常见集成电路芯片的命名方法
集成电路命名方法(介绍了中国部标规定的集成电路命名方
F：金属菱形；
F：线性放大器；
W：集成稳压器；
J：接口电路。
原国标规定的命名方法
C
X
XX
X
X
中国制造
器件类型
器件系列和
工作温度范围
器件封装符号
T：TTL；
品种代号
C：（0-70）℃；
W：陶瓷扁平；
H：HTTL；
（器件序号）
E：（-40~85）℃；
B：塑料扁平；
E：ECL；
R：（-55~85）℃；
H：黑瓷扁平；Βιβλιοθήκη C：CMOS电路；54/74XXX；
E：（-40~85）℃
D：多层陶瓷双列直插；
M：存储器；
54/74HXXX；
R：（-55~85）℃
J：黑瓷双列直插；
U：微型机电路；
54/74LXXX；
M：（-55~125）℃
P：塑料双列直插；
F：线性放大器；
54/74SXXX；
S：塑料单列直插；
W：稳压器；
集成电路命名方法(介绍了中国部标规定的集成电路命名方法)
原部标规定的命名方法
X
XXX
X
X
电路类型
电路系列和
电路规格符号
电路封装
T：TTL；
品种序号码
（拼音字母）
A：陶瓷扁平；
H：HTTL；
（三位数字）
B：塑料扁平；
E：ECL；
C：陶瓷双列直插；
I：I-L；
D：塑料双列直插；
P：PMOS；
Y：金属圆壳；
S系列为CT3000系列；
LS系列为CT4000系列；
原部标规定的命名方法
C
X
常见集成电路芯片的命名方法
1．正确选择电源电压TTL集成电路的电源电压允许变化范围比较窄,一般在4.5V~5.5V之间.在使用时更不能将电源与地颠倒接错,否则将会因为过大电流而造成器件损坏.
2．对输入端的处理TTL集成电路的各个输入端不能直接与高于+5.5V和低于-0.5V的低内阻电源连接.对多余的输入端最好不要悬空.虽然悬空相当于高电平,并不影响“与门、与非门”的逻辑关系,但悬空容易接受干扰,有时会造成电路的误动作.因此,多余输入端要根据实际需要作适当处理.例如“与门、与非门”的多余输入端可直接接到电源Vcc上;也可将不同的输入端共用一个电阻连接到Vcc上;或将多余的输入端并联使用.对于“或门、或非门”的多余输入端应直接接地.对于触发器等中规模集成电路来说,不使用的输入端不能悬空,应根据逻辑功能接入适当电平.
后面的字母多半是封装信息，要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。
数字集成电路的分类、特点、使用方法
1．74 –系列这是早期的产品,现仍在使用,但正逐渐被淘汰.
2．74H –系列这是74 –系列的改进型,属于高速TTL产品.其“与非门”的平均传输时间达10ns左右,但电路的静态功耗较大,目前该系列产品使用越来越少,逐渐被淘汰.
3．对输入端的处理在使用CMOS电路器件时,对输入端一般要求如下: (1)应保证输入信号幅值不超过CMOS电路的电源电压.即满足VSS≤VI≤Vcc,一般VSS＝0 V. (2)输入脉冲信号的上升和下降时间一般应小于数ms,否则电路工作不稳定或损坏器件. (3)所有不用的输入端不能悬空,应根据实际要求接入适当的电压(Vcc或0V).由于CMOS集成电路输入阻抗极高,一旦输入端悬空,极易受外界噪声影响,从而破坏了电路的正常逻辑关系,也可能感应静电,造成栅极被击穿.
