SR4D4005中文资料

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康明斯400KW技术参数

康明斯400KW技术参数
101.2
润滑油规格
15W/40CD
润滑油消耗量(L∕h)
0.188
润滑油总容量(L)
50
冷却液容量(L)
91
发动机冷却方式
满足环境温度40C散热器,皮带驱动冷却风扇
发电机数据
生产厂商
上海斯坦福
型号
HJI400
功率(KVA∕KW)
500/400
励磁方式
无刷自励
绝缘等级
H
防护等级
IP23
空载电压调整范围
安装工程
5000元
3台
15000元
11
机组调试、人员培


12
税费、利润
56700元
合计
945000元
序号
项目名称
产地品牌
单价
用量
合价
说明
1
柴油发电机组
上柴股份12V135BZLD
163670元
3台
491010元
2
自动控制屏
1个
12000元
单台
3
自动并机系统
1套
6(X)00元
两台并机
4
底座油箱500L
输出电流(AInP)
810
100%负荷连续运行时
燃油消耗率g/kwh
210
机油消耗率k/h
<1.9
噪声dB(八)LP7m
≤98
外形尺寸
长X宽X高(mm)
3300×1550×1900
净重(Kg)
4800
柴油发动机
型号
12V135BZLD
柴油机功率KW
450
缸数
12
额定转数
1500

4DW柴油机培训

4DW柴油机培训

企业机密
中国一汽解放公司无锡柴油机厂
Wuxi Die簿壁干式缸套(厚1.5mm),缸心距短,耐磨性能 、缸套采用簿壁干式缸套 厚 缸心距短, 缸心距短 好,结构紧凑。 结构紧凑。 2、整体结构气缸盖。 、整体结构气缸盖。 3、曲轴采用8平衡块结构运转平稳,振动少。 、曲轴采用 平衡块结构运转平稳 振动少。 平衡块结构运转平稳, 4、机油冷却器为板翘式,冷却芯在盖板内。 、机油冷却器为板翘式,冷却芯在盖板内。 5、主动皮带轮带减震器,传动皮带用张紧轮张紧。 、主动皮带轮带减震器,传动皮带用张紧轮张紧。 6、高压油泵带内置式提前器。 、高压油泵带内置式提前器。 7、机油泵为齿轮泵,由凸轮轴传动。 、机油泵为齿轮泵,由凸轮轴传动。 8、传动齿轮为斜齿。 、传动齿轮为斜齿。
中国一汽解放公司无锡柴油机厂
Wuxi Diesel Engine Works
4DW系列柴油机主要机型的技术参数(增压中冷) 4DW系列柴油机主要机型的技术参数(增压中冷) 系列柴油机主要机型的技术参数
4DW83-73 项 型式 吸气方式 气缸数 气缸直径/活塞行程 气缸直径 活塞行程 压缩比 活塞总排量 活塞平均速度 额定功率 额定转速 最大扭矩 最大扭矩转速 发火次序 曲轴旋转方向(面向飞轮端 曲轴旋转方向 面向飞轮端) 面向飞轮端 全负荷最低燃油消耗率 机油燃油消耗百分比 g/kW·h %
企业机密
4DW93-80 B47
4DW93-84 B43

单位 B03 直列四冲程、水冷、直喷燃烧室 直列四冲程、水冷、 增压中冷 4 mm L m/s kW r/min N·m r/min 85/95 17.5:1 . : 2.16 9.5 54 3000 200 2.54 9.33 58.8 2800 230 1800 1-3-4-2 (靠近风扇端为第一缸 靠近风扇端为第一缸) 靠近风扇端为第一缸 逆时针 225 ≤0.8 . 2.54 10 62 3000 230 90/100

400g sr4指标

400g sr4指标

400g sr4指标(最新版)目录1.400g sr4 指标概述2.400g sr4 指标的参数和性能3.400g sr4 指标的应用领域4.400g sr4 指标的未来发展正文一、400g sr4 指标概述400g sr4 指标,全称为 400Gbit/s 短距离光模块的 SR4 指标,是一种用于描述光模块性能的参数。

在高速光通信领域,400Gsr4 指标被广泛应用于各种短距离光通信设备,以满足数据中心、云计算、超级计算等领域对高速、高容量光通信的需求。

二、400g sr4 指标的参数和性能1.参数400Gsr4 指标主要包括以下几个参数:- 传输速率:400Gbit/s- 传输距离:短距离(如 100 米、200 米等)- 调制方式:SR4(短距离 4 级脉冲整形)- 信道数:4 信道2.性能400Gsr4 指标在短距离光通信中具有以下优越性能:- 高速率:400Gbit/s 的传输速率,满足了大数据时代的高速传输需求。

- 高容量:4 信道设计,使得单个光模块的传输容量达到 1Tb/s,大大提高了传输效率。

- 低功耗:相较于其他高速光通信技术,400Gsr4 指标具有较低的功耗,有助于降低能耗和运营成本。

- 稳定性:SR4 调制方式在短距离传输中具有较高的信号稳定性,降低了信号衰减和失真。

三、400g sr4 指标的应用领域400Gsr4 指标在以下领域得到了广泛应用:1.数据中心:数据中心内部设备之间的高速互联,以及数据中心之间的高速数据传输。

2.云计算:云服务提供商大规模数据中心的内部通信,以及与用户之间的高速数据传输。

3.超级计算:高性能计算集群内部的高速数据交换,以及计算结果的高速传输。

4.5G 通信:5G 基站之间的高速数据传输,以及 5G 基站与数据中心之间的高速数据传输。

四、400g sr4 指标的未来发展随着 5G、云计算、大数据等技术的快速发展,对光通信技术的要求越来越高。

AD4001 AD4005 数据手册说明书

AD4001 AD4005 数据手册说明书

16位、2 MSPS/1 MSPS 、精密差分SAR ADC数据手册AD4001/AD4005Rev. ADocument FeedbackInformation furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks andregistered trademarks are the property of their respective owners.One Technology Way, P .O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A.Tel: 781.329.4700 ©2017 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Technical Support /cnADI 中文版数据手册是英文版数据手册的译文,敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误,ADI 不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。

如需确认任何词语的准确性,请参考ADI 提供的最产品特性吞吐速率:2 MSPS/1 MSPS 可选INL :±0.4 LSB (最大值) 保证16位无失码 低功耗9.5 mW (2 MSPS),4.9 mW (1 MSPS)(仅VDD ) 80 μW (10 kSPS),16 mW (2 MSPS)(总计)SNR :典型值96.2 dB (1 kHz, V REF = 5 V);典型值95.5 dB (100 kHz) THD :典型值−123 dB (1 kHz, V REF = 5 V);典型值−99 dB (100 kHz) 易用特性可降低系统功耗和复杂性 输入过压箝位电路减少了非线性输入电荷反冲 高阻态模式 长采集阶段 输入范围压缩快速转换时间支持很低的SPI 时钟速率 SPI 可编程模式、读/写能力、状态字 差分模拟输入范围:±V REF0 V 至V REF (V REF 在2.4 V 至5.1 V 之间)单电源工作:1.8 V ,逻辑接口电压:1.71 V 至5.5 V SAR 架构:无延迟/流水线延迟,首次转换有效 精确的首次转换保证工作:−40°C 至+125°CSPI/QSPI/MICROWIRE/DSP 兼容串行接口以菊花链形式连接多个ADC ,并能提供繁忙指示10引脚封装:3 mm × 3 mm LFCSP 、3 mm × 4.90 mm MSOP 封装应用自动测试设备 机器自动化 医疗设备 电池供电设备 精密数据采集系统概述AD4001/AD4005是低噪声、低功耗、高速、16位精密逐次逼近型寄存器(SAR)模数转换器(ADC)。

ISD4004语音芯片的工作原理及其在智能控制系统中的应用(1)

ISD4004语音芯片的工作原理及其在智能控制系统中的应用(1)

