实验二 3_RAM62256存储器的应用
存储器的原理及应用
存储器的原理及应用1. 存储器的原理存储器是计算机系统中的重要组成部分，用于存储和检索数据。
根据存储器的原理，可以将其分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种类型。
1.1 随机存取存储器（RAM）RAM是一种可以随机读取和写入数据的存储器。
它由一系列存储单元组成，每个存储单元都有唯一的地址，可以通过地址访问存储的数据。
RAM采用电容或电子管等物理元件来存储数据，其存储能力比较大，并且读写速度快，但是数据在断电时会丢失。
RAM有两种常见的类型：静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。
SRAM利用触发器来存储数据，因此读取速度较快，但是占用空间较大，价格较贵。
DRAM则采用电容来存储数据，由于电容会逐渐放电，需要定期刷新，所以读取速度相对较慢，但是价格相对较低。
1.2 只读存储器（ROM）ROM是一种只能读取而不能写入的存储器。
它通常用于存储初始程序和固件等数据，这些数据在计算机启动时需要被加载。
ROM的数据是永久存储的，不会因为断电而丢失。
ROM的读取速度较快，但是不能被用户随意修改。
根据存储方式的不同，ROM又可以分为可编程只读存储器（PROM）、只读存储器（ROM）和闪存（Flash）等类型。
PROM可以由用户进行一次性的编程，ROM的数据在制造时被写入，不可修改，而闪存是一种可以电子擦除和重新编程的存储器。
2. 存储器的应用存储器作为计算机系统的核心组件之一，在各个领域都有广泛的应用。
2.1 个人电脑个人电脑中使用的RAM主要是SRAM和DRAM。
这些存储器用于存储正在运行的程序和数据，可以提供快速读写的性能。
此外，个人电脑中也会使用固态硬盘（SSD）作为辅助存储器，SSD使用闪存存储技术，具有快速的读取速度和低能耗。
2.2 服务器和大型计算机服务器和大型计算机通常需要大容量的存储器来处理海量的数据。
这些系统使用的存储器通常是DRAM，通过多通道和高频率的设计来提供高带宽和低延迟的性能。
62256芯片
62256芯片62256芯片是一种静态随机存储器(SRAM)，它具有62256个存储位置，每个位置可以存储8位数据。
下面将详细介绍62256芯片的特点、工作原理以及应用领域。
62256芯片的主要特点如下：1. 高容量：62256芯片共有62256个存储位置，每个位置可以存储8位数据。
因此，它具有较高的存储容量，能够满足大部分存储需求。
2. 快速访问：62256芯片的存取时间较短，能够快速地进行数据的读写操作。
这对于一些对存储速度有要求的应用来说非常重要。
3. 静态存储器：62256芯片是一种静态随机存储器(SRAM)，不需要进行刷新操作，能够实时地保存数据。
这样可以节省系统资源并提高存储效率。
4. 低功耗：62256芯片在存储数据时不需要刷新操作，因此功耗较低。
这对于一些功耗敏感的应用来说非常有优势。
62256芯片的工作原理是通过存储单元和控制电路实现的。
每个存储单元由一个存储电容和一个存储开关组成。
控制电路的作用是控制数据的读写操作，并为存储单元提供所需要的电源和时钟信号。
在读取数据时，控制电路将读取地址发送给存储单元，并打开相应的存储开关，将存储单元中的数据输出到数据总线上。
在写入数据时，控制电路将写入地址和数据发送给存储单元，并打开相应的存储开关，将数据写入到存储单元中。
同时，控制电路还可以根据需要进行数据的复位、使能和屏蔽操作。
62256芯片主要应用于嵌入式系统中，广泛用于各种电子设备中的数据存储和缓存。
它可以存储程序代码、系统配置信息和用户数据等。
常见的应用场景包括计算机、通信设备、医疗设备、工控设备等。
随着科技的进步和应用领域的扩大，62256芯片的应用范围还将继续扩大。
总之，62256芯片是一种高容量、快速访问、低功耗的静态随机存储器。
它适用于各种数据存储和缓存应用，广泛应用于嵌入式系统中。
随着技术的不断发展，我们相信62256芯片将会有更广阔的应用前景。
谈HM62256RAM的应用
樊 太 原 一
地 提 高了工作 效 率 。不足之 处是 分 时复用 、半 双工
通信。
ｌ 工作 原 理
工 作原理 图见 图 １ 。电路 采 用 １片 随 机存 贮 芯 片 （ ＨＭ６ ２ ６ 作 为数 据存 贮 和交 换 中心 ＲＡ 。 ２５ ） Ｍ 将其 内存分页 ，Ｐ Ｃ机能 通 过 数 据 总线 将 数 据成 页 地写 入 ＲＡＭ，Ｃ ５系统再从 Ｒ ２ ＡＭ 中读 出数据 。 ＨＭ６ ２ ６ ＡＭ 的存贮 量 为 ３ ２５ Ｒ ２ＫＢ．地址 线 有 （ ～ Ａ ． ，将 ＨＭ６ ２ ６分 成 １ Ａ。 ） ２５ ，每 页 容 量 ６页
２ＫＢ，有 ２ ４ ０ ８十 地 址 单 元 ，其 低 １ １位 地 址 （ Ａ
～
数据 交换 。该 电路信 号 线 少 、 电路简 单 、成本 低 ，
可靠 性高 、灵活性 强 ，能实 现数 据成 页传送 ．极大
铁 通 山西 分 公 司 ，０ ０ １ 太 原 ３０３ 助理 工 程 师 ’ 程 师 工
维普资讯
铁 道通 言 信 号
２０ 年第 ３ ０２ ８卷 第 ３ 期
谈 ＨＭ６ ２ ６ Ａ 的 应 用 ２５Ｒ Ｍ
范 新 威
Ｃ５ ２ 语音综 合 系统 （ 以下 简称 Ｃ ５系统 ）是作 ２ 为一十 系统板 安装 在 Ｐ Ｃ机 上 ，程序 由 ｐ ｃ机 执行 ， 与Ｐ Ｃ机进 行数 据交换 。数 据 采用 并 行 方式 。由于 Ｐ Ｃ机扩 充 槽 的数 据 总 线 是 ８位 ，每 次 只 能交 换 １个字节 的数据 ，若要交 换 大量 的数 据 要 花很 长 时 间。为 了加 快数 据交 换 ，减 少数 据传 送时 间 ，虽 然 可以采用 双 口 Ｒ ＡＭ （ 地 址 和数 据 总 线 各 ２套 ， 其 ２个 Ｃ Ｕ 可 以 同时 访 问 ） Ｐ ，但其 容量 小 、价格 贵 ． 不 宜作较 大容量 的公 用存贮 器 。为此 ，设计 了一 个 高速数据交 换 电路 ，来满足 Ｐ Ｃ机 与 Ｃ ５系统 间的 ２