PCB封装库命名规则资料
PCB封装库命名规则资料PCB封装库命名1、集成电路（直插）:用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装2 、集成电路（贴片）用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mmM为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 3、电阻3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装4、电容4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装5、二极管整流器件命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 6 、晶体管命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名7、晶振HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装8、电感、变压器件电感封封装采用TDK公司封装9、光电器件9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示如：0805D表示封装为0805的发光二极管9.2 直插发光二极管表示为LED-外径如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管9.3 数码管使用器件自有名称命名10、接插10.1 SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm如：SIP7-2.54表示针脚间距为2.54mm的7针脚单排插针10.2DIP+针脚数目+针脚间距来表示双排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm10.3如：DIP10-2.54表示针脚间距为2.54mm的10针脚双排插针10.4 封装库元件命名一、多引脚集成电路芯片封装SOIC、SOP、TSOP在AD7.1元器件封装库中的命名含义。
MAXIM和TI芯片命名规则
MAXIM命名规则AXIM前缀是“MAX”。
DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×××或MAX××××说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器三字母后缀：例如：MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围：C = 0℃至 70℃（商业级）I = -20℃至 +85℃（工业级）E = -40℃至 +85℃（扩展工业级）A = -40℃至 +85℃（航空级）M = -55℃至 +125℃（军品级）封装类型：A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP)J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y 窄体铜顶封装Z TO-92，MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀：MAXIM公司产品代号2．产品系列编号：100-199 模数转换器600-699 电源产品200-299 接口驱动器／接受器700-799 微处理器外围显示驱动器300-399 模拟开关模拟多路调制器800-899 微处理器监视器400-499 运放900-999 比较器500-599 数模转换器3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至 70℃（商业级）I =-20℃至 +85℃（工业级）E =-40℃至 +85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55℃至 +125℃（军品级）5．封装形式：A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGAJ CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列LLCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插 Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y 窄体铜顶封装Z TO-92MQUAD/D裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆6．管脚数量：A:8B:10，64C:12，192D:14E:16F:22，256G:24H:44I:28 J:32 K:5，68L:40M:7，48N:18O:42P:20Q:2，100R:3，84 S:4，80T:6，160U:60V:8（圆形）W:10（圆形）X:36Y:8（圆形）Z:10（圆形）DALLAS命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100INDN=工业级S=表贴宽体 MCG=DIP封Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFPAD的命名规则AD常用产品型号命名规则DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
IC命名规则
主题：部分集成电路制造公司名称及型号前缀返回主题列表部分集成电路制造公司名称及型号前缀目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。
下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。
（只写了前缀〕1.National SEMICONDUCTOR Corp.（国家半导体公司〕AD：A/D转换器； DA：D/A转换器；CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应；LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕；LP：线性低功耗电路。
