In tLib赛普拉斯周边多功能Co ntrol ler.I ntLibCyp ressPerip heral Timi ng Fr equen cy Ge nerat or.In tLib赛普拉斯周边定时频率G enera tor.I ntLibCyp ressPLD D elta39K.In tLib赛普拉斯可编程逻辑器件Delta39K.I ntLibCyp ressPLD F lash370i.I ntLib赛普拉斯可编程逻辑器件Flas h370i.IntL ibC ypres s PLD MAXEPLD.IntLi b赛普拉斯可编程逻辑器件最大E PLD.I ntLibCyp ressPLD Q uantu m38K.IntLi b赛普拉斯可编程逻辑器件Qua ntum38K.In tLibCypr ess P LD Si mple.IntLi b赛普拉斯可编程逻辑器件Sim ple.I ntLibCyp ressPLD U ltra37000.IntLi b赛普拉斯可编程逻辑器件Ult ra37000.In tLibDal las S emico nduct or达拉斯半导体公司Dal las C ommun icati on AD PCM P roces sor.I ntLib达拉斯通信adpcm的Proc essor.IntL ibD allas Comm unica tionCEPTT1 In terfa ce.In tLib达拉斯通信有效普惠关税T1的In terfa ce.In tLibDall as Co mmuni catio n Err or De tecti on Cc t.Int Lib达拉斯通信错误检测Cct.IntL ib D allas Comm unica tionPCM C ircui t.Int Lib达拉斯通信的P CM Ci rcuit.IntL ibD allas Comm unica tionTrans ceive r.Int Lib达拉斯通信Tr ansce iver.IntLi bDa llasConve rterParal lel t o Ser ial.I ntLib达拉斯转换器并联，以Seria l.Int Lib Dalla s Int erfac e Dig italPoten tiome ter.I ntLib达拉斯接口数字Pot entio meter.IntL ib D allas Inte rface Term inato r.Int Lib达拉斯接口Te rmina tor.I ntLibDal las L ogicDelay Line.IntL ib达拉斯逻辑延时L ine.I ntLibDal las M emory Asyn chron ous F IFO.I ntLib达拉斯内存异步FIF O.Int Lib Dalla s Mem ory E EPROM.IntL ib达拉斯记忆EEP ROM.I ntLibDal las M emory Elec troni c Key.IntL ib达拉斯内存电子K ey.In tLibDall as Me moryEPROM.IntL ib达拉斯记忆EPR OM.In tLibDall as Me moryID Ch ip.In tLib达拉斯内存编号Chip.IntL ibD allas Memo ry No n-Vol atile RAM.IntLi b达拉斯记忆非挥发性RAM.I ntLibDal las M emory Seri al RA M.Int Lib达拉斯内存串行RAM.I ntLibDal las M emory Stat ic RA M.Int Lib达拉斯记忆静态RAM.I ntLibDal las M icroc ontro ller8-Bit.IntL ib达拉斯微控制器8 Bit.IntLi bDa llasPerip heral Addr essab le Sw itch.IntLi b达拉斯周边寻址Sw itch.IntLi bDa llasPerip heral Bank switc h.Int Lib达拉斯周边Ba nkswi tch.I ntLibDal las P eriph eralLockCircu it.In tLib达拉斯周边锁Circu it.In tLibDall as Pe riphe ral M emory Cont rolle r.Int Lib达拉斯周边记忆Contr oller.IntL ibD allas Peri phera l Per ipher al In terfa ce.In tLib达拉斯周边外设Inte rface.IntL ibD allas Peri phera l Pro gramm ableSwitc h.Int Lib达拉斯周边可编程Swit ch.In tLibDall as Pe riphe ral P ulseGener ator.IntLi b达拉斯周边脉冲Ge nerat or.In tLibDall as Pe riphe ral R eal T ime C lock.IntLi b达拉斯周边实时Cl ock.I ntLibDal las P eriph eralSpeec h Pro cesso r.Int Lib达拉斯周边讲话Proce ssor.IntLi bDa llasPower MgtBatte ry.In tLib达拉斯电源管理Batt ery.I ntLibDal las P owerMgt K ickst arter.IntL ib达拉斯电源管理K ickst arter.IntL ibD allas Powe r Mgt Supe rviso ry Ci rcuit.IntL ib达拉斯电源管理监督Circ uit.I ntLib Dal las P owerMgt S witch ing C ircui t.Int Lib达拉斯电源管理开关Cir cuit.IntLi b Da llasPower MgtVolta ge De tecto r.Int Lib达拉斯电源管理电压Det ector.IntL ib D allas Sens or Te mpera tureSenso r.Int Lib达拉斯传感器温度Sens or.In tLibECS IncInter natio nal精英国际有限公司EC S Cry stalOscil lator.IntL ib精英水晶Osci llato r.Int Lib Elan tec E lante cEl antec Ampl ifier Buff er.In tLibElant ec放大器Buffe r.Int Lib Elant ec An alogCompa rator.IntL ib El antec模拟Com parat or.In tLibElan tec A nalog Mult iplie r Div ider.IntLi b Ela ntec模拟乘法器D ivide r.Int Lib Elant ec In terfa ce CC D Dri ver.I ntLib Elan tec接口CCD的D river.IntL ibE lante c Int erfac e Lin e Dri ver.I ntLib Elan tec接口线Driv er.In tLibElan tec I nterf ace L ine T ransc eiver.IntL ib El antec接口线Tr ansce iver.IntLi bEl antec Inte rface MOSF ET Dr iver.IntLi b Ela ntec接口MOSF ET的Dr iver.IntLi b El antec Inte rface PINDrive r.Int Lib E lante c接口密码Drive r.Int Lib Elant ec In terfa ce Se rvo M otorContr oller.IntL ib El antec界面伺服电机Cont rolle r.Int Lib Elant ec Op erati onalAmpli fier.IntLi b Ela ntec业务Ampl ifier.IntL ibE lante c Vid eo Am plifi er.In tLibElant ec视频A mplif ier.I ntLibEla ntecVideo Gain Cont rol C ircui t.Int Lib E lante c视频增益控制Cir cuit.IntLi b El antec Vide o Gen erato r Cir cuit.IntLi b Ela ntec视频发生器C ircui t.Int Lib Elant ec Vi deo S ync C ircui t.Int Lib E lante c视频同步Circu it.In tLibFai rchil d Sem icond uctor仙童半导体公司F SC Am plifi er Bu ffer.IntLi b金管放大器Buff er.In tLibFSCCommPhase Lock ed Lo op.In tLib金管会通讯锁相Loop.IntL ibF SC Di scret e BJT.IntL