相输入端 信号通过耦合电容输入,最大幅度为峰峰值 16 mV
2 400 行) 该信号 175 ms 保持高电平 低电平为 25 ms 快
音频输出 (AUD OUT) 提供音频输出 可驱动 5 kÙ 的负载
进模式下 RAC 的 218.75 ìs 是高电平 31.25 ìs 为低电平
片选 (SS) 此端为低 即向该 ISD4004 芯片发送指令 两条 该端可用于存储管理技术
Phonetic Chip ISD4004 and Its Application in Intelligent Control System
ZHANG Chang-nian, WANG Zhen-hong, LI Yang
(North China University of Technology, Beijing 100041)
元器件应用
ISD4004 语音芯片的工作原理及其 在智能控制系统中的应用
张常年 王振红 李 洋
北方工业大学工学院 北京 100041
摘要:ISD4004 是一种采用 CchipCorder 专利技术的语音芯片 即此芯片无须 A/D 转换和压缩就可以直接储存
没有 A/D 转换误差 在一个记录位 bit 可存储 250 级声音信号 相当于通常的 A/D 记录的 8 倍 片内集成了晶体
引脚的数据 在下降沿将数据送至 MISO 引脚
2 SPI 接口指令 如表 1
表 1 SPI 接口指令
指令 POWERUP SET PLAY PLAY SET REC REC SET MC MC STOP STOP WRDN RINT
8 位控制码<16 位地址> 00100XXX<XXXXXXXXXXXXXXXX> 11100XXX< A15-A0> 11110XXX< XXXXXXXXXXXXXXXX > 10100XXX<A15 –A0> 10110XXX< XXXXXXXXXXXXXXXX > 11101XXX<A15 –A0> 11111XXX< XXXXXXXXXXXXXXXX > 0X110XXX< XXXXXXXXXXXXXXXX > 0X01XXXX< XXXXXXXXXXXXXXXX > 0X110XXX< XXXXXXXXXXXXXXXX >

ISD4004系列录放芯片在电话查询系统中的应用

ISD4004系列录放芯片在电话查询系统中的应用
4 电话信息查询系统
图 5 是一个用 A T89C8252 构成的 48min 语音 查询系统的实例 ,该产品已在一家公司搬迁时 ,用于 公司新电话号码的查询中 。
该 系 统 采 用 三 片 ISD4004 , 控 制 器 采 用 A T89C8252 。ISD4004 的片选信号SS由控制器的脚
36 (228)
图 1 ISD4004 的内部结构框图
《电子技术》1999 年第 5 期
ISD4004 与普通的录音/ 重放芯片相比 ,有如下 特点 :
(1) 记录的声音没有段长度的限制 ; (2) 声音的记录无需 A/ D 转换和压缩 ,放音自 然 、完美 ; (3) 快速闪存作为存储介质 ,无须电源可保存 数据长达 100 年 ,重复记录 10 000 次以上 ; (4) 内置的闪速存储器 ,记录时间长达 16min ; (5) 接口简单 , SPI 接口提供全部数据和控制 操作 ; (6) 3V 电压供电 , 待机耗 电 1μA , 放 音 耗 电 30mA ,录音耗电 25mA 。
ISD4004 可以设置放音或录音的起始地址 ,但 是无法设置放音或录音的结束地址 ,给存储器的利
图 3 SPI 的控制位示意图
《电子技术》1999 年第 5 期
(229) 37
用带来了极大的不便 。但器件提供了地址计数器指 针 ,通过读 SPI 总线的 M ISO 的寄存器的 P0~ P10 位和 EOM 位 ,就知道该信息的结束地址 ,通过查询 信息的起始地址 ,就可以唯一确定一条信息的位置 。
停止当前操 作
S TO P PO WDN
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
0 X01 X〈XXXXXXXXXXX〉
停止当前操 作并进入待 机状态

ISD4004系列语音芯片中文资料

ISD4004系列语音芯片中文资料

ISD4004系列单片语音录放电路一、简述●单片8至16分钟语音录放●内置微控制器串行通信接口●3V单电源工作●多段信息处理●工作电流25-30mA,维持电流1μA●不耗电信息保存100年(典型值)●高质量、自然的语音还原技术●10万次录音周期(典型值)●自动静噪功能●片内免调整时钟,可选用外部时钟ISD4004系列工作电压3V,单片录放时间8至16分钟,音质好,适用于移动电话及其他便携式电子产品中。

芯片采用CMOS技术,内含振荡器、防混淆滤波器、平滑滤波器、音频放大器、自动静噪及高密度多电平闪烁存贮陈列。

芯片设计是基于所有操作必须由微控制器控制,操作命令可通过串行通信接口(SPI或Microwire)送入。

芯片采用多电平直接模拟量存储技术, 每个采样值直接存贮在片内闪烁存贮器中,因此能够非常真实、自然地再现语音、音乐、音调和效果声,避免了一般固体录音电路因量化和压缩造成的量化噪声和"金属声"。

采样频率可为4.0,5.3,6.4,8.0kHz,频率越低,录放时间越长,而音质则有所下降,片内信息存于闪烁存贮器中,可在断电情况下保存100年(典型值),反复录音10万次。

二、引脚描述电源:(VCCA,VCCD)为使噪声最小,芯片的模拟和数字电路使用不同的电源总线,并且分别引到外封装的不同管脚上,模拟和数字电源端最好分别走线,尽可能在靠近供电端处相连,而去耦电容应尽量靠近器件。