实验 存储器的使用
实验七存储器的使用一、实验目的1、掌握变量的定义方法。
2、掌握内存的块操作方法。
3、掌握存储器的初始化4、熟悉存储器的使用手段二、实验内容1、变量及其定义2、和存储器操作有关的中断指令三、EXE模板的使用（1）单击菜单[文件][新建]，出现如下图所示的对话框，选择EXE模板，单击确定（2）在出现的编程界面中，默认生成了三个段，如下图所示其中，DSEG为数据段，SSEG为堆栈段，CSEG为代码段数据段和堆栈段中没有任何内容堆栈段暂时不使用，代码段需要编写自己的程序所以，默认的堆栈段定义语句可以删除。
代码段中默认的内容也要删除（以后的实验，同样的操作）删除之后如下图所示。
可以在下图中的DSEG中定义数据，在CSEG中编写代码。
也可以将默认生成的代码全部删除，自己编写代码。
四、实验内容1、采用EXE模板，调试下列程序，观察内存变化，观察结果与教材中图4.3比较。
并截图（源程序见教材P138-P139，有改动）DSEG SEGMENTTABLE1 DW 12DW 34DATA1 DB 5TABLE2 DW 67,89DW 1011DATA2 DB 12RATES DW 1314DSEG ENDSCSEG SEGMENT 'CODE'ASSUME CS:CSEG,DS:DSEGSTART: MOV AX,DSEGMOV DS,AXMOV AH,4CHINT 21HCSEG ENDSEND START提示，在看数据段之前，查看数据段DS的内容，找到相应的内存区域，本题数据段第一个数据TABLE1的偏移地址为0000H2、调试下列程序，观察内存变化，观察结果，并截图（源程序见教材P138-P139，有改动）DSEG SEGMENT AT 55HZERO DB 0ONE DW ONETWO DW TWOFOUR DW FOUR+5SIX DW ZERO-TWOATE DB 5+6DSEG ENDSCSEG SEGMENT 'CODE'ASSUME CS:CSEG,DS:DSEGSTART: MOV AX,DSEGMOV DS,AXMOV AH,4CHINT 21HCSEG ENDSEND START提示，在看数据段之前，查看数据段DS的内容，找到相应的内存区域，本题数据段第一个数据TABLE1的偏移地址为0000H3、调试下列程序，观察内存变化，观察结果，并截图（源程序见教材P138-P139，有改动）DSEG SEGMENT AT 55HSTRING1 DB 'HELLO'STRING2 DB 'AB'STRING3 DW 'AB'STRING4 DB 'ABCD'STRING5 DW 'AB','CD'DSEG ENDSCSEG SEGMENT 'CODE'ASSUME CS:CSEG,DS:DSEGSTART: MOV AX,DSEGMOV DS,AXMOV AH,4CHINT 21HCSEG ENDSEND START提示，在看数据段之前，查看数据段DS的内容，找到相应的内存区域，本题数据段第一个数据TABLE1的偏移地址为0000H五、实验思考题1、完成教材P164，习题4.8，观察结果，并截图DSEG SEGMENT;数据段定义的内容见教材P164，习题4.8，请补充DSEG ENDSCSEG SEGMENT 'CODE'ASSUME CS:CSEG,DS:DSEGSTART: MOV AX,DSEGMOV DS,AXMOV AH,4CHINT 21HCSEG ENDSEND START2、完成教材P164，习题4.12，要求A、B、C均定义为字节变量，无符号数。
存储器扩展
数据存贮器扩展实验一、实验目的1、学习片外存贮器扩展方法。
2、学习数据存贮器不同的读写方法。
二、实验内容使用一片62256RAM，作为片外扩展的数据存贮器，对其进行读写。
三、实验说明本实验采用的是55H（0101，0101）与AAH（1010，1010），一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实验调试用户电路时非常有效。
编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写，若L1灯闪动说明RAM读写正常。
四、实验接线图图（12－1）五、实验框图六、实验步骤1、RAM_CS插孔连到译码输出P2.7插孔，P1.0连接到L0。
2、调试运行程序test12中RAM.ASM。
对62256进行读写。
若L1灯闪动，表示62256RAM读写正常。
ORG 0000HAJMP STARTORG 0030HSTART: MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000HMOV R6,#0FHMOV A,#55HRAM1: MOV R7,#0FFHRAM2: MOVX @DPTR,ACLR P1.0INC DPTRDJNZ R7,RAM2DJNZ R6,RAM1MOV DPTR,#0000HMOV R6,#0FHRAM3: MOV R7,#0FFHRAM4: MOVX A,@DPTRCJNE A,#55H,RAM6SETB P1.0INC DPTRDJNZ R7,RAM4DJNZ R6,RAM3RAM5: CLR P1.0CALL DELAYSETB P1.0CALL DELAYSJMP RAM5DELAY: MOV R5,#0FFHDELAY1: MOV R4,#0FFHDJNZ R4,$DJNZ R5,DELAY1RETRAM6: SETB P1.0SJMP RAM6END#include <reg51.h>#include <ABSACC.h>void delay(void);sbit P1_0=P1^0;void main(void){unsigned char tmp2;unsigned int tmp1,i1;SP=0x60; i1=0;for (tmp1=0;tmp1<0x3fff;tmp1++){XBYTE[0X0000+i1]=0x55;tmp2=XBYTE[0X0000+i1];if (tmp2!