ib金管会离散BJT.IntL ibF SC Di scret e Dio de.In tLib金管会离散D iode.IntLi bFS C Dis crete Rect ifier.IntL ib金管会离散Rec tifie r.Int Lib FSC I nterf ace D ispla y Dri ver.I ntLib FSC的界面显示D river.IntL ibF SC In terfa ce Li ne Re ceive r.Int Lib金管接口线Re ceive r.Int Lib FSC I nterf ace L ine T ransc eiver.IntL ib金管接口线Tra nscei ver.I ntLibFSC Logi c Ari thmet ic.In tLibFSC的逻辑Arit hmeti c.Int Lib FSC L ogicBuffe r Lin e Dri ver.I ntLib FSC的逻辑缓冲线Drive r.Int Lib FSC L ogicClock Cloc k Sup port.IntLi b FSC的逻辑时钟时钟Sup port.IntLi bFS C Log ic Co mpara tor.I ntLib FSC的逻辑Com parat or.In tLibFSCLogic Coun ter.I ntLib FSC的逻辑Cou nter.IntLi bFS C Log ic De coder Demu x.Int Lib F SC的逻辑解码器De mux.I ntLibFSC Logi c Fli p-Flo p.Int Lib F SC的逻辑倒装Flo p.Int Lib FSC L ogicGate.IntLi b FSC的逻辑Ga te.In tLibFSCLogic Latc h.Int Lib F SC的逻辑Latch.IntL ibF SC Lo gic M ultip lexer.IntL ib FS C的逻辑M ultip lexer.IntL ibF SC Lo gic M ultiv ibrat or.In tLibFSC的逻辑Mult ivibr ator.IntLi bFS C Log ic Pa rityGen C heckDetec t.Int Lib金管会检查De tect.IntLi b逻辑校验根FS C Log ic Re giste r.Int Lib F SC的逻辑Regis ter.I ntLibFSC Logi c Swi tch.I ntLib FSC的逻辑Swi tch.I ntLibFSC Logi c Tra nslat or.In tLibFSC的逻辑Tran slato r.Int Lib FSC V ideoGener atorCircu it.In tLibFSC的视频发生器C ircui t.Int Lib Genn um Ge nnum公司Ge nnumAmpli fierPre-A mplif ier.I ntLib Genn um公司放大器前Am plifi er.In tLibGenn um Au dio A mplif ier.I ntLib Genn um公司音频Ampl ifier.IntL ibG ennum Conv erter Digi tal t o Ana log.I ntLib Genn um公司转换数字到A nalog.IntL ib G ennum Digi tal F ilter.IntL ib Ge nnum公司数字Fi lter.IntLi bGe nnumFilte r Hig hpass.IntL ib Ge nnum公司过滤Hi ghpas s.Int Lib Gennu m IFAmpli fier.IntLi b Gen num公司中频Amp lifie r.Int Lib Gennu m Int erfac e Lin e Dri ver.I ntLib Genn um公司接口线Dri ver.I ntLibGen num O perat ional Ampl ifier.IntL ib Ge nnum公司的业务A mplif ier.I ntLibGen num P owerAmpli fier.IntLi b Gen num公司电力Amp lifie r.Int Lib Gennu m Pow er Mg t SMP S Con troll er.In tLibGennu m公司电源管理开关电源Cont rolle r.Int Lib Gennu m Vid eo Bu fferAmpli fier.IntLi b Gen num公司视频缓冲A mplif ier.I ntLibGen num V ideoMulti plexe r.Int Lib G ennum公司视频M ultip lexer.IntL ibG ennum Vide o Mul tipli er.In tLibGennu m公司视频Multi plier.IntL ibG ennum Vide o SMP TE.In tLibGennu m公司视频SMPTE.IntL ibG ennum Vide o Swi tch.I ntLib Genn um公司视频Swit ch.In tLibGenn um Vi deo S ync C ircui t.Int Lib G ennum公司视频同步Circ uit.I ntLibHA RTING哈廷H ARTIN G IDC 2.54mm Pi tch.I ntLib哈廷IDC的2.54毫米Pit ch.In tLibHarr is Su ppres sionProdu cts哈里斯抑制产品Har ris D iscre te Vo ltage-Sens itive Resi stor.IntLi b哈里斯离散电压敏感Resis tor.I ntLib Hit achiSemic onduc tor日立半导体Hitac hi Mi cropr ocess or 16-Bit.IntLi b日立微处理器16Bit.I ntLibHir ose E lectr ic广濑电机HR S FPC-FFCFH12Serie s.Int Lib小时台塑-艘F FC FH12 Se ries.IntLi bIn fineo n Tec hnolo gies英飞凌科技Infi neonDiscr ete B JT.In tLib英飞凌分立B JT.In tLibInfi neonDiscr ete D iode.IntLi b英飞凌分立Diod e.Int Lib Inte rsilInter sil的Inte rsilAmpli fierBuffe r.Int Lib I nters il的放大器Buff er.In tLibInte rsilDSP 10-Bit.IntL ib In tersi l的数字信号处理器10 - B it.In tLibInte rsilDSP 13-Bit.IntL ib In tersi l的数字信号处理器13 - B it.In tLibInte rsilDSP 14-Bit.IntL ib In tersi l的数字信号处理器14 - B it.In tLibInte rsilDSP 16-Bit.IntL ib In tersi l的数字信号处理器16 Bit.IntL ibI nters il DS P 20-Bit.I ntLib Inte rsil的数字信号处理器20- Bit.IntL ibI nters il DS P 24-Bit.I ntLib Inte rsil的数字信号处理器24Bit.I ntLibInt ersil DSP8-Bit.IntL ib In tersi l的DSP的8 Bi t.Int Lib Inter sil D iscre te BJ T.Int Lib I nters il的离散BJT.I ntLibInt ersil Disc reteMOSFE T.Int Lib I nters il的离散MOSFE T.Int Lib Inter sil O perat ional Ampl ifier.IntL ib In tersi l的业务A mplif ier.I ntLibInt ersil RF a nd IF Demo dulat or.In tLibInter sil的R F和IFDemod ulato r.Int Lib Inter sil R F and IF M odula tor.I ntLib Inte rsil的射频和中频Modul ator.IntLi bI ntern ation al Re ctifi er国际整流器I R Dis crete IGBT.IntL ib红外离散IGBT.IntL ibI R Dis crete MOSF ET -HalfBridg e.Int Lib红外分立MOS FET的- 半Br idge.IntLi bIR Disc reteMOSFE T - L ow Po wer.I ntLib红外分立M OSFET的 - 低Power.IntL ibI R Dis crete MOSF ET -Power.IntL ib红外分立MOSF ET的- Powe r.Int Lib IR Di scret e SCR.IntL ib红外离散SCR.IntLi