2.RCA Corp. (美国无线电公司)CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路；CDM；CMOS大规模电路。
3.Motorola SEMICONDUCTOR Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司)MC：密封集成电路； MMS：存储器电路；MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。
4.NEC ELECTRONICS,Inc. (日本电气电子公司)uP: 微型产品。
A：组合元件； B：双极型数字电路；C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。
例：uPC、uPA等。
5.Sanyo ELECTRIC Co.,Ltd. (三洋电气有限公司)LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路；LC：CMOS电路； STK：厚膜电路。
6.Toshiba Corp. (东芝公司)TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路；TD：双极型数字电路； TM：MOS电路。
7.Hitachi,Ltd. (日立公司)HA：模拟电路； HD：数字电路；HM：RAM电路； HN：ROM电路；8.SGS SEMICONDUCTOR Corp. (SGS半导体公司)TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路；HB、HC：CMOS电路。
例：TD A 后'A'为温度代号。
ti 芯片 命名规则
ti 芯片命名规则
TI芯片命名规则
TI芯片是德州仪器（Texas Instruments）公司生产的一种集成电路芯片，其命名规则旨在准确描述芯片的功能和特性。
TI芯片的命名规则通常遵循以下几个原则：
1. 功能描述：芯片的名称通常包含对其主要功能或应用的描述。
例如，可以通过添加诸如“音频”、“视频”、“无线通信”等词汇来描述芯片的功能。
2. 类型标识：为了区分不同类型的芯片，TI在芯片名称中添加了特定的类型标识。
这些标识通常是由字母或数字组成的代码，用于表示芯片的类型、系列或特定型号。
3. 特性指示：为了更准确地描述芯片的特性和性能，TI还会在芯片名称中加入特性指示。
这些指示可以包括芯片的工作频率、位宽、功耗、温度范围等。
4. 版本号：随着技术的不断发展，TI会对芯片进行不同版本的升级和改进。
因此，芯片的名称中可能还会包含版本号，以便用户可以准确选择适合自己需求的芯片。
例如，假设有一款TI芯片用于音频信号处理，其工作频率为100MHz，位宽为16位，功耗为1W，温度范围为-40°C到85°C，
型号为XYZ123。
则该芯片的命名可以是“TI XYZ123音频处理芯片-100MHz/16位/1W/-40°C~85°C”。
TI芯片的命名规则旨在清晰地描述芯片的功能、类型、特性和版本，以方便用户选择和使用。
这种命名规则不仅能提供准确的信息，还能提高用户对芯片的理解和认识。
逻辑芯片命名规则
逻辑芯片命名规则引言：在数字电子技术中，逻辑芯片是一种用于实现逻辑功能的集成电路。
为了方便识别和使用，逻辑芯片通常采用一定的命名规则。
本文将介绍逻辑芯片命名规则的一些常见要点和规范。
一、类型标识：逻辑芯片的命名通常以字母开头，表示其类型。
常见的类型标识有：1. TTL：表示采用晶体管-晶体管逻辑(TTL)技术实现的芯片。
2. CMOS：表示采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术实现的芯片。
3. FPGA：表示采用现场可编程门阵列(FPGA)技术实现的芯片。
4. ASIC：表示采用专用集成电路(ASIC)技术实现的芯片。
5. PLA：表示采用可编程逻辑阵列(PLA)技术实现的芯片。
二、功能描述：逻辑芯片的命名通常包含对其功能的描述。
常见的功能描述有：1. AND：表示与门功能。
2. OR：表示或门功能。
3. NOT：表示非门功能。
4. XOR：表示异或门功能。
5. NAND：表示与非门功能。
6. NOR：表示或非门功能。
7. XNOR：表示同或门功能。
8. MUX：表示多路选择器功能。
9. DFF：表示触发器功能。
三、位宽标识：逻辑芯片的命名通常包含对其输入输出位宽的标识。
常见的位宽标识有：1. 2：表示2位宽。
2. 4：表示4位宽。
3. 8：表示8位宽。
4. 16：表示16位宽。
5. 32：表示32位宽。
6. 64：表示64位宽。
四、系列编号：逻辑芯片的命名通常还包含一个系列编号，用于区分不同版本或不同型号的芯片。
常见的系列编号有：1. 74：表示74系列逻辑芯片，是最早的逻辑芯片之一。
2. 4000：表示4000系列逻辑芯片，是CMOS技术实现的逻辑芯片。
五、举例说明：下面举例说明一些常见的逻辑芯片命名：1. TTL 74LS00：表示采用TTL技术实现的2输入四与非门芯片。
2. CMOS 74HC04：表示采用CMOS技术实现的6反相器芯片。
3. FPGA XC6SLX9：表示采用FPGA技术实现的9,152逻辑单元芯片。
PCB元件封装库命名规则简介
PCB元件封装库命名规则简介1、集成电路（直插）用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mmW为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装2 、集成电路（贴片）用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mmM为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mmW为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm3、电阻SMD贴片电阻命名方法为：封装+R如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装碳膜电阻命名方法为：R-封装如：表示焊盘间距为英寸的电阻封装水泥电阻命名方法为：R-型号如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装4、电容无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C如：6032C表示封装为6032的电容封装SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距如：表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径如：.