=0x55){while(1) P1_0=0;}P1_0=!P1_0;delay();i1++;XBYTE[0x0000+i1]=0xaa;tmp2=XBYTE[0X0000+i1];if (tmp2!=0xaa){while(1) P1_0=0;}P1_0=!P1_0;i1++;delay();}}void delay(void){unsigned char ii;unsigned int jj;for (ii=0;ii<15;ii++)for (jj=0;jj<0xFF;jj++);}。
扩展存储器读写实验
实验六扩展存储器读写实验一．实验目的掌握单片机系统中存储器扩展的方法。
二．软件、硬件环境要软件、硬件环境要求1）软件环境要求Windows XP操作系统以及Keil C51 单片机集成开发环境。
2）硬件环境要求电脑一台，TD-51单片机系统。
三．实验内容编写简单的程序，对实验板上提供的外部存储器（62256）进行读写操作，连续运行程序，数码管上显示99。
四．引脚定义：A0——Ai：地址输入线。
D0——D7：双向三态数据线。
CS：片选信号输入线，低电平有效。
RD：读选通信号线，低电平有效。
WR：写选通信号线，低电平有效五、硬件接线图六．试验流程图八.实验步骤：将实验源程序打入K e i l软件,然后编译连接。
九.仿真，仿真结果如下：十．实验程序RAMDATA XDATA 99HRAMADDRESS XDATA 6000HORG 0000HAJMP MAINORG 0030H;MAIN: CALL W_RAMCALL R_RAMMOV R0,ACALL DISP ;调用LED显示子程序CALL DELAY ；调用延时子程序CALL DELAYAJMP MAIN;;********************************************************; /*写 RAM 子程序*/ *;********************************************************;W_RAM: MOV DPTR,#RAMADDRESS ;把数据存入指定的地址中MOV A,#RAMDATAW_RAM1: MOVX @DPTR,ARET;;********************************************************; /*读 RAM 子程序*/ *;********************************************************R_RAM: MOV DPTR,#RAMADDRESSR_RAM1: MOVX A,@DPTR ;从指定的地址中读出数据 RET;;********************************************************; /*LED显示子程序*/ *;********************************************************;DISP: MOV A,R0ANL A,#0FHACALL DSEND ;显示MOV A,R0SWAP AANL A,#0FHACALL DSEND ;显示RETDSEND: MOV DPTR,#SGTB1MOVC A,@A+DPTRMOV SBUF,A ;发送字符JNB TI,$CLR TIRET;;********************************************************; /*延时子程序*/ *;********************************************************;DELAY: MOV R6,#250DELAY1: MOV R7,#250DJNZ R7,$ ；延时sDJNZ R6,DELAY1RET;;********************************************************; /*字符编码*/ *;********************************************************;SGTB1:DB 09H ;9END十一．实验总结本次实验是实现单片机内部RAM和外部RAM之间数据的传送，这就要求我们知道他们各自传送的特点。
单片机实验-扩展存储器读写实验
实验一：扩展存储器读写实验一.实验要求编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。
二.实验目的1．学习片外存储器扩展方法。
2．学习数据存储器不同的读写方法。
三.实验电路及连线将P1.0接至L1。
CS256连GND孔。
四.实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。
用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。
用户编程可以参考示例程序和流程框图。
本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。
不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。