bIR Inte rface Brid ge Dr iver.IntLi b红外接口桥Driv er.In tLibIR I nterf ace M OSFET Driv er.In tLib红外接口MO SFET的Drive r.Int Lib IR Re ctifi er -Bridg e.Int Lib红外整流器- Brid ge.In tLibIR R ectif ier - Fast Reco very.IntLi b红外整流器 - 快速Reco very.IntLi bIR Rect ifier - Sc hottk y.Int Lib红外整流器- Scho ttky.IntLi bIR Rect ifier - St andar d Rec overy.IntL ib红外整流器 -标准Rec overy.IntL ibI R Rec tifie r - U ltraf ast R ecove ry.In tLib红外整流器- 超快R ecove ry.In tLibKEM ET El ectro nicsKEMET公司电子KEME T Chi p Cap acito r.Int Lib K EMET公司芯片Ca pacit or.In tLibKobi connKobic onn Kobic onn R CA Ph ono J ack.I ntLib Kobi conn的RCA唱机Jack.IntLi bL attic e Sem icond uctor莱迪思半导体公司Latti ce CP LD is pLSI5000V E.Int Lib莱迪思可编程逻辑器件CP LD的5000VE.IntLi b La ttice CPLD ispL SI.In tLib格CPLD的ispLS I.Int Lib Latti ce CP LD is pMACH 4000B.Int Lib莱迪思的isp MACHCPLD的4000B.IntL ibL attic e CPL D isp MACH4000C.IntL ib莱迪思的ispM ACH C PLD的4000C.IntLi bLa ttice CPLD ispM ACH 4000V.IntLi b莱迪思的ispMA CH CP LD的4000V.I ntLibLat ticeCPLDispMA CH 4000Z.I ntLib莱迪思的i spMAC H CPL D的4000Z.In tLibLatt ice C PLD i spMAC H 5000B.In tLib莱迪思的is pMACH CPLD的5000B.Int Lib Latti ce CP LD is pMACH 5000VG.In tLib莱迪思的is pMACH CPLD的5000VG.In tLibLatt ice C PLD i spMAC H.Int Lib格C PLD的i spMAC H.Int Lib Latti ce CP LD is pXPLD 5000MX.In tLib格子CPLD的ispX PLD 5000MX.IntL ibL attic e FPG A EC.IntLi b莱迪思F PGA E C.Int Lib Latti ce FP GA EC P.Int Lib莱迪思FPGA ECP.IntLi bLa ttice FPGA FPSC.IntL ib莱迪思FPGAFPSC.IntLi bLa ttice Logi c Swi tch.I ntLib格逻辑Sw itch.IntLi bLa ttice ORCA Seri es 2.IntLi b莱迪思O RCA的系列2.In tLibLatt ice O RCA S eries 3.In tLib莱迪思ORC A的系列3.IntL ibL attic e ORC A Ser ies 4.IntL ib莱迪思ORCA的系列4.I ntLibLat ticeSPLDGAL.I ntLib格特殊学习困难的GA L.Int Lib Latti ce SP LD is pGAL.IntLi b格特殊学习困难的i spGAL.IntL ibL attic e Sim ple P LD.In tLib格简单PLD.IntL ibL attic e isp GDX.I ntLib格ispG DX.In tLibLatt ice i spPAC.IntL ib格is pPAC.IntLi bLa ttice ispX PGA.I ntLib格ispX PGA.I ntLibLi nearTechn ology凌特公司LT A mplif ier B uffer.IntL ib低温放大器Buf fer.I ntLibLTConve rterCurre nt to Volt age.I ntLib LT的转换电流，以Volta ge.In tLibLT O perat ional Ampl ifier.IntL ib LT的业务Am plifi er.In tLibLT V ideoAmpli fier.IntLi b LT的视频Amp lifie r.Int Lib Maxi m格言Maxim Ampl ifier Buff er.In tLib马克西姆放大器Buff er.In tLibMaxi m Ana log C ompar ator.IntLi b马克西姆模拟Com parat or.In tLibMaxi m Com munic ation Rece iver.IntLi b马克西姆通信Rec eiver.IntL ibM aximCommu nicat ion T ransc eiver.IntL ib马克西姆通信Tr ansce iver.IntLi bMa xim C onver ter A nalog to D igita l.Int Lib马克西姆转换器模数转换器Digit al.In tLibMaxi m Con verte r Dat a Acq uisit ion S ystem.IntL ib马克西姆转换器数据采集Sy stem.IntLi bMa xim C onver ter D igita l toAnalo g.Int Lib马克西姆转换器数字到An alog.IntLi bMa xim C urren t-Fee dback Ampl ifier.IntL ib马克西姆电流反馈Ampli fier.IntLi bMa xim F ilter Cont inuou s-Tim e Act ive.I ntLib Maxi m的滤波器连续时间A ctive.IntL ib M aximFilte r Low pass.IntLi b马克西姆过滤Low pass.IntLi bMa xim F ilter Swit chedCapac itor.IntLi b Max im的滤波器开关Ca pacit or.In tLibMaxi m Int erfac e Dis playDrive r.Int Lib马克西姆界面显示Driv er.In tLibMaxi m Int erfac e Las er Di ode D river.IntL ib马克西姆接口激光二极管Dr iver.IntLi b Ma xim I nterf ace L ine D river.IntL ib马克西姆接口线D river.IntL ibM aximInter faceMOSFE T Dri ver.I ntLib马克西姆接口MOSF ET的Dr iver.IntLi bMa xim L ogicMulti plexe r.Int Lib马克西姆逻辑M ultip lexer.IntL ibM aximLogic Swit ch.In tLib马克西姆逻辑Switc h.Int Lib Maxim Logi c Tim er.In tLib马克西姆逻辑Timer.IntL ibM aximMulti plexe d Vid eo Am plifi er.In tLib马克西姆复用视频Amp lifie r.Int Lib Maxim Oper ation al Am plifi er.In tLib马克西姆业务Ampli fier.IntLi bMa xim P assiv e Pot entio meter.IntL ib马克西姆被动Po tenti omete r.Int Lib Maxim Peri phera l Mem ory C ontro ller.IntLi b马克西姆外设存储器Contr oller.IntL ib M aximPerip heral Puls e Gen erato r.Int Lib马克西姆周边脉冲Gene rator.IntL ibM aximPower MgtBatte ry Ch arger.IntL ib Ma xim的电源管理电池Charg er.In tLibMaxi m Pow er Mg t Bat tery.IntLi b Max im的电源管理Bat tery.IntLi bMa xim P owerMgt C harge Pump.IntL ib Ma xim的电源管理费P ump.I ntLibMax im Po wer M gt DC-DC C onver ter.I ntLib Maxi m的电源管理的DC- DCConve rter.IntLi bMa