ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展
非晶态ITO透明导电薄膜的制备及热处理晶化技术研究进展
非晶态ITO 透明导电薄膜的制备及热处理晶化技术研究进展李佳明1,2, 姜良宝1,2, 陈 牧1,2, 李晓宇1,2, 韦友秀1,2,张晓锋1,2, 马一博1,2, 颜 悦1,2（1．中国航发北京航空材料研究院 透明件研究所，北京 100095；2．北京市先进运载系统结构透明件工程技术研究中心，北京 100095）摘要：透明导电氧化物薄膜已在液晶显示器、太阳能电池、电致变色窗、气体传感器、高层建筑物的幕墙玻璃、飞机和高速列车导热玻璃（防冰除雾）等领域得到广泛应用。
为了制备高透光性、高导电性的氧化铟锡（ITO ）透明导电氧化物薄膜，一般采用两种途径：高温制备方法直接沉积出结晶态薄膜；室温下沉积出非晶薄膜后再进行热处理使其晶化。
对于不耐高温的基底材料，研究快速热处理晶化方法具有重要的指导意义。
该方法既能保证ITO 薄膜的使用要求，又能降低晶化方法对基底产生的影响。
根据不同的应用背景与使用要求，选择合适的制备方法与晶化方法，是获得高透光性、高导电性薄膜的关键。
本文综述了目前国内外对ITO 透明导电氧化物薄膜晶化方法的研究进展。
通过对比不同的薄膜晶化方法的机理和优缺点，指出了红外晶化法、激光晶化法、闪光灯晶化法可以实现薄膜快速结晶。
并且，采用上述方法处理，过程中基底温度低于薄膜温度，有望取代目前商业生产中使用的传统炉式晶化法，能够提高生产效率、节约生产成本、获得高质量、高性能的透明导电氧化物薄膜，适用范围更广。
关键词：ITO ；透明导电氧化物；薄膜制备；热处理；晶化doi ：10.11868/j.issn.1005-5053.2018.000035中图分类号：O484 文献标识码：A 文章编号：1005-5053(2018)05-0024-12透明导电氧化物薄膜作为一种十分重要的光电材料，具有导电性高，可见光范围内透光性好，红外光范围内反射性高，与基底有较强的附着力而且耐磨性、化学稳定性较好等特点，现已广泛应用于液晶显示器[1]、太阳能电池[2]、电致变色窗[3]、气体传感器[4]、高层建筑物的幕墙玻璃、飞机和高速列车导热玻璃[5]（防冰除雾）等领域。
控溅射法低温制备ITO透明导电薄膜工艺研究
中南民族大学硕士学位论文
The results show that measurement of the thickness of the method is simple, the error is several tens of nanometers.
In summary, in this paper, ITO thin films were prepared by RF magnetron sputtering method at low temperature, high-quality film is obtained as 80.27% transmittance and surface resistance of 35Ω/□. And try on flexible substrates in the coating, only the initial success, the results of an average transmittance of 77.83% and surface resistance 36Ω/□. Keywords: transparent conductive film; ITO; magnetron sputtering; transmittanc;
2、The selected optimal conditions in the above experiment, ITO films were prepared by RF sputtering on organic PET substrate coated ITO film. The result is an average transmittance of 77.83% and sheet resistance 36Ω/□.
透明导电薄膜材料的制备及其应用研究
透明导电薄膜材料的制备及其应用研究透明导电薄膜材料是具有优异的透明性和导电性的材料，主要用于触摸屏、智能手机、液晶显示屏、太阳能电池等领域。
在近年来，随着新一代智能物联网和智能制造的发展，透明导电薄膜材料的应用需求不断增加，迫切需要开展相关研究。
本文旨在介绍透明导电薄膜材料的制备及其应用研究最新进展。
一、透明导电薄膜材料的制备方法目前，透明导电薄膜材料的制备主要有四种方法，分别为物理方法、化学方法、生物法以及复合方法。
1. 物理方法物理方法是通过物理作用从材料中去除杂质、提高电子迁移速率等方式来制备透明导电薄膜材料，主要包括蒸发法、溅射法、离子束法等。
其中，蒸发法是以高温下将材料加热至蒸发状态，通过气相沉积的方式进行材料沉积；溅射法是利用惰性气体离子轰击靶材，使靶材表面产生材料离子，然后通过扩散源向基底材料进行沉积；离子束法则是利用离子束束流轰击材料表面，使表面发生置换反应，从而形成透明导电薄膜。
2. 化学方法化学方法是通过化学反应从溶液中控制自组装，形成透明导电薄膜材料，主要包括溶剂热法、水热法、溶胶-凝胶法等。
其中，溶剂热法利用溶剂在高温或高压下的变化，形成自组装现象，从而得到透明导电薄膜。
水热法则是通过溶剂中的水形成水合物，进行自组装，从而形成透明导电薄膜。
溶胶-凝胶法则是通过在溶胶体系中形成凝胶粒子，进行自组装，形成透明导电薄膜。
3. 生物法生物法是通过生物技术手段制备透明导电薄膜，主要包括生物小分子材料、生物体内外骨架、生物合成纳米材料等。
其中，生物小分子材料是自然生物体中能够随机配位，形成透明导电材料的小分子材料；生物体内外骨架是基于蛋白质、细胞等形成的骨架结构进行制备；生物合成纳米材料则是采用生物合成方法得到的纳米材料，具有生物特性与透明导电材料性质相结合的优点。