读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。
一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。
用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。
2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常。
3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE，屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。
注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。
4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。
五.实验程序框图实验示例程序流程框图如下：六.实验源程序：ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址MOV A,#55H ;测试的数据一MOV B,AMOVX @DPTR,A ;写外部RAMMOVX A,@DPTR ;读外部RAMXRL A,B ;比较读回的数据JNZ ERRORMOV A,#0AAH ;测试的数据二MOV B,AMOVX @DPTR,AMOVX A,@DPTRXRL A,BJZ PASS ;测试通过ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LEDSJMP $PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换MOV R1,#00H ;延时DELAY: MOV R2,#00HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAYLJMP START ;循环测试END实验二P1口输入、输出实验一.实验要求1.P1口做输出口，接八只发光二极管，编写程序，使发光二极管循环点亮。
《微机原理与接口技术》实验指导书
《微机原理与接口技术》课程实验指导书实验内容EL-8086-III微机原理与接口技术教学实验系统简介使用说明及要求✧实验一实验系统及仪器仪表使用与汇编环境✧实验二简单程序设计实验✧实验三存储器读/写实验✧实验四简单I/0口扩展实验✧实验五8259A中断控制器实验✧实验六8253定时器/计数器实验✧实验七8255并行口实验✧实验八DMA实验✧实验九8250串口实验✧实验十A/D实验✧实验十一D/A实验✧实验十二8279显示器接口实验EL-8086-III微机原理与接口技术教学实验系统简介使用说明及要求EL-8086-III微机原理与接口技术教学实验系统是为微机原理与接口技术课程的教学实验而研制的，涵盖了目前流行教材的主要内容，该系统采用开放接口，并配有丰富的软硬件资源，可以形象生动地向学生展示8086及其相关接口的工作原理，其应用领域重点面向教学培训，同时也可作为8086的开发系统使用。
可供大学本科学习《微机原理与接口技术（8086）》，《单片机应用技术》等课程提供基本的实验条件，同时也可供计算机其它课程的教学和培训使用。
为配合使用EL型微机教学实验系统而开发的8086调试软件，可以在WINDOWS 2000/XP等多种操作系统下运行。
在使用本软件系统调试程序时，可以同时打开寄存器窗口、内存窗口、反汇编窗口、波形显示窗口等等，极大地方便了用户的程序调试。
该软件集源程序编辑、编译、链接、调试与一体，每项功能均为汉字下拉菜单，简明易学。
经常使用的功能均备有热键，这样可以提高程序的调试效率。
一、基本特点EL型微机教学实验系统是北京精仪达盛科技有限公司根据广大学者和许多高等院校实验需求，结合电子发展情况而研制的具有开发、应用、实验相结合的高科技实验设备。
旨在尽快提高我国电子科技发展水平，提高实验者的动手能力、分析解决问题能力。
系统具有以下特点：1、系统采用了模块化设计，实验系统功能齐全，涵盖了微机教学实验课程的大部分内容。
微机原理实验---存储器的扩展实验
深圳大学实验报告课程名称：_____________ 微机计算机设计__________________实验项目名称：静态存储器扩展实验______________学院：_________________ 信息工程学院____________________专业：_________________ 电子信息工程____________________指导教师：____________________________________________报告人：________ 学号：2009100000班级：＜1＞班实验时间：_______ 2011.05. 05实验报告提交时间：2011. 05. 31教务处制一、实验目的1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/ 写。
2. 掌握CPU寸16位存储器的访问方法。
二、实验要求编写实验程序，将OOOOH H OOOFH共16个数写入SRAM的从0000H起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。
三、实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套。
四、实验原理1、存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1 位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
