第1章：晶体二极管和整流电路测试题
(完整版)2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案,推荐文档
《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟总分：分班级：班命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。
（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（正确）3. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（正确）4. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错误）5. PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错误）6. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（正确）8. 二极管具有单向导电性。
（正确）9. 二极管是线性器件。
（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。
（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错误）13. 二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。
（正确）14. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。
（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（错误）18. 点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。
（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
（正确）23. 半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正向电流值有较大区别。
晶体二极管和整流电路测试题
第1章：晶体二极管和二极管整流电路一．填空题：1．二极管的P 区接电位 端，极管的N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之称反向偏置，二极管截止；所二极管具有 性。
2．二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型； 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。
4．单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括 、 等。
8．发光二极管能将电信号转换成 信号，它工作时需要加 偏置电压；光电二极管能将 转换成电信号，它工作时需要加 偏置电压； 二．1．二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。
（ ）2．稳压二极管在工作中只能作反向连接。
（ ）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（三．选择题：1．图1.17所示符号中，表示发光二极管的为 （ ）2．从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ ）时，处于正向导通状态。
（ ）A ．0B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降4．直流稳压电源中，滤波电路的作用是 （ ）A ．将交流电变为较平滑的直流电B ．将交流电变为稳定的直流电C ．滤除直流电中的交流成分D ．将交流电变为脉动直流电四．1．画出桥式整流电容滤波电路图，若要求V L ＝20V ，I L ＝100ｍA ，①试求电路元件的有关参数；②变压器二次电压的有效值V 2；③整流二极管参数V F 和V RM ；。
2．图1.18给出了一些元器件的电路符号，请合理连线，构成一个5V 的直流稳压电源。
五．综合题： 1．二极管电路如图1.20电压V 0。
设二极管的导通电压降为0.7V 。
2②导通区；③截止区；④击穿区。
A .B .C .D .图1.17图1.20V V ～220V ①②③④⑤⑥W 7805V 0＝5V +-+⑦⑧⑨⑩111213输入端输出端R L 图1.18。
电子电路基础习题册参考答案-第一章
第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。
电力电子技术试题及答案
Rd==≈48Ω 当α=0°时晶闸管与整流管的电流有效值才最大为 ITm=IDm===3.2A 选择晶闸管和整流管的型号 IT(AV)=(1.5～2)=(1.5～2)=34A 取5A(电流系列值) UTn=(2～3)UTM=(2～3)×220=625～936V 所以，晶闸管的型号为KP5-8 同理，整流管的型号为ZP5-8
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有 个PN结，外部一共有3个电极，
它们分别是
极、
极和
极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于
电压时就导通；低
于
电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压
，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的
的参数，就可以改变输出触发脉冲的相位角，通常是采用改变什么 元件的参数来实现改变相位角的？
2、 画一个有整流变压器的单结晶体管触发电路，并分别画出①变 压器二次绕组电压U2波形；②稳压管V1两端的波形；③电容C两 端的波形；④该电路输出的电压波形（R1两端）。
何实现？ 答：当晶闸管阳极上加有正向电压的同时，在门极上施加适当的 触发电压，晶闸管就正常导通；当晶闸管的阳极电流小于维持电流 时，就关断。只要让加在晶闸管两端的阳极电压减小到零或让其反 向，就可以让晶闸管关断。
2、 对晶闸管的触发电路有哪些要求？ 答：为了让晶闸管变流器准确无误地工作要求触发电路送出的触 发信号应有足够大的电压和功率；门极正向偏压愈小愈好；触发脉 冲的前沿要陡、宽度应满足要求；要能满足主电路移相范围的要 求；触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压取得同步。
10分）
1、 晶闸管内部有（C ）PN结。
第一章 二极管试题打印
一.选择题(60分)1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V 时,测得I=1mA 。
若把电源电压调到V1=10V ，则电流的大小将是___。