4. 复合方法复合方法是将两种或以上的材料通过物理或化学反应结合，形成透明导电薄膜材料，主要包括汽相沉积-电沉积、共沉淀-电沉积、化学气相沉积-氟离子注入等。
ITO透明导电薄膜的制备工艺研究
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第 ２卷 第 ３ ８ 期 ２０ ０ ８年 ９月
光 电 子 技 术
ＯＰＴ０ＥＩＥＣＴＲＯＮ Ｉ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ｃ
Ｖｏ ． ８Ｎｏ １ ２ ．３
Ｓ ｐ ． ２ ０８ ｅ ｔ ０
பைடு நூலகம்
Ｉ Ｏ 透 明导 电薄膜 的 制备 工艺 研 究 Ｔ
朱小娟 ， 李新贝
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透明导电薄膜材料的制备及其性能研究
透明导电薄膜材料的制备及其性能研究近年来，随着电子工业的不断发展，透明导电薄膜材料在各种电子器件中扮演着越来越重要的角色。
透明导电薄膜材料具有良好的导电性和透明性，可以应用于太阳能电池板、液晶显示器、触摸屏、电热器、电器剪、电子纸、智能玻璃等多个领域。
本文将介绍透明导电薄膜材料的制备方法和性能研究进展。
一、透明导电薄膜材料的制备方法1. 溅射法溅射法是制备透明导电薄膜的主要方法之一。
该方法的原理是将两种或多种金属制成薄膜，使它们在热点上扰动或冲击，使金属离子得到激发，进而形成等离子体。
随着副反应的发生，等离子体离子可以被加速至高速，直到它们撞击底部的晶体衬底。
这样，金属薄膜就被沉积在衬底上，并形成透明导电薄膜。
溅射法制备的透明导电薄膜具有良好的光学性能和电学性能，但成本较高。
因此，目前工业上生产透明导电膜的主要方法还是化学气相沉积法和溶液法。
2. 化学气相沉积法化学气相沉积法（CVD）是利用气相反应制备薄膜的一种方法。
它基于气态前体在固体表面发生化学反应的原理制备薄膜。
通过CVD方法制备透明导电薄膜可以在常温下进行，并且可以制备大面积的薄膜。
但CVD方法也有一些局限性，如在反应过程中如果选择不适当的前体，可能会导致副产物的生成，影响薄膜的生长质量，同时CVD方法的成本也较高。
3. 溶液法溶液法是一种利用透明导电涂料来制备透明导电薄膜的方法。
透明导电涂料是由透明导电材料和粘结剂等成分组成的溶液。
通过涂覆透明导电涂料到基板上，然后在一定的条件下制备透明导电薄膜。
该方法制备透明导电薄膜的过程简单易行，成本较低，是目前应用最广泛的制备透明导电薄膜的方法。
但是由于涂料的制备过程和涂覆的条件会对薄膜的质量产生影响，所以目前该方法的应用仍存在一定的局限性。
二、透明导电薄膜的性能研究进展1. 电学性能透明导电薄膜材料的电学性能是制备透明导电薄膜时需要考虑的最重要因素之一。
常用的评价指标包括电阻率和透过率等。
为了提高透明导电薄膜的电阻率，研究者通常采用掺杂法和合金化等方法来改善电学性能。
ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展
ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展ITO（Indium Tin Oxide）透明导电薄膜是一种具有高透明性和导电性能的功能材料，广泛应用于平板显示器、太阳能电池、触摸屏等领域。
本文将从方法和研究进展两个方面介绍ITO透明导电薄膜的制备方法及其研究进展。
首先，ITO透明导电薄膜的制备方法主要包括物理蒸发法、溅射法、溶胶凝胶法、电化学法等。
物理蒸发法是将ITO材料以高温蒸发形成薄膜，常用的物理蒸发方式有电子束蒸发、溅射蒸发等。
优点是制备的薄膜具有较高的导电性能和传输率，但其成本较高，且设备复杂。
溅射法是最常用的ITO透明导电薄膜制备方法，利用高能量的离子轰击靶材，将靶材粒子气化并沉积在基底上形成薄膜。
溅射法制备的ITO薄膜具有良好的光电性能和机械稳定性，适用于大面积薄膜的制备。
溶胶凝胶法是将金属盐溶液加入胶体溶剂中，通过溶胶的胶凝和固化过程形成ITO薄膜。
溶胶凝胶法具有简单、可控性强等优点，适用于大面积薄膜的制备。
然而，溶胶凝胶法制备的ITO薄膜在导电性能和透明性方面相对较差。
电化学法是将ITO前驱体溶液通过电解沉积的方式制备薄膜。
电化学法制备的ITO薄膜具有均匀性好、成本低等优点，但其导电性能和机械性能仍需进一步提高。
目前，有许多研究注重改善ITO薄膜的导电性能和光学透明性。
一方面，研究人员通过掺杂、纳米颗粒掺杂、多层薄膜等手段提高ITO薄膜的导电性能。
例如，掺杂氮使得ITO薄膜的电导率提高了许多倍。
另外，通过掺杂稀土元素或金属纳米颗粒，可以进一步改善薄膜的导电性能。
另一方面，人们还在研究如何提高ITO薄膜的透明性。
一种方法是通过控制薄膜的厚度和晶粒的尺寸来改善光学透明性。
研究表明，薄膜的晶粒尺寸减小可以有效减少散射光，从而提高薄膜的透明性。
除此之外，还有一些研究关注ITO薄膜的机械性能和稳定性。
例如，研究人员通过控制薄膜表面的形貌和厚度来提高其抗刮擦性能和耐久性。
另外，利用纳米材料改善薄膜的耐氧化性也是一个研究热点。
透明导电薄膜的制备及应用研究
透明导电薄膜的制备及应用研究随着电子信息技术的不断发展，透明导电薄膜作为电子元件中的重要材料，正在受到越来越多的关注和研究。
透明导电薄膜是一种特殊的材料，具有透光性和导电性，并且十分薄而均匀。
它的主要成分是针对不同应用的不同材料，如氧化铟锡（ITO）、氧化铟锡锌（ITO/IZO）等。
透明导电薄膜拥有广泛的应用领域，例如：液晶显示器、有机太阳电池、触摸屏、柔性显示器、LED照明等。
那么，如何制备透明导电薄膜，以及它的应用研究进展如何呢？一、透明导电薄膜的制备（一）氧化铟锡（ITO）氧化铟锡（ITO）是最早研究成功的透明导电膜材料之一，广泛应用于平面液晶显示器和触摸屏等领域。
