常用二极管参数
二极管的主要参数
二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。
结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
2.常用二极管（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
2.常用二极管（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
（3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。
4）稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
常用二极管三极管参数大全
常用二极管三极管参数大全一、常用二极管参数1.直流正向电压降（Vf）：指二极管正向导通时的电压降，也称为前向压降，一般常用的正向电压降为0.6V或0.7V。
2. 最大正向电流（Ifmax）：表示二极管正向工作时的最大电流，超过该电流可能会损坏二极管。
3. 最大反向电压（Vrmax）：指二极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致二极管击穿。
4. 最大反向电流（Irmax）：表示二极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏二极管。
5. 最大耗散功率（Pdmax）：表示二极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致二极管过热损坏。
6.负温度系数（TK）：指二极管在正向工作时，正向电流随温度升高而减小的程度，一般单位为%/℃。
7. 正向电导（Gon）：指二极管正向工作时的导通电导，一般单位为S（西门子）或mA/V。
8.反向电容（Cj）：指二极管反向偏置条件下的电容，一般单位为pF（皮法）。
9. 反向延迟时间（trr）：指二极管正向导通结束到反向电流消失的时间。
10.导通角（θF）：指二极管在正向导通状态下的导电角，即Ⅲ象限导通角。
二、常用三极管参数1. 最大漏极源极电压（Vceo）：表示三极管漏极与源极之间的最大电压，超过该电压可能会导致击穿。
2. 最大集电极电流（Icmax）：表示三极管集电极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
3. 最大发射极电流（Iemax）：表示三极管发射极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
4. 最大功率（Pmax）：表示三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致三极管过热损坏。
5. 最大反向电压（Vrmax）：指三极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致击穿。
6. 最大反向电流（Irmax）：表示三极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏三极管。
7. 输入电容（Cin）：指三极管输入端的电容，一般单位为pF（皮法）。
8. 输出电容（Cout）：指三极管输出端的电容，一般单位为pF（皮法）。
二极管的主要参数
二极管的主要参数二极管是一种主要由两个电极（即正极和负极）组成的电子器件。
它是半导体器件的一种，具有一些重要的参数，下面将详细介绍这些参数。
1.额定峰值反向电压（VR）：指二极管所能承受的最大反向电压。
当反向电压高于额定峰值时，会导致二极管击穿，失去正常功能。
2.额定直流正向电流（IF）：指在正向电压下，二极管所能承受的最大电流。
当超过额定直流正向电流时，二极管可能会过载损坏。
3.最大导通电流（IFM）：指二极管在导通状态下所能承受的最大电流。
超过该电流，二极管可能会由于过热而损坏。
4.静态电阻（RS）：指二极管正向导通时的电阻。
该参数影响二极管的电压降和功耗。
5.正向压降（VF）：指二极管正向导通时的电压降。
不同类型的二极管具有不同的正向压降，这个参数会影响电路的设计和功耗。
6. 动态电阻（rd）：指在二极管正向导通时，电压变化与电流变化之比。
动态电阻决定了二极管的响应速度和频率特性。
7.反向漏电流（IR）：指二极管在反向电压下的漏电流。
该参数影响二极管的反向恢复速度和反向漏电功耗。
8. 反向恢复时间（trr）：指二极管由正向导通到反向截止状态的时间。
这个时间决定了二极管在高频应用中的性能。
9. 反向恢复电荷（Qrr）：指正向导通状态下，当二极管截止时，由于载流子的复合和电荷移动而产生的额外电荷。
这个参数决定了二极管的反向恢复能力。
10. 热阻（Rth）：指二极管在正常工作温度下的散热能力。
较低的热阻可以帮助降低二极管的温度，提高其可靠性和寿命。
除了以上提到的参数，还有一些其他参数也很重要，例如温度系数、漂移电流、噪声系数等。
这些参数在不同应用场合下扮演着不同的角色，并且通过适当的选择和优化可以使二极管在电路中发挥出最佳的性能。
总结起来，二极管的主要参数可以分为电流参数、电压参数、速度参数和热参数等几个方面。
在实际应用中，选择合适的二极管必须综合考虑这些参数，并与具体的电路需求相匹配，以确保电路的稳定和可靠性。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种1.阈值电压（VT）：变容二极管的工作电压范围，一般以伏特（V）为单位。
2.最大顶峰电流（IPK）：变容二极管能够承受的最大电流峰值，通常以安培（A）为单位。
3.最大连续电流（IO）：变容二极管能够持续承受的最大电流值，通常以安培（A）为单位。
4.最大反向电流（IR）：在反向偏置时，变容二极管所能承受的最大反向电流值，通常以安培（A）为单位。
5. 回复时间（TRR）：变容二极管从正向偏置到反向偏置的时间延迟，通常以纳秒（ns）为单位。
6.反向导电性（RR）：变容二极管在反向偏置时的导电能力，通常以欧姆（Ω）为单位。
7.串联电阻（RS）：变容二极管正向电压条件下的串联电阻，通常以欧姆（Ω）为单位。
8.导通电压（VF）：变容二极管正向偏置时的导通电压，通常以伏特（V）为单位。
9.导通电流（IF）：变容二极管正向偏置时的导通电流，通常以安培（A）为单位。
10.最大反向耐压（VR）：变容二极管能够承受的最大反向电压，通常以伏特（V）为单位。
11.最大耗散功率（PD）：变容二极管能够耗散的最大功率，通常以瓦特（W）为单位。
12.最大峰值倒换电流（IFSM）：变容二极管在瞬态工作条件下能够承受的最大倒换电流，通常以安培（A）为单位。
13. 最大工作温度（TJ max）：变容二极管能够工作的最高温度，通常以摄氏度（°C）为单位。
14. 最小存储温度（TSTG min）：变容二极管能够存储的最低温度，通常以摄氏度（°C）为单位。
15.包装类型：变容二极管的封装形式，如导线封装、表面封装、贴片封装等。
16. 尺寸：变容二极管的尺寸，通常以毫米（mm）为单位。
17.重量：变容二极管的重量，通常以克（g）为单位。
18.可靠性：变容二极管的可靠性参数，如寿命、失效率等。
以上是常见的变容二极管参数，不同型号的变容二极管可能具有不同的参数组合。
根据具体的应用需求，选择适合的变容二极管型号进行设计和应用。
二极管的参数解释
二极管的参数解释二极管是一种最简单的电子器件，也是电子设备中最常见的元件之一、它有着广泛的应用领域，例如整流电路、电源供应、信号调理和通信等。