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装5、二极管整流器件命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N41486 、晶体管命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名7、晶振HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装8、电感、变压器件电感封封装采用TDK公司封装9、光电器件贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示如：0805D表示封装为0805的发光二极管直插发光二极管表示为LED-外径如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管数码管使用器件自有名称命名10、接插SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm如：表示针脚间距为2.54mm的7针脚单排插针DIP+针脚数目+针脚间距来表示双排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm如：表示针脚间距为2.54mm的10针脚双排插针其他接插件均按E3命名封装库元件命名一、多引脚集成电路芯片封装SOIC、SOP、TSOP在元器件封装库中的命名含义。
PCB元件及封装库命名规则
PCB元件封装库命名规则简介1、集成电路（直插）用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mmW为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装2 、集成电路（贴片）用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mmM为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mmW为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm3、电阻3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装4、电容4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C如：6032C表示封装为6032的电容封装4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装5、二极管整流器件命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N41486 、晶体管命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名7、晶振HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装8、电感、变压器件电感封封装采用TDK公司封装9、光电器件9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示如：0805D表示封装为0805的发光二极管9.2 直插发光二极管表示为LED-外径如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管9.3 数码管使用器件自有名称命名10、接插10.1 SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm如：SIP7-2.54表示针脚间距为2.54mm的7针脚单排插针10.2 DIP+针脚数目+针脚间距来表示双排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm如：DIP10-2.54表示针脚间距为2.54mm的10针脚双排插针10.3 其他接插件均按E3命名封装库元件命名一、多引脚集成电路芯片封装SOIC、SOP、TSOP在AD7.1元器件封装库中的命名含义。
常见的集成电路芯片
常见的集成电路芯片集成电路芯片（Integrated Circuit Chips）是由半导体材料和其他电子元件组成的微小电路，是现代电子技术的基础。
常见的集成电路芯片种类繁多，本文将介绍一些常见的集成电路芯片。
1. 处理器芯片（Processor Chips）：处理器芯片是计算机系统的“大脑”，它执行各种计算和控制操作。
常见的处理器芯片有英特尔的酷睿系列、AMD的锐龙系列等。
2. 显卡芯片（Graphics Cards Chips）：显卡芯片用于图形处理和显示，可以提供高清晰度的图像和视频。
NVIDIA的GeForce和AMD的Radeon系列是常见的显卡芯片。
3. 存储芯片（Memory Chips）：存储芯片用于数据的存取和保存。
常见的存储芯片有动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（Flash Memory）。
4. 音频芯片（Audio Chips）：音频芯片用于音频信号的处理和放大，常用于音频设备如耳机、扬声器和音频播放器等。
5. 无线通信芯片（Wireless Communication Chips）：无线通信芯片用于无线通信技术，如Wi-Fi、蓝牙、射频识别（RFID）等。
6. 传感器芯片（Sensor Chips）：传感器芯片用于检测和感知物理量，如温度、湿度、气压、声音等。
常见的传感器芯片有加速度传感器、陀螺仪、压力传感器等。
7. 控制芯片（Control Chips）：控制芯片用于控制各种设备和系统的操作，如电源管理芯片、系统时钟芯片等。
8. 电源管理芯片（Power Management Chips）：电源管理芯片用于管理电源供应和节能，实现有效的电能管理和延长电池寿命。
9. 触摸屏控制芯片（Touchscreen Controller Chips）：触摸屏控制芯片用于控制和解析触摸屏的输入信号，实现多点触控和手势识别等功能。