此，静态RAM工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。
2、本实验使用两片的62256芯片，共64K字节。
本系统采用准32位CPU具有16 位外部数据总线，即D0 D1、…、D15,地址总线为BHE^(#表示该信号低电平有效)、BLE#、A1、A2、…、A20。
存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BH四和BLE#选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。
处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BH即和BLE #同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。
62256和RAM扩展
62256是32K的低功耗静态RAM存储器. 用P0和P2来扩展外部ram（就是用P0和P2与62256对应的管脚相连接），假设P3.6接WR，P3.7接RD，P2.7接CS，那么就可以确定外部RAM的一个地址，想往外部RAM的一个地址写一个字节时，地址可以定为XBYTE [0x8000]，其中WR，CS为低，RD为高，那就是（也就是P2.7和P3.6输出了低电平，而P3.7输出了高电平，目的当然是要选通62256并且向62256写入数据），其它位的可以根据情况自己定（也就是其它位是什么不打紧，关键就是控制wr，cs，rd的那几个位要符合选通，读，写的规定就可以了），现在我们向62256中写个26进去就可以使用这条语句：XBYTE [0x8000] = 26MCS-51单片机系统扩展时，一般使用P0口作为地址低8位（与数据口分时复用），而P2口作为地址高8位，它共有16根地址总线，寻址空间为64KB。
62256 引脚功能A0 – A14 地址总线(Address)D0 /D7 输入/输出口(nput/output)CS 端口选择(Chip select) WE 输入始能(Write enable) OE 输出始能(Output enable) VCC 电源始能(Power supply)VSS 接地(Ground)Program:读写操作#include <reg51.h>#include <absacc.h>#define ramaddress XBYTE[0X0000] //外部存儲器地址看電路unsigned char sum;void main(){unsigned char xdata *pt;//外部存儲器類型指針unsigned char i,sumtemp;pt=&ramaddress; //首地址P1=0x0f;for(i=0;i<20;i++){*(pt+i)=i+1; //write外部存儲器操作}sum=0;for(i=0;i<20;i++){sumtemp=*(pt+i);//read外部存儲器操作sum=sum+sumtemp;}P1=sum; //read結果在P1口 display.。
HM62256简介及使用建议与学习帮助
HM62256RAM的应用：就像在计算机里面有内存条存在一样，在很多电子产品的电路中，常常会有数据临时存储的应用，单片机通常内部有128个字节或者256个字节的RAM区，但实际应用中，一般来说是不够用的，此时就需要外部扩展RAM。
RAM是随机存储器，特点是掉电就会丢失数据。
RAM有动态RAM（即DRAM）和静态RAM （SRAM）之分。
两者是有很大差别的，DRAM需要刷新电路，操作比较复杂，但是价格便宜。
SRAM价格贵，但是接口及操作很方便。
结合这两者的特点，又产生SDRAM，延伸的有DDR这些RAM，这些RAM应用在不同的场合。
在学习板上，我们选择了SRAM提供给大家了解外部存储器的一个机会。
62256简介：62系列是最常用的单片机系统扩展RAM元器件，其类型有6216、6232、6264、62128、62256或62512等多种，62后面的数字表示此元器件中可以存储的位(单位：千bit)，我们通常的说法是将此值除以8，比如62256将256除以8，我们一般称之为32K的RAM。
如果学习过二进制就可以知道，区分两个字节需要一根地址线就可以：0或者1；而区分四个字节需要2根地址线；区分八个字节需要三根地址线…..以此类推，我们可以计算出要区分32K的RAM区，需要15根地址线，也就是器件上面的A0-A14管脚用于确定唯一的一个字节内容。
我们现在学习的51单片机是8位的，所以必须用两个IO口来联接这个RAM 器件，通常我们用P0（低字节）和P2（高字节）两个端口来确定此器件的地址，而P0口是51单片机标准的总线口，是地址线和数据线复用的，所以与62256联接时需要加一片锁存器来锁存地址。
即先将地址送到锁存器（通常用74HC373）中，然后P0口空闲下来后开始接收或发送数据至62256。
关于地址的一些知识：学习62256的时候不可避免的要用到地址的概念，而地址的知识是区别一个初学者和一个电子工程师的主要的关键点之一，学习单片机里面的指令时，我们常常会发现这样的语句：MOV DPTR，#5000HMOV A，#55HMOVX @DPTR，A看懂和看不懂，是电子知识是否入门的一个标志，下面就地址方面的知识以简单的话来讲解一次：电子产品上面一般只有一个单片机（MCU），就像计算机里面的CPU一样，是这个电子产品的大脑和司令部，外部通常有很多元器件围绕着它，当外围的器件数量不多时，我们可以用单片机上面本身带有的四个端口（共32个管脚）来直接与外围器件进行联系，X101型学习板就是这种形式。
储存器实验报告
储存器实验报告储存器实验报告一、引言储存器是计算机中重要的组成部分，它用于存储和读取数据。