二极管具有许多参数，这些参数描述了它的特性和性能。
下面是对一些常见二极管参数的解释。
1. 额定电压（Rated Voltage）：二极管的最大可承受反向电压。
如果反向电压超过该值，二极管可能会击穿而失去正常工作。
2. 碳化硅二极管（Silicon Carbide Diode）：一种高温、高功率的二极管。
相对于硅二极管，碳化硅二极管具有更好的工作温度范围和更低的功耗。
3. 额定电流（Rated Forward Current）：二极管在正向通态下能够持续通过的最大电流。
超过额定电流可能会导致二极管过热损坏。
4. 热阻（Thermal Resistance）：二极管元件的热阻值。
它描述了二极管在工作时产生的热量与周围环境之间的热传导情况。
5. 频率响应（Frequency Response）：二极管元件对输入信号频率的响应能力。
高频响应较好的二极管通常用于高频应用，如射频放大器和调制解调器等。
6. 定向性（Directionality）：二极管是一种有向性元件，只能在一个方向上导电。
当电压施加在有向性的极性上时，二极管会产生电流；当电压施加在反向极性上时，二极管则会阻断电流。
7. 反向电流（Reverse Current）：施加在二极管反向电压下产生的漏电流。
正常情况下，二极管的反向电流非常小，但高质量的二极管具有更低的反向电流。
8. 饱和压降（Saturation Voltage）：二极管在正向通态下的压降。
不同类型的二极管具有不同的饱和压降值，通常以毫伏（mV）为单位表示。
9. 开启压降（Forward Voltage Drop）：二极管在正向通态下的电压降。
不同类型和材料的二极管具有不同的开启压降值，通常以伏特（V）为单位表示。
10. 功率损耗（Power Dissipation）：二极管在工作状态下所消耗的功率。
很全的二极管参数
很全的二极管参数二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。
在设计和选择二极管时，了解其参数是非常重要的。
下面将详细介绍二极管的参数。
1. 额定最大电流（I(max)）：该参数表示二极管能够承受的最大电流，超过这个数值可能会导致二极管烧毁。
通常以毫安（mA）为单位进行表示。
2.反向工作电压（V(RM)）：这是二极管能够承受的最大反向电压。
当电压超过这个值时，二极管会处于击穿状态。
3.正向导通电压（V(F)）：这是二极管开始正向导通所需要的电压。
当正向电压超过这个值时，电流开始通过二极管。
4.正向导通电流（I(F)）：这是当二极管处于正向导通状态时，通过二极管的电流。
通常以毫安为单位进行表示。
5.反向漏电流（I(R)）：即二极管在反向偏置时的漏电流。
正常情况下，漏电流应该非常小。
6.反向恢复时间（t(R)）：当二极管从正向导通状态切换到反向截止状态时，需要一定的时间。
这个时间称为反向恢复时间。
7. 切换速度（Switching speed）：指的是二极管由正向导通到反向截止，或者从反向截止到正向导通的速度。
通常以纳秒（ns）为单位进行表示。
8. 容量（Capacitance）：二极管的容量由其pn结的结电容和扩散电容组成。
容量决定了二极管在高频电路中的性能。
通常以皮法（pF）为单位进行表示。
9. 功耗（Power Dissipation）：指的是二极管在正向导通时产生的热量。
能够承受的最大功耗由材料和尺寸决定。
10. 热阻（Thermal Resistance）：反映了二极管散热的效果。
较小的热阻可以有效地将热量传导到周围环境。
11. 温度系数（Temperature Coefficient）：指的是二极管电特性随温度变化的程度。
温度系数的大小直接影响到二极管的稳定性和可靠性。
12. 光敏二极管参数（Photo Diode）：光敏二极管可以将光能转化为电能，不同类型的光敏二极管会有不同的参数，如响应频率、响应曲线等。
常用二极管型号及参数大全
常用二极管型号及参数大全
二极管是一种最常用的电子器件之一，它具有方便、可靠、低成本等优点，在电子领域被广泛应用。
常用的二极管型号和参数有很多，下面我将介绍一些常见的二极管型号及其参数。
1.PN结二极管：
型号:1N4148
参数:正向电压降：0.7V，反向最大电压：75V，最大连续电流：
300mA
2.快恢复二极管：
型号:1N4937
参数:正向电压降：1.2V，反向最大电压：600V，最大连续电流：1A 3.高速二极管：
型号:BAT54
参数:正向电压降：0.55V，反向最大电压：30V，最大连续电流：350mA
4.整流二极管：
型号:1N4007
参数:正向电压降：1V，反向最大电压：1000V，最大连续电流：1A 5.功率二极管：
型号:1N5408
参数:正向电压降：1.2V，反向最大电压：1000V，最大连续电流：3A 6.双向导通二极管：
型号:BAT54S
参数:正向电压降：0.55V，反向最大电压：30V，最大连续电流：650mA
7. Zenner二极管：
型号:1N4742A
参数:正向电压降：1.2V，反向最大电压：12V，最大电流：1W
8.稳压二极管：
型号:1N5231B
参数:正向电压降：0.7V，反向最大电压：4.7V，最大连续电流：0.5W
9.光电耦合二极管：
型号:PC817
参数:正向电压降：1.2V，反向最大电压：80V，最大连续电流：50mA 10.电容二极管：
型号:BB001
参数:正向电压降：1.2V，反向最大电压：6V，最大连续电流：50mA。
常用二极管及参数一览表
常用二极管及参数一览表1. 简介二极管是一种基本电子元件，常用于电路中的整流和信号处理。
本文档将列出一些常见的二极管及其参数。
2. 常见二极管及参数2.1 硅二极管（Si Diode）- 正向电压降（VF）: 0.6V - 0.7V- 最大反向电压（VRM）: 50V - 1000V- 最大连续电流（IFM）: 0.1A - 10A2.2 锗二极管（Ge Diode）- 正向电压降（VF）: 0.2V - 0.3V- 最大反向电压（VRM）: 20V - 100V- 最大连续电流（IFM）: 0.1A - 3A2.3 高速二极管（Fast Diode）- 正向电压降（VF）: 0.4V - 0.6V- 最大反向电压（VRM）: 50V - 1000V - 最大连续电流（IFM）: 0.1A - 20A- 开关速度快，适用于高频应用2.4 肖特基二极管（Schottky Diode）- 正向电压降（VF）: 0.15V - 0.45V- 最大反向电压（VRM）: 20V - 200V - 最大连续电流（IFM）: 0.1A - 10A- 具有快速开关速度和低正向压降2.5 功率二极管（Power Diode）- 正向电压降（VF）: 0.5V - 1.0V- 最大反向电压（VRM）: 100V - 2000V - 最大连续电流（IFM）: 1A - 100A- 适用于高功率应用3. 注意事项- 在使用二极管时，请根据具体需求选择合适的型号和参数。
- 注意二极管的极性，确保正负极正确连接。
- 注意二极管的最大电流和电压限制，避免超出其额定范围。
以上是一份常用二极管及参数的一览表，希望对你有所帮助！。
常见二极管参数大全
常见二极管参数大全1.电源电压（Vf）：二极管的正向电压，即正向电流通过时的压降。
通常情况下，二极管的Vf在0.6V到1.0V之间。
2.额定电流（If）：二极管正向电流的最大允许值。
超过额定电流的电流将导致二极管损坏。
3.额定反向电流（Ir）：二极管的反向电流的最大允许值。
超过额定反向电流的电流会导致二极管被击穿或损坏。