xim P owerMgt S uperv isory Circ uit.I ntLib Maxi m的电源管理监控Ci rcuit.IntL ib M aximPower MgtSwitc hingRegul ator.IntLi b Max im的电源管理开关R egula tor.I ntLib Max im Po wer M gt Vo ltage Refe rence.IntL ib Ma xim的电源管理电压Refer ence.IntLi b Ma xim P owerMgt V oltag e Reg ulato r.Int Lib M axim的电源管理电压Regu lator.IntL ib M aximRF Am plifi er.In tLibMaxim的射频Am plifi er.In tLibMaxi m RFand I F Tra nsmit ter.I ntLib Maxi m的RF和IF Tr ansmi tter.IntLi bMa xim R F Osc illat or.In tLibMaxim的射频Os cilla tor.I ntLibMax im RF Powe r Amp lifie r.Int Lib M axim的RF功率A mplif ier.I ntLibMax im Un ivers al Ac tiveFilte r.Int Lib马克西姆通用有源Filt er.In tLibMaxi m Vid eo Am plifi er.In tLibMaxim的视频Am plifi er.In tLibMaxi m Vid eo Bu fferAmpli fier.IntLi b Max im的视频缓冲Amp lifie r.Int Lib Maxim Vide o Mul tiple xer.I ntLib Maxi m的视频M ultip lexer.IntL ibM aximVideo Swit ch.In tLibMaxim的视频Sw itch.IntLi bMa xim W ideba nd Am plifi er.In tLib马克西姆宽带Ampli fier.IntLi bM icroc hip微芯片Mi croch ip Mi croco ntrol ler 8-BitPIC12.IntL ib Mi croch ip的微控制器8位P IC12.IntLi b Mi croch ip Mi croco ntrol ler 8-BitPIC14.IntL ib Mi croch ip的微控制器8位P IC14.IntLi b Mi croch ip Mi croco ntrol ler 8-BitPIC16 1.In tLib* Mic rochi p的微控制器8位旗下PIC16 1.In tLib*Mi croch ip Mi croco ntrol ler 8-BitPIC16 2.In tLib* Mic rochi p的微控制器8位旗下PIC16 2.In tLib*Mi croch ip Mi croco ntrol ler 8-BitPIC16F.Int Lib M icroc hip的微控制器8位PIC16F.Int Lib Micro chipMicro contr oller 8-Bi t PIC17.In tLibMicro chip的微控制器8位PIC17.Int Lib Micro chipMicro contr oller 8-Bi t PIC18.In tLibMicro chip的微控制器8位PIC18.Int Lib * Rep laces: Mic ro ch ip Mi croco ntrol ler 8-bit.IntLi b *替换：微型晶片微控制器8bit.IntLi b。
AD元件库中英对照表
英文名中文释义2N3904 NPN型通用放大器2N3906 PNP型通用放大器ADC- -8 通用的8位AD转换器Antenna 天线Battery 电池组Bell 铃Bridgel 整流桥堆Buzzer 蜂鸣器Cap 电容Cap Feed 穿心电容器Cap Semi 半导体电容Cap Var 可调电容Cap Pol 极性电容Circuit Breaker 熔断器D Schottky 肖特基二极管D Varactor 变容二极管D Zener 稳压二极管DAC-8 通用的8位DA转换器. Diac-NPN 双向触发二极管Diac -PNP 双向触发二极管Diode 二极管DiodeIN914 高电导快速二极管Diode 1N4001 1A通用整流器Diode 1N4002 1A通用整流器Diode 1N4003 1A通用整流器Diode 1N4004 1A通用整流器Diode 1N4005 1A通用整流器Diode 1N4006 1A通用整流器Diode 1N4007 1A通用整流器Diode 1N4149 电脑二极管Diode 1N4150 高电导超快速二极管Diode 1N4148 高电导快速二极管Diode 1N5400 3A通用整流器Diode 1N5401 3A通用整流器Diode 1N5402 3A通用整流器Diode 1N5403 3A通用整流器Diode 1N5404 3A通用整流器Diode 1N5406 3A通用整流器Diode 1N5407 3A通用整流器Diode 1N5408 3A通用整流器Diode 10TQ035 肖特基整流器Diode 10TQ040 肖特基整流器Diode 10TQ045 肖特基整流器Diode 11DQ03 肖特基整流器Diode 18TQ045 肖特基整流器Diode 1N914 高电导快速二极管Diode 1N4148 高电导快速二极管Diode 1N4150 高电导超快速二极管Diode 1N4448 高电导快速二极管Diode 1N4934 1A快速恢复整流Diode 1N5407 3A硅整流二极管Diode 1N5408 3A硅整流二极管Diode BAS16 硅对高速交换开关二极管Diode BAS21 硅对高速开关二极管,高压开关Diode BAS7O 肖特基二极管为高速切换Diode BAS1 16 硅低泄漏二极管Diode BAT17 射频硅肖特基二极管混合器应用在甚高频/超Diode BAT18 低损耗射频开关二极管Diode BBY31 S0T23硅平面变容二极管Diode BBY41 S0T23硅平面变容二极管Dpy 16-Seg 13.7 毫米灰色表面红色共阴数码管: 2位D Tunnel 遂道_二极管Dpy Amber CA 7.62毫米黑色表面橙色共阳数码管Dpy Amber CA 7.62毫米黑色表面橙色共阴数码管Dpy Blue-CA 14.2毫米面蓝色共阴数码管Dpy Greenc 7. 62毫米黑色表面绿色共阳数码食Dpy Greenc -CC 7. 62毫米黑色表面绿色共阴数码管Dpy 0verflow 7.62毫米+1数码管DPy Red-CA 7.62豪米黑色表面红色共阳数码管DPy Red-CC 7.62豪米黑色表面红色共阴数码管Dpy Yellow-CA 7.6毫米，微亮黄色共阳数码管Dpy Yellow-CC 7.6毫米微亮黄色共阴极数码管Fuse 保险丝Fuse Thermal 热熔丝IGBT-N 绝缘栅双极型晶体管(n沟道)IGBT-P PNP双极结型晶体管Inductor 电感器Inductor Adj 可调电感Inductor Iron 磁心电感Inductor Iron Adj 可调磁心电感Inductor Iron Dot 磁心电感绕组极性标记Inductor Iso lated 孤立的电感JFET-N N沟道结型场效应晶体管JFET-P P沟造结型长效应晶体管Jumper 跳线.Lamp . 白炽灯泡Lamp Neon 霓虹灯LED 发光二极管.MESFET-N N沟道场效应晶体管MESFET-P P沟道场效应晶体管Meter 指示式仪表Mic 麦克风MOSFET-2GN 双开门式N沟道，金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET-2GP 双开门式，P沟道，金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET-N N沟道，金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET-P P沟道，金属-氧化物半导体场效应晶体管Motor . 