关于驱动芯片功能创新技术方案研究

关于驱动芯片功能创新技术方案研究
摘要：面对芯片短缺给智能产业带来的影响，芯片功能创新步伐也在不断加快。

本文从电子元器件功能创新需求出发，并以2种驱动芯片为具体案例，给出功能创新的方案。

1 引言
随着电子元器件的要求不断提高，以及考虑到多种安全风险、质量与可靠性隐患及自主保障问题，提升自主创新能力迫在眉睫。

2芯片简介
本文对SN74LVC4245APWR、SN74LVC573ADB两种驱动芯片进行具体分析，并选用HRLVC4245M、HRALS573M两种芯片，从电气参数、外形封装、管脚定义、质量等级、环境使用能力等方面进行分析比较。

2.1 驱动芯片功能创新方案1
SN74LVC4245APWR是三态电平转换驱动器芯片，具有三态输出功能，实现双向的8位数据传输及电平转换功能，并可3.3V和5.0V信号的转换。

其具体电路见图1。

对表1中各项参数对比可知，SN74LVC4245APWR和HRLVC4245M电特性参数相同, HRLVC4245M工作温度范围大于原SN74LVC4245APWR器件，二者封装形式不同，不能直接实现拔插替换，需更改原电路原理及印制板封装。

2.2 驱动芯片功能创新方案2
SN74LVC573ADB是八路透明锁存器，具有三态输出功能，实现双向的8位数据传输及电平转换功能，并可3.3V和5.0V信号的转换。

其具体电路见图2。

对表2中各项参数对比可知，SN74LVC573ADB和HRALS573M电特性参数相同, HRLVC4245M工作温度范围大于原SN74LVC573ADB器件，二者封装形式不同，不能直接实现拔插替换，需更改原电路原理及印制板封装。

3结束语
HRLVC4245M、HRALS573M两种芯片与SN74LVC4245APWR、SN74LVC573ADB两种驱动芯片电性能一致，但工作温度优于SN74LVC4245APWR、SN74LVC573ADB两种芯片。