4. 反向击穿电压（Vbr）：二极管的最大反向电压，即当二极管处于反向电压时，电流达到可感知的水平。
超过反向击穿电压的电压将导致二极管损坏。
5. 短路电流（Isc）：当二极管处于短路状态时，通过二极管的最大电流。
6. 最大功耗（Pmax）：二极管在正向电流和反向电压同时作用下的最大功耗。
7.正向电导（Gf）：即二极管的导通状态下的电导。
正向电导越高，二极管的导通性能越好。
8.反向电阻（Rr）：即二极管的反向电阻。
反向电阻越大，二极管的反向封锁能力越好。
9.电容（Cj）：即二极管的结电容。
电容越大，二极管的高频特性越好。
10. 响应时间（tr，tf）：二极管实现导通或封锁时的时间。
响应时间越短，二极管的开关速度越快。
11.温度系数：即二极管的温度特性。
不同温度下，二极管的参数会发生变化，温度系数表示了这种变化的速度。
12.稳压系数：稳压二极管的额定电压与温度变化之间的关系。
稳压系数表示了二极管在不同温度下的稳定性。
13.工作温度范围：二极管能正常工作的温度范围。
超出工作温度范围的温度会导致二极管的参数发生变化或性能下降。
14.封装类型：即二极管的外部封装形式。
常见的二极管封装类型有TO-92、SOT-23、SMD等。
15.制造商和型号：不同制造商生产的二极管可能有不同的参数和性能，型号可以用来标识具体的二极管型号。
二极管的主要参数
二极管的主要参数
1．反向饱和漏电流IR
指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF
指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF 值可达1000A。
3. 最大平均整流电流IO
在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流IFSM
允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM
即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压VR
上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7．最高工作频率fM
由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
二极管的主要参数
二极管的主要参数一、导言：二极管（Diode）是一种最简单的半导体器件，具有只允许电流在一个特定方向流动的特性。
由于其简单的结构和广泛的应用，掌握二极管的主要参数对于电子工程师和电子爱好者来说是非常重要的。
本文将对二极管的主要参数进行详细的介绍，包括正向导通压降、反向击穿电压、最大正向电流、最大反向电流、反向恢复时间以及温度特性等。
二、二极管的主要参数：1. 正向导通压降（Forward Voltage Drop）：二极管在正向导通时的电压降，一般用VF表示，单位为伏特（V）。
正向导通压降是由于电子和空穴在P-N结中的扩散和复合所引起的，正常情况下，硅二极管的正向导通压降约为0.6V，而锗二极管的正向导通压降约为0.2V。
正向导通压降的大小与电流的大小有关，一般来说，随着电流的增大，正向导通压降会略微下降。
2. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）：二极管在反向电压超过一定值时，P-N结中的耐压能力不足，发生击穿现象。
反向击穿电压一般用VR表示，单位为伏特（V）。
击穿电压的大小与二极管的材料和结构有关，不同类型的二极管击穿电压有所不同。
例如，普通的硅二极管的击穿电压通常在50-100V左右。
当二极管的反向电压超过击穿电压时，电流会大幅度增加，这可能会损坏二极管。
3. 最大正向电流（Maximum Forward Current）：二极管允许通过的最大正向电流，一般用IFM表示，单位为安培（A）。
正常情况下，二极管的最大正向电流由材料和结构决定，一般在几十毫安到几安之间。
超过最大正向电流时，二极管可能会过热损坏。
4. 最大反向电流（Maximum Reverse Current）：二极管在反向电压下允许通过的最大反向电流，一般用IRM表示，单位为安培（A）。
反向电流是由于P-N结中存在少量的载流子而引起的，一般来说，反向电流很小，可以忽略不计。
超过最大反向电流时，二极管可能会损坏。
二极管的主要参数
二极管的主要参数二极管是一种电子器件，用来控制电流的方向，并能实现整流和检波等功能。
它有许多重要的参数，下面将详细介绍主要参数。
1.电流电压特性：二极管的电流电压特性是其最基本的参数之一、正向电压时，二极管导通，流过的电流与电压之间的关系遵循指数规律，即指数型电压-电流特性；反向电压时，二极管截止，此时通过二极管的电流非常小。
2.最大反向电压（VRRM）：最大反向电压是指在截止状态下允许施加在二极管两极之间的最大反向电压。
超过最大反向电压，会导致二极管击穿烧坏。
3.最大正向电流（IF）：最大正向电流是指在导通状态下允许通过二极管的最大电流。
4.峰值逆向电压（PRV）：峰值逆向电压是指在震荡或脉冲工作条件下，二极管能够承受的最大峰值逆向电压。
5.导通压降（VF）：导通电压是指在正向电压下，二极管的电压降。
6. 动态电阻（rs）：动态电阻是指在正向电压下，二极管的电压和电流之间的关系，即二极管的微分电阻。
动态电阻越小，表示二极管的指数特性越好。
7.开关时间（tON，tOFF）：开关时间是指二极管从导通到截止或从截止到导通的时间。
较短的开关时间有助于提高开关速度和工作频率。
8. 瞬态响应时间（trr）：瞬态响应时间是指二极管从导通状态到截止状态的转换过程中的响应时间。
瞬态响应时间越短，表示二极管响应快，适用于高频或高速开关应用。
9.热阻（θj-c）：热阻是指从二极管结到环境之间的热阻，表示二极管在工作过程中产生的热量与环境散热之间的关系。
较小的热阻可以提高二极管的工作稳定性。
10. 最大工作温度（Tj max）：最大工作温度是指二极管能够工作的最高温度。
超过最大工作温度，会导致二极管损坏或工作不稳定。
以上是二极管的主要参数，不同类型和用途的二极管可能还有其他特定参数，如二极管的截止电流、串扰等。
不同参数的选择和匹配可以根据具体的应用需求来进行。
常用稳压二极管型号及技术参数
常用稳压二极管型号及技术参数
常用的稳压二极管型号及技术参数，主要有以下几类：
1.常见的稳压二极管型号
-1N4148:此型号是最常见的稳压二极管，其特点是小尺寸、高反应速度和低反向电流。
其最大正向工作电流为300mA，最大反向工作电压为75V。
-1N4007:此型号的稳压二极管主要用于大功率应用。
其最大正向工作电流为1A，最大反向工作电压为1000V。
2.低压稳压二极管
-TL431:这是一种常用的三端可编程稳压二极管。
其最大反向工作电流为100mA，最大反向工作电压为7V，输出电压可在2.5V至36V范围内可调。
-LM317:这是一种常用的三端可调稳压二极管，可以提供高精度的稳定电压输出。
其输出电压范围可调整在1.25V至37V之间。
3.高压稳压二极管
- Zener Diode: 这是一类常用的稳压二极管，采用倒向工作方式，并且具有高电流透过能力和低串级电阻。
常见的型号如9.1V、12V、15V 等，用于提供稳定的输出电压。
4.功率稳压二极管
-TL783:这是一种常用的高功率可调稳压二极管，适用于工业领域。
其最大正向工作电流为700mA，最大反向工作电压为125V，输出电压可调整在1.24V至125V之间。
-LT1083:这是一种高功率三端可调稳压二极管。