在计算机科学领域，储存器的设计和性能对计算机的运行速度和效率有着重要的影响。
本实验旨在通过设计和实现一个简单的储存器，来深入了解储存器的工作原理和性能指标。
二、实验目的1. 了解储存器的基本概念和分类；2. 掌握储存器的存储原理和读写操作；3. 分析和评估储存器的性能指标。
三、实验过程1. 储存器的分类储存器按照存储介质的不同可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
RAM是一种易失性存储器，它可以随机读写数据。
ROM则是一种非易失性存储器，主要用于存储固定的程序和数据。
2. 储存器的存储原理储存器的存储原理是通过电子元件的状态来表示数据的存储状态。
在RAM中，每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。
当电容充电时表示存储单元存储的是1，当电容放电时表示存储单元存储的是0。
在ROM中，存储单元由一组可编程的开关组成，每个开关的状态决定了存储单元存储的数据。
3. 储存器的读写操作储存器的读操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要读取的存储单元，然后将存储单元的数据输出。
储存器的写操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要写入的存储单元，然后将要写入的数据输入。
四、实验结果在实验中，我们设计并实现了一个8位的RAM储存器。
通过对储存器进行读写操作，我们成功地将数据存储到储存器中，并成功地从储存器中读取数据。
实验结果表明，储存器的读写操作是可靠和有效的。
五、实验分析1. 储存器的性能指标储存器的性能指标包括存储容量、存取时间和存储器的可靠性。
存储容量是指储存器可以存储的数据量，通常以位或字节为单位。
存取时间是指从发出读写指令到数据可以被读取或写入的时间间隔。
存储器的可靠性是指储存器的故障率和故障恢复能力。
2. 储存器的应用储存器广泛应用于计算机、手机、平板电脑等电子设备中。
在计算机中，储存器用于存储程序和数据，是计算机的核心组件之一。
实验二_3_RAM62256存储器的应用
I/O3 I/O2 I/O1
（读出）
8
实验中应该注意的问题
1. 把地址线A2~A0、数据线I/O3 ~ I/O1 、读写信号 线OE WR分别按顺序连接到几个拨码开关上，同 时连接到发光二极管上来指示信号电平的高低。
2. 写入数据时先置OE 、 WR信号为高电平，正确设 置地址和数据后，拨动WR开关，顺序为高—低— 高，依次往前8个RAM单元中写入数据00H~07H
CS OE WE I/O1～8 功能
H X X 高阻 片选无效
L H H 高阻 输出无效
L L H 输出
读
L X L 输入
写
6
实验原理图
状态显示
H
L
11 12 13 15 16 17 18 19
I/O1
…
I/O8
RAM62256
22 27
OE WE
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 CS
据线？有多少个存储单元 ？
2．实验中写入RAM数据后，当读数据时会
发现某些单元的数据变化了，为什 存储器？
10
3. 读出数据时必须首先将数据线与拨码开关断开，但 数据线仍需要和发光二极管相连，依次改变地址线 A2~A0，观察并记录读出的数据I/O3 ~ I/O1 。
4. 如果读出数据时发现个别地址的数据不正确，只需 要对此地址重新写入数据，不需要所有的地址全部 重写。
9
思考题
1．RAM62256有多少条地址线？有多少条数
10 9 8 7 6 5 4 3 25 24 21 23 2 26 1
20
7
数据记录表格
A2 A1 A0 （地址）
实验二 RAM扩展实验
实验二RAM扩展实验（请在实验课前写好预习报告，预习报告日期必在做实验课之前，预习报告中应该出现跟实验1内容相关的原理，电路图（可简画），流程图（或是程序，有程序就必带注释））实验仪器：pc机，8086k微机原理实验箱实验目的：1.掌握存储器芯片的特性及与CPU的连接方法。
2.掌握访问连续存储空间的方法。
实验内容：（1必须在实验课前通过仿真实验完成，电路为EX2_1.DSN,程序为EX2_1.ASM）1.利用62256(32K×8bit)的静态SRAM芯片进行扩展，要求扩展的存储器容量为64KB，且要求和8086CPU相连接。
扩展后，利用此扩展的存储体进行读写访问，将内存0000H:4000H 地址开始的位置至0000H:4063H位置处依次写上0-99。
实验连线：提示：应该有哪三类线？实验流程图参考实验程序：assume cs:codecode segmentstart:mov ax,0000h ;设置DS的段地址值为0mov ds,axmov bx,4000H ;利用BX存放存储单元的偏移地址，从200H开始mov al,0 ;AL中为要写到存储单元中的数据。
初始值为1mov ds:[bx],al ;将1写入内存0000H:4000H地址处mov cx,100 ;设置循环次数为100次l1:mov ds:[bx],al ;循环体目的将AL中的值填入存储器inc bx ;偏移地址指针下移一个字节inc al ;待填充到存储单元的数据也自增1loop l1 ;根据CX的次数执行上面的循环体int 3 ;断点中断，目的是为了观察内存结果，用实验箱做实验时，不用这步code endsend start提示：如果仿真过程中把内存窗口关掉，可以按图中所示选择调试菜单中：即可出现思考问题：1）通过EX2_1.DSN仿真运行结果观察两块62256芯片写入的内容各有什么特点？为什么会产生这样的结果？2）停止运行，观察EX2_1.DSN仿真图，U7：62256芯片的片选段CE由那两个信号进行或运算获得？这两个信号都为哪种电平时才能选中这块U7：62256芯片。