10. 计时芯片（Timing Chips）：计时芯片用于计时和定时操作，如振荡器芯片、计数器芯片等。
IC芯片命名规则大全
IC芯片命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号3．一般说明： A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列 4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃ R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列 E自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军谩（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型： A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季/振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CM OS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃ V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns，100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 01．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns 9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 1．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插 7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装 6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃ 5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V 7．端到末端电阻：Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ，U 50KΩ， T 100KΩ 8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。
芯片命名规则
芯片命名规则一、分立器件（除三扩系列）及集成电路芯片命名方式X X 表示必须表示可选(10)(9)(8)(7)(6)(5)(4)(3)(2)(1)(1) 1位大写英文字母，表示晶圆尺寸。
W 表示5吋晶圆；S 表示6吋晶圆；E 表示8吋晶圆。
(2) 1位数字或大写英文字母，表示芯片种类。
1表示二极管；2表示三极管、MOS 管；3表示可控硅；B 代表双极型集成电路；C 代表MOS 型集成电路；M 代表混合型集成电路等。
(3) 1位大写英文字母，表示产品版权。
X 代表新顺公司自主开发产品；其余代表客户定制产品。
(4) 1位大写英文字母，表示系列代码三极管系列：N 表示NPN 双极型晶体管、P 表示PNP 双极型晶体管、D 表示达林顿管；二极管系列：A 表示阻尼二极管、K 表示开关二级管/快恢复二极管、T 表示TVS 二极管、S 表示平面结构肖特基二极管、Z 表示整流二极管、V 表示沟槽结构肖特基二极管；W 表示稳压二极管； 可控硅系列：R 表示可控硅；MOS 结构系列：M 表示VDMOS 管、B 表示超势垒MOS 结构二极管（SBR ）；集成电路系列：表示不同版图结构，A 、B 、C 、D 、……依次区分。
(5) 4位数字，表示管芯尺寸。
管芯为正方形时，采用边长表示管芯尺寸；管芯为长方形时，用面积的平方根表示管芯尺寸。
其中末位数字为0、5表示正方形，其余表示长方形。
① 边长或面积的平方根<10mm ，管芯尺寸为xxxx ×1μm ，精确到1μm 。
如：0.215mm 表示为0215、1.5mm 表示为1500；② 边长或面积的平方根>10mm ，管芯尺寸为xxxx ×10μm ，精确到10μm ，首位用大写英文字母代替。
如：10.55mm表示为A055、31.6mm表示为C160。
(6) 1位大写英文字母，表示系列特征。
NPN/PNP双极型晶体管：B表示小信号放大普通三极管、K表示开关三极管、G表示GR结构三极管、F表示高频三极管、W表示音响管（包括中功率管）；达林顿管：N表示N型外延材料、P表示P型外延材料、T表示N型三扩材料；阻尼二极管：N表示N型材料、P表示P型材料开关/快恢复二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；TVS二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；平面结构肖特基二极管：代表不同金属势垒；沟槽结构肖特基二极管（TMBS）：代表不同金属势垒；MOS结构系列：：N表示N沟道、P表示P沟道；稳压二极管：N、E、W等表示测试电流代码；整流二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；集成电路系列：N表示采用N型材料、P表示采用P型材料。
issi芯片型号命名规则
issi芯片型号命名规则ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）是一家领先的半导体公司，专注于设计、开发和销售各种集成电路产品。
公司成立于1988年，总部位于美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市。
ISSI芯片型号命名规则是一种规范性的体系，用于标识和区分不同型号的芯片产品。
这种规则旨在简化产品标识和分类，方便客户识别和选择合适的芯片。
在ISSI芯片型号中，通常包括一系列字母、数字和特殊字符，每个字符代表了特定的含义和属性。
下面是ISSI芯片型号命名规则的详细解释：1. 类别标识：该部分用于标识芯片所属的主要类别或系列。
常见的类别标识包括DRAM（动态随机存储器）、SRAM（静态随机存储器）、闪存（Flash）、控制器（Controller）等。
不同的类别可以通过不同的字母、数字或特殊字符进行标识。