常用的ITO制备方法有磁控溅射法、电子束蒸发法、直流磁阻式溅射法、激光溅射法、化学气相沉积法等。
其中，磁控溅射法是最常用的制备方法，产量高，膜质量好。
（二）氧化铟锡锌（ITO/IZO）氧化铟锡锌（ITO/IZO）作为新型的透明导电材料，其导电性能、透光性能和机械性能都优于传统的ITO材料。
常用的ITO/IZO制备方法有磁控溅射法、电子束蒸发法、直流磁阻式溅射法、激光溅射法、化学气相沉积法等。
其中，磁控溅射法仍然是最主要的制备方法。
（三）金属网格薄膜金属网格薄膜是一种新型的透明导电薄膜。
它使用了一种叫做纳米光学的技术，以及金属纳米颗粒的微观结构，制备出高性能的透明导电薄膜。
常用的制备方法有滚压印刷法、离子注入法、模刻蚀法等。
二、透明导电薄膜的应用研究进展（一）液晶显示器液晶显示器是透明导电薄膜的主要应用领域之一，透明导电薄膜为液晶显示器提供了能够传输电信号的材料基础。
随着显示器技术的不断发展，透明导电薄膜材料的要求也越来越高，能够满足透明度、电学性能、机械性能等方面的要求。
未来液晶显示器的发展，也将更加关注透明导电薄膜的材料改进和性能提升。
（二）LED照明LED照明是透明导电薄膜的另一大应用领域。
透明导电薄膜可以作为透镜、反射层、散热器等，为LED照明提供基础材料和构造。
ITO薄膜性能及制成技术的发展
ITO薄膜性能及制成技术的发展ITO薄膜，即氧化铟锡（indium tin oxide），是一种广泛应用于电子器件、光电器件和显示器件等领域的透明导电薄膜材料。
随着电子产品和光电器件的快速发展，ITO薄膜的性能和制成技术也在不断改进和发展。
一、ITO薄膜的性能改进：1.透明性能：ITO薄膜具有很好的透明性，可以使光线透过材料而不受太大影响。
随着技术的进步，ITO薄膜的透明度得到了显著提高，目前常见的ITO薄膜透明度可达到90%以上。
2. 导电性能：ITO薄膜具有良好的导电性能，可用于制作导电膜、电极、传感器等。
随着研究的深入，不仅提高了ITO薄膜的导电性，使其电阻率降低到了10-4 Ω·cm以下，而且还改善了薄膜的稳定性和可靠性。
3.光学性能：ITO薄膜不仅具有透明性，还具有一定的光学性能，如折射率和反射率。
通过调整材料成分和制备工艺参数，可以改变ITO薄膜的折射率和反射率，以满足具体的应用需求。
4.力学性能：ITO薄膜的力学性能直接影响其耐用性和可靠性。
随着研究的深入，研究人员提出了一些改善ITO薄膜力学性能的方法，如控制薄膜的晶体结构和晶界形貌，以提高其硬度和耐磨性。
二、ITO薄膜的制成技术发展：1.真空蒸发法：真空蒸发法是一种常用的制备ITO薄膜的方法。
通过在真空环境下加热ITO靶材，使其蒸发并沉积到基底上形成薄膜。
该方法操作简单、成本较低，但对于大面积均匀性要求较高。
2.磁控溅射法：磁控溅射法是一种利用靶材表面离子轰击溅射出材料并沉积到基底上的方法。
通过控制溅射时间、功率和沉积温度等参数，可以得到具有不同性能的ITO薄膜。
磁控溅射法能够得到高质量、均匀性好的薄膜，但设备较为复杂、成本较高。
3.溶胶凝胶法：溶胶凝胶法是一种通过溶解或胶化ITO前驱体，然后沉积到基底上并经过热处理得到薄膜的方法。
该方法具有工艺灵活、适用于大面积薄膜制备的优点，同时还可以通过添加掺杂剂来调控薄膜的性能。
ITO透明导电薄膜的制备工艺与性能研究的开题报告
ITO透明导电薄膜的制备工艺与性能研究的开题报告题目：ITO透明导电薄膜的制备工艺与性能研究一、研究背景及意义ITO（indium tin oxide）透明导电薄膜作为一种重要的透明导电材料，广泛应用于平板显示、太阳能电池、智能手机等领域。
目前，ITO薄膜的制备方法主要包括物理气相沉积、磁控溅射、溶液法等。
其中，物理气相沉积的制备过程复杂、成本较高，溶液法虽然制备工艺简单，但所得薄膜厚度较大、透光性不佳。
因此，如何有效制备高品质、高透明度、导电性能良好的ITO透明导电薄膜，是当前研究的热点和难点之一。
本研究旨在探究ITO透明导电薄膜的制备工艺及其性能，为其在有机光电器件和新型显示器件等应用领域中的发展提供理论指导和技术支持。
二、研究内容和方法1.复合溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜：选择ITO前驱体配方及反应条件、研究薄膜的材料结构、表面形貌等性能。
2.对ITO薄膜的结构、透明性、导电性进行表征：采用XRD、SEM、UV-Vis、四探针等测试手段确定ITO透明导电薄膜的结构特征、透明度、导电性能等性质参数。
3.研究ITO透明导电薄膜在光电器件中的应用：设计模型器件，测试ITO透明导电薄膜在有机光电器件中的性能表现。
三、研究工作计划1.文献调研（1个月）：对ITO透明导电薄膜的制备方法、性能表征、应用进行全面了解，明确本研究内容。
2.样品制备与表征（4个月）：采用复合溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜，分析薄膜的材料结构、表面形貌、透明性、导电性能指标。
3.光电器件应用研究（2个月）：设计模型器件，测试ITO透明导电薄膜在有机光电器件中的性能表现。
4.数据分析和论文撰写（2个月）：对实验数据进行统计分析，撰写开题报告和毕业论文。
四、预期成果和意义本研究预计制备高品质、高透明度、导电性能良好的ITO透明导电薄膜，并在有机光电器件中进行应用研究。
预期成果包括：1.建立复合溶胶-凝胶法制备ITO透明导电薄膜的制备方法。
ITO薄膜的制备工艺及研究
武汉理工大学硕士学位论文
１ 绪论
１ 透明导电膜的种类及特点 ． １
自１０ 年 ａｌ ｒ Ｂｄ ｅ报道了通过热蒸发锅 （ｄ 使之氧化形成 Ｃ Ｏ透 ９７ ｋ Ｃ） ｄ
明 膜以 透明 膜的 导电 来， 导电 研究受到 重视Ｃ 到目 止己 发出 普遍 ｔ １ 。 前为 开