A 、I=2mAB 、I<2mAC 、I>2mA2.图1.1.1中，设电路中V1=5保持不变，当温度为20°C 时，测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C 时， 则Vd 的大小将是___。
A 、Vd=0.7V B 、Vd>0.7V C 、Vd<0.7V5.如图1.1.3所示电路中，D1-D3为理想二极管，A 、B 、C 白炽灯泡功率相同，其中最暗的灯是___。
A 、B B 、C C 、A6.如图1.1.4所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6欧姆。
当普通指针式万用表置于R*1欧姆档时，用黑表笔（带正电）接A 点，红表笔（带负电接B 点），则万用表的指示值为___.A 、18欧姆B 、6欧姆C 、3欧姆D 、2欧姆7.在同一测试电路中，分别测得A,B 和C 三个二极管的电流如下表所示.你认为哪一个二极管的性能最好？A 、AB 、BC 、C10.设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.7中电路的输出电压Vo 。
A 、Vo=13VB 、Vo=1.4VC 、Vo=5VD 、Vo=0.7V1.场效应管属于__ 控制型器件。
2.在图1.1.9所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。
3.在图1.1.10所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。
4.设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.11中电路的输出电压Vo=__。
5.如图1.1.8所示。
试估算A 点的电位为__。
第一章二极管及其应用（1）第一章二极管及其应用（2）1、填空：（每空1分40分）（1）、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。
11寒假作业
高二年级计算机专业电子技术寒假作业第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空：1．半导体中的多数载流子是由产生的；少数载流子是由产生的。
2．PN结加正向电压，其空间电荷区（耗尽层）将，电阻值将。
PN结加反向电压，其空间电荷区（耗尽层）将，电阻值将。
3．正偏二极管的动态电阻随流过二极管的正向电流的增加而。
4．如下图所示电路中，二极管为硅管时I= 毫安；若二极管为锗管时，I= 毫安。
5．理想二极管电路如图所示，V1处于工作状态，V2处于工作状态，输出电压V AB为伏。
二、判断题：（2′×10=20′）1．二极管一经击穿便将失效，因为击穿是不可逆的。
（）2．二极管导通后。
其电流大小与二极管的型号无关。
（）3．滤波是利用电容两端电压不能突变或电感电流不能突变的特性实现的。
（）4．整流电路中整流二极管所承受的最大反向电压V RM的值与是否加入滤波电容无关。
（）5．P型半导体的多数载流子为空穴，所以P型半导体带正电。
（）三、综合计算题：1．如图所示，已知R1=30KΩ，R2=60KΩ，E1=120V ，E2=60V，E3=20V，求流过二极管的电流I，设二极管正向电阻视为零。
2．单相桥式可控整流电流电路如图所示（1）画出开关S未合上时的输出电压v o的波形；（2）画出开关S合上时的输出电压v o的波形；（3）比较开关S合上前后的输出波形可得出什么结论？V2R L第二章练习二一、下图所示是在电路中测出的各三极管的三个电极对地电位。
试判断各三极管处于何种工作状态(设图中PNP型管均为锗管，NPN型管均为硅管)？12．34．85．6．7．8．二、已知放大状态下的各管脚之间的电压，试判断管子的类型、材料及各管脚名称。
1、23、1．类型2．类型3．类型材料材料材料○1○1○2○2○3○3○1○1○2○2○3○3○1○1○2○2○3○3三、已知各电极之间的电压，判断管子的工作状态。
1、硅管NPN型○1○1V BC=-6V，V CE=5.7V；○2○2V BC=-2V, V CE=2.7V；3V4.6V7V - -3.7V○3○3V BC =0.4V , V CE =0.3V ； 2、锗管PNP 型 ○1○1V BC =3V ， V BE =-0.3V ； ○2○2V BC =-0.2V , V CE =-0.1V ； ○3○3V BC =2.3V , V CE =-2V 。
电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。
2015年电子招收中职毕业生题库二
2015年湖北省普通高等学校招收中职毕业生技能高考电子类技能考试样库第一章•晶体二极管及二极管整流电路第一节.识记二极管单向导电性，二极管伏安特性和主要参数；A:判断题：1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。
（）2.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX10K档位。
（）3.在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
（）4.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX0K档位（）。
5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（）6.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）7 .二极管和三极管都是非线性器件。
（）8.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变（）9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（）B:选择题1.P型半导体的多数载流子是（）。
A.电子B.空穴C.电荷D.电流2.晶体硅或锗中，参与导电的是（）。
A.离子B.自由电子C.空穴D.B和C3.下列说法正确的是（）。
A.N型半导体带负B.P型半导体带正C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生4.N型半导体的多数载流子是（）。
A.电流B.自由电子C.电荷D.空穴5.关于P型.N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B.P型半导体中只有空穴导电C.N型半导体中只有自由电子参与导电D.在半导体中有自由电子•空穴•离子参与导电6.稳压二极管是利用PN结的（）来实现稳压性能的。
A.反向击穿特性B.正向导通性C.反向截止性D.单向导电性7.锗二极管导通时，它两端电压约为（）。
A.1VB.0.7VC.0.3VD.0.5V8.关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。
A.自由电了是多数载流子B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体9.半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）A.降低/降低B.降低/升高C.升高/降低D.升高/升高10.PN结呈现正向导通的条件是（）。