电动机Motor Servo 伺服电机Motor Step 步进电机Neon 氖泡NMOS-2 N沟道功率MOSFETPMOS-2 P沟道功率MOSFETNPN NPN双极型晶体管Op Amp 场效应晶体管运算放大器Opto TRIAC 光电双向可控硅Optoisolator 光电耦合器.Photo NPN NPN型光敏三极管Photo PNP PNP型光敏三极管Photo Sen 光敏二极管PLL 通用锁相器PNP PNP型双极型晶体管PUT 可控硅晶体管QNPN NPN双极型晶体管Relay 单刀双掷继电器Relay-DPDT 双刀双掷继电器Relay-DPST 双极单掷继电器Relay-SPDT 单极双掷继电器Relay-SPST 单极单掷继电器Res Bridge 电阻桥Res 电阻Res Adj 可调电阻Res Pack 排阻Res Semi 半导体电阻Res Tap 带抽头的电阻器Res Thermal 热敏电阻Res Varistor 压敏电阻RPot SM 微调电位器SCR 可控硅Speaker 扬声器SW DPDT 开关SW-6WAY 6 路开关.SW-12WAY 12路开关.SW-DIP4 变光开关SW-DIP8 4009系列变光开关SW DIP-2 2位拨码开关SW DIP-3 3位拨码开关SW DIP-4 4位拨码开关SW DIP-5 5位拨码开关SW DIP-6 6位拨码开关SWDIP-7 7位拨码开关SW DIP-8 8位拨码开关SW DIP-9 9位拨码开关SW-DPDT 双极双掷开关SW-DPST 双极单掷开关SW-PB 按键SW-SPDT SPDT 微型拨动开关，直角安装，垂直驱动SW-SPST 单刀单掷开关Trans Adj 调压变压器Trans BB 降压升压变压器(理想)Trans CT 中心抽头变压器Trans CT Ideal 中心抽头变压器(理想)Trans Cupl 变压器(耦合电感模型)Trans Eq 变压器(等效电路模型)Trans Ideal 变压器(理想)Trans3 三绕组变压器Trans3 Ideal 三绕组变压器(理想)Trans4 四绕组变压器Trans4Ideal 四绕组变压器(理想)Tranzorb 瞬态电压抑制(电视)二极管Triac 硅双向晶闸管Tube 6L6GC 电子束功率五极管Tube 6SN7 旁热式双三极电子管Tube 12AU7 旁热式双三极电子管Tube 12AX7 高放大系列双三级电子管Tube 5879 Tube 7199Tube Triode 电子管UJT-N 单结晶体管N型UJT-P 单结晶体管P型XTAL 晶体振荡器连接器BNC BNC弯头连接器COAX-F 同轴射频PCB连接器，MCX; 通孔，直角安装插座，冲柱，50欧姆阻抗COAX-M 射频同轴连接器MMCX; PCB板，通孔，垂直安装插头，50欧姆阻抗CON EISAE EISA 连接器，188位置，垂直，间距1. 27mm Connector 插座头组件D Connector 插座总成，直角Edge Con 边缘连接器Header 头MHDR 插槽Phonejack 杰克插座Plug 插头Plug AC Female 电源插座Plug AC Male 电源插头PS2-6PIN 6针通孔PS2插座PWR2.5 低电压电源连接器SMB SMB直连接器Socket 插座。
框架断路器-ST40450-3MH使用手册_x
目录
一 概述 .................................................................................................................................3
3.1 保护特性 ........................................................................................................................................... 9 3.1.1 过载长延时保护 ....................................................................................................................... 9 3.1.2 短路短延时保护 ..................................................................................................................... 12 3.1.3 瞬时保护特性 ......................................................................................................................... 13 3.1.4 MCR 和 HSISC 保护 ................................................................................................................. 13 3.1.5 中性线保护 ............................................................................................................................. 14 3.1.6 接地保护 ................................................................................................................................. 15 3.1.7 漏电保护 ................................................................................................................................. 16 3.1.8 接地报警 ................................................................................................................................. 17 3.1.9 漏电报警 ................................................................................................................................. 18 3.1.10 电流不平衡保护 .................................................................................................................. 18 3.1.11 需用电流保护 ....................................................................................................................... 19 3.1.12 欠压保护 ............................................................................................................................... 20 3.1.13 过压保护 ............................................................................................................................... 21 3.1.14 电压不平衡保护 ................................................................................................................... 22 3.1.15 欠频，过频保护 ................................................................................................................... 23 3.1.16 逆功率保护 ........................................................................................................................... 23 3.1.17 相序保护 ............................................................................................................................... 24 3.1.18 负载监控保护特性 ............................................................................................................... 24
印刷电路板基材简介CCL
基材分类及应用
1.纸基酚醛板
包括XPC、XXXPC、FR-1及FR-2，组成为酚醛树脂与纤维纸。
XPC通常应用在低电压/低电流、不会引起火源的消费性电子产品，如 玩具，手提收音机，电话，遥控器等。