如表 １ 所示的以金属基、 ． １ 氧化物半导体为主的种种材料。 膜厚小于 ２ｎ ０ｔ ｎ 时，金属的吸收率和反射率降低同时透射率提高，因此金属薄膜也可以当 作透明导电膜使用，此时的膜厚应控制在 ５１ｎ －５ｍ之间。为了增加膜厚和
武汉理工大学硕士学位论文
摘 要
２ 世纪 ９ 年代以来， ０ ０ 显示技术和光通讯技术的迅猛发展和产 业化，极大的促进 了光电簿膜的发展，同时对光电薄膜提出了更 多更高的要求，论文针对太阳能透明电极的要求，对光电薄膜进
行 了制备和深入的研究 。 透明导电氧化物薄膜材料具有大的载流子浓度和光学禁带宽 度因而表现出优 良的光 电特性，如： 低的电阻率和高的可见光透过
域得到实际应用。 多种工艺可 以用来制备透明导电薄膜 ，如磁控溅射真空反应 蒸发、化学气相沉积、溶胶一 凝胶法以及脉冲激光沉积等。其中磁 控溅射工艺具有沉积速率高均匀性好等优点而成为一种广泛应用
的成膜方法 。
本研究课题分别以氧化锢锡靶和铡锡合金靶为靶材，采用射 频磁控溅射和直流反应磁控溅射工艺在氢气气氛中沉积 ＩＯ薄膜。 Ｔ 靶材中 Ｓ０ 和 Ｓ ｎ ２ ｎ的掺杂重量比例分别为 １％和 ７ （ ３ ％。用 Ｘ Ａ， Ｒ Ｓ Ｍ、和可见光一 Ｅ 紫外分光光度计等测试手段对沉积的薄膜进行了 表征。结果表明，对于 ＩＯ 薄膜，薄膜的光电性能薄膜结构的择 Ｔ 优取向性和与衬底温度、 溅射氧气压等工艺参数有很大关系，ＩＯ Ｔ 薄膜的 Ｓ Ｍ表明，样品表面较平整，且晶粒也比较致密。实验还 Ｅ 发现，在一定的温度范围内随着衬底温度的升高，薄膜中产生的 氧空位将会增多，使得 ＩＯ薄膜的电导逐渐增大，而且其紫外透 Ｔ 射吸收截止边带向短波长方向漂移；随着氢氧比例的增加，薄膜
透明导电ITO薄膜的制备及光电特性的研究
Ｒｅ ｅ ｒ ｈ ｏ ｐ ｉａ ｎｄ Ｅｌｃ ｒｃ ｌＰｒ ｐｅ ｔｅ ｆ Ｔｒ ｎｓ ｒ ｎｔＣｏ ｕ ｔｖ ＴＯ ｌ ｓ ｓ ａ ｃ ｎ Ｏ ｔｃ ｌａ ｅ ｔ ｉａ ｏ ｒ ｉｓｏ ａ ｐａ ｅ ｎｄ ｃ ｉｅ Ｉ Ｆｉｍ
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透明导 电 Ｉ ＴＯ 薄膜 的制 备 及 光 电特性 的研 究
曹 延 军
（ 安职业技术学院， 西 延 安 ７６０ 延 陕 １ ０ ０）
摘
要 ： 用 溶 胶 一 胶 方 法 以 Ｉ （ 。 。・４ ５ 和 Ｓ Ｃ ・５ 为 前 驱 物 ， 提 拉 法 在 石 英 玻 采 凝 ｎ ＮＯ ） ．ＨＯ ｎ１ ＨＯ 用
ｌｚ ｒｎｇ ｈｅ ｔｔ ｅ ｔ ｅ ｎｄ ｔ ｒ ｓ ａ ｌ ａ ｉ ｏｃ ｓ ｉｅｄ ｄｕ ｉ ａ ｒ ａ ｍ ｎｔａ ｈｅ ｃ ｙ ｔ ｌｉ ｔｏｎ ｐｒ ｅ ｓ，Ｉ （ ｉｍ ｓｄｅ ｒ ａ ｅ ｉｈ ｔ ｎ ｒ ａｓ ｆｔ ｍ ｐｅ ａ ｕ ｅ ａ ｈｅ ｒ — ｚ Ｔ ）ｆｌ ｃ ｅ ｓ ｄ ｗ ｔ ｈｅｉ ｃ ｅ ｅ ｏ ｅ ｒ ｔ ｒ ｎｄ ｔ ｅ ｓ ｓｉ ｉｙ ｏ ｈｅ ｆｌ ｓ ｃ ｍ ｅ ｄｏ ｎ ｗｉｈ ｔ ｔ ｔ ｏｎ ｉｔｖｔ ｆｔ ｉｍ ａ ｗ ｔ ｈａ ， ｈｅｃ ｄｕｃ ｉｉｙ ｉ ｒ ａ ｅ ｉｈ ｔ ｉｈｄ ａ ｎ ｉ ｅ ． ｔｖｔ ｎｃ ｅ ｓ ｄ ｗ ｔ ｈｅ ｗ ｔ ｒ ｗｉ ｇ ｔｍ ｓ Ｋｅ ｒ ｓ： ＴＯ ｉ ｓ， Ｓ — ｌｍ ｅ ｈｏ ｙ ｗｏ ｄ Ｉ ｆｌ ｍ ｏｌｇｅ ｔ ｄ，Ｏ ｐ ｉａ ｎｄ ｅｅ ｔｉａ ｏ ｒ ｉｓ ｔｃ ｌａ ｌ ｃ ｒｃ ｌｐｒ ｐｅ ｔｅ
透明导电薄膜技术的研究进展
透明导电薄膜技术的研究进展透明导电薄膜是一种功能性材料，具有透明、导电等特性，广泛应用于电子信息、能源、光电等领域。
随着技术的不断进步，透明导电薄膜的研究也越来越深入，不断推动着相关领域的发展。
一、传统透明导电薄膜技术传统的透明导电薄膜技术主要包括ITO薄膜、ITO替代材料以及微纳技术制备透明导电薄膜等。
ITO薄膜是一种广泛使用的透明导电薄膜材料，具有优异的电学性能及光学性能，但是存在价格昂贵、稀有性元素，且易碎易氧化等缺陷。
因此，人们发展了多种替代ITO的透明导电薄膜材料，如氧化锌、氧化铟、氧化镓等，这些材料的价格相对较低，但是仍存在一些缺陷，如电学性能不佳、制备条件苛刻等。
微纳技术制备透明导电薄膜则是利用半导体工艺制造技术，在材料表面构筑纳米级微结构来实现透明导电薄膜。
该技术具有制备工艺简单、制备周期短、制备成本低等优点，但是材料的稳定性和成膜性等仍存在问题。
二、新型透明导电薄膜技术的研究随着电子信息及新能源等领域的发展，对透明导电薄膜的需求越来越高，因此人们在传统技术的基础上，继续进行深入的研究，提出了一些新型的透明导电薄膜技术。
1.有机导电薄膜有机导电薄膜是近年来新兴的材料，具有低成本、易加工等优点，而且能够通过化学方法来调控材料性能。
有机导电薄膜的导电性能取决于材料内部的共轭结构和电子云的重叠程度。
目前，有机透明导电薄膜已经广泛应用于OLED、OPV、OTFT等领域。
2.稳定的金属网格透明导电薄膜金属网格透明导电薄膜使用金属线形成微小的网格结构，以实现透明导电薄膜。
与传统透明导电薄膜相比，金属网格透明导电薄膜具有高导电性、低透射率损失等优点，而且材料稳定性和成膜性较高，应用潜力巨大。
3.氧化物导电薄膜除了传统的ITO薄膜和其它替代材料，近年来人们开始研究新型氧化物导电薄膜的制备。
氧化物导电薄膜一般是通过物理蒸发、溅射等方法制备而成，具有优异的导电性能、光学透射率等。
三、透明导电薄膜技术的应用透明导电薄膜技术的应用非常广泛，主要应用于以下几个领域：1.触摸屏和数字显示器件透明导电薄膜广泛应用于触摸屏和数字显示器件上，为人们提供了更加方便、实用的交互方式，并且取代了传统的机械按键。
ITO透明导电薄膜的研究进展_成立顺
积 过 程 中 ， Ｓｎ 在 ＩＴＯ 中 主 要 以 ＳｎＯ 的 形 式 存 在 ， 氧 ， 膜 中 氧 空 位 含 量 先 增 加 后 减 少 ； ＳｎＯ 被 氧 化
