铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法[发明专利]

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专利名称:铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法
专利类型:发明专利
发明人:夏长泰,赛青林,司继良,李晓清,杨卫桥,狄聚青,许鹏,王璐璐
申请号:CN201210014789.7
申请日:20120118
公开号:CN102560665A
公开日:
20120711
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。

采用的垂直温梯法,主要利用加热体的各处发热功率分布不同,制造一个合理的垂直温度梯度环境,经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化,熔体静止在该温场中,通过控制速度的分段降温过程,使熔体从底部结晶,固液界面自下而上移动生长晶体。

本发明方法相对于一般的坩埚下降等定向凝固的方法,由于无机械可动部分,解决了界面不稳可能带来的问题,同时封闭生长系统又保证了掺杂相对的均匀性。

该方法生长的这种共晶材料质量稳定,具有良好的光转化性能、光混合性和耐热性,在大功率白光LED等多种发光器件上具有良好应用潜力。

申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
地址:201800 上海市嘉定区800-211邮政信箱
国籍:CN
代理机构:上海新天专利代理有限公司
代理人:张泽纯
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