模电子练习题1
第一章晶体二极管整流滤波电路一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。
2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。
4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。
5、二极管的主要特性是具有。
二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。
6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。
导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。
7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。
8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。
9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。
10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。
11、硅管的死区电压为伏，锗管的区死区电压为伏。
12、PN结中的内电场会阻止多数载流子的运动，促使少数载流子的运动。
13、理想二极管正向导通时，其压降为V；反向截止时，其电流为μA。
14、半导体中的总电流是与的代数和。
15、在判别锗、硅二极管时，当测出正向压降为时，将认为此二极管为锗二极管；当测出正向压降为时，将认为此二极管为硅二极管。
16、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象被叫做现象。
17、在单相桥式整流电路中，如果流过负载电阻RL的电流是2A，则流过每只二极管的电流是。
18、在单相桥式整流电路中，如果电源变压器二次电源为120V，则每只二极管所承受的反向电压为。
19、在一块本征半导体两端加上电压，电子会向电源极移动形成电子电流。
20、二极管是由一个结加上两根金属引线经封装后构成的。
二、选择题1、P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）。
电力电子技术试题及答案
I=1.66Id=1.66×30=50A 为最大值 ITM 50 ∴ IT(AV)=2× =2× =64A 取 100A 1.57 1.57 又 Uyn=2UTM=2× 2 ×220=624V 取 700V
解：① 单向半波可控整流电路的 1 COS UL=0.45U2 2 当 UL=50V 时
阳”接法。 （×） 9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。 （×） 10、 增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平 均值会增大。 （×） 11、 在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安 全。 （√） 12、 为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并 接压敏电阻。 （×） 13、 雷 击 过 电 压 可 以 用 RC 吸 收 回 路 来 抑 制 。 （×） 14、 硒 堆 发 生 过 电 压 击 穿 后 就 不 能 再 使 用 了 。 （×） 15、 晶 闸 管 串 联 使 用 须 采 取 “ 均 压 措 施 ”。 （√） 16、 为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器 即可。 （×） 17、 快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。 （√） 18、 晶 闸 管 并 联 使 用 须 采 取 “ 均 压 措 施 ”。 （×） 22、在电路中接入单结晶体管时，若把 b1、b2 接反了， 就会烧坏管子。 （×） 23、 单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电 路中。 （√） 24 、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
15 、 在 晶 闸 管 两 端 并 联 的 RC 回 路 是 用 来 防 止 损坏晶闸管的。 15、关断过电压。 16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的 一次线圈两端并接一个 或 。 16、硒堆、压敏电阻。 16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 。 16、快速熔断器。 二、
晶体二极管及二极管整流电路试题
《晶体二极管及二极管整流电路》试题一、判断题（每空2分，共36分）1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（）3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（）4. 二极管是线性器件。
（）5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（）6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（）7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（）8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（）9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（）10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
（）11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。
（）12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。
13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。
（）14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
（）15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（）16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（）17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