导致较低的载流子浓度和高的膜电阻。另外 ， ＳｎＯ 自身呈暗褐色， 对可见光的透过率较差。热处理对
为 ＳｎＯ２ 并 最 终 达 到 饱 和 ， 因 此 膜 中 Ｓｎ４＋浓 度 先 增 加后基本保持不变。薄膜中氧空位引起的载流子
降低膜电阻， 提高膜的可见光透过率的目的。在还 氧流量比为１６ ∶０．５， 退火温度为 ４２７ ℃， 基板与靶
原处理 ＩＴＯ 薄膜时， Ｉｎ２Ｏ３ 中部分 Ｏ２－ 脱离原来的 晶 格， 使部分 Ｉｎ３＋变为 Ｉｎ＋， 即符合化学计量比的 Ｉｎ２Ｏ３ 变为 Ｉｎ３＋２－ｘＩｎ＋ｘＯ３－ｘ。氧缺位引起的缺陷成为 ＩＴＯ 薄 膜 载流子的另一个来 源［８］。
１．２ 透明导电原理
ＩＴＯ 薄 膜 的 光 学 性 质 及 载 流 子 的 浓 度 可 以 用 Ｄｒｕｄｅ 自由电子理论 进 行 定 量 研 究 。ＩＴＯ 薄 膜 一 般 具 有 大 于 可 见 光 子 能 量（ ３．１ ｅＶ） 的 光 学 禁 带 宽 度 ， 可见光照射不能引起本征激发， 所以它对可见光透 明［６］。ＩＴＯ 薄 膜 的 光 学 及 电 学 性 能 主 要 决 定 于 薄 膜 的结构及化学配比。Ｉｎ２Ｏ３ 是直接跃迁宽禁带半导体 材料， 要得到导电且对可见光透明的薄膜则必须使 其半导化。半导化的途径一般有 ２ 种： ① 使组分
材距离为 １５ ｃｍ， 退火时间为 １ ｈ， 溅射功率为 ３００ Ｗ， 退火氛围为真空， 沉积温度为 ２２７ ℃。按优化 工艺参数制备出的 ＩＴＯ 薄膜方阻达到 １７ Ω／□， 电 阻率为 １．８７×１０－４ Ω·ｃｍ， 在可见光区域的平均透过
中红外透明导电ITO薄膜的制备
中红外透明导电ITO薄膜的制备现代军事应用中，要求红外光学系统具有较好的电磁屏蔽能力，以提高其在复杂电磁环境中的生存能力。
目前广泛采用的方法是在光学镜头表面制作金属网栅结构[1，2]，通过优化线宽和周期，实现既可以透过红外光，又可以有效屏蔽电磁波的目的。
但是栅会引入杂散光，导致成像模糊，不利于对目标的识别，因此亟需发展一种新的红外光学系统电磁屏蔽技术。
氧化铟锡（ITO）薄膜是一种低电阻率和高可见光透明度的n型半导体薄膜，由于其优良的机械强度和化学稳定性，广泛应用于飞行器舷窗的除冰/雾系统、导弹整流罩电磁屏蔽系统、太阳能电池、液晶显示器、传感器和有机电致发光二极管等领域。
然而ITO薄膜在红外波段的透过率较低，这严重限制了其在红外夜视仪、红外制导等光学系统中的应用[9-11]。
因此需要提高ITO薄膜的红外透过率，以此来替代金属网栅。
材料复介电常数的实部（1）表示离子实和电子在电磁场中被极化的能力。
根据经典Drude理论，ITO薄膜的可以表示为：其中，∞为ITO薄膜高频介电常数，n为载流子浓度，e为电子电量，0为自由空间介电常数，m*为载流子有效质量，为入射电磁波的角频率，为电子弛豫时间。
当1=0时，对应的电磁波角频率称为等离子频率（p）。
由于1/ ，因此p可表示为：此时等离子波长（p）可以表示为其中c表示光速。
ITO薄膜的光学性能在=p时发生骤变，由光学透明介质变为类似金属的高反射介质，因此根据公式（3）可知，通过降低载流子浓度n使p向红外方向移动，可以有效提高ITO薄膜在红外波段的透过率。
ITO薄膜电阻率（）可表示为：其中，为载流子迁移率。
可见，降低载流子浓度n将会导致薄膜电学性能变差，但这可以通过提高载流子迁移率来改善。
因此，通过优化制备工艺参数以降低载流子浓度和提高载流子迁移率，从此获得具有高红外透过率的ITO薄膜，同时不影响薄膜的电学性能。
本文利用磁控溅射法在蓝宝石基底上制备了中红外波段高透明的ITO薄膜，主要研究了溅射功率、沉积温度和氧气流量等工艺参数对薄膜载流子浓度和霍尔迁移率的影响规律，并对优化后的ITO薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征。
透明导电薄膜的制备方法及性能研究
透明导电薄膜的制备方法及性能研究透明导电薄膜是一种具有高透明度和导电性能的材料，广泛应用于电子显示器、太阳能电池和触摸屏等领域。
本文将介绍透明导电薄膜的制备方法及其性能研究进展。
一、化学合成法化学合成法是一种常用的制备透明导电薄膜的方法。
通过溶胶-凝胶法、电化学沉积法等技术可以制备出高质量的透明导电薄膜。
以溶胶-凝胶法为例，首先将适量的导电材料（如氧化锌、氧化铟锡等）与有机聚合物（如聚乙烯醇）溶解在有机溶剂中形成溶胶，然后通过旋涂、喷涂等方法将溶胶均匀涂覆在基材上，再通过热处理或紫外辐射交联使溶胶形成透明导电薄膜。
这种方法制备的透明导电薄膜具有优良的导电性能和透明度。
二、蒸镀法蒸镀法是一种传统的制备透明导电薄膜的方法。
该方法通过真空蒸发技术或磁控溅射技术在基材表面沉积金属或合金材料薄膜，形成具有导电性的透明膜层。
以氧化锌薄膜为例，通过真空蒸发技术可以得到高质量的透明导电薄膜。
然而，蒸镀法制备的透明导电薄膜存在薄膜粘附性较差、生长速率慢以及材料利用率低等问题。
三、柔性基材的应用在透明导电薄膜的制备中，柔性基材的应用具有重要意义。
传统的透明导电薄膜多采用玻璃等刚性材料作为基材，但刚性基材存在脆性和重量大的问题，不适用于柔性显示器等需要弯曲的电子器件。
因此，研究人员开始探索采用柔性基材制备透明导电薄膜。
例如，将透明导电薄膜沉积在聚合物薄膜上，可以得到柔性透明导电薄膜。
这种薄膜具有良好的柔韧性和可拉伸性，适用于弯曲形状的电子器件。
四、性能研究进展透明导电薄膜的性能研究主要涉及导电性能和光学性能两个方面。
导电性能是透明导电薄膜最重要的性能指标之一。
研究人员通过电阻率测试、霍尔效应等方法来评价透明导电薄膜的导电性能。
光学性能主要包括可见光透射率和反射率。
研究人员通过紫外-可见光光谱仪等设备来测量透明导电薄膜在可见光波段的透过率和反射率。
同时，还可以通过扫描电子显微镜、原子力显微镜等设备来观察透明导电薄膜的表面形貌和微观结构。
ITO