实验(二)存储器应用PPT共28页
实验(二)存储器应用
51、没有哪个社会可以制订一部永远 适用的 宪法， 甚至一 条永远 适用的 法律。 英 格索尔
53、人们通常会发现，法律就是这样 一种的 网，触 犯法律 的人， 小的可 以穿网 而过， 大的可 以破网 而出， 只有中 等的才 会坠入 网中。 ——申 斯通 54、法律就是法律它是一座雄伟的大 夏，庇 护着我 们大家 ；它的 每一块 砖石都 垒在另 一块砖 石上。 ——高 尔斯华 绥 55、今天的法律未必明天仍是法律。 ——罗·伯顿
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71、既然我已经踏上这条道路，那么，任何东西都不应妨碍我沿着这条路走下去。——康德 72、家庭成为快乐的种子在外也不致成为障碍物但在旅行之际却是夜间的伴侣。——西塞罗 73、坚持意志伟大的事业需要始终不渝的精神。——伏尔泰 74、路漫漫其修道远，吾将上下而求索。——屈原 75、内外相应，言行相称。——韩非
实验3 存储器 实验报告
实验3 存储器实验报告一、实验目的本次实验的主要目的是深入了解存储器的工作原理和性能特点，通过实际操作和观察，掌握存储器的读写操作、存储容量计算以及不同类型存储器的区别和应用。
二、实验设备1、计算机一台2、存储器实验装置一套3、相关测试软件三、实验原理存储器是计算机系统中用于存储数据和程序的重要部件。
按照存储介质和工作方式的不同，存储器可以分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
RAM 可以随机地进行读写操作，但断电后数据会丢失。
ROM 在正常工作时只能读取数据，且断电后数据不会丢失。
存储器的存储容量通常以字节（Byte）为单位，常见的存储容量有1GB、2GB、4GB 等。
存储容量的计算方法是：存储容量＝存储单元个数 ×每个存储单元的位数。
四、实验内容与步骤1、熟悉实验设备首先，仔细观察存储器实验装置的结构和接口，了解各个部分的功能和作用。
2、连接实验设备将计算机与存储器实验装置通过数据线正确连接，并确保连接稳定。
3、启动测试软件打开相关的测试软件，进行初始化设置，选择合适的实验模式和参数。
4、进行存储器读写操作（1）随机写入数据：在测试软件中指定存储单元地址，输入要写入的数据，并确认写入操作。
（2）随机读取数据：指定已写入数据的存储单元地址，进行读取操作，将读取到的数据与之前写入的数据进行对比，验证读写的准确性。
5、计算存储容量通过读取存储器的相关参数和标识，结合存储单元的个数和每个存储单元的位数，计算出存储器的实际存储容量。
6、比较不同类型存储器的性能（1）分别对 RAM 和 ROM 进行读写操作，记录操作的时间和速度。
（2）观察在断电和重新上电后，RAM 和ROM 中数据的变化情况。
五、实验结果与分析1、读写操作结果经过多次的读写操作验证，存储器的读写功能正常，读取到的数据与写入的数据一致，表明存储器的读写操作准确无误。
2、存储容量计算结果根据实验中获取的存储器参数，计算得出的存储容量与标称容量相符，验证了存储容量计算方法的正确性。
实验十四存储器扩展机读写实验
实验十四存储器扩展机读写实验实验十四存储器扩展机读写实验一、实验目的（1）通过阅读并测试示例程序，完成程序设计题，熟悉静态RAM的扩展方法。
（2）了解8086/8088与存储器的连接，掌握扩展存储器的读写方法。
二、实验内容1.实验原理（62256RAM介绍）62256是32*8的静态存储器，管脚如图所示。
其中：A0~A14为地址线，DB0~DB7为数据线，/cs为存储器的片选，/OE为存储器数据输出选通信号，/WE为数据写入存储器信号。
62256工作方式如下图。
/CS /WE /OE 方式DB-~DB7H X X 未选中高阻L H H 读写禁止高阻L L H 写INL H L 读OUT2.实验内容设计扩展存储电器的硬件连接图并编制程序，讲字符A~Z循环存入62256扩展RAM 中，让后再检查扩展存储器中的内容。
三、程序设计编写升序，将4KB扩展存储器交替写入55H和0AAH。
程序如下：RAMADDR EQU 0000HRAMOFF EQU 9000HCOUNT EQU 800HCODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART: PROC NEARMOV AX,RAMADDRMOV DS,AXMOV BX,RAMOFFMOV CX,COUNTMOV DL,55hMOV AX ,0AAHREP: MOV [BX],DLINC BXMOV [BX],AXINC BXLOOP REPJMP $CODE ENDSEND START四、实验结果通过在软件上调试，运行时能够看到内存地址的改变，证明此扩展的程序成功实现了。
五、实验心得了解了内存如何扩展的过程，对于理论知识的了解有了进一步的加深，同时对于内存控制有了加深了解。
而通过实际操作，扩展存储器的读写方法已经了解了。
HM62256简介及使用建议与学习帮助
HM62256RAM的应用：就像在计算机里面有内存条存在一样，在很多电子产品的电路中，常常会有数据临时存储的应用，单片机通常内部有128个字节或者256个字节的RAM区，但实际应用中，一般来说是不够用的，此时就需要外部扩展RAM。
RAM是随机存储器，特点是掉电就会丢失数据。
RAM有动态RAM（即DRAM）和静态RAM （SRAM）之分。
两者是有很大差别的，DRAM需要刷新电路，操作比较复杂，但是价格便宜。
SRAM价格贵，但是接口及操作很方便。
结合这两者的特点，又产生SDRAM，延伸的有DDR这些RAM，这些RAM应用在不同的场合。