其最大正向工作电流为7.5A，最大反向工作电压为125V，输出电压可调整在1.25V至125V之间。
以上只是常见的几种稳压二极管型号及其技术参数，还有许多其他型号和规格可供选择，根据实际应用需求选择合适的型号和技术参数。
二极管的主要参数
4、电压温度系数：温度每升高1℃引起的稳定电压 变化Байду номын сангаас百分比。
模拟电子技术
5、最高工作频率fM：二极管工作的上限频率，超过 此值，PN结结电容的影响不能忽略，二极管的单向导 特性变差。
1.2常用稳压管参数
1、稳定电流：稳压管产生稳压作用时通过的电流值， 低于该电流值时稳压效果变差，高于该电流时，稳压 效果更好，但不能超过额定功耗。
2、稳定电压：稳压管通过额定电流时两端的电压值。 生产厂家给出的是稳压范围，例如9.3～10.6V。
模拟电子技术
1.1常用整流二极管参数 1、最大整流电流IF：二极管长期工作的情况下允许通 过的最大正向平均电流。
2、反向击穿电压UBR：二极管所能承受的最高反向 电压，超过该电压，二极管被击穿。
3、最高反向工作电压UR：二极管工作时允许施加的 最大反向电压，一般是反向击穿电压的一半或2/3。
4、反向电流IR：是二极管施加反向电压而未击穿情 况下流过的反向电流。锗管一般为几十微安大小，硅 管1微安以下。
电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印
电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印二极管是一种最简单的电子器件，广泛应用于电子制作中。
在电子制作中，我们经常需要了解二极管的主要参数及其对应的封装丝印，以便正确选取和使用二极管。
1.二极管的主要参数：(1)最大连续反向电压（VRM）：指二极管能够承受的最大可靠反向电压。
一般用V表示，单位为伏特（V）。
(2)最大平均整流电流（IOAV）：指二极管可持续工作的最大平均整流电流。
一般用mA表示。
(3)最大间歇工作电流（IO）：指二极管可承受的最大间歇工作电流。
一般用mA表示。
(4)最大耗散功率（PD）：指二极管能够承受的最大耗散功率。
一般用瓦特（W）表示。
(5)最大导通电流（IFAV）：指二极管可承受的最大可连续导通电流。
一般用A表示。
(6)阻断电流（IR）：指二极管在阻断状态下的最大可靠反向电流。
一般用μA表示。
(7)正向压降（VF）：指二极管在正向导通时的电压降。
一般用伏特（V）表示。
(8)峰值逆向重复电压（VRRM）：指二极管可承受的最大逆向峰值工作电压。
一般用V表示。
2.二极管的封装丝印：二极管的封装丝印通常包含以下信息：(1)品牌商标：封装丝印上通常会有二极管的品牌商标，用以表示制造商或品牌。
(2)封装型号：封装丝印上会标注二极管的封装型号，用以表示二极管的封装形式。
(3)极性标记：封装丝印上会标注二极管的极性，一般用箭头的方式表示，指示电流流向。
(4)序列号：封装丝印上会有二极管的序列号，用以标识特定的二极管。
(5)批号：封装丝印上会标注二极管的批号，用以标识同一批次生产的二极管。
(6)日期代码：封装丝印上会标注二极管的生产日期代码，用以追踪和识别产品的生产时间。
二极管选型及参数大全
二极管选型及参数大全一、二极管的基本概念和参数二极管是一种特殊的电子元件，也是电子电路中最常用的元件之一、它是由一个p区和一个n区组成，具有单向导电性。
二极管具有一些基本参数，如正向电压降、反向电压能承受能力、反向饱和电流等。
1. 正向电压降（Forward Voltage Drop，VF）：二极管在正向导通时的电压降。
不同类型和材料的二极管具有不同的正向电压降，一般在0.3V到0.7V之间。
2. 反向电压能力（Reverse Voltage Capability，VR）：二极管可以承受的最大反向电压。
超过该电压，二极管会被击穿，导致损坏。
反向电压能力常用伏特（V）表示。
3. 反向饱和电流（Reverse Saturation Current，IR）：指在反向偏置下，通过二极管的电流大小。
该电流通常很小，以毫安（mA）或微安（μA）为单位表示。
4. 正向压降温升系数（Temperature Coefficient of Forward Voltage Drop，TCVF）：当二极管被加热时，正向电压降会发生变化，该变化与温度的变化程度有关。
一般以mV/℃表示。
5. 反漏电流（Reverse Leakage Current，IRL）：二极管在反向偏置下的微小电流。
该电流通常很小，以毫安或微安为单位表示。
6. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage，VBR）：二极管在反向偏置时，超过该电压会使二极管发生击穿现象。
反向击穿电压以伏特为单位表示。
7. 速度参数（Speed Parameters）：指二极管的响应速度，主要包括正向恢复时间、反向恢复时间、正向恢复过程中的电压峰值等。
二、常见二极管类型和参数根据不同的用途和工作要求，二极管可以分为多种类型。
以下是常见的几种二极管类型及其参数：1. 整流二极管（Rectifier Diode）：整流二极管一般用于将交流电转换为直流电的电路中，具有较高的反向电压能力和正向电流承受能力。
常用整流二极管参数
常用整流二极管参数1.最大正向电压（VRRM）：整流二极管的最大正向电压指的是在正向工作时，二极管能够承受的最大电压。
这个参数通常以伏特（V）为单位来表示。
2.最大正向电流（IF）：整流二极管的最大正向电流指的是在正向工作时，二极管能够承受的最大电流。
这个参数通常以安培（A）为单位来表示。
3.最大反向电压（VR）：整流二极管的最大反向电压指的是在反向工作时，二极管能够承受的最大电压。
这个参数通常以伏特（V）为单位来表示。
4.最大反向电流（IR）：整流二极管的最大反向电流指的是在反向工作时，二极管能够承受的最大电流。
这个参数通常以安培（A）为单位来表示。
5.承受功率（PR）：整流二极管的承受功率指的是在一定的工作条件下，二极管能够承受的最大功率。
这个参数通常以瓦特（W）为单位来表示。
6.负载能力：整流二极管的负载能力指的是在一定的工作条件下，二极管能够承受的最大负载。
这个参数通常以欧姆（Ω）为单位来表示。
7.正向电压降（VF）：整流二极管在正向工作时，电流通过时会产生一定的电压降，这个电压降被称为正向电压降。
这个参数通常以伏特（V）为单位来表示。
8.正向电流（IFM）：整流二极管在正向工作时，能够承受的最大正向电流。
这个参数通常以安培（A）为单位来表示。
9.动态电阻（RD）：整流二极管在正向工作时，电流和电压之间的变化关系可以通过动态电阻来表示。
这个参数通常以欧姆（Ω）为单位来表示。
10. 反向恢复时间（Trr）：整流二极管在从正向工作状态切换到反向工作状态时，电流从正向工作到反向工作之间所需的时间。
这个参数通常以纳秒（ns）为单位来表示。
以上是常见的整流二极管参数，不同类型的整流二极管可能会有不同的参数范围和性能情况。
在选择和使用整流二极管时，需要根据具体的应用需求和工作条件来选择合适的整流二极管。