地线:(VSSA,VSSD)芯片内部的模拟和数字电路也使用不同的地线。

同相模拟输入(ANA IN+)这是录音信号的同相输入端。

输入放大器可用单端或差分驱动。

单端输入时,信号由耦合电容输入,最大幅度为峰峰值32mV,耦合电容和本端的3KΩ电阻输入阻抗决定了芯片频带的低端截止频率。

差分驱动时,信号最大幅度为峰峰值16mV,为ISD33000系列相同。

反相模拟输入(ANA IN-)差分驱动时,这是录音信号的反相输入端。

CD400 405系列常用芯片资料

CD400 405系列常用芯片资料

CMOS (CD40、45系列)器件速查来源:全民业务网作者:不详型号器件名称厂牌备注CD4000 双3输入端或非门+单非门 TICD4001 四2输入端或非门 HIT/NSC/TI/GOLCD4002 双4输入端或非门 NSCCD4006 18位串入/串出移位寄存器 NSCCD4007 双互补对加反相器 NSCCD4008 4位超前进位全加器 NSCCD4009 六反相缓冲/变换器 NSCCD4010 六同相缓冲/变换器 NSCCD4011 四2输入端与非门 HIT/TICD4012 双4输入端与非门 NSCCD4013 双主-从D型触发器 FSC/NSC/TOSCD4014 8位串入/并入-串出移位寄存器 NSCCD4015 双4位串入/并出移位寄存器 TICD4016 四传输门 FSC/TICD4017 十进制计数/分配器 FSC/TI/MOTCD4018 可预制1/N计数器 NSC/MOTCD4019 四与或选择器 PHICD4020 14级串行二进制计数/分频器 FSCCD4021 08位串入/并入-串出移位寄存器 PHI/NSCCD4022 八进制计数/分配器 NSC/MOT型号器件名称厂牌备注CD4023 三3输入端与非门 NSC/MOT/TICD4024 7级二进制串行计数/分频器 NSC/MOT/TICD4025 三3输入端或非门 NSC/MOT/TICD4026 十进制计数/7段译码器 NSC/MOT/TICD4027 双J-K触发器 NSC/MOT/TICD4028 BCD码十进制译码器 NSC/MOT/TICD4029 可预置可逆计数器 NSC/MOT/TICD4030 四异或门 NSC/MOT/TI/GOLCD4031 64位串入/串出移位存储器 NSC/MOT/TICD4032 三串行加法器 NSC/TICD4033 十进制计数/7段译码器 NSC/TICD4034 8位通用总线寄存器 NSC/MOT/TICD4035 4位并入/串入-并出/串出移位寄存 NSC/MOT/TICD4038 三串行加法器 NSC/TICD4040 12级二进制串行计数/分频器 NSC/MOT/TI CD4041 四同相/反相缓冲器 NSC/MOT/TICD4042 四锁存D型触发器 NSC/MOT/TICD4043 4三态R-S锁存触发器("1"触发) NSC/MOT/TI CD4044 四三态R-S锁存触发器("0"触发) NSC/MOT/TI CD4046 锁相环 NSC/MOT/TI/PHICD4047 无稳态/单稳态多谐振荡器 NSC/MOT/TI型号器件名称厂牌备注CD4048 4输入端可扩展多功能门 NSC/HIT/TICD4049 六反相缓冲/变换器 NSC/HIT/TICD4050 六同相缓冲/变换器 NSC/MOT/TICD4051 八选一模拟开关 NSC/MOT/TICD4052 双4选1模拟开关 NSC/MOT/TICD4053 三组二路模拟开关 NSC/MOT/TICD4054 液晶显示驱动器 NSC/HIT/TICD4055 BCD-7段译码/液晶驱动器 NSC/HIT/TICD4056 液晶显示驱动器 NSC/HIT/TICD4059 “N”分频计数器 NSC/TICD4060 14级二进制串行计数/分频器 NSC/TI/MOT CD4063 四位数字比较器 NSC/HIT/TICD4066 四传输门 NSC/TI/MOTCD4067 16选1模拟开关 NSC/TICD4068 八输入端与非门/与门 NSC/HIT/TICD4069 六反相器 NSC/HIT/TICD4070 四异或门 NSC/HIT/TICD4071 四2输入端或门 NSC/TICD4072 双4输入端或门 NSC/TICD4073 三3输入端与门 NSC/TICD4075 三3输入端或门 NSC/TI型号器件名称厂牌备注CD4076 四D寄存器CD4077 四2输入端异或非门 HITCD4078 8输入端或非门/或门CD4081 四2输入端与门 NSC/HIT/TICD4082 双4输入端与门 NSC/HIT/TICD4085 双2路2输入端与或非门CD4086 四2输入端可扩展与或非门CD4089 二进制比例乘法器CD4093 四2输入端施密特触发器 NSC/MOT/STCD4094 8位移位存储总线寄存器 NSC/TI/PHICD4095 3输入端J-K触发器CD4096 3输入端J-K触发器CD4097 双路八选一模拟开关CD4098 双单稳态触发器 NSC/MOT/TICD4099 8位可寻址锁存器 NSC/MOT/STCD40100 32位左/右移位寄存器CD40101 9位奇偶较验器CD40102 8位可预置同步BCD减法计数器CD40103 8位可预置同步二进制减法计数器CD40104 4位双向移位寄存器CD40105 先入先出FI-FD寄存器型号器件名称厂牌备注CD40106 六施密特触发器 NSC\TICD40107 双2输入端与非缓冲/驱动器 HAR\TICD40108 4字×4位多通道寄存器CD40109 四低-高电平位移器CD40110 十进制加/减,计数,锁存,译码驱动 STCD40147 10-4线编码器 NSC\MOTCD40160 可预置BCD加计数器 NSC\MOTCD40161 可预置4位二进制加计数器 NSC\MOTCD40162 BCD加法计数器 NSC\MOTCD40163 4位二进制同步计数器 NSC\MOTCD40174 六锁存D型触发器 NSC\TI\MOTCD40175 四D型触发器 NSC\TI\MOTCD40181 4位算术逻辑单元/函数发生器CD40182 超前位发生器CD40192 可预置BCD加/减计数器(双时钟) NSC\TI CD40193 可预置4位二进制加/减计数器 NSC\TICD40194 4位并入/串入-并出/串出移位寄存 NSC\MOT CD40195 4位并入/串入-并出/串出移位寄存 NSC\MOT CD40208 4×4多端口寄存器型号器件名称厂牌备注CD4501 4输入端双与门及2输入端或非门CD4502 可选通三态输出六反相/缓冲器CD4503 六同相三态缓冲器CD4504 六电压转换器CD4506 双二组2输入可扩展或非门CD4508 双4位锁存D型触发器CD4510 可预置BCD码加/减计数器CD4511 BCD锁存,7段译码,驱动器CD4512 八路数据选择器CD4513 BCD锁存,7段译码,驱动器(消隐) CD4514 4位锁存,4线-16线译码器CD4515 4位锁存,4线-16线译码器CD4516 可预置4位二进制加/减计数器CD4517 双64位静态移位寄存器CD4518 双BCD同步加计数器CD4519 四位与或选择器CD4520 双4位二进制同步加计数器CD4521 24级分频器CD4522 可预置BCD同步1/N计数器CD4526 可预置4位二进制同步1/N计数器CD4527 BCD比例乘法器型号器件名称厂牌备注CD4528 双单稳态触发器CD4529 双四路/单八路模拟开关CD4530 双5输入端优势逻辑门CD4531 12位奇偶校验器CD4532 8位优先编码器CD4536 可编程定时器CD4538 精密双单稳CD4539 双四路数据选择器CD4541 可编程序振荡/计时器CD4543 BCD七段锁存译码,驱动器CD4544 BCD七段锁存译码,驱动器CD4547 BCD七段译码/大电流驱动器CD4549 函数近似寄存器CD4551 四2通道模拟开关CD4553 三位BCD计数器CD4555 双二进制四选一译码器/分离器CD4556 双二进制四选一译码器/分离器CD4558 BCD八段译码器CD4560 "N"BCD加法器CD4561 "9"求补器CD4573 四可编程运算放大器CD4574 四可编程电压比较器CD4575 双可编程运放/比较器CD4583 双施密特触发器CD4584 六施密特触发器CD4585 4位数值比较器CD4599 8位可寻址锁存器CD22100 4×4×1交叉点开关。