（）18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。
（）二、单选题（每空2分，共32分）1. 本征半导体是（）。
A. 掺杂半导体B. 纯净半导体C. P型半导体D. N型半导体2. P型半导体的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B. P型半导体中只有空穴导电C. N型半导体中只有自由电子参与导电D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电4. 半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。
二极管及整流电路试题及答案
二极管及整流电路试题及答案一、单选题1.二极管两端加正向电压时，A、立即导通B、超过死区电压就导通C、超过0.2V就导通D、超过击穿电压就导通【正确答案】：B2.当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电阻B、大电容C、断开的开关D、接通的开关【正确答案】：D3.以下关于单相半波整流电路的各种叙述中，正确的是A、流过整流管的电流小于负载电流B、流过整流管的电流与负载电流相等C、整流管的端电压为零D、整流管承受的最大反向电压等于负载电压平均值【正确答案】：B4.普通二极管导通时，则二极管两端所加的电压是A、正向偏置B、反向偏置C、无偏置D、零偏置【正确答案】：A5.半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为A、杂质半导体B、本征半导体C、P型半导体D、N型半导体【正确答案】：B6.二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、零偏B、反偏C、正偏D、击穿【正确答案】：C7.下图所示电路中，输入电压V，kΩ。
则当开关S1、S2均断开时，输出电压的平均值为A、45VB、90vC、100vD、120v【正确答案】：A8.下列关于电感滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电感器的B、电感器端电压为电路输入脉动直流电中的直流分量；C、电路的输出电压平均值得到提升；D、电感量L越大，滤波效果便越好。
【正确答案】：D9.面接触型二极管比较适用于A、小信号检波B、小功率整流C、大电流开关D、大功率整流【正确答案】：D10.半导体中导电的载流子是A、电子B、空穴C、离子D、电子和空穴【正确答案】：D11.锗二极管的导通电压是A、0.1V左右B、0.3V左右C、0.5V左右D、0.7V左右【正确答案】：B12.电路如图，VD为理想二极管，则二极管的状态是A、导通B、截止C、击穿D、烧坏【正确答案】：A13.下图所示电路中，输入电压V，kΩ。
则当开关S1断开、S2闭合时，输出电压的平均值为。
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电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
(完整word版)晶体二极管和二极管整流电路试题
晶体二极管一、选择题（每题分，计分)1。
二极管正向导通时，呈现····················（ )A. 较小电阻B。
较大电阻C。
不稳定电阻 D. 无法确定2。
硅稳压管稳压电路适用于·····················( ) A。
输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合B. 输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合C。
输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合D。
输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合3.关于晶体二极管的正确叙述是···················( )A。
普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏B。
普通二极管发生热击穿,不发生电击穿C。
硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿,所以要串接电阻降压D. 以上说法都不对4.硅材料二极管的正向压降一般为( ） VA。
0。
2 B. 0.3 C。
0.5 D. 0。
75。
通常要求二极管正反向电阻相差················· ( ）A. 越小越好B。
模拟电路习题解答
第一章晶体二极管及其大体电路1—1 半导体二极管伏安特性曲线如图N—l所示，求图中A、B点的直流电阻和交流电阻。
解：从图中量得A、B点坐标别离为A(0．6V，5mA), B(0．58V，2mA)，故得1—2 二极管整流电路如图P1—2所示，已知ui＝200sinωt(V)，试画出uo的波形。
解：因变压器的匝数比为10：1，因此次级端电压为20 V，即u2＝10 slnωt (V)。
当u2为正半周且大于等于0．7V时，Vl导通，V2截止，u。
＝u2一0．7。
而u2为负半周且小于等于一0．7V时，那么V2导通，Vl截止，uo＝|u2|一0．7。
当|u2|＜0．7V时，V一、V2均截止，现在uo=0.由此画出的uo波形如图P1-2’所示，1—3 二极管电路如图P1—3所示，设二极管均为理想二极管(1)画出负载RL两头电压uo的波形(2)假设V3开路，试重画uo的波形。
(3)假设V3被短路，会显现什么现象?解：(1)u2为正半周时，V一、V2导通，V3、V4截止，uo＝u2; u2为负半周时，V一、V2截止，V3、V4导通，uo＝-u2即uo＝-u2。
uo波形如图P1—3’(a)所示。
(2)假设V3开路，那么u2的为负半周时，uo＝0，即uo变成半波整流波形，如图Pl—3’(b)所示。
(3)假设V3短路，那么u2为正半周时，将V1短路烧坏。
1—4 在图P1—4所示各电路中，设二极管均为理想二极管。
试判定各二极管是不是导通，并求Uo的值。
解：(1)在图(a)中，V2导通，V1截止，Uo＝5V。
(2)在图(b)中，V1导通，V2截止，Uo＝0V。
(3)在图(c)中，v一、v2均导通，现在有1—5 二极管限幅电路如图Pl—5(a)、(b)所示。
假设ui＝5sinωt(V)，试画出uo的波形。
解：(1)在图(a)中：当ui＞一2．7V时，V管截止，uo＝一2V；当ui≤一2．7V时，V管导通，u。
＝ui。
当ui＝5sinωt(V)时，对应的uo波形如图P1—5’(a)所示。
二极管和二极和二极整流电路练习题
晶体二极管和二极管整流电路一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。
8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。
二、判断题：1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。
