铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法[发明专利]

专利名称：铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法
专利类型：发明专利
发明人：夏长泰,赛青林,司继良,李晓清,杨卫桥,狄聚青,许鹏,王璐璐
申请号：CN201210014789.7
申请日：20120118
公开号：CN102560665A
公开日：
20120711
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。

采用的垂直温梯法，主要利用加热体的各处发热功率分布不同，制造一个合理的垂直温度梯度环境，经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化，熔体静止在该温场中，通过控制速度的分段降温过程，使熔体从底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体。

本发明方法相对于一般的坩埚下降等定向凝固的方法，由于无机械可动部分，解决了界面不稳可能带来的问题，同时封闭生长系统又保证了掺杂相对的均匀性。

该方法生长的这种共晶材料质量稳定，具有良好的光转化性能、光混合性和耐热性，在大功率白光LED等多种发光器件上具有良好应用潜力。

申请人：中国科学院上海光学精密机械研究所
地址：201800 上海市嘉定区800-211邮政信箱
国籍：CN
代理机构：上海新天专利代理有限公司
代理人：张泽纯
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