东风4D型内燃机车4第二篇 机车操纵说明解析

东风4D型内燃机车4第二篇 机车操纵说明解析

第二篇机车操纵说明1机车油、水及砂的整备1.1 燃油整备机车柴油机用的燃油是国家标准GB252-94所规定的任一牌号一等品以上的轻柴油。

具体使用何种牌号,须根据不同地区,随季节和气候的变化,作适当选择。

1.2 机油整备采用内燃机车用含锌四代机油或多级四代机油,非含锌四代机油也可用到240/275系列柴油机上,但含锌油与非含锌油不得混用。

机车机油的装载量为1200kg,其中约2/3贮于柴油机油底壳中,其余则存于机油系统的滤清器、热交换器和管路中。

更换机油时,应打开机车中部底架下的上(排)油管截止阀,排尽机油并清洗干净后,用机油泵将油压入柴油机底壳。

注意检查油位,使其保持在柴油机油标尺刻线之间。

当外界温度低于5℃时,在柴油机启动前,应直接加入加热至60~90℃的热油(加热不应超过100℃),或使用预热锅炉,以保证柴油机起动温度≥20℃的要求。

正常运用中需补充少量机油时,则应从柴油机机体曲轴箱观察孔盖的加油口加入。

随车工具中备有加油漏斗,漏斗中设有滤网,以防止机械杂质颗粒进入油底壳。

内燃机车走行7000~8000km,应进行一次机油检验。

在柴油机停机后,油温不低于40℃时,从柴油机油底壳排油管处放出四桶油(约40kg)。

从第四桶油中取lkg油样进行化验,其余放回油底壳中。

在保证机油的闪点和粘度在规定的范围之内,允许只放出一部分旧油而加入适量新油。

但超过使用限度指标的机油必须更换。

1.3 冷却水整备冷却水采用去离子水作为基础水,并采用2号硅系复合添加剂配制而成。

冷却水的标准指标如下:总硬度(mg当量/L):去离子水和冷却水均不大于0.05。

氯离于(mg/L):去离子水不大于5,冷却水不大于20。

冷却水的二氯化硅不少于150mg/L,硼砂为2500~3500mg/L,亚硝酸钠为1400~2600mg/L。

PH值:去离子水为6.57,冷却水为7.5~9。

冷却水中的悬浮物应不大于30mg/L。

对去离子水外观要求清晰透明无色,冷却水的外观要求清晰透明基本无色。

400g sr4指标

400g sr4指标

400g SR4指标1. 什么是400g SR4?400g SR4是指一种光纤传输标准,用于高速数据中心和云计算网络中的光纤通信。

它是一种四通道并行传输的光纤标准,每个通道的速率为100Gbps,因此总的传输速率为400Gbps。

2. 400g SR4的指标2.1 传输速率400g SR4的传输速率为400Gbps,这意味着它可以在短距离内以非常高的速度传输数据。

这对于需要大量数据传输的应用程序非常重要,例如高性能计算、大数据分析和人工智能。

2.2 传输距离400g SR4的传输距离受到光纤的类型和质量的限制,一般来说,它的传输距离在100米左右。

这意味着它适用于数据中心内部的短距离通信,但对于长距离通信来说并不适用。

2.3 光纤类型400g SR4使用多模光纤进行传输,这种光纤可以传输多个光束,每个光束被称为一个通道。

在400g SR4中,有四个通道,每个通道的速率为100Gbps。

2.4 光纤接口400g SR4使用MPO接口进行连接,MPO是一种多光束光纤连接器,可以同时连接多个光纤。

这种接口可以提供高速、高密度的光纤连接,非常适合于数据中心和云计算网络中的高密度光纤布线。

2.5 光纤编码400g SR4使用64B/66B编码来实现数据的传输,这种编码可以提高数据传输的可靠性和效率。

它将每个64位的数据块编码为66位的数据块,并在接收端进行解码。

3. 400g SR4的应用400g SR4广泛应用于数据中心和云计算网络中的高速数据传输。

它可以用于连接服务器、存储设备、交换机等网络设备,实现高速、可靠的数据通信。

3.1 数据中心在大型数据中心中,需要快速传输大量的数据,以支持各种应用程序的运行。

400g SR4可以提供高达400Gbps的传输速率,满足数据中心对高速数据传输的需求。

它可以用于连接服务器、存储设备和网络设备,实现数据中心内部的快速数据交换。

3.2 云计算网络在云计算网络中,需要高速数据传输来支持虚拟机的迁移、数据备份和恢复等操作。

ISD4003-08MSD中文资料

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ISD/Winbond · 2727 North First Street, San Jose, CA 95134 · TEL: 408/943-6666 · FAX: 408/544-1787 · June 2000GENERAL DESCRIPTIONThe ISD4003 ChipCorder ® Products provide high-quality, 3-volt, single-chip Record/Playback solu-tions for 4- to 8-minute messaging applications which are ideal for cellular phones and other por-table products. The CMOS-based devices include an on-chip oscillator, antialiasing filter, smoothing filter, AutoMute™ feature, audio amplifier, and high density, multilevel Flash storage array. The ISD4003 series is designed to be used in a micro-processor- or microcontroller-based system. Ad-dress and control are accomplished through a Serial Peripheral Interface (SPI) or Microwire Serial Interface to minimize pin count.Recordings are stored in on-chip nonvolatile memory cells, providing zero-power message storage. This unique, single-chip solution is made possible through ISD’s patented multilevel storage technology. Voice and audio signals are stored directly into memory in their natural form, providing high-quality, solid-state voice reproduction.ISD4003 SeriesSingle-Chip Voice Record/Playback Devices4-, 5-, 6-, and 8-Minute DurationsISD4003 SeriesiiVoice Solutions in Silicon ™Table: ISD4003 Series SummaryPart NumberDuration (minutes)Input Sample Rate (KHz)Typical Filter Pass Band(KHz)ISD4003-04M 4.08.0 3.4ISD4003-05M 5.0 6.4 2.7ISD4003-06M 6.0 5.3 2.3ISD4003-08M8.04.01.7FEATURES•Single-chip voice Record/Playback solution •Single +3 volt supply •Low-power consumption–Operating current:I CC Play = 15 mA (typical)I CC Rec = 25 mA (typical)–Standby current: 1 µA (typical)•Single-chip durations of 4, 5, 6, and 8 minutes •High-quality, natural voice/audio reproduction •AutoMute feature provides background noiseattenuation during periods of silence •No algorithm development required •Microcontroller SPI or Microwire™ SerialInterface•Fully addressable to handle multiplemessages •Nonvolatile message storage •Power consumption controlled by SPIor Microwire control register •100-year message retention (typical) •100K record cycles (typical)•On-chip clock source•Available in die form, PDIP, SOIC, TSOP, andchip scale packaging (CSP)•Extended temperature (–20°C to + 70°C) andindustrial temperature (–40°C to +85°C) versions available7DEOH RI &RQWHQWVISDi,6' 6HULHV6LQJOH &KLS 9RLFH 5HFRUG 3OD\EDFN 'HYLFHV DQG 0LQXWH 'XUDWLRQV'(7$,/(' '(6&5,37,216SHHFK 6RXQG 4XDOLW\ 'XUDWLRQ )ODVK 6WRUDJH 0LFURFRQWUROOHU ,QWHUIDFH 3URJUDPPLQJ 3,1 '(6&5,37,2169ROWDJH ,QSXWV 9886 9889 *URXQG ,QSXWV 9TT6 9TT9 1RQ ,QYHUWLQJ $QDORJ ,QSXW $1$ ,1 ,QYHUWLQJ $QDORJ ,QSXW $1$ ,1r $XGLR 2XWSXW $8' 287 6ODYH 6HOHFW 66 0DVWHU 2XW 6ODYH ,Q 026, 0DVWHU ,Q 6ODYH 2XW 0,62 6HULDO &ORFN 6&/. ,QWHUUXSW ,17 5RZ $GGUHVV &ORFN 5$& ([WHUQDO &ORFN ,QSXW ;&/. $XWR0XWHu )HDWXUH $0 &$3 6(5,$/ 3(5,3+(5$/ ,17(5)$&( 63, '(6&5,37,210HVVDJH &XHLQJ 3RZHU 8S 6HTXHQFH 63, 3RUW 63, &RQWURO 5HJLVWHU 7,0,1* ',$*5$06 '(9,&( 3+<6,&$/ ',0(16,216 25'(5,1* ,1)250$7,21,6' 6HULHViiVoice Solutions in Silicon™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à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n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igure 1: ISD4003 Series TSOP and PDIP/SOIC Pinouts,6' 6HULHV2Voice Solutions in Silicon ™Figure 2: ISD4003 CSP PinoutNameBall Location TSOP Pin #W 66$6! '6H86Q 6"!!6I6ÃDI 6#!