（）2、N型半导体中导电的是自由电子。
（）3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
（）4、在半导体内部，只有空穴是载流子。
（）5、在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
（）6、半导体中导电的是多数载流子。
（）7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。
(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
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电子线路第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空1、晶体二极管加一定的（正向）电压时导通，加（反向）电压时（截止）这一导电特性称为二极管的（单相导电）特性。
2、不加杂质的纯净半导体称为（本征半导体）。
3、P型半导体它又称为（空穴）型半导体，其内部（空穴）数量多于（自由电子）数量。
4、加在二极管两端的（电压）和流过二极管的（电流）间的关系称为二极管的（伏安特性）。
5、把（交流）电转换成（直流）电的过程称为整流。
6。
直流电的电路称为二极管单相整流电路，常用的有（单相半波整流）、（单相桥式整流）和（倍压整流）电路。
7。
三极管工作在放大区时，通常在它的发射结加（正向）电压，集电结加（反向）电压。
8。
三极管在电路中的三种基本连接方式是（共发射极接法）、（共基极接法）、（共集电极接法）。
9。
晶体二极管的主要参数有（最大整流电流IFm）、（最高反向工作电压VRm）、（反向漏电流IR）。
10。
导电能力介于（导体）和（绝缘体）之间物体称为半导体。
11、在半导体内部，只有（空穴）和（自由电子）两种载流子。
12、一般来说，硅晶体二极管的死区电压应（大于）锗晶体二极管的死区电压。
13、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（既有少数载流子，又有多数载流子）。
14、用万用表测晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有+号插孔中的测试表笔（通常是红色表笔）所连接的二极管的管脚是二极管的（负）极，另一电极是（正）极。
15、面接触性晶体二极管比较适用（大功率整流）16。
晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则晶体二极管处于（反偏）17。
用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆档拨到（R1K档）18。
当硅晶体二极管加上0。
3V正向电压时，该晶体管相当于（阻值很大的电阻)19。
晶体二极管加（反向）电压过大而（击穿），并且出现（烧毁）的现象称为热击穿20。
晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流（极小）；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会急速（增大）21、二极管的正极又称（阳）极，负极又称（阴）极。
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测试题一
一．填空题：
1．二极管的P 区接电位 端，极管的N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之称反向偏置，二极管截止；所二极管具有 性。
2．二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型； 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。
4．单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括 、 等。
6．W7805的输出电压为 V ，额定输出电流为 A ；
7．开关稳压电源的调整管工作在 状态，依靠调节调整管 的比例来实现稳压。
8．发光二极管能将电信号转换成 信号，它工作时需要加 偏置电压；光电二极管能将 转换成电信号，它工作时需要加 偏置电压； 二．判断题：
1．二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。
（ ） 2．稳压二极管在工作中只能作反向连接。
（ ） 3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（ ） 4．在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开，输出电压的平均值变为原来的一半。
（ ） 5．二极管的反向漏电流越小，其单相导电性能越好。
（ ） 三．选择题：
1．图1.17所示符号中，表示发光二极管的为 （ ） 2．从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ ）时，处于正向导通状态。
（ ） A ．0 B ．死区电压 C ．反向击穿电压 D ．正向压降 3．．用万用表电阻挡测量小功率二极管性能好坏时，应把量程开关旋到 （ ）位置。
A ．R ×100
B ．R ×1K
C ．R ×1
D ．R ×10K 4．直流稳压电源中，滤波电路的作用是 （ ） A ．将交流电变为较平滑的直流电 B ．将交流电变为稳定的直流电 C ．滤除直流电中的交流成分 D ．将交流电变为脉动直流电 5．开关稳压电源效率高的主要原因是 （ ） A ．调整管工作在开关状态 B ．输出端有LC 滤波电路 C ．省去电源变压器 D ．电路元件少 四．技能实践题：
A .
B .
C .D
.图1.17
1．画出桥式整流电容滤波电路图，若要求V L ＝20V ，I L ＝100ｍA ，①试求电路元件的有关参数；②变压器二次电压的有效值V 2；③整流二极管参数V F 和V RM ；④滤波电容量和耐压值。
2．图1.18给出了一些元器件的电路符号，请合理连线，构成一个5V 的直流稳压电源。
3．如图1.19所示，若在点A 和点B 之间插入集成稳压电路，使这输出＋15V 的直流电压。
试画出用固定输出三端集成稳压器组成的稳压电路，并标出三端集成稳压器的型号。
五．综合题：
1．二极管电路如图1.20所示，判断图中是导通还是截止，并确定各电路的输出电压V 0。
设二极管的导通电压降为0.7V 。
0～图1.19
图1.20V
V
～220V
①②③④⑤⑥W 7805V 0＝5V +-+
⑦⑧⑨
⑩11
1213输入端输出端R L 图1.18
2．请画出二极管的伏安特性曲线示意图图，并在图上标明以下区域：①死区；
②导通区；③截止区；④击穿区。
+ -
+
-
R=1KΩ
V1V2
图1.21
（ａ）
7V9V
+
-
+
-
R=1KΩ
V1V2
（ｂ）
7V9V
+ -
+
-
R=1KΩ
V1V2
（ｃ）
7V
+
-
+
-
R=1KΩ
V1V2
（ｄ）
9V
7V
9V。