常用电子元器件的使用

+ 反向偏置电压很大
二极管主要参数
参数名称 符号 解 说
最大整流电流 Im
是指二极管长时间正常工作下， 允许通过二极管的最大正向电流 值。 是指二极管加上规定的反向偏置 电压情况下，同过二极管的反向 电流值。
反向电流
Ico
二极管工作时承受最大的反向电 最大反向工作 Urm 压值，它约等于反向击穿电压的 电压 一半。
三极管的主要参数
1. 直流参数 (1) 共射直流电流放大系数 (2) 共基直流电流放大系数 (3) 级间反向电流 （a）集电极基极间反向饱和电流ICBO （b）集电极发射极间的穿透电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系
2.2 三极管
半导体三极管是最重要的半导体器件，是电子电路中 的核心器件，被广泛应用到了各种电子线路中，是电子线路 的灵魂。
双极型三极管的基本结构类型和符号
双极型晶体管分有NPN型和PNP型，虽然它们外形各异， 品种繁多，但它们的共同特征相同：都有三个分区、两个PN 结和三个向外引出的电极：
发射区
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC = IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IB>IC， UCE0.3V=UCES
(3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
常用电子元器件使用
2.1二极管
2.2三极管 2.3晶闸管 2.4场效应管
2.1 二极管
划分方法及种类 普通二极管 整流二极管 解 说 常见的二极管 专门用于整流的二极管 专用于指示信号的二极管,能发出可见光
按功能 发光二极管 划分 稳压二极管
光敏二极管 按照材 硅二极管 料划分 锗二极管 按外部 塑封二极管 封装材 金属封装二极管 料划分 玻璃封装二极管
基区
集电区
P
N
P
发射极e N
发射结
P
N
集电结
PNP型
基极b NPN型
根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型 两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同 时参与导电，就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与 导电，即为单极型。
大功率低频三极管 c b e
中功率低频三极管 c b
此三角形表 示电流方向 电流方向 正极，电流从 正极流向负极
负极
二极管电路符号识图信息
二极管只有两个引脚:电路符号中已表示出了这两个引脚； 电路符号中表示出二极管的正负极性:三角形底边这端为正极， 另一端为负极。
电路符号
名
称
解
说
新电路符号
电路符号中表示出两根引脚，通过三角 形表示正极、负极引脚.
比较新旧两种符号的不同之处是，三角 形老符号要涂黑，新符号不涂黑. 在普通二极管符号的基础上，用箭头形 象的表示了这种二极管能够发光。 它的电路符号与普通二极管电路符号不 同之处在于负极表示方式不同。
小功率高频三极管
NPN型三极管图 符号
PNP型三极管图 符号
e
晶体管实现电流放大作用的外部条件 (1)发射结必须“正向偏置”，以利于发射区电子的扩散， 扩散 电流即发射极电流ie，扩散电子的少数与基区空穴复合，形 成基极电流ib，多数继续向集电结边缘扩散。 (2)集电结必须“反向偏置”，以利于收集扩散到集电结边缘 的 多数扩散电子，收集到集电区的电子形成集电极电流ic。 整个过程中， IE 发射区向基区发 ＋ IC N P N 射的电子数等于 － 基区复合掉的电 子与集电区收集 ＋ － 的电子数之和， 即： IE=IB+IC I
旧电路符号 发光二极管 符号 稳压二极管 符号
二极管导通和截止工作状态判断方法
电压极性及状态
工作状态
+ 正向偏置电压足够大 二极管正向导通，两引脚间电阻很小. -
正向偏置电压不够大
二极管不足以正向导通，两引脚间内阻 还比较大.
-
反向偏置电压不太大 二极管截止，两个引脚之间的内阻很大. 二极管反向击穿，两引脚之间内阻很小， 二极管无单向导电性，二极管损坏.
B
输出特性曲线上一般可分为三个区：
饱和区。当发射结和 集电结均为正向偏置 时，三极管处于饱和 状态。此时集电极电 流IC与基极电流IB之 间不再成比例关系， IB的变化对IC的影响
IC /mA
4
Baidu Nhomakorabea
3
2.3 2 1.5 1
很小。
放 大
区
IB=100 A 80 60 A A 40 A 20 IA B=0
最高工作频率 Fm
二极管保持良好的工作特性的最 高频率。
常见二极管
二极管正负引脚表示方法
银色环表示 负极引脚 负极引脚 正极引脚 负极 正极
常见的标注形式
正极
色点标注
负极
外壳上标出 电路符号 正极 负极
电路符号极性标注
外形特征识别二 极管极性方法
二极管正反向特性
以O为坐标原点，以加在 二极管两端的电压U为横轴、流过 二极管的电流为纵轴建立直角坐 标系，各轴的方向表示施与二极 管的电压和电流方向。第一象限 曲线反映了二极管的正向特性； 第三象限曲线反映其反向特性。
专门用于稳压的二极管
对光有敏感作用的二极管 硅材料二极管,常用的二极管 锗材料二极管 大量使用的二极管使用这种封装材料 大功率整流二极管采用这种封装材料 检波二极管采用这种封装材料

二极管外形特征和电路符号
二极管外形特征： 1）二极管共有两个引脚, 两个引脚轴向伸出； 2）二极管的体积不大,比 一般电阻要小些； 3）部分二极管的外壳上 标有二极管电路符号.
反向击 穿电压 UZ I1 O U1 U 正向导 通电压
I
正向 特性 曲线
反向特 性曲线
给二极管加的正向电压小于某一定值U1 （硅：0.6V，锗： 0.2）时，正向电流很小，且小于I1 。当正向电压大与U1后， 正向电流I随U的微小增大而剧增。将U1称为起始电压。 给二极管加的反向电压小于某一定值UZ (Urm)时，反向电 流很小，当反向电压大与等于UZ后，反向电流I迅速增大而处 于电击穿状态。将UZ 称为反向击穿电压。
截止区。当基极 电流IB等于0时 ，晶体管处于截 止状态。实际上 当发射结电压处 在正向死区范围 时，晶体管就已 经截止，为让其 可靠截止，常使 UBE小于和等于零 。
I CS
VCC VCES VCC / RC RC
0
UCE / V
临近饱和基极电流 I BS I CS /
晶体管工作在放大状态时，发射结正 偏，集电结反偏。在放大区，集电极电 流与基极电流之间成β倍的数量关系， 即晶体管在放大区时具有电流放大作用。