$W 66$7 &6V9PVU 7!! 6I6ÃDIr 7"!#W &&$7#!%W 66' 8 !W 66' 8!I 6W &&'8"I 6W 66$8# HPTD 9 T8GF 9!'Y8GF 9"%S689#!HDTP @ TT @!(W &&' @"&DIU@#$Name Ball Location TSOP Pin #6#6"6!7#7"7!7 8#8"8!8 9#9"9!9 @#@"@!@7 ÃWvr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Ω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Ω LQSXW LPSHGDQFH RI $1$ ,1 LV VHOHFWHG WR JLYH FXWRII DW WKH ORZ IUHTXHQF\ HQG RI WKH YRLFH SDVVEDQG ,Q WKH GLIIHUHQWLDO LQSXW PRGH WKH PD[LPXP LQSXW VLJQDO DW $1$ ,1 VKRXOG EH P9S S IRU RSWLPDO VLJQDO TXDOLW\ 7KH FLUFXLW FRQQHFWLRQV IRU WKH WZR PRGHV DUH VKRZQ LQ )LJ XUH RQ SDJH,6' 6HULHV3ISD,19(57,1* $1$/2* ,1387 $1$ ,1¥7KLV SLQ LV WKH LQYHUWLQJ DQDORJ LQSXW WKDW WUDQVIHUV WKH VLJQDO WR WKH GHYLFH IRU UHFRUGLQJ LQ WKH GLIIHU HQWLDO LQSXW PRGH ,Q WKLV GLIIHUHQWLDO LQSXW PRGH D P9S S PD[LPXP LQSXW VLJQDO DW $1$ ,1r VKRXOG EH FDSDFLWLYHO\ FRXSOHG WR WKLV SLQ IRU RS WLPDO VLJQDO TXDOLW\ DV VKRZQ LQ WKH ,6' 6HULHV $1$ ,1 0RGHV )LJXUH 7KLV FDSDFLWRU YDOXH VKRXOG EH HTXDO WR WKH FRXSOLQJ FDSDFLWRU XVHG RQ WKH $1$ ,1 SLQ 7KH LQSXW LPSHGDQFH DW $1$ ,1r LV QRPLQDOO\ .Ω ,Q WKH VLQJOH HQGHG PRGH $1$,1r VKRXOG EH FDSDFLWLYHO\ FRXSOHG WR 966$WKURXJK D FDSDFLWRU HTXDO WR WKDW XVHG RQ WKH $1$ ,1 LQSXW$8',2 287387 $8' 2877KLV SLQ SURYLGHV WKH DXGLR RXWSXW WR WKH XVHU ,W LV FDSDEOH RI GULYLQJ D .Ω LPSHGDQFH ,W LV UHFRPPHQGHG WKDW WKLV SLQ EH $& FRXSOHGNOTE7KH $8'287 SLQ LV DOZD\V DW YROWV ZKHQ WKH GHYLFH LV SRZHUHG XS :KHQ LQ SOD\ EDFN WKH RXWSXW EXIIHU FRQQHFWHG WR WKLV SLQ FDQ GULYH D ORDG DV VPDOO DV .Ω :KHQ LQ UHFRUG D UHVLVWRU FRQQHFWV $8' 287 WR WKH LQWHUQDO YROW DQDORJ JURXQG VXSSO\ 7KLV UHVLVWRU LV DSSUR[LPDWHO\ .Ω EXW ZLOO YDU\ VRPHZKDW DFFRUGLQJ WR WKH VDPSOH UDWH RI WKH GHYLFH 7KLV UHO DWLYHO\ KLJK LPSHGDQFH DOORZV WKLV SLQ WR EH FRQQHFWHG WR DQ DXGLR EXV ZLWKRXW ORDGLQJ LW GRZQ6/$9( 6(/(&7 667KLV LQSXW ZKHQ /2: ZLOO VHOHFW WKH ,6' GHYLFHFigure 3: ISD4003 Series ANA IN Modes,6' 6HULHV4Voice Solutions in Silicon ™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s7KH 2YHUIORZ IODJ LQGL FDWHV WKDW WKH HQG RI WKH ,6' nV DQDORJ PHP RU\ KDV EHHQ UHDFKHG GXULQJ D UHFRUG RU SOD\EDFN RSHUDWLRQ(QG RI 0HVVDJH (20 s7KH (QG RI 0HVVDJH IODJ LV VHW RQO\ GXULQJ SOD\EDFN RSHUDWLRQ ZKHQ DQ (20 LV IRXQG 7KHUH DUH HLJKW (20 IODJ SRVLWLRQ RSWLRQV SHU URZ52: $''5(66 &/2&. 5$&7KLV LV DQ RSHQ GUDLQ RXWSXW SLQ WKDW SURYLGHV D VLJ QDO ZLWK D PV SHULRG DW WKH .+] VDPSOLQJ IUH TXHQF\ 7KLV UHSUHVHQWV D VLQJOH URZ RI PHPRU\DQG WKHUH DUH URZV RI PHPRU\ LQ WKH ,6' VHULHV GHYLFHV 7KLV VLJQDO VWD\V +,*+ IRU PV DQG VWD\V /2: IRU PV ZKHQ LW UHDFKHV WKH HQG RI D URZ7KH 5$& SLQ VWD\V +,*+ IRU µVHF DQG VWD\V /2: IRU µ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r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µ) FDSDFLWRU WR JURXQG VKRXOG EH FRQQHFWHG WR WKH $0&$3 SLQ 7KLV FDSDFLWRU EHFRPHV D SDUW RI DQ LQWHUQDO SHDN GHWHFWRU ZKLFK VHQVHV WKH VLJQDO DPSOLWXGH SHDN 7KLV SHDN OHYHO LV FRPSDUHG WR DQ LQWHUQDOO\ VHW WKUHVKROG WR GHWHUPLQH WKH $XWR 0XWH WULS SRLQW )RU ODUJH VLJQDOV WKH $XWR0XWH DW WHQXDWLRQ LV VHW WR G% ZKLOH G% RI DWWHQXDWLRQ RFFXUV IRU VLOHQFH 7KH µ) FDSDFLWRU DOVR DIIHFWV WKH UDWH DW ZKLFK WKH $XWR0XWH IHDWXUH FKDQJHV ZLWK WKH VLJQDO DPSOLWXGH RU WKH DWWDFN WLPH 7KH $XWRPXWH IHDWXUH FDQ EH GLVDEOHG E\ FRQQHFWLQJ WKH $0&$3 SLQ WR 9&&$6(5,$/ 3(5,3+(5$/ ,17(5)$&( 63, '(6&5,37,217KH ,6' VHULHV RSHUDWHV IURP DQ 63, VHULDO LQWHU IDFH 7KH 63, LQWHUIDFH RSHUDWHV ZLWK WKH IROORZLQJ SURWRFRO7KH GDWD WUDQVIHU SURWRFRO DVVXPHV WKDW WKH PL FURFRQWUROOHUnV 63, VKLIW UHJLVWHUV DUH FORFNHG RQ WKH IDOOLQJ HGJH RI WKH 6&/. :LWK WKH ,6' GDWD LV FORFNHG LQ RQ WKH 026, SLQ RQ WKH ULVLQJ FORFN HGJH 'DWD LV FORFNHG RXW RQ WKH 0,62 SLQ RQ WKH IDOOLQJ FORFN HGJH1.$OO VHULDO GDWD WUDQVIHUV EHJLQ ZLWK WKH IDOOLQJHGJH RI 66 SLQ 2.66 LV KHOG /2: GXULQJ DOO VHULDO FRPPXQLFDWLRQV DQG KHOG +,*+ EHWZHHQ LQVWUXFWLRQV 3.'DWD LV FORFNHG LQ RQ WKH ULVLQJ FORFN HGJHDQG GDWD LV FORFNHG RXW RQ WKH IDOOLQJ FORFN HGJH 4.3OD\ DQG 5HFRUG RSHUDWLRQV DUH LQLWLDWHG E\HQDEOLQJ WKH GHYLFH E\ DVVHUWLQJ WKH 66 SLQ /2: VKLIWLQJ LQ DQ RSFRGH DQG DQ DGGUHVV ILHOG WR WKH ,6' GHYLFH UHIHU WR WKH 2S FRGH 6XPPDU\ RQ WKH IROORZLQJ SDJH 5.7KH RSFRGHV DQG DGGUHVV ILHOGV DUH DV IROORZV FRQWURO ELWV! DQG DGGUHVV ELWV! 6.(DFK RSHUDWLRQ WKDW HQGV LQ DQ (20 RU2YHUIORZ ZLOO JHQHUDWH DQ LQWHUUXSW LQFOXG LQJ WKH 0HVVDJH &XHLQJ F\FOHV 7KH ,QWHU UXSW ZLOO EH FOHDUHG WKH QH[W WLPH DQ 63,F\FOH LV LQLWLDWHG 7.$V ,QWHUUXSW GDWD LV VKLIWHG RXW RI WKH,6' 0,62 SLQ FRQWURO DQG DGGUHVV GDWD LV VLPXOWDQHRXVO\ EHLQJ VKLIWHG LQWR WKH 026, SLQ &DUH VKRXOG EH WDNHQ VXFK WKDW WKH GDWD VKLIWHG LQ LV FRPSDWLEOH ZLWK FXUUHQW V\VWHP RSHUDWLRQ ,W LV SRVVLEOH WR UHDG LQWHUUXSW GDWD DQG VWDUW D QHZ RSHUD WLRQ ZLWKLQ WKH VDPH 63, F\FOH 8.