在学习板上，我们选择了SRAM提供给大家了解外部存储器的一个机会。
62256简介：62系列是最常用的单片机系统扩展RAM元器件，其类型有6216、6232、6264、62128、62256或62512等多种，62后面的数字表示此元器件中可以存储的位(单位：千bit)，我们通常的说法是将此值除以8，比如62256将256除以8，我们一般称之为32K的RAM。
如果学习过二进制就可以知道，区分两个字节需要一根地址线就可以：0或者1；而区分四个字节需要2根地址线；区分八个字节需要三根地址线…..以此类推，我们可以计算出要区分32K的RAM区，需要15根地址线，也就是器件上面的A0-A14管脚用于确定唯一的一个字节内容。
我们现在学习的51单片机是8位的，所以必须用两个IO口来联接这个RAM 器件，通常我们用P0（低字节）和P2（高字节）两个端口来确定此器件的地址，而P0口是51单片机标准的总线口，是地址线和数据线复用的，所以与62256联接时需要加一片锁存器来锁存地址。
即先将地址送到锁存器（通常用74HC373）中，然后P0口空闲下来后开始接收或发送数据至62256。
关于地址的一些知识：学习62256的时候不可避免的要用到地址的概念，而地址的知识是区别一个初学者和一个电子工程师的主要的关键点之一，学习单片机里面的指令时，我们常常会发现这样的语句：MOV DPTR，#5000HMOV A，#55HMOVX @DPTR，A看懂和看不懂，是电子知识是否入门的一个标志，下面就地址方面的知识以简单的话来讲解一次：电子产品上面一般只有一个单片机（MCU），就像计算机里面的CPU一样，是这个电子产品的大脑和司令部，外部通常有很多元器件围绕着它，当外围的器件数量不多时，我们可以用单片机上面本身带有的四个端口（共32个管脚）来直接与外围器件进行联系，X101型学习板就是这种形式。
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实验中应该注意的问题
1. 把地址线 把地址线A2~A0、数据线 、数据线I/O3 ~ I/O1 、读写信号 分别按顺序连接到几个拨码开关上， 线OE WR分别按顺序连接到几个拨码开关上，同 分别按顺序连接到几个拨码开关上 时连接到发光二极管上来指示信号电平的高低。 时连接到发光二极管上来指示信号电平的高低。 2. 写入数据时先置 写入数据时先置OE 、 WR信号为高电平，正确设 信号为高电平， 信号为高电平 置地址和数据后，拨动WR开关，顺序为高 低— 开关， 置地址和数据后，拨动 开关 顺序为高—低 高，依次往前8个RAM单元中写入数据 依次往前 个 单元中写入数据00H~07H 单元中写入数据 3. 读出数据时必须首先将数据线与拨码开关断开，但 读出数据时必须首先将数据线与拨码开关断开， 数据线仍需要和发光二极管相连， 数据线仍需要和发光二极管相连，依次改变地址线 A2~A0，观察并记录读出的数据 ，观察并记录读出的数据I/O3 ~ I/O1 。 4. 如果读出数据时发现个别地址的数据不正确，只需 如果读出数据时发现个别地址的数据不正确， 要对此地址重新写入数据，不需要所有的地址全部 要对此地址重新写入数据， 重写。 重写。
RAM62256随机存储器的应用 RAM62256随机存储器的应用
实验目的
熟悉RAM62256的管脚功能 。 掌 的管脚功能。 熟悉 的管脚功能 握随机存储器的性能及使用方法。 握随机存储器的性能及使用方法。
实验内容
1. 对RAM62256中的存储单元进行写入操作。 中的存储单元进行写入操作。 中的存储单元进行写入操作 （存储单元从000～111） 存储单元从 ～ ） 2. 读出RAM62256存储单元中的内容。（用发 读出RAM62256存储单元中的内容。（用发 存储单元中的内容。（ 光二极管显示状态） 光二极管显示状态） 3. 选做：用RAM62256随机存储器设计一个 选做： 随机存储器设计一个4 随机存储器设计一个 循环彩灯电路。 循环彩灯电路。
实验器件
RAM62256 、 发光二极管、拨码开关 发光二极管、
32k× 位静态随机存储器RAM62256 32k×8位静态随机存储器RAM62256
A0～A14：地址输入端； ～ ：地址输入端； I/O1～I/O8：数据输入 /输出端； 输出端； 输出端 WE：写使能输入端； ：写使能输入端； OE：输出使能输入端； ：输出使能输入端； CS：片选输入端； ：片选输入端； Vcc：电源（ 5V ） ：电源（ Vss：地 ：
RAM62256引脚功能 RAM62256引脚功能
CS H L L L OE X H L X WE X H H L I/O1～8 高阻 高阻 输出 输入 功能 片选无效 输出无效 读 写
实验原理图
H L
ห้องสมุดไป่ตู้
状态显示
11
12
13
15
16
17
18
19
22
27
I/O1
…
I/O8
OE WE
RAM62256
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 CS
10 9 8 7 6 5 4 3 25 24 21 23 2 26 1 20
数据记录表格
A2 A1 A0 I/O3 I/O2 I/O1 I/O3 I/O2 I/O1 地址） 写入） 读出） （地址） （写入） （读出） 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1
思考题
1．RAM62256有多少条地址线？有多少条数 有多少条地址线？ 有多少条地址线
据线？ 据线？有多少个存储单元 ？
2． 实验中写入 RAM 数据后，当读数据时会 数据后，
发现某些单元的数据变化了，为什么？ 发现某些单元的数据变化了，为什么？
3 ． 如何使用 RAM62256 构成 64K 的静态数据 存储器？