FR-1的电气性、难燃性优于XPC，可达到UL94V-0级，可广泛使用于 电压/电流稍高于XPC的电器，如彩电，家庭音响，洗衣机，吸尘机等。
其中关键的特性包括：
板料：抗剥强度、吸水率、耐热应力、难燃性、热膨胀系数、Tg、 尺寸稳定性、介电常数、损耗正切等
半固化片：储存期、树脂含量、树脂流量、凝胶时间、挥发份含量、 Tg、介电常数、损耗正切等
1.FR-4 几乎所有的基材制造商均生产FR-4基材。
构成FR-4基材的主要是环氧树脂和玻璃布。 几乎所有的线路板生产厂商都大量使用FR-4基材，其生产线的设计大 多以FR-4为目标，因此许多基材均以FR-4为基准进行比较，来判断其 特性、可靠性及加工性。
原先大量使用的双官能团环氧基材（Di-functional，白色）已逐渐被添加了四官能团 环氧（Tetra-functional）的基材（Multi-functional）所取代。
环氧树脂可组成多种基材，如玻璃布基板，Aramid基材，RCC等。
树脂——Resin
其他树脂类型 优点
BT
Tg高达180C以上，耐热性好
树脂分类：
树脂——Resin
1. 应用于单/双面硬板及多层板 主要包括酚醛树脂(Phenolic)、环氧树脂(Epoxy)、聚苯醚(PPO)、 双顺丁烯二酸酰亚胺/三嗪树脂(BT Triazine and/or Bismaleimide)、 聚酰亚胺(Polyimide)、氰酸酯(Cyanate Ester)
CCL450DK3-ADTD资料
ACCESSORIESLMSHELF = Mounting Shelf 300-450W MXSHELF = Mounting Shelf 72-200W C1063R49/02 IHOrdering InformationSERIES DC WATTAGE HEADS HEADS OPTIONS 1CCL = 6 Volt 6 Volt6 Volt3 = Three A = Ammeter 2TCL = 12 Volt75 = 75 Watts DY = 8 Watt, Tungsten 2 = Two ACF1 = 120 VAC Fuse 100 = 100 Watts DA = 18 Watt, Tungsten 1 = OneACF2 = 277 VAC Fuse 150 = 150 Watts DL = 25 Watt, Tungsten ACP1 = 120 VAC Power Switch 225 = 225 WattsDC = 30 Watt, Tungsten ACP2 = 277 VAC Power Switch AD = ACCU-TEST Self-Diagnostics 12 Volt (Includes standard voltmeter)12 VoltADAL = ACCU-TEST with Alarm150 = 150 Watt DNY = 12 Watt, Tungsten ADTD = ACCU-TEST with Time Delay 3200 = 200 Watt DE = 28 Watt, Tungsten DCP = DC Power Switch300 = 300 Watt DK = 25 Watt, Tungsten EX = Special Input Transformer (Specify voltage and frequency)450 = 450 WattDG = 30 Watt, TungstenTD1 = 120 VAC Time Delay 3TTD2 = 277 VAC Time Delay 3(Suggested lamp heads listedV = Voltmeter 2above. Refer to the Accessories Section for W = White Housingadditional lamp head choices.)CCL15016.0”(40.6 cm)TCL300, TCL4506.0”(15.2 cm)7.6”(19.3 cm)12.0”(30.5 cm)27.0”(12.7 cm)6.0”(15.2 cm)7.6”(19.3 cm)12.0”(30.5 cm)Notes:1) Some option combinations may impact UL list-ing. consult factory for specifics.2) Not available witj AD, ADAL, or ADTD options.3) 15 minute delay.元器件交易网Housing18 gauge steel housing with a tan epoxy powder coat finish.Knockouts provided for mounting up to three lamp heads.The suggested lamp head is the “D” Series round sealed beam Par 36 tungsten. To order lamp heads other than the suggested “D” head, refer to Chloride Accessories Section..Suggested SpecificationFurnish and install Chloride Systems emergency lighting unit model ________. The unit shall be constructed to meet Underwriter’s Laboratories, Inc. Standard #924and the National Electrical Code (NEC).INSTALLATION AND OPERATION -Unit shall be easily field connected to a 120 or 277 VAC, 60 hertz, unswitched power source. Installation must comply with the NEC as well as other applicable codes. Upon utility power failure or brownout, the unit shall automatically transfer to battery power and maintain the required illumina-tion level for a minimum period of 90 minutes. Upon restoration of utility power, the charger shall restore the battery to full charge within UL 924 requirements follow-ing a rated discharge of not more than 90 minutes.CHARGER -Product shall utilize a fully automatic, voltage regulated, two-rate current limited solid-state charger. The charging system shall maintain the battery at full capacity without the need for periodic exercising or equalization. The following features shall be standard: Low voltage disconnect (LVD), brownout protection and AC lockout.BATTERY -The battery shall be a low maintenance, free electrolyte, wet cell, lead calcium battery. The lead calcium battery shall provide trouble-free operation in temperatures up to 85°F (30°C).HOUSING -The unit housing shall be constructed of 18 gauge steel with a tan epoxy powder coat finish.Chloride SystemsISO 9001A2528C1063R49/02 IH272 West Stag Park Service Road •Burgaw NC 28425Telephone: (910) 259 1000 •Facsimile: (800) 258 Lamp Head Photometrics(For DL, suggested head for CCL)(For DK, suggested head for TCL)Vertical203050100Up 2010feet 010Down 20.2.1406070.31.5Horizontal203050100Left 2010feet 010Right 20.2.1406070.31.5203050100Up 2010feet 010Down 20Photometric No. 3406070801.3.2.1.5Horizontal203050100Left 3010feet 01020Right 301.3.2.120.540607080。