$Q RSHUDWLRQ EHJLQV ZLWK WKH 581 ELW VHWDQG HQGV ZLWK WKH 581 ELW UHVHW 9.$OO RSHUDWLRQV EHJLQ ZLWK WKH ULVLQJ HGJHRI 66Table 1:External Clock Input Clocking TablePart Number Sample Rate Required Clock,6' 0 .+] .+],6' 0 .+] .+],6' 0 .+] .+],6' 0.+].+],6' 6HULHV 6Voice Solutions in Silicon ™0(66$*( &8(,1*0HVVDJH FXHLQJ DOORZV WKH XVHU WR VNLS WKURXJK PHVVDJHV ZLWKRXW NQRZLQJ WKH DFWXDO SK\VLFDO OR FDWLRQ RI WKH PHVVDJH 7KLV RSHUDWLRQ LV XVHG GXU LQJ SOD\EDFN ,Q WKLV PRGH WKH PHVVDJHV DUHVNLSSHG WLPHV IDVWHU WKDQ LQ QRUPDO SOD\ EDFN PRGH ,W ZLOO VWRS ZKHQ DQ (20 HQG RI PHV VDJH PDUNHU LV UHDFKHG 7KHQ WKH LQWHUQDO DGGUHVV FRXQWHU ZLOO SRLQW WR WKH QH[W PHVVDJHHr htrÃ8 rv tÃph Ãirà ryrp rqà y Ãh à urÃirtv v tà sÃhà yh à r h v!6 à urÃD r Ãqh hÃv à uvs rqà à sà urÃDT9# " Ãp yÃh qÃhqq r Ãqh hÃv Ãirv tà uvs rqÃv Ã8h rà u yqÃirà hxr à puà uh à urÃqh hà uvs rqÃv Ãv Ãp h viyrà v uÃp r à r à r h v ÃD Ãv à viyrà à rhqÃv r Ãqh hÃh qà h Ãhà r à r h v Ãh à urà h rà v r ÃTrrÃAvt rÃ%à u tuÃAvt rÃ(Ãs ÃP p qrÃs h32:(5 83 6(48(1&(7KH ,6' ZLOO EH UHDG\ IRU DQ RSHUDWLRQ DIWHU 738' PV DSSUR[LPDWHO\ IRU .+] VDPSOH UDWH 7KH XVHU QHHGV WR ZDLW 738' EHIRUH LVVXLQJ DQ RSHUD WLRQDO FRPPDQG )RU H[DPSOH WR SOD\ IURP DG GUHVV WKH IROORZLQJ SURJUDPLQJ F\FOH VKRXOG EH XVHG 3OD\EDFN 0RGH6HQG 32:(583 FRPPDQG :DLW 738' SRZHU XS GHOD\6HQG 6(73/$< FRPPDQG ZLWK DGGUHVV 6HQG 3/$< FRPPDQG7KH GHYLFH ZLOO VWDUW SOD\EDFN DW DGGUHVV DQG LW ZLOO JHQHUDWH DQ LQWHUUXSW ZKHQ DQ (20 LV UHDFKHG ,W ZLOO WKHQ VWRS SOD\EDFN5HFRUG 0RGH1.6HQG 32:(583 FRPPDQG2.:DLW 738' SRZHU XS GHOD\3.6HQG 32:(583 FRPPDQG4.:DLW [738' SRZHU XS GHOD\5.6HQG 6(75(& FRPPDQG ZLWK DGGUHVV6.6HQG 5(& FRPPDQG7KH GHYLFH ZLOO VWDUW UHFRUGLQJ DW DGGUHVV DQG LW ZLOO JHQHUDWH DQ LQWHUUXSW ZKHQ DQ RYHUIORZ LV UHDFKHG HQG RI PHPRU\ DUUD\ ,W ZLOO WKHQ VWRS UH FRUGLQJTable 2: Opcode SummaryInstruction Opcode <5 bits> Address <11 bits>Operational Summary32:(583 ;;;;;;;;;;;!3RZHU 8S 'HYLFH ZLOO EH UHDG\ IRU DQ RSHUDWLRQ DIWHU 7QV9 6(73/$< $ r$ !,QLWLDWHV 3OD\EDFN IURP DGGUHVV $ r$ !3/$< ;;;;;;;;;;;!3OD\EDFN IURP WKH FXUUHQW DGGUHVV XQWLO (20 RU 29) 6(75(& $ r$ !,QLWLDWHV D 5HFRUG RSHUDWLRQ IURP DGGUHVV $ r$ ! 5(& ;;;;;;;;;;;!5HFRUGV IURP FXUUHQW DGGUHVV XQWLO 29) LV UHDFKHG 6(70& $ r$ !,QLWLDWHV 0HVVDJH &XHLQJ 0& IURP DGGUHVV $ r$ !0& ;;;;;;;;;;;!3HUIRUPV D 0HVVDJH &XH 3URFHHGV WR WKH HQG RI WKH FXUUHQW PHVVDJH (20 RU HQWHUV 29) FRQGLWLRQ LI QR PRUH PHVVDJHV DUH SUHVHQW 6723 ; ;;;;;;;;;;;!6WRSV FXUUHQW RSHUDWLRQ67233:5'1 ; ; ;;;;;;;;;;;!6WRSV FXUUHQW 2SHUDWLRQ DQG HQWHUV VWDQG E\ SRZHU GRZQ PRGH 5,17!; ;;;;;;;;;;;!5HDG ,QWHUUXSW VWDWXV ELWV 2YHUIORZ DQG (20,6' 6HULHV7ISD63, 32577KH IROORZLQJ GLDJUDP GHVFULEHV WKH 63, SRUW DQG WKH FRQWURO ELWV DVVRFLDWHG ZLWK LWFigure 4: SPI Port63, &21752/ 5(*,67(57KH 63, FRQWURO UHJLVWHU SURYLGHV FRQWURO RI LQGLYLGXDO GHYLFH IXQFWLRQV VXFK DV 3OD\ 5HFRUG 0HVVDJH &XHLQJ 3RZHU 8S DQG 3RZHU 'RZQ 6WDUW DQG 6WRS RSHUDWLRQV DQG ,JQRUH $GGUHVV SRLQWHUVXur ÃD67à Dt rÃ6qq r Ã7v Ãv à r à à Ãhà yh ihpxà à rp qà r h v à h Ãs Ãhqq r à 6(¥6 ÃA Ãp rp v rà yh ihpxà à rp q ÃD67à u yqÃirÃpuh trqà Ãhà Ãirs rà urÃr qà sà uh à à rrÃS68à v v t ÃP ur v rà urÃDT9# "à vyyà r rh à urà r h v Ãs à urà h rà Ãhqq r ÃA à r à h htr r à urÃS Ã6qq r Ã8y pxà S68 à v Ãh qÃD67Ãph Ãirà rqà à rÃh qà urà r à rt rTable 3: SPI Control RegisterControl Register Bit Device FunctionControl Register Bit Device Function581(QDEOH RU 'LVDEOH DQ RSHUDWLRQ380DVWHU SRZHU FRQWURO6WDUW 6WRS3RZHU 8S 3RZHU 'RZQ3 56HOHFWV 3OD\ RU 5HFRUG RSHUDWLRQ,$%,JQRUH DGGUHVV FRQWURO ELW3OD\5HFRUG,JQRUH LQSXW DGGUHVV UHJLVWHU $ r$ 8VH WKH LQSXW DGGUHVV UHJLVWHU FRQWHQWV IRU DQ RSHUDWLRQ $ r$ 0&(QDEOH RU 'LVDEOH 0HVVDJH &XHLQJ3 r3 2XWSXW RI WKH URZ SRLQWHU UHJLVWHU(QDEOH 0HVVDJH &XHLQJ 'LVDEOH 0HVVDJH &XHLQJ$ r$,QSXW DGGUHVV UHJLVWHU,6' 6HULHV8Voice Solutions in Silicon ™T r r Ãhi rà u rÃyv rqà h Ãph rà r h r Ãqh htrà à urÃqr vpr Ã@ rà à urÃhi y rà h v à h v t à h Ãhssrp Ãqr vprà ryvhivyv ÃA p v hyà r h v Ãv à Ãv yvrqÃh à ur rÃp qv v Ã8h rà r r h r ! W &&Ã2ÃW &&$Ã2ÃW &&' "W 66Ã2ÃW 66$Ã2ÃW 66' ÃTable 4:Absolute Maximum Ratings (Packaged Parts)(1)ConditionValue -XQFWLRQ WHPSHUDWXUH &6WRUDJH WHPSHUDWXUH UDQJH r & WR &9ROWDJH DSSOLHG WR DQ\ SLQ 9TT r 9 WR 988 9 9ROWDJH DSSOLHG WR DQ\ SLQ,QSXW FXUUHQW OLPLWHG WR P$9TT r 9 WR 988 99ROWDJH DSSOLHG WR 026, 6&/.,17 5$& DQG 66 SLQV ,QSXW FXUUHQW OLPLWHG WR P$ 9TT r 9 WR 9/HDG WHPSHUDWXUHVROGHULQJ r VHFRQGV &988 r 9TTr 9 WR 9Table 5:Operating Conditions (Packaged Parts)ConditionValue&RPPHUFLDO RSHUDWLQJ WHPSHUDWXUH UDQJH & WR &([WHQGHG RSHUDWLQJ WHPSHUDWXUH r & WR &,QGXVWULDO RSHUDWLQJ WHPSHUDWXUHr & WR &6XSSO\ YROWDJH 988 ! 9 WR 9*URXQG YROWDJH 9TT "9Figure 5: SPI Interface Simplified Block Diagram,6' 6HULHV9ISDU vphyà hy r )ÃU 6Ã2Ã!