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常用二极管参数2008-10-22 11:4805Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V, Pzm=500mW,05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V, Pzm=500mW,05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V, Pzm=500mW,05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V, Pzm=500mW,05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V, Pzm=500mW,1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=50A)1N4002 硅整流二极管 100V, 1A,1N4003 硅整流二极管 200V, 1A,1N4004 硅整流二极管 400V, 1A,1N4005 硅整流二极管 600V, 1A,1N4006 硅整流二极管 800V, 1A,1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A,1N4148 二极管 75V, 4PF, Ir=25nA, Vf=1V,1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA, Vf=1.4V, Ifs=50A) 1N5392 硅整流二极管 100V, 1.5A,1N5393 硅整流二极管 200V, 1.5A,1N5394 硅整流二极管 300V, 1.5A,1N5395 硅整流二极管 400V, 1.5A,1N5396 硅整流二极管 500V, 1.5A,1N5397 硅整流二极管 600V, 1.5A,1N5398 硅整流二极管 800V, 1.5A,1N5399 硅整流二极管 1000V, 1.5A,1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=150A)1N5401 硅整流二极管 100V, 3A,1N5402 硅整流二极管 200V, 3A,1N5403 硅整流二极管 300V, 3A,1N5404 硅整流二极管 400V, 3A,1N5405 硅整流二极管 500V, 3A,1N5406 硅整流二极管 600V, 3A,1N5407 硅整流二极管 800V, 3A,1N5408 硅整流二极管 1000V, 3A,1S1553 硅开关二极管 70V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,1S1554 硅开关二极管 55V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,1S1555 硅开关二极管 35V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,1S2076 硅开关二极管 35V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF,1S2076A 硅开关二极管 70V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 60V, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF,1S2471 硅开关二极管80V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF,1S2471B 硅开关二极管 90V, 150mA, 250mW, 3nS, 3PF, 450ma, 1S2471V 硅开关二极管 90V, 130mA, 300mW, 4nS, 2PF, 400ma, 1S2472 硅开关二极管50V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF,1S2473 硅开关二极管35V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤3PF,2AN1 二极管 5A, f=100KHz2CK100 硅开关二极管 40V, 150mA, 300mW, 4nS, 3PF, 450ma, 2CK101 硅开关二极管 70V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 2CK102 硅开关二极管 35V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 2CK103 硅开关二极管 20V, 100mA, 2PF, 100ma,2CK104 硅开关二极管 35V, 100mA, 10nS, 2PF, 225ma,2CK105 硅开关二极管 35V, 100mA, 4nS, 2PF, 225ma,2CK106 硅开关二极管 75V, 100mA, 4nS, 2PF, 100ma,2CK107 硅开关二极管 90V, 130mA, 300mW, 4nS, 2PF, 400ma, 2CK108 硅开关二极管 70V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,2CK109 硅开关二极管 35V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,2CK110 硅开关二极管 90V, 150mA, 250mW, 3nS, 3PF, 450ma, 2CK111 硅开关二极管 55V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,2CK150 硅开关二极管15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF,2CK161 硅开关二极管15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF,2CK4148 硅开关二极管75V, Ir≤25nA, Vf=1V, 4PF,2CK2076 硅开关二极管35V, Ir≤1uA, Vf≤0.8V, ≤1.8PF,2CK2076A硅开关二极管60V, Ir≤1uA, Vf≤0.8V, ≤1.8PF,2CK2471 硅开关二极管80V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF,2CK2472 硅开关二极管50V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF,2CK2473 硅开关二极管35V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤3PF,2CN1A 硅二极管 400V, 1A, f=100KHz,2CN1B 硅二极管 100V, 1A, f=100KHz,2CN3 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3D 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3E 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3F 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3G 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3H 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3I 