CCL学习心得
CCL学习⼼得CCL铜箔基板技术及发展趋势介绍主办单位：台湾电路板协会主讲⼈：李长元学习⼈员：李洲时间：2014-12-19本次课程主要从5个⽅⾯进⾏相关的讲解：1、铜箔基板定义、分类及运⽤；2、铜箔基板主要原料介绍；3、铜箔基板的制造流程及铜箔基板的技术介绍；4、铜箔基板的发展趋势与应⽤介绍。
⼀、铜箔基板定义、分类及运⽤铜箔基板根据树脂体系（酚醛树脂、环氧树脂、聚四氟⼄烯）以及补强材料（纸、玻纤布）⼤致分为11种，并且分别应⽤于不同领域。
其中FR-4铜箔基板市场占有量最⼤，约60%，主要应⽤于主基板、通讯板。
在铜箔基板的基板的发展过程中有2个时间与玻纤布有着直接的关系：1936年美国科宁玻璃公司与欧⽂.伊利诺玻璃公司成功开发“连续玻璃纤维拉丝⼯艺”及玻璃纤维⽣产⼯艺法，成为玻璃纤维丝⽣产的先驱者，开创⼀个新的材料产业；1939年电⼦级玻璃纤维问世，成为玻璃纤维布基板材料的重要增强材料；80年代初期，⽇本⽇东纺公司开创玻璃布加⼯开纤处理技术，提升树脂浸润性级CAF性能。
⼆、铜箔基板主要原料介绍此块重点讲到了玻纤布品质对后续⽣产的影响。
铜箔基板主要分4部分组成：铜箔、玻璃布、树脂体系、填料。
1、玻纤布当今玻纤布向更博更轻的⽅向发展，从最初的7629、7628⼴泛应⽤到现在1067、106、1037甚⾄1027、1017等玻布已初步进⾏应⽤，玻布约薄现在市场竞争⼒越⼤，利润也就越⾼，如基重为13g/m2的1017价格约为基重为104g/m2的2116玻布10倍。
玻布的轻薄化，代表着所⽤纱线的号数以及单纤维直径、单丝数量趋于减⼩，如1017玻布织造过程中使⽤的BC3000纱线由50根单纤维直径为4微⽶的单丝构成。
玻布表⾯处理分为：化学处理及物理处理。
化学处理：与硅烷偶联剂的结合，提⾼玻纤布与树脂介⾯的结合⼒。
物理处理：即开纤加⼯，提⾼树脂对玻布的浸透性及层压的加⼯习性；开纤布使玻布内纱线扁平，内部纤维松散，纱线之间的缝隙减⼩，后续专控过程中更加容易，不致于将孔打在玻纤纱之间的缝隙处；电⼦信号在玻纤纱与空隙中传播速度不⼀致。
PCB介电常数
1、我们常用的PCB介质是FR4材料的，相对空气的介电常数是4.2-4.7。
这个介电常数是会随温度变化的，在0-70度的温度范围内，其最大变化范围可以达到20%。
介电常数的变化会导致线路延时10%的变化，温度越高，延时越大。
介电常数还会随信号频率变化，频率越高介电常数越小。
100M以下可以用4.5计算板间电容以及延时。
2、一般的FR4材料的PCB板中内层信号的传输速度为180ps/inch(1inch=1000mil=2.54cm)。
表层一般要视情况而定，一般介于140与170之间。
3、实际的电容可以简单等效为L、R、C串联，电容有一个谐振点，在高频时(超过这个谐振点)会呈现感性，电容的容值和工艺不同则这个谐振点不同，而且不同厂家生产的也会有很大差异。
这个谐振点主要取决于等效串联电感。
现在的比如一个100nF的贴片电容等效串联电感大概在0.5nH左右，ESR(等效串联电阻)值为0.1欧，那么在24M左右时滤波效果最好，对交流阻抗为0.1欧。
而一个1nF的贴片电容等效电感也为0.5nH(不同容值差异不太大)，ESR为0.01欧，会在200M左右有最好的滤波效果。
为达好较好的滤波效果，我们使用不同容值的电容搭配组合。
但是，由于等效串联电感与电容的作用，会在24M与200M之间有一个谐振点，在这个谐振点上有最大阻抗，比单个电容的阻抗还要大。
这是我们不希望得到的结果。
（在24M 到200M这一段，小电容呈容性，大电容已经呈感性。
两个电容并联已经相当于LC并联。
两个电容的ESR值之和为这个LC回路的串阻。
LC并联的话如果串阻为0，那么在谐振点上会有一个无穷大的阻抗，在这个点上有最差的滤波效果。
这个串阻反倒会抑制这种并联谐振现象，从而降低LC谐振器在谐振点的阻抗）。
为减轻这个影响，可以酌情使用ESR大些的电容。
ESR相当于谐振网络里的串阻，可以降低Q值，从而使频率特性平坦一些。
增大ESR会使整体阻抗趋于一致。
高频基板发展（dkdf）
高频基板发展(dk df)高频基板材料之最新发展1、前言随着信息科学技术的飞速发展，具有高速信息处理功能之各种电子消费产品已成为人民日常生活中不可缺少的一部分，从而加快了无线通讯和宽频应用工业技术由传统的军用领域向民用的消费电子领域转移之速度，由于消费电子市场需求强劲，且不断提出更高的技术要求，如信息传递高速化、完整性及产品多功能化和微型化等，从而促进了高频应用技术之不断发展。
特别是覆铜箔基板材料技术，传统FR-4之DK和Df相对较高，即使通过改善线路设计也无法完全满足高频下的信号高速传递且信号完整之应用需求，因为高DK会使信号传递速率变慢，高Df会使信号部分转化为热能损耗在基板材料中，因而降低DK/Df已成为基板业者之追逐热点，各种降低DK/Df之新技术和新型基板产品也不断地涌现出来，同时不断地被PCB业者和终端厂商所接收和否定（某些应用领域的否定）。
以下就本人对业界高频基板材料技术之发展的理解作一简单的介绍，同时就我司的新型高频基板材料作简要之介绍与讨论。
2、介电常数（DK）和损耗因子（Df）2.1定义介电常数（ε，εr，DK，以下均用DK表示）的定义方式繁多，但常见定义为：含有电介质的电容器的电容C与相应真空电子容器的电容之比为该电介质的介电常数。
（电介质的电容电荷示意图如下图1）从介电常数的定义可知，如果电介质的极化程度越高，则其电荷Ｑ值越高，即DK越高，说明DK是衡量电介质极化程度的宏观物理量，表征电介质贮存电能能力的大小，从而也表征了阻碍信号传输能力的大小。
损耗因子（tanδ，Df，也叫介质损耗因素，介质损耗角正切，以下均用Df表示）一般可定义为：绝缘材料或电介质在交变电场中，由于介质电导和介质极化的滞后效应，使电介质内流过的电流相量和电压相量之间产生一定的相位差，即形成一定的相角，此相角的正切值即损耗因子Df，由介质电导和介质极化的滞后效应引起的能量损耗叫做介质损耗，也就是说，Df越高，介质电导和介质极化滞后效应越明显，电能损耗或信号损失越多，是电介质损耗电能能力的表征物理量，也是绝缘材料损失信号能力的表征物理量。
聚四氟乙烯覆铜板的制造技术及其发展趋势
聚四氟乙烯覆铜板的制造技术及其发展趋势江恩伟【摘要】介绍了PTFE覆铜板的制造技术，综述总结了其最新的技术发展趋势。
%This paper introduced the manufacture technology of PTFE copper clad laminate (CCL), and summarized the technology development trend.【期刊名称】《印制电路信息》【年(卷),期】2013(000)010【总页数】4页(P5-7,28)【关键词】聚四氟乙烯;覆铜板;高频【作者】江恩伟【作者单位】广东生益科技股份有限公司国家电子电路基材工程技术研究中心，广东东莞 523039【正文语种】中文【中图分类】TN411 前言聚四氟乙烯（PTFE）是四氟乙烯（TFE）的均聚物，其中聚合度（n值）大于1万，甚至到10万，故PTFE的分子量很大，一般都是几百万以上，再由于氟原子半径小，电负性极大，故分子结构中的碳主链几乎被两边的氟原子紧紧包覆，这些赋予了PTFE非常优异的绝缘性、介电特性、高耐热性、耐化学性及耐候性等等，使之可广泛地应用于各个领域中。
表1列出了PTFE的主要性能参数[1]。
上世纪五六十年代，随着PTFE可商品化的生产和通信技术的发展，美国的一些企业开始利用PTFE优异的介电特性来制作高频微波应用的覆铜板，时至今日，PTFE覆铜板仍然是通信领域不可缺少的材料之一，而且，PTFE覆铜板的制造技术在不断进步，品种也多样化，以满足日益发展的通信技术对材料的新需求。
根据市场上的PTFE覆铜板种类，可按其绝缘层的制造方法来划分两大类型（表2）。
由于PTFE的特殊物性，故PTFE覆铜板的制造方法与传统的FR-4有着很大的不同，从表2可看出，用于层压成覆铜板的绝缘层主要有浸渍玻纤布与填充料片材，明显地，这两种绝缘材料的制造工艺是不相同的。
表1 PTFE材料的主要特性项目试验方法及条件单位典型值物理密度 D792g/cm3 2.13～2.22性成型收缩 D570/24h cm/cm 0.02～0.05接触角° 110热性热导率C177 W/cm·K 0.25能线膨胀系数 D696/23-60℃ 10-6/℃ 100熔点℃ 327熔融粘度黏度 340～380℃ P 1011～1013机械拉伸强度D638/23℃ MP a 20～45性能延伸率 % 200～450压缩强度D695/1%,25℃ MPa 5～6硬度硬度计(shore) D50～D65静摩擦系数与钢对摩 0.02电性介电常数 D150/1MHz 2.1能介质损耗＜0.00002介电击穿强度 D149,3.2mm MV/m 1.9体积电阻 D257 Ω·cm ＞1018耐药品性优异耐气候性优异表2 PTFE覆铜板的结构类型类型结构组成 Dk范围代表商品ROGERS Arlon Taconic浸渍玻纤布型 PTFE/玻纤布 2.2～3.5 Ultralam2000系列 AD系列 TLA系列PTFE/陶瓷/玻纤布 3.0～10.2 RO3203 AD350 RF30 RO3206 AD450 RF35 RO3210 AD100 RF60A填充料片材型 PTFE/玻纤纱 2.15～2.33RT/duroidR5870 IsoClad917 RT/duroidR5880 IsoClad933 PTFE/陶瓷 2.94～10.2 RT/duroidR6002 CLTE RT/duroidR6010LM TC6002 PTFE覆铜板制造技术2.1 浸渍布生产工艺胶水主要成分是PTFE浓缩分散液，它是低粘度黏度的水分散液，其一般物性如表3[1]。