透明导电氧化物ITO薄膜的制备研究摘要：以掺二氧化锡的氧化铟为靶材，采用射频磁控溅射在玻璃衬底制备了ITO薄膜。
分别用紫外-可见光-红外分光光度计，X射线衍射仪，扫描电子显微镜和四试探针测试仪对所制备的ITO薄膜的透过率、晶体结构、表面形貌和电阻率（方块电阻）进行了表征分析；利用霍尔测试仪对ITO的电学特性进行表征分析。
研究了不同溅射气压、不同溅射功率和不同衬底温度对薄膜质量的影响。
分析结果表明在溅射气压为0.3pa在溅射功率为80W和衬底温度为300℃时所制备的薄膜的透过率最高电阻率最低，薄膜的质量最好。
关键词：ITO薄膜；磁控溅射法；透过率；电导率。
0引言ITO薄膜是一种高度简并的n型掺杂半导体，ITO薄膜材料具有载流子浓度高、电子迁移率高和禁带宽度比较宽的优点，而且ITO薄膜材料在可见光范围内透过率高、电阻率低、附着性良好、硬度及化学稳定性质等优点，使其同时具有好的导电性和高的透光率[1,2]，由于这些优越的性能，现在ITO薄膜材料被广泛运用于太阳能电池中做窗口电极层，并取得了高的效率。
近年来特别随着平板显示器的开发和实用化进展，ITO 膜也广泛用于平板显示装置，因此对ITO膜的研制具有广泛的市场前景。
从应用角度出发，通常要求ITO薄膜的成份是In2O3和SnO2，薄膜中铟锡低价化合物愈少愈好[3,5]。
制备ITO薄膜的方法有很多中，主要有磁控溅射[6]、脉冲激光沉积[7]、超声雾化热分解方法[8]和溶胶-凝胶法[9]。
其中磁控溅射制备薄膜因可以准确地控制工艺参数使得成膜速率可以很高、也可在大面积衬底上均匀成膜且重复性好，可获得光电性能优异的ITO薄膜等优点[10]。
本文采用射频磁控溅射方法制备ITO薄膜，并重点研究了不同溅射气压（0.3pa、0.5pa、0.8pa、1.5pa、2pa)、不同溅射功率（40W、60W、80W、100W）不同衬底温度（100℃200℃300℃)对薄膜光电性能的影响，并对ITO薄膜的光电性能进行表征分析。
ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展_江自然
文章编号:1003-1545(2010)04-0068-05ITO 透明导电薄膜的制备方法及研究进展江自然(中南大学材料科学与工程学院,湖南长沙 410083)摘 要:概述了透明导电薄膜的分类及I TO 薄膜的基本性质,综述了用于制备I TO 薄膜的磁控溅射法、真空蒸发法、溶胶-凝胶法、喷雾热解法、化学气相沉积法,论述了不同制备方法的优缺点。
最后,介绍了ITO 薄膜的应用现状,并对I TO 薄膜的发展趋势进行了展望。
关键词:I TO 薄膜;透明导电薄膜;制备方法;研究进展中图分类号:TB 383 文献标识码:A收稿日期:2009-01-04作者简介:江自然,男,1988年生,河南信阳人,中南大学本科生,研究方向为金属材料。
E-m ai:l s w sx jzr @ 。
透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料。
透明导电薄膜既有高导电性,又在可见光范围内有很高的透光性,且在红外光范围内有很高的反射性。
这种光电薄膜材料打破了人们的传统观念,即在自然界中,透明的物质通常是不导电的,如玻璃、水晶等;而导电的或者导电好的物质又往往是不透明的,如金属、石墨等。
透明导电薄膜正是因为透明与导电性能相结合,成为功能材料中具有特色的一类薄膜,在光电产业有着广阔的应用前景[1]。
无机物类透明导电薄膜大体可分为金属膜、氧化物膜以及其他化合物膜,其中以氧化物膜占主导地位。
透明导电氧化物(Transparent Con -ducti v e Ox i d e ,简称TC O )薄膜主要包括In 、Zn 、Sn 和Cd 的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料[2]。
目前氧化物透明导电材料体系包括I TO (Sn 掺杂In 2O 3)、AZO (A l 掺杂ZnO )、FTO (F 掺杂SnO 2)以及最近发展的I M O (M o 掺杂I n 2O 3)等[3]。
其中氧化铟锡(I ndi u m T i n Ox ide )I TO 是目前综合光电性能优异、应用最为广泛的一种透明导电氧化物薄膜。
ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展
ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展ITO（Indium Tin Oxide）透明导电薄膜是一种广泛应用于光电器件、显示器件和太阳能电池等领域的材料。
其具有高透明度、低电阻率和良好的化学稳定性等优点，因此在光电子领域有着广泛的应用。
本文将介绍ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展。
目前，ITO透明导电薄膜的制备方法主要包括物理气相沉积法、溅射法和化学沉积法等。
物理气相沉积法是一种常用的制备ITO薄膜的方法。
该方法通过将金属铟和锡置于高温环境中，使其蒸发并与氧气反应生成ITO薄膜。
该方法制备的ITO薄膜具有高导电性和良好的光学透明性，但需要高温环境，且设备复杂，工艺较为复杂。
溅射法是一种常用的制备ITO薄膜的方法。
该方法通过在反应室中施加高电压，使金属铟和锡通过溅射的方式沉积在基底上，并与氧气反应生成ITO薄膜。
该方法制备的ITO薄膜具有较高的导电性和较好的光学透明性，且工艺相对简单，适用于大面积的制备。
化学沉积法是一种低温制备ITO薄膜的方法。
该方法通过将金属铟和锡的化合物溶液沉积在基底上，并经过热处理使其转化为ITO薄膜。
该方法制备的ITO薄膜具有较高的导电性和较好的光学透明性，且适用于各种基底材料，具有较大的潜力。
除了以上方法，还有一些新的制备ITO薄膜的方法正在研究中，如溶胶-凝胶法、电化学法和磁控溅射法等。