$ 8Ãh qÃ" ÃW! 6yyà v h Ãyv v Ãh rÃt h h rrqÃi ÃDT9à vhÃryrp vphyà r v tà Ãpuh hp r v h v ÃI Ãhyyà rpvsvph v Ãh rà à r pr à r rq" W 886Ãh qÃW 889Ãp rp rqà tr ur# TTÃ2ÃW 886Ã2ÃW 889 ÃY8GFÃ2ÃHPTDÃ2ÃW TT62ÃW TT9Ãh qÃhyyà ur à v Ãsy h v t $Hrh rqà v uÃ6 H rÃsrh rÃqv hiyrqTable 6: DC Parameters (Packaged Parts)Symbol ParametersMin (2)Typ (1)Max (2)UnitsConditions9DG ,QSXW /RZ 9ROWDJH 988[99DC ,QSXW +LJK 9ROWDJH 988[99PG 2XWSXW /RZ 9ROWDJH 9,PG $9PG 5$& ,17 2XWSXW /RZ 9ROWDJH9,PG P$9PC 2XWSXW +LJK 9ROWDJH 988r9,PC r $,88988 &XUUHQW 2SHUDWLQJ s 3OD\EDFN s 5HFRUGP$P$5@YU ∝ " 5@YU ∝à ",T7988 &XUUHQW 6WDQGE\$ " à #,DG ,QSXW /HDNDJH &XUUHQW $,Ca 0,62 7ULVWDWH &XUUHQW$5@YU 2XWSXW /RDG ,PSHGDQFH .Ω56I6ÃDI $1$ ,1 ,QSXW 5HVLVWDQFH .Ω56I6ÃDIr $1$ ,1r ,QSXW 5HVLVWDQFH.Ω$6SQ$1$ ,1 RU $1$ ,1r WR $8' 287 *DLQG%$Table 7: AC Parameters (Packaged Parts)Symbol CharacteristicMin (2)Typ (1)Max (2)Units Conditions)T6DPSOLQJ )UHTXHQF\,6' 0,6' 0,6' 0,6' 0 .+].+].+].+] $ $ $ $)8A)LOWHU 3DVV %DQG,6' 0,6' 0,6' 0,6' 0 .+].+].+].+] G% 5ROO 2II 3RLQW " à & G% 5ROO 2II 3RLQW " à & G% 5ROO 2II 3RLQW " à & G% 5ROO 2II 3RLQW " à &7S@85HFRUG 'XUDWLRQ,6' 0,6' 0,6' 0,6' 0PLQ PLQ PLQ PLQ% % % %ISD4003 Series10Voice Solutions in Silicon ™1.Typical values: T A = 25°C and 3.0 V.2.All min/max limits are guaranteed by ISD via electrical testing or characterization. Not all specifications are 100 percent tested.3.Low-frequency cut off depends upon the value of external capacitors (see Pin Descriptions).4.Single-ended input mode. In the differential input mode, V IN maximum for ANA IN+ and ANA IN– is 16 mVp-p.5.Sampling Frequency can vary as much as ±2.25 percent over the commercial temperature, and voltage ranges, and –6/+4 percent over the extended temperature, industrial temperature and voltage ranges. For greater stability, an external clock can be utilized (see Pin Descriptions).6.Playback and Record Duration can vary as much as ±2.25 percent over the commercial temperature and voltage ranges, and –6/+4 percent over the extended temperature, industrial temperature and voltage ranges. For greater stability, an external clock can be utilized (see Pin Descriptions).7.Filter specification applies to the antialiasing filter and the smoothing filter. Therefore, from input to output, expect a 6dB drop by nature of passing through both filters.8.The typical output voltage will be approximately 570mVp-p with V IN at 32mVp-p.9.For optimal signal quality, this maximum limit is recommended.10.When a record command is sent, T RAC =T RAC +T RACLO on the first row addressed.T PLAYPlayback DurationISD4003-04M ISD4003-05M ISD4003-06M ISD4003-08M 4568min min min min (6)(6)(6)(6)T PUDPower-Up DelayISD4003-04M ISD4003-05M ISD4003-06M ISD4003-08M 2531.2537.550msec msec msec msec T STOP or T PAUSEStop or Pause in Record or PlayISD4003-04M ISD4003-05M ISD4003-06M ISD4003-08M 5062.575100msec msec msec msec T RACRAC Clock PeriodISD4003-04M ISD4003-05M ISD4003-06M ISD4003-08M 200250300400msec msec msec msec (10)(10)(10)(10)T RACLORAC Clock Low TimeISD4003-04M ISD4003-05M ISD4003-06M ISD4003-08M 2531.2537.550msec msec msec msec T RACMRAC Clock Period in Message Cueing Mode ISD4003-04M ISD4003-05M ISD4003-06M ISD4003-08M 125156.3187.5250µsec µsec µsec µsec T RACMLRAC Clock Low Time in Message Cueing ModeISD4003-04M ISD4003-05M ISD4003-06M ISD4003-08M15.6319.5323.4431.25µsec µsec µsec µsec THD Total Harmonic Distortion 12%@ 1 KHzV INANA IN Input Voltage32mVPeak-to-Peak (4) (8) (9)Table 7: AC Parameters (Packaged Parts)Symbol CharacteristicMin (2)Typ (1)Max (2)Units Conditions,6' 6HULHV11ISDT r r Ãhi rà u rÃyv rqà h Ãph rà r h r Ãqh htrà à urÃqr vpr Ã@ rà à urÃhi y rà h v à h v t à h Ãhssrp Ãqr vprà ryvhivyv ÃA p v hyà r h v Ãv à Ãv yvrqÃh à ur rÃp qv v ÃW &&Ã2ÃW &&$Ã2ÃW &&'!W 66Ã2ÃW 66$Ã2ÃW 66' ÃTable 8:Absolute Maximum Ratings (Die)(1)ConditionValue -XQFWLRQ WHPSHUDWXUH &6WRUDJH WHPSHUDWXUH UDQJH r & WR &9ROWDJH DSSOLHG WR DQ\ SDG 9TT r 9 WR 988 9 9ROWDJH DSSOLHG WR DQ\ SDG,QSXW FXUUHQW OLPLWHG WR P$9TT r 9 WR 988 99ROWDJH DSSOLHG WR 026, 6&/. ,17 5$& DQG 66 SLQV ,QSXW FXUUHQW OLPLWHG WR P$ 9TT r 9 WR 9988 r 9TTr 9 WR 9Table 9:Operating Conditions (Die)ConditionValue&RPPHUFLDO RSHUDWLQJ WHPSHUDWXUH UDQJH & WR &6XSSO\ YROWDJH 988 9 WR 9*URXQG YROWDJH 9TT !9U vphyà hy r )ÃU 6Ã2Ã!$ 8Ãh qÃ" ÃW! 6yyà v h Ãyv v Ãh rÃt h h rrqÃi ÃDT9à vhÃryrp vphyà r v tà Ãpuh hp r v h v ÃI Ãhyyà rpvsvph v Ãh rà à r pr à r rq" W 886Ãh qÃW 889Ãp rp rqà tr ur# TTÃ2ÃW 8862ÃW 889 ÃY8GFÃ2ÃHPTDÃ2ÃW TT6Ã2ÃW TT9Ãh qÃhyyà ur à v Ãsy h v t $Hrh rqà v uÃ6 H rÃsrh rÃqv hiyrqTable 10: DC Parameters (Die)Symbol ParametersMin (2)Typ (1)Max (2)UnitsConditions9DG ,QSXW /RZ 9ROWDJH 988[99DC ,QSXW +LJK 9ROWDJH 988[99PG 2XWSXW /RZ 9ROWDJH 9,PG $9PG 5$& ,17 2XWSXW /RZ 9ROWDJH9,PG P$9PC 2XWSXW +LJK 9ROWDJH 988r9,PC r $,88988 &XUUHQW 2SHUDWLQJ s 3OD\EDFN s 5HFRUGP$P$5@YU ∞ " 5@YU ∞à ",T7988 &XUUHQW 6WDQGE\$ " à #,DG ,QSXW /HDNDJH &XUUHQW $,Ca 0,62 7ULVWDWH &XUUHQW$5@YU 2XWSXW /RDG ,PSHGDQFH .Ω56I6ÃDI $1$ ,1 ,QSXW 5HVLVWDQFH .Ω56I6ÃDIr $1$ ,1r ,QSXW 5HVLVWDQFH.Ω$6SQ$1$ ,1 RU $1$ ,1r WR $8'287 *DLQG%$。