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ACCESSORIES
LMSHELF = Mounting Shelf 300-450W MXSHELF = Mounting Shelf 72-200W
Ordering Information
SERIES DC WATTAGE HEADS HEADS OPTIONS 1CCL = 6 Volt 6 Volt
6 Volt
3 = Three A = Ammeter 2
TCL = 12 Volt
75 = 75 Watts DY = 8 Watt, Tungsten 2 = Two ACF1 = 120 VAC Fuse 100 = 100 Watts DA = 18 Watt, Tungsten 1 = One
ACF2 = 277 VAC Fuse 150 = 150 Watts DL = 25 Watt, Tungsten ACP1 = 120 VAC Power Switch 225 = 225 Watts
DC = 30 Watt, Tungsten ACP2 = 277 VAC Power Switch AD = ACCU-TEST Self-Diagnostics 12 Volt (Includes standard voltmeter)12 Volt
ADAL = ACCU-TEST with Alarm
150 = 150 Watt DNY = 12 Watt, Tungsten ADTD = ACCU-TEST with Time Delay 3200 = 200 Watt DE = 28 Watt, Tungsten DCP = DC Power Switch
300 = 300 Watt DK = 25 Watt, Tungsten EX = Special Input Transformer (Specify voltage and frequency)450 = 450 Watt
DG = 30 Watt, Tungsten
TD1 = 120 VAC Time Delay 3TTD2 = 277 VAC Time Delay 3(Suggested lamp heads listed
V = Voltmeter 2
above. Refer to the Accessories Section for W = White Housing
additional lamp head choices.)
CCL
150
16.0”
(40.6 cm)
TCL300, TCL450
6.0”
(15.2 cm)
7.6”
(19.3 cm)
12.0”
(30.5 cm)
27.0”
(12.7 cm)
6.0”
(15.2 cm)
7.6”
(19.3 cm)
12.0”
(30.5 cm)
Notes:
1) Some option combinations may impact UL list-ing. consult factory for specifics.
2) Not available witj AD, ADAL, or ADTD options.3) 15 minute delay.
元器件交易网
Housing
18 gauge steel housing with a tan epoxy powder coat finish.
Knockouts provided for mounting up to three lamp heads.
The suggested lamp head is the “D” Series round sealed beam Par 36 tungsten. To order lamp heads other than the suggested “D” head, refer to Chloride Accessories Section..
Suggested Specification
Furnish and install Chloride Systems emergency lighting unit model ________. The unit shall be constructed to meet Underwriter’s Laboratories, Inc. Standard #924
and the National Electrical Code (NEC).
INSTALLATION AND OPERATION -Unit shall be easily field connected to a 120 or 277 VAC, 60 hertz, unswitched power source. Installation must comply with the NEC as well as other applicable codes. Upon utility power failure or brownout, the unit shall automatically transfer to battery power and maintain the required illumina-tion level for a minimum period of 90 minutes. Upon restoration of utility power, the charger shall restore the battery to full charge within UL 924 requirements follow-ing a rated discharge of not more than 90 minutes.
CHARGER -Product shall utilize a fully automatic, voltage regulated, two-rate current limited solid-state charger. The charging system shall maintain the battery at full capacity without the need for periodic exercising or equalization. The following features shall be standard: Low voltage disconnect (LVD), brownout protection and AC lockout.
BATTERY -The battery shall be a low maintenance, free electrolyte, wet cell, lead calcium battery. The lead calcium battery shall provide trouble-free operation in temperatures up to 85°F (30°C).
HOUSING -The unit housing shall be constructed of 18 gauge steel with a tan epoxy powder coat finish.
Chloride Systems
ISO
8C1063R49/02 IH
272 West Stag Park Service Road •Burgaw NC 28425Telephone: (910) 259 1000 •Facsimile: (800) 258
Lamp Head Photometrics
(For DL, suggested head for CCL)
(For DK, suggested head for TCL)
Vertical
203050100Up 20
10
feet 0
10
Down 20
.2
.1
406070
.3
1
.5
Horizontal
203050100Left 20
10
feet 0
10
Right 20
.2
.1
4060
70
.3
1
.5
203050100Up 20
10
feet 0
10
Down 20
Photometric No. 3
40607080
1
.3
.2
.1
.5
Horizontal
203050100Left 30
10
feet 0
10
20
Right 30
1
.3
.2
.1
20
.5
40607080。