这些方法具有制备工艺简单、成本低廉和适用于大面积制备等优点，但仍需进一步研究和改进。
近年来，研究人员对ITO透明导电薄膜进行了许多研究，主要集中在提高其电学性能、光学性能和稳定性等方面。
一方面，研究人员通过调节制备条件、添加掺杂剂和优化薄膜结构等方法，提高了ITO薄膜的导电性能和光学透明性。
另一方面，研究人员也致力于开发替代ITO薄膜的材料，如氧化锌、氮化铟锌和导电高分子等，以解决ITO薄膜在柔性器件中的应用问题。
总之，ITO透明导电薄膜具有广泛的应用前景，其制备方法和研究进展正在不断地发展和完善。
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ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展作者：江自然， JIANG Zi-ran作者单位：中南大学材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083刊名：材料开发与应用英文刊名：DEVELOPMENT AND APPLICATION OF MATERIALS年，卷(期)：2010，25(4)被引用次数：0次1.姜辛.张超.洪瑞江.戴达煌透明导电氧化物薄膜 20082.王树林ITO薄膜的制备及性能研究 20043.李世涛透明导电ITO及其复合薄膜的研究 20064.王树林.夏冬林ITO薄膜的制备工艺及进展 2004(5)5.茅昕辉.陈国平.陈公乃直流磁控反应溅射沉积ITO透明导电膜的研究 1995(1)6.张树高.黄伯云.方勋华ITO薄膜的半导化机理、用途和制备方法 1997(4)7.赵俊卿.马瑾.李淑英有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性 1998(10)8.李晶ITO透明导电薄膜的溶胶凝胶制备及工艺研究 20049.沈军.王珏.吴广明化学法制光学薄膜及其应用 2002(5)10.秦利平溶剂热法制备ITO(铟锡复合氧化物)纳米粉体及其性能研究 200711.张聚宝.翁文剑.杜丕一.赵高凌.张溪文.沈鸽.韩高荣喷雾热分解法玻璃镀膜 2002(2)12.Toshiro Maruyama.Kunihiro Fukui Indium tin oxide thin films prepared by chemical vapor deposition 1991(2)13.职利ITO薄膜的水热法制备与性能研究 200614.钟毅.王达键.刘荣佩铟锡氧化物(ITO)靶材的应用和制备技术 1997(1)15.陈飞霞.付金栋.韦亚兵.赵石林纳米氧化铟锡透明隔热涂料的制备及性能表征 2004(2)16.段学臣.杨向萍新材料ITO薄膜的应用和发展 199917.刘世友铟锡氧化物薄膜的生产现状与应用 1997(2)18.孙良彦.刘正绣常温振荡式CO气敏元件的研制 1995(1)19.陈猛.白雪冬.闻立时In2O3:Sn (ITO) 薄膜的光学特性研究 1999(9)20.马瑾.李淑英.马洪磊有机薄膜衬底ITO 透明导电膜的制备及光电特性的研究 1998(2)1.学位论文李晶ITO透明导电薄膜的溶胶凝胶法制备及工艺研究2004本研究以五水硝酸铟为源物质,以乙酰丙酮为溶剂,以无水氯化锡为掺杂剂,采用溶胶凝胶工艺,用提拉法在普通玻璃和石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜.本试验采用XRD、SEM、FT-IR、四探针电阻率仪、紫外分光光度计等仪器对ITO透明导电薄膜的物相、表面结构、微区形貌和物理性能进行了测定;通过DTA-TG对薄膜从凝胶态向结晶态的转化过程进行了测定和分析;此外本试验重点研究了在ITO透明导电薄膜的溶胶凝胶法制备过程中,不同试验条件(提拉次数、提拉速度、热处理温度、冷却速度、不同玻璃基体)对薄膜的基本性质(导电性能和透光率)的影响;分析了试验现象,优化了试验条件.本研究结果表明:以五水硝酸铟为源物质,以乙酰丙酮为溶剂,以无水氯化锡为掺杂剂、采用溶胶凝胶工艺在玻璃基体上或在石英基体上制备ITO透明导电薄膜是完全可行的.所制备的ITO薄膜的晶体结构为立方锰铁矿结构,[111]为明显的择优取向,掺杂的Sn已完全溶解在In<,2>O<,3>的晶格中,看不到SnO或SnO<,2>的特征谱线;ITO薄膜在热处理过程中脱去结晶水和有机组份,由凝胶态转化为结晶态,当温度超过530℃时,转化基本完成.试验表明:ITO薄膜的方电阻开始随In<'3+>的增加而降低,达到特定值后逐渐升高,当In<'3+>过量时会加速溶胶的水解过程,降低透光率.ITO薄膜的方电阻随Sn掺杂量的增加逐渐达到最小值,再增加Sn掺杂量薄膜的方电阻略有上升的趋势.ITO薄膜的方电阻随提拉次数的增加而降低,在3-21cm·min<'-1>的提拉速度范围内,薄膜提拉速度对薄膜导电性能影响不大.ITO薄膜的方电阻随热处理温度升高而降低,在600℃左右达到最小值;当对ITO薄膜进行快速冷却时,薄膜的方电阻显著下降.不同玻璃基体对薄膜方电阻的影响较大,但当镀层数增加时,这种影响逐渐变小.ITO薄膜的透光率随镀膜层数的增加而减少,薄膜随厚度的增加对光的吸收逐渐增加.当ITO薄膜处于干凝胶状态时具有最高的透光率,在薄膜从凝胶态向结晶态转变后透光率有所降低,并且在热处理过程中随热处理温度的增加而缓慢增加.Sn掺杂量对薄膜透光率的影响不大,随Sn掺杂量增加薄膜的透光率呈缓慢降低的趋势.ITO薄膜在进行快速冷却后具有较低的透光率,该现象在热处理温度较高和较低时表现的都不明显.产生该现象的原因是由于不同冷却速度影响了薄膜的晶粒度和表面粗糙度.Lijun.Wang Dongxin.Chen Huanming ITO透明导电薄膜的研究进展-稀有金属快报2008,27(3)介绍了ITO薄膜的基本特性和透明导电原理,综述了ITO薄膜主要的制备技术及其研究进展,并指出了不同制备方法的优缺点.还对ITO薄膜晶格常数畸变、载流子浓度上限和最佳掺杂量、红外反射率、光吸收边的移动等基础理论研究进展进行了归纳.今后,还需要在低温或室温ITO薄膜的制备、ITO薄膜的导电机理、纳米尺度ITO材料的特性等方面加强研究.3.学位论文成立顺ITO透明导电薄膜的制备及其光电理论研究2009本文通过溶胶-凝胶法和提拉工艺制备ITO薄膜。
