形成欧姆接触的方法

形成欧姆接触的方法：
形成欧姆接触的方法有三种。

选择合适电阻,使金属与半导体之间不形成势垒而形成表面积累层。

但由于表面态存在,是半导体表面总有一个耗尽层,且不受金属的影响,所以实质上选用的是低势垒欧姆接触。

选取的原则:从理论上讲,金属的功函数必须小于n型半导体的功函数,或大于p型半导体的功函数。

半导体表面喷砂或粗磨,产生大量的缺陷,形成复合中心,是表面耗尽区的复合成为控制电流的主要机构,接触电阻大大降低,近似称为欧姆接触。

在靠近金属的半导体表面薄层用一定工艺方法形成高掺杂层,使半导体与金属接触时形成的表面耗尽层很薄,以至发生隧道效应。

具有较小的接触电阻,获得接近理想的欧姆电阻。