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3K 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN4D 硅二极管 V, 1.5A, f=100KHz,2CN5D 硅二极管 V, 1.5A, f=100KHz,2CN6 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CP1553 硅二极管Ir≤0.5uA, Vf≤1.4V,≤3.5PF,2CP1554 硅二极管Ir≤0.5uA, Vf≤1.4V,≤3.5PF,2CP1555 硅二极管Ir≤0.5uA, Vf≤1.4V,≤3.5PF,2CW1 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=280mW,2CW2 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=280mW,2CW3 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=280mW,2CW4 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=280mW,2CW5 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=280mW,2CW5 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=280mW,2CW9 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V, Pzm=250mW,2CW10 硅稳压二极管 Vz=2.5~3.5V, Pzm=250mW,2CW14 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=250mW,2CW15 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=250mW,2CW16 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=250mW,2CW17 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=250mW,2CW18 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=250mW,2CW18 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=250mW,2CW19 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=250mW,2CW20 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=250mW,2CW20A 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=250mW,2CW20A 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=250mW,2CW20B 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=250mW,2CW21 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=1000mW,2CW21A 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=1000mW,2CW21B 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=1000mW,2CW21C 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=1000mW,2CW21D 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=1000mW,2CW21E 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=1000mW,2CW21F 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=1000mW, 2CW21G 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=1000mW, 2CW21H 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=1000mW, 2CW21H 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=1000mW,2CW21I 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=1000mW,2CW21J 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=1000mW,2CW21K 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=1000mW,2CW21K 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=1000mW,2CW21L 硅稳压二极管 Vz=23~26V, Pzm=1000mW,2CW21L 硅稳压二极管 Vz=25~28V, Pzm=1000mW,2CW21M 硅稳压二极管 Vz=27~30V, Pzm=1000mW,2CW21M 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=1000mW,2CW21N 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=1000mW,2CW21N 硅稳压二极管 Vz=35~40V, Pzm=1000mW,2CW21P 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V, Pzm=1000mW,2CW21S 硅稳压二极管 Vz=2.5~3.5V, Pzm=1000mW,2CW22 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=3000mW,2CW22A 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=3000mW,2CW22B 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=3000mW,2CW22C 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=3000mW,2CW22D 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=3000mW,2CW22E 