研究工作围绕ITO溶胶制备、薄膜成形及退火、薄膜结构与成分分析，以及薄膜光电性能表征等四个方面开展。
利用热重-差热分析仪(TGA-DSC)绘制ITO凝胶的热重曲线，分析其相变过程，用X射线衍射(XRD)仪分析薄膜晶体的微观结构，用扫描电镜(SEM)及其附带的能谱仪(EDS)分析薄膜断口和表面的形貌及薄膜微区的化学成分，另外分别用四探针仪、紫外可见分光光度计对ITO薄膜的导电性和透光性进行表征。
本文同时探讨了ITO薄膜光电性能的相关理论，包括ITO薄膜的晶体结构、能带结构、导电机理及薄膜与电磁波相互作用的理论。
研究表明：<br> (1)ITO凝胶是非晶物质，ITO透明导电薄膜是In2O3相、由40nm～150nm的颗粒组成的体心立方晶体。
在300℃下退火，ITO薄膜的衍射峰不突出。
在400℃下退火制备的薄膜，已经具有显著的铟锡氧化物衍射峰，但衍射峰较弱。
400℃、500℃和600℃时的衍射峰，其位置和强度与标准立方晶系(In1.94Sn0.06)O3的衍射图谱相一致，Sn作为掺杂剂已取代部分In进入In2O3的晶格中。
<br> (2)500℃下制备的薄膜，其(222)峰的晶面间距dhkl为2.9136nm，经计算，其晶格常数为1.0093nm，与In2O3的晶格常数1.0117nm相近。
<br> (3)ITO薄膜的光电性能受到溶胶性质、薄膜成形和薄膜退火中的各个工艺参数的影响。
透明导电综合性能最佳的ITO薄膜制备参数为：以InCl3·4H2O为铟盐、乙二醇甲醚为溶剂、乙醇胺为添加剂([MEA]/[In]摩尔比为1.0)、SnCl4·5H2O为掺杂剂且[Sn]/[In]为10％，制备浓度为0.6mol/L的溶胶；提拉速度为20mm/min，在普通玻璃片上三次拉膜，150℃干燥15min，500℃退火30min。
在该条件下制备的薄膜厚度为120nm、方阻为2.88KΩ/□，电阻率为3.45×10-2Ω·cm，在λ=550nm，透光率达到93.4％。
薄膜光电性能和工艺条件基本实现预期目标。
4.期刊论文李芝华.李晶.任冬燕ITO透明导电薄膜的溶胶凝胶法制备及结构表征-稀有金属与硬质合金2004,32(4)以五水硝酸铟和乙酰丙酮为原料,以无水氯化锡为掺杂剂,采用溶胶凝胶工艺,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜.采用DTA-TG、XRD、SEM、四探针电阻率仪、紫外分光光度计等仪器对ITO透明导电薄膜的相转变过程、物相、表面结构、微区形貌和物理性能进行了测定和分析.结果表明:采用溶胶凝胶工艺在石英玻璃基体上制备ITO透明导电薄膜是完全可行的.ITO薄膜具有由多个粒子堆积而成的多孔微观结构,其晶体结构为立方锰铁矿结构,[111]为明显的择优取向,经过5次镀膜后其厚度在150 nm以下,薄膜的方电阻为110 Ω,其电阻率约为1.65×10-2 Ω*cm.薄膜的透光率在90%以上.5.学位论文王敏溶胶-凝胶法制备In<,2>O<,3>:Sn(ITO)透明导电氧化物薄膜的研究2003该文对用溶胶-凝胶技术制备的ITO薄膜进行了系统的分析和研究.该文用铟金属(In)和结晶四氯化锡(SnCl<,4>.5H<,2>O)作为原材料在玻璃基体上制备出了性能优异的ITO薄膜.文中分别对Sn掺杂量为5wt﹪、8wt﹪、10wt﹪、12wt﹪的ITO薄膜进行了光电性能分析,发现掺杂量约10wt﹪的ITO薄膜具有最好的光电性能,其方块电阻低于170Ω/□,可见光区的透射率大于88﹪.分析热处理温度对ITO薄膜的光电性能影响发现,ITO薄膜的方块电阻随着热处理温度的升高而不断减小;但是ITO薄膜的透射率随热处理温度的变化呈非单调的变化,在500℃时透射率存在一个峰值.文中还分别对在不同热处理时间条件下获得的ITO薄膜进行了光电性能分析,发现ITO薄膜的方块电阻随着热处理时间的延长显著增加;薄膜的透射率随着热处理时间的延长直线下降.因此,该文认为ITO薄膜的热处理时间不宜超过25分钟.6.期刊论文陶海华.姚宁.辛荣生.边超.张兵临ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究-郑州大学学报(理学版)2003,35(4)论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响.当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时,会导致金属In,InO,SnO和Sn3O4等物质以及晶体缺陷的生成,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率,甚至同时降低其光电性能.实验结果表明,当Ar流量为40.2cm3*min-1、温度为360℃和旋转溅射时间为90 min等参数保持不变时, ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为0.42cm3·min-1,溅射气压为0.5 Pa, 溅射电流0.3 A(溅射电压约为245 V),所得薄膜的方块电阻为5.7Ω、波长为550 nm的绿光透过率达到88.6%(洁净玻璃基底的绿光透光率为91.6%).7.学位论文裴瑜ITO薄膜的制备及通电电流对薄膜特性的影响2009透明导电氧化物(TCO)薄膜在可见光区(波长430-70.nm)有较高的透光率(平均透过率大于80％)，并且具有优良的导电性，电阻率最低可以达到10-5Ω·cm数量级。