一种新的基于E-SIMOX衬底的PSOI高压器件

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ｆｒｅｎｔｔｏｉｅｆｃｏｍｄｏｈｅｂｏｔｍｎｔｒａｅ．ＴｈｎｎｃｄｆｅｄＡＥＩｎｅｃｄｆｅｌｅｅｈａｅｉｌｄｒｄｕｅｉｄＡＥｓｂｙｔｅａｃａｈｃｕｍｕｌｔｄａｅ
中图分类号：Ｎ３６Ｔ８文献标识码：Ａ文章编号：００３１（０Ｏ０ — ４３０１０ —８９２１）４０７ —５
ＡｏｅＮｖｌＰＳＯＩＨｉｈＶｏｔｇｖｃｓｄｏＳＭＯＸｕｔａｅｇｌａｅＤｅｉｅＢａｅｎＥ－ＩＳｂｓｒｔ
ＰＳＯＩｉｈａａｔｒｚｄｂｅｉｓｏｑｕｄｓａｇｏｅｒｔｏｓｃｒｃｅｉｅｙａｓｒｅｆｅｉｉｔｎｔｈｉｈｃｎｃｎｔａｉｎＮ一ｅｏｎｈｅｔｐａｄｉ — ｒｇｉｓｏｎｔｏｎｎｔｒａｅｆｄｅｅｔｉｒｅａｒｎｔｒａｅｉｖｅｓｏｏｌｓｒｓｔｎｒｅｆｃｓｏｉｌｃｒｃｂｕｉｄｌｙｅ．Ｉｅｆｃｎｒｉｎｈｅｅｕｌｉｇｆｏｍｅｔｃｌｅｅｔｉｉｌｒｖｒｉａｌｃｒｃｆｅｄａｅ
ｌａｅｎｔｅｓｃｎｇｏｆｔｅｇｏｃｔｄｉｈｐａｉｗｏｎｉｈｂｏｉｒｎｇＮ－ｅｉｎｓ，ａｎｔｔａｅｔｍｅ，ｉｄｕｅｌｃｒｓａｅｒｇｏｄａｈｅｓｍｉｎｃｄｅｅｔｏｎｒ
摘要：次提出了一种新的采用ＥＳＭ０Ｘ技术的界面电荷岛结构的ＰＯＩ压器件（Ｓ）首 —ＩＳ高ＮＩＯＩ。该结构在ＰＳＩ件介质层上界面注入形成一系列等距的高浓度Ｎ０器区。器件外加高压时，向电场所形成的反型电荷将被未纵耗尽Ｎ区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面，时在下界面积累感应电子。细研究ＮＩＳＩ作机理及同详Ｏ工Ｐ相关结构参数对Ｂ的影响，０３５，介质层、，顶层硅上仿真获得１８高耐压，常规结构提高５．％，Ｖ在．７ｕｍ２ｕｍ８Ｖ较４１其中附加场Ｅ和Ｅ分别达到１０Ｖ／ｔ和１．ｂｓ９￣ｍ３７Ｖ／ｔｍ。关键词：延一氧隔离；外注电荷岛；穿电压；面电荷；击界介质场增强
：
ａｄＴｅｈｏｏｙｏｉａ，Ｃｈｎｕ，６０５，ＣＨＮ）ｎｃｎｌｇＣｈｎｆｅｇｄ１０４
（ＣｌｅｅｏｍｍｕｉａｉｎＥｎｉｅｒｎｏｌｇＣｏｆｎｃｔｏｇｎｅｉｇ，ＣｈｎｄｕＵｎｖｒｉｎｏｍａｉｎＴｅｈｏｏｙ，Ｃｈｎｄｕ，６０２，ＣＮ）ｅｇｉｅｓｔｏＩｆｒｔｃｎｌｇｙｆｏｅｇ１２５Ｈ
ＷＵｊａＨＵｈｎｄｎＺＬｉｎ ’ ｕＳｅｇｏｇＨＡＮＧｏＬＩＺａｊＢｈｏｉ
（ＳｔｔｙＬａｏａｏｙｉｅ，ＵｎｖｒｉｆｅｔｏｉｉｎｅａｅＫｅｂｒｔｒＥｌｃｒｎｃｉｈｓａｄＩｔｇａｅｖｃｓｆｉｅｓｔｏＥｌｃｒｎｃＳｃｅｃｙ
￣ｏ－第期３￣４
２０２０年１月１
固体电子学研究与进展
ＲＳＡＲＨ＆ＰＯＲＳＦＳＥＥＥＣＲＧＥＳＯＳ
Ｖ０．ＯＮｏ４１３，．
Ｄｅｃ．，２０１０
一
种新的基于ＥＳＭＯＸ衬底的ＰＯＩ高压器件 ‘ —ＩＳ
吴丽娟胡盛东张李肇基波
（子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，都，１０４电成６０５）
（成都信息工程学院通信工程系，都，１２５成６０２）
２０— ０００９１— ９收稿，０９ｌ一７收改稿２０一１ｌ
Ａｂｔａｔｓｒｃ：ＡｏｅｎｖｌＮＩ（Ｎｃａｇｓａｄ）ｈｇｏｔｇｅｉｅｓｒｃｕｅｂｓｄｏＳＭＯＸｈｒｅｉｌｎｓｉｈｖｌａｅｄｖｃｔｕｔｒａｅｎＥ— Ｉ（ｉａｙｔｅＳｐｒｔｎｂＭｐａｔｔｏｆＯｘｇｎ）ｓｂｔａｅｉｐｏｏｅｎｔｉｐｐｒＮＩＥｐｔｘ —ｈｅａａｉｙＩｌｎａｉｎｏｙｅｏｕｓｒｔｓｒｐｓｄｉｈｓａｅ．
ｉｔｒａｅｃａｇｓｒａｈｔ９ｔａｄ１．ｔ，ｒｓｅｔｖｌｎｅｆｃｈｒｅｅｃｏ１０Ｖ／ｍｎ３７Ｖ／ｍａａｅｐｃｉｅｙ，ｗｉｈｗｈｃ８ＢＶｆＮＩｔｉｈ１８Ｖｏ