2. 功能标识：该部分用于标识芯片的主要功能和特性。
常见的功能标识包括速度（Speed）、容量（Capacity）、接口（Interface）等。
速度通常用MHz或ns表示，容量通常用Mb或GB表示，接口通常用SPI、I2C、USB等表示。
3. 封装标识：该部分用于标识芯片的封装形式和尺寸。
常见的封装标识包括TSOP（Thin Small Outline Package）、BGA （Ball Grid Array）、QFN（Quad Flat No-leads）等。
不同的封装形式可以通过不同的字母、数字或特殊字符进行标识。
4. 温度等级标识：该部分用于标识芯片的温度等级和工作范围。
常见的温度等级标识包括商业级（Commercial）、工业级（Industrial）、汽车级（Automotive）等。
不同的温度等级可以通过不同的字母、数字或特殊字符进行标识。
5. 版本标识：该部分用于标识芯片的版本信息。
当芯片需要进行升级或改进时，可以通过版本标识进行区分。
版本标识通常用字母和数字组成，如A、B、C或V1、V2、V3等。
芯片命名规则要点
报告人： 康淑霞 报告日期：2005年11月21日
注意
• 几乎所有公司的芯片都有自己的命名规则，但 基本遵循一定的命名规则 • 芯片所标注的信息大体包括： 1）公司名称或商标 2）器件类型 3）序列号/功能 4）字母后缀 例如：Examples
几种常见的封装之DIP
DIP封装（Double In-line Package ） 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚 从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP是最普及的插装型封装，应用范围包 括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 DIP又分为窄体DIP和宽体DIP
本标准适用于按半导体集成电路系列和品种的国家标准所生产的半导体集成电路
第零部分 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分
用字母表示器件符 合国家标准
用字母表示器件类型
用阿拉伯数字表示器 件的系列和品种代号
用字母表示器件的工作 温度范围
用字母表示器件的 封装Biblioteka 符号 C意义 中国制造
符号
意义
符号 C E R M
•
• •
•
SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的后缀说明： 1. SN或SNJ表示TI品牌 2. SN军标，带N表示DIP封装，带J表示DIP（双列直插）， 带D表示表贴， 带W表示宽体 Examples 3. SNJ军级，后面代尾缀F或/883表示已检验过的军级。 CD54LS×××/HC/HCT： 1、无后缀表示普军级 2、后缀带J或883表示军品级 CD4000/CD45××： 1. 后缀带BCP或BE属军品 2. 后缀带BF属普军级 3. 后缀带BF3A或883属军品级 TL×××： 后缀CP普通级 IP工业级 后缀带D是表贴 后缀带MJB、MJG或带/883的为军品级 TLC表示普通电压 TLV低功耗电压 TMS320系列归属DSP器件， MSP430F微处理器
74ls系列命名规则
74ls系列命名规则74LS系列命名规则一、引言74LS系列是一种广泛应用于数字电路设计的集成电路系列。
它以其高速、低功耗和可靠性而受到广泛关注。
本文将介绍74LS系列的命名规则，以帮助读者更好地理解和应用这一系列的集成电路。
二、74LS系列命名规则的由来在介绍74LS系列的命名规则之前，我们需要了解其命名规则的由来。
74LS系列的命名规则是根据它的功能、结构和性能特点来命名的。
具体来说，其中的“74”代表逻辑门系列的编号，“L”代表低功耗，“S”代表小规模集成电路。
这样的命名规则使得人们可以根据芯片的名称快速了解其性能和特点。
三、74LS系列命名规则的解读1. 逻辑门系列编号：“74”在74LS系列中，“74”代表逻辑门系列的编号。
逻辑门是数字电路中常用的基本元件，用于实现逻辑运算。
逻辑门系列编号的存在使得人们可以根据不同的逻辑门，选择适合自己需求的集成电路。
2. 功耗特性：“L”在74LS系列中，“L”代表低功耗。
低功耗是现代电子产品设计中非常重要的一个指标，它能够降低电路的能耗，延长电池的使用寿命，并减少电路发热。
因此，采用低功耗的74LS系列集成电路更加适合于移动设备等对功耗要求较高的场合。
3. 集成度特性：“S”在74LS系列中，“S”代表小规模集成电路。
小规模集成电路是指集成度较低的集成电路，它通常由几个逻辑门组成。
相比于大规模集成电路，小规模集成电路具有低功耗、高速度和可靠性等特点。
因此，74LS系列的“S”代表了它在集成度方面的特点。
四、74LS系列命名规则的应用举例为了更好地理解74LS系列的命名规则，我们以常用的74LS00为例进行解读。
在74LS00中，“74”代表逻辑门系列的编号，即这是逻辑门系列的第00号芯片；“L”代表低功耗，即这是低功耗的芯片；“S00”代表小规模集成电路，即这是集成度较低的芯片。
因此，74LS00是一款低功耗、小规模集成度的逻辑门芯片。
五、结论通过本文的介绍，我们了解了74LS系列的命名规则，以及其命名规则的由来。
74系列逻辑器件命名规格
74系列逻辑器件命名规格一、引言74系列逻辑器件是一类广泛应用于数字电路中的集成电路芯片，由美国德州仪器公司（Texas Instruments）研发和生产。
这些芯片具有高速、低功耗和稳定可靠的特点，被广泛应用于计算机、通信设备、工业控制等领域。
为了方便用户选择和使用不同功能的逻辑器件，德州仪器公司为每种芯片定义了一套规范的命名规格。
本文将详细介绍74系列逻辑器件的命名规格，包括前缀、功能码和后缀等内容。
二、命名规格1. 前缀74系列逻辑器件的命名以“SN”作为前缀，表示“德州仪器（Texas Instruments）”的英文缩写。
例如，SN74LS00是一种常见的74系列逻辑门芯片。
2. 功能码每种逻辑器件根据其功能被分配了一个唯一的功能码。
这个功能码在芯片型号中起到了区分不同类型芯片的作用。
功能码通常由两个字母和两位数字组成：•第一个字母表示芯片类型：–S：逻辑门（Logic Gates）–N：触发器（Flip-Flops）–D：锁存器（Latches）–T：计数器（Counters）–etc.•第二个字母表示芯片家族：–L：低功耗系列（Low-power Schottky）–H：高速系列（High-speed）•数字部分表示具体功能和特性，如门数量、输入/输出端口数等。