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=3000mW,2CW22F 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=3000mW, 2CW22G 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=3000mW, 2CW22H 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=3000mW, 2CW22H 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=3000mW,2CW22K 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=3000mW,2CW22L 硅稳压二极管 Vz=23~26V, Pzm=3000mW,2CW22L 硅稳压二极管 Vz=25~28V, Pzm=3000mW,2CW22M 硅稳压二极管 Vz=27~30V, Pzm=3000mW,2CW22M 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=3000mW,2CW22N 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=3000mW,2CW22N 硅稳压二极管 Vz=35~40V, Pzm=3000mW,2CW50 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V, Pzm=250mW,2CW51 硅稳压二极管 Vz=2.5~3.5V, Pzm=250mW,2CW52 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=250mW,2CW53 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=250mW,2CW54 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=250mW,2CW55 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=250mW,2CW56 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=250mW,2CW57 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=250mW,2CW58 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=250mW, 2CW59 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=250mW, 2CW60 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=250mW, 2CW61 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=250mW,2CW62 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=250mW,2CW63 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=250mW,2CW64 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=250mW,2CW65 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=250mW,2CW66 硅稳压二极管 Vz=23~26V, Pzm=250mW,2CW67 硅稳压二极管 Vz=25~28V, Pzm=250mW,2CW68 硅稳压二极管 Vz=27~30V, Pzm=250mW,2CW69 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=250mW,2CW70 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=250mW,2CW71 硅稳压二极管 Vz=35~40V, Pzm=250mW,2CW72 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=250mW,2CW73 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=250mW,2CW74 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=250mW, 2CW75 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=250mW, 2CW76 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=250mW, 2CW77 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=250mW,2CW78 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=250mW,2CW100 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V, Pzm=1000mW, 2CW101 硅稳压二极管 Vz=2.5~3.5V, Pzm=1000mW, 2CW102 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=1000mW, 2CW103 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=1000mW, 2CW104 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=1000mW, 2CW105 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=1000mW, 2CW106 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=1000mW,2CW110 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=1000mW, 2CW111 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=1000mW,2CW112 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=1000mW,2CW113 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=1000mW,2CW114 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=1000mW,2CW115 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=1000mW,2CW116 