举例说明：•SN74LS00：SN代表德州仪器公司，74代表逻辑器件系列，LS代表低功耗系列，00表示具体的逻辑门芯片。
•SN74HC595：SN代表德州仪器公司，74代表逻辑器件系列，HC代表高速系列，595表示具体的移位寄存器芯片。
3. 后缀根据不同芯片的功能和特性，后缀部分用于进一步描述逻辑器件的规格。
常见的后缀有：•A/B/C/D/E/F/G/H/I/J/K/L/M/N/P/Q/R/S/T/U/V/W/X/Y/Z等：用于区分不同尺寸或包装形式的芯片。
•N/R/S/T等：表示不同温度范围的工作级别。
•E/F等：表示不同电源电压级别。
(整理)国际集成电路的命名方法及定义
国外集成电路命名方法国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）器件型号举例说明ANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：模拟器件编号A：第二代产品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD- HA：混合DI：介质隔离产（0-70）℃；密双列封装883B级。
A/D；品；A、B、C：（多层陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V （-25-85）℃；E：芯片载体；D/A。
的产品。
（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；（-55-125）℃。
G：PGA封装（针栅阵列）；H：金属圆壳气密封装；M：金属壳双列密封计算机部件；N：塑料双列直插；Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；CHIPS：单片的芯片。
同时采用其它厂家编号出厂产品。
缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）通用器件型号举例说明模拟器件产品型号举例说明首标器件编号温度范围封装筛选水平H、J、K、L：M：铜焊金属壳封装； Q：高可靠产品；（0-70）℃；P：塑封；/QM：MIL-STD-A、B、C：（-25-85）℃； G：陶瓷。
883产品。
R、S、T、V：（-55-125）℃。
军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器/ADC/VFC）首标器件编号温度范围封装高可靠性等级V：（-55-125）℃；M：金属的；MIL-STD-883B。
U：（-25-85）℃；L：芯片载体。
W：（-55-125）℃。
DAC的型号举例说明首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B表示V:(-55-125)℃；CBI：互补二进制V：电压输出；U：（-25-85）℃。
输入；I：电流输出。
COB：互补余码补偿二进制输入；CSB：互补直接二进制输入；CTC：互补的两余码输入。
首标的意义：：A/D转换器；OPA：运算放大器；ADS：有采样/保持的A/D转换器；INA：仪用放大器；DAC：D/A转换器；PGA：可编程控增益放大器；MPC：多路转换器；ISO：隔离放大器。
(整理)集成电路命名方法(国外)
国外集成电路命名方法缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）器件型号举例说明缩写字符：ANA译名：模拟器件公司（美）器件型号举例说明()缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）通用器件型号举例说明()模拟器件产品型号举例说明缩写字符：CYSC译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司器件型号举例说明()缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）器件型号举例说明80C86系列型号举例说明缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）器件型号举例说明缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明NECJ译名：日本电气公司（日）NECE日本电气公司美国电子公司（美）器件型号举例说明缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明缩写字符：PRSC译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司器件型号举例说明缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）缩写字符：RCA译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）器件型号举例说明缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明缩写字符：SGSI译名：意大利国家半导体公司器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）器件型号举例说明缩写符号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明缩写符号：SIEG 译名：西门子公司（德）器件型号举例说明（与欧共体相一致）缩写符号：THEF译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）老产品型号举例说明汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明缩写符号：TI 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明缩写符号：VTC译名：VTC公司器件型号举例说明器件型号举例说明缩写符号：MATJ译名：松下电气公司（日）器件型号举例说明缩写符号：HITJ译名：日立公司（日）器件型号举例说明缩写符号：IDT译名：集成器件技术公司器件型号举例说明精品文档。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。