硅稳压二极管 Vz=23~26V, Pzm=1000mW,2CW117 硅稳压二极管 Vz=25~28V, Pzm=1000mW,2CW118 硅稳压二极管 Vz=27~30V, Pzm=1000mW,2CW119 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=1000mW,2CW120 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=1000mW,2CW121 硅稳压二极管 Vz=35~40V, Pzm=1000mW,2CW130 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=3000mW,2CW131 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=3000mW,2CW132 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=3000mW,2CW133 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=3000mW,2CW134 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=3000mW,2CW135 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=3000mW,2CW136 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=3000mW,2CW137 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=3000mW, 2CW138 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=3000mW, 2CW139 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=3000mW,2CW140 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=3000mW,2CW141 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=3000mW,2CW142 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=3000mW,2CW143 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=3000mW2CW147 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=3000mW,2CW148 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=3000mW,2CW149 硅稳压二极管 Vz=35~40V, Pzm=3000mW,2CW200 硅稳压二极管 Vz=1.88~2.12V, Pzm=400mW,2CW201 硅稳压二极管 Vz=2.5~2.9V, Pzm=400mW,2CW202 硅稳压二极管 Vz=5.3~6.0V, Pzm=400mW,2CW203 硅稳压二极管 Vz=5.8~6.6V, Pzm=400mW,2CW204 硅稳压二极管 Vz=7.0~7.9V, Pzm=400mW,2CW205 硅稳压二极管 Vz=9.4~10.6V, Pzm=400mW,2CW206 硅稳压二极管 Vz=10.4~11.6V, Pzm=400mW,2CW207 硅稳压二极管 Vz=12.4~14.1V, Pzm=400mW,2CW208 硅稳压二极管 Vz=34~38V, Pzm=400mW,2CW209 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V, Pzm=500mW,2CW210 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V, Pzm=500mW,2CW211 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V, Pzm=500mW,2CW212 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V, Pzm=500mW, 2CW213 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V, Pzm=500mW,2CW217 硅稳压二极管 Vz=5.2~5.7V, Pzm=500mW, 2CW218 硅稳压二极管 Vz=6.7~7.3V, Pzm=500mW, 2CW219 硅稳压二极管 Vz=12.4~14.1V, Pzm=400mW, 2CW220 硅稳压二极管 Vz=5.8~6.1V, Pzm=500mW, 2CW221 硅稳压二极管 Vz=4.8~5.4V, Pzm=400mW, 2CW222 硅稳压二极管 Vz=6.4~7.2V, Pzm=400m常用进口1N系列稳压二极管参数与代换90种2008年11月09日星期日 20:01彩电、彩显、VCD、DVD常用进口1N系列稳压二极管参数与代换2007-07-01 11:56型号最大耗散功率(W) 稳定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号1N4735/A 1 6.2 146 1W6V2、2CW104-6V21N4736/A 1 6.8 138 1W6V8、2CW104-6V81N4737/A 1 7.5 1211N4738/A 1 8.2 110 1W8V2、2CW106-8V21N4739/A 1 9.1 100 1W9V1、2CW107-9V11N4740/A 1 10 91 2CW286-10V、B563-101N4741/A 1 11 83 2CW109-11V、2DW61N4742/A 1 12 76 2CW110-12V、2DW6A1N4743/A 1 13 69 2CW111-13V、2DW6B、BWC114D1N4744/A 1 15 57 2CW112-15V、2DW6D1N4745/A 1 16 51 2CW112-16V、2DW6E1N4746/A 1 18 50 2CW113-18V、1W18V1N4747/A 1 20 45 2CW114-20V、BWC115E1N4748/A 1 22 41 2CW115-22V、1W22V1N4749/A 1 24 38 2CW116-24V、1W24V1N4750/A 1 27 34 2CW117-27V、1W27V1N4751/A 1 30 30 2CW118-30V、1W30V、2DW19F1N4752/A 1 33 27 2CW119-33V、1W33V1N4753 0.5 36 13 2CW120-36V、 W36V1N4754 0.5 39 12 2CW121-39V、1/2W39V1N4755 0.5 43 11 2CW122-43V、1/2W43V1N4756 0.5 47 10 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