MMSZ4xxxT1G系列和SZMMSZ4xxxT1G系列零点电阻电源器件的商品说明书

MMSZ4xxxT1G系列和SZMMSZ4xxxT1G系列零点电阻电源器件的商品说明书

MMSZ4686T1G MMSZ4686T1G.MMSZ4xxxT1G Series, SZMMSZ4xxxT1G Series Zener Voltage Regulators 500 mW, Low I ZT SOD−123 Surface MountThree complete series of Zener diodes are offered in the convenient, surface mount plastic SOD−123 package. These devices provide a convenient alternative to the leadless 34−package style.Features•500 mW Rating on FR−4 or FR−5 Board•Wide Zener Reverse V oltage Range − 1.8 V to 43 V•Low Reverse Current (I ZT) − 50 m A•Package Designed for Optimal Automated Board Assembly •Small Package Size for High Density Applications•ESD Rating of Class 3 (>16 kV) per Human Body Model•SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable•These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*Mechanical Characteristics:CASE:V oid-free, transfer-molded, thermosetting plastic case FINISH:Corrosion resistant finish, easily solderableMAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES: 260°C for 10 SecondsPOLARITY:Cathode indicated by polarity band FLAMMABILITY RATING:UL 94 V−0MAXIMUM RATINGSRating Symbol Max Units Total Power Dissipation on FR−5 Board,(Note 1) @ T L = 75°CDerated above 75°C P D5006.7mWmW/°CThermal Resistance, (Note 2) Junction−to−Ambient R q JA340°C/WThermal Resistance, (Note 2) Junction−to−Lead R q JL150°C/WJunction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to+150°CStresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.1.FR−5 = 3.5 X 1.5 inches, using the minimum recommended footprint.2.Thermal Resistance measurement obtained via infrared Scan Method.*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.Cathode AnodeSee specific marking information in the device marking column of the Electrical Characteristics table on page 3 of this data sheet.DEVICE MARKING INFORMATIONSOD−123CASE 425STYLE 1Device Package Shipping†ORDERING INFORMATIONMARKING DIAGRAM†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.MMSZ4xxxT1G SOD−123(Pb−Free)3,000 /Tape & ReelMMSZ4xxxT3G SOD−123(Pb−Free)10,000 /Tape & Reel xx= Device Code (Refer to page 3)M= Date CodeG= Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)1SZMMSZ4xxxT1G SOD−123(Pb−Free)3,000 /Tape & ReelSZMMSZ4xxxT3G SOD−123(Pb−Free)10,000 /Tape & ReelELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted, V F = 0.9 V Max. @ I F = 10 mA)Symbol ParameterV Z Reverse Zener Voltage @ I ZTI ZT Reverse CurrentI R Reverse Leakage Current @ V RVR Reverse VoltageI F Forward CurrentV F Forward Voltage @ I FProduct parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted, V F = 0.9 V Max. @ I F = 10 mA)Device*DeviceMarkingZener Voltage (Note 3)Leakage CurrentV Z (Volts)@ I ZT I R @ V RMin Nom Max m A m A VoltsMMSZ4678T1G CC 1.71 1.8 1.89507.51 MMSZ4679T1G CD 1.90 2.0 2.105051 MMSZ4680T1G CE 2.09 2.2 2.315041 MMSZ4681T1G CF 2.28 2.4 2.525021 MMSZ4682T1G CH 2.565 2.7 2.8355011 MMSZ4683T1G CJ 2.85 3.0 3.15500.81 MMSZ4684T1G CK 3.13 3.3 3.47507.5 1.5 MMSZ4685T1G CM 3.42 3.6 3.78507.52 MMSZ4686T1G CN 3.70 3.9 4.105052 MMSZ4687T1G CP 4.09 4.3 4.525042 SZMMSZ4687T1G CG6 4.09 4.3 4.525042 MMSZ4688T1G CT 4.47 4.7 4.9450103 MMSZ4689T1G CU 4.85 5.1 5.3650103 MMSZ4690T1G/T3G CV 5.32 5.6 5.8850104 MMSZ4691T1G CA 5.89 6.2 6.5150105 MMSZ4692T1G CX 6.46 6.87.145010 5.1 MMSZ4693T1G CY7.137.57.885010 5.7 MMSZ4694T1G CZ7.798.28.61501 6.2 MMSZ4695T1G DC8.278.79.14501 6.6 MMSZ4696T1G DD8.659.19.56501 6.9 MMSZ4697T1G DE9.501010.505017.6 MMSZ4698T1G DF10.451111.55500.058.4 MMSZ4699T1G DH11.401212.60500.059.1 MMSZ4700T1G DJ12.351313.65500.059.8 MMSZ4701T1G DK13.301414.70500.0510.6 MMSZ4702T1G DM14.251515.75500.0511.4 MMSZ4703T1G†DN15.201616.80500.0512.1 MMSZ4704T1G DP16.151717.85500.0512.9 MMSZ4705T1G DT17.101818.90500.0513.6 MMSZ4706T1G DU18.051919.95500.0514.4 MMSZ4707T1G DV19.002021.00500.0115.2 MMSZ4708T1G DA20.902223.10500.0116.7 MMSZ4709T1G DX22.802425.20500.0118.2 MMSZ4710T1G DY23.752526.25500.0119.0 MMSZ4711T1G†EA25.652728.35500.0120.4 MMSZ4712T1G EC26.602829.40500.0121.2 MMSZ4713T1G ED28.503031.50500.0122.8 MMSZ4714T1G EE31.353334.65500.0125.0 MMSZ4715T1G EF34.203637.80500.0127.3 MMSZ4716T1G EH37.053940.95500.0129.6 MMSZ4717T1G EJ40.854345.15500.0132.6 3.Nominal Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at T L = 30°C ±1°C.*Include SZ-prefix devices where applicable.†MMSZ4703 and MMSZ4711 Not Available in 10,000/Tape & ReelTYPICAL CHARACTERISTICSV Z , T E M P E R A T U R E C O E F F I C I E N T (m V /C )°θV Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Figure 1. Temperature Coefficients (Temperature Range −55°C to +150°C)V Z , T E M P E R A T U R E C O E F F I C I E N T (m V /C )°θ100101V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Figure 2. Temperature Coefficients (Temperature Range −55°C to +150°C)1.21.00.80.60.40.20T, TEMPERATURE (5C)Figure 3. Steady State Power Derating P p k, P E A K S U R G E P O W E R (W A T T S )PW, PULSE WIDTH (ms)Figure 4. Maximum Nonrepetitive Surge PowerP D , P O W E R D I S S I P A T I O N (W A T T S )V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGEFigure 5. Effect of Zener Voltage onZener ImpedanceZ Z T , D Y N A M I C I M P E D A N C E ()ΩTYPICAL CHARACTERISTICSC , C A P A C I T A N C E (p F )V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Figure 6. Typical Capacitance 1000100101V Z , ZENER VOLTAGE (V)1001010.10.01I Z , Z EN E R C U R R E N T (m A )V Z , ZENER VOLTAGE (V)1001010.10.01I R , L E A K A G E C U R R E N T (A )μV Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Figure 7. Typical Leakage Current10001001010.10.010.0010.00010.00001I Z , Z E N E R C U R R E N T (m A )Figure 8. Zener Voltage versus Zener Current(V Z Up to 12 V)Figure 9. Zener Voltage versus Zener Current(12 V to 91 V)SOD−123CASE 425−04ISSUE GDATE 07 OCT 2009SCALE 5:1NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSIY14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.DIM MIN NOM MAXMILLIMETERSINCHESA0.94 1.17 1.350.037A10.000.050.100.000b0.510.610.710.020c1.600.150.055D 1.40 1.80E 2.54 2.69 2.840.100---3.680.140L0.253.860.0100.0460.0020.0240.0630.1060.1450.0530.0040.0280.0710.1120.152MIN NOM MAX3.56H E---------0.006------------GENERICMARKING DIAGRAM**For additional information on our Pb−Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering andMounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT**This information is generic. Please refer to device datasheet for actual part marking. Pb−Free indicator, “G” ormicrodot “ G”, may or may not be present.XXX= Specific Device CodeM= Date CodeG= Pb−Free Package1STYLE 1:PIN 1. CATHODE2. ANODE0.910.036ǒmminchesǓSCALE 10:1------q001010°°°°(Note: Microdot may be in either location) MECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor theON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage may be accessed at ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.PUBLICATION ORDERING INFORMATIONTECHNICAL SUPPORTNorth American Technical Support:Voice Mail: 1 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Phone: 011 421 33 790 2910LITERATURE FULFILLMENT :Email Requests to:*******************ON Semiconductor Website: Europe, Middle East and Africa Technical Support:Phone: 00421 33 790 2910For additional information, please contact your local Sales RepresentativeMMSZ4686T1G MMSZ4686T1G.。

SOD4005 SOD-123FL 规格书推荐

SOD4005 SOD-123FL 规格书推荐
1.2
Resistive or Inductive Load
1.0
10
TJ = 125°C TJ = 100°C
0.8
µ AMPERES
1
0.6
0.4
TJ = 75°C TJ = 50°C
0.1
0.2
TJ = 25°C
3.0 x 3.0mm 40 µm Thick Copper Pad Areas
0 20 40 60 80 100 120 140 160
3.7±0.2
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT
FIG.3 -- TYPICAL INSTANTANEOUS REVERSE CHARACTERISTICS AVERAGE FORWARD CURRENT, AMPERES
100
TJ = 150°C
FIG.4 -- FORWARD DERATING CURVE
FEATURES
Glass passivated device Ideal for surface mouted applications Low reverse leakage Metallurgically bonded construction High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension

东风4d电路说明[宝典]

东风4d电路说明[宝典]

东风4B电路说明第一节:概述;内燃机车电路图是机车电气设备的电气联接图,根据用途不同,分为原理图、布线图和原理配线图三种。

一、原理图:表示各种电机、电器、仪表之间的相互关系和作用原理图而用导线连接成的图,称为原理图。

主要用来从工作原理研究和分析电路。

二、布线图:表示各种电机、电器、仪表之间的相对位置,并用导线表示出其相互间的关系,同时还标出导线、电缆的线号和规格的图。

布线图主要用来进行电器和线路的安装、配线和检查。

三、原理配线图:可以说明工作原理,又可作检查和配线。

图中标出导线、电缆的线号和规格,表示出电机、电器、仪表的相互关系,但不表示出电器设备的实际安装位置。

东风4B机车电路图属于原理布线图。

1、原理布线图分为:(1)主电路:以粗线绘出。

由牵引发电机“GS.Y”(F)、牵引整流柜“1ZL”牵引电动机“M”(1D~D6)以及和它们相连的各类电器、开关、接触器、触头等组成的电路。

(2)励磁电路:由牵引发电机“GS.Y”(F)、牵引励磁机GS~(L)以及测速发电机TG(CF)的励磁电路和它们相连接的接触器、继电器触点、电阻元件所组成的电路。

(3)辅助电路:由蓄电池“XDC”、启动机油泵“QBD”、启动发电机“QF”、燃油泵电机“1-2RBD”、空压电机“1-2YD”、车体通风机电机“1~2TD”、电炉“DL”以及其它电气元件所组成的电路。

(4)控制电路:除上述电路以及照明电路外的电路。

由继电器、接触器的线圈、辅助触点以及其他控制电气元件所组成的电路。

(5)照明电路:机车上的各种照明灯,如前照明灯、车底灯、型号灯等以及和它们相连接的各类开关和电器触点所组成的电器。

(6)三项设备电路:机车自动信号、自动停车以及电话电路。

2、电路图上电机、电器符号及标注都做了变化,例如牵引电动机过去以D 标注,现在以通用的“M ”表示,但为了与过去电路图的统一,仍同时标注了“1D ~D6”。

励磁绕组与东风7、5(C1.C2)标注也不同为(D1.D2)。

西门子变频器产品样本

西门子变频器产品样本
产品样本 DA51.2·2008.10
本产品样本中包含的产品已录入产品样本光盘 CA01 中 订货号: E86060-D4001-A110-B4-7600
订货时请与您当地的西门子办事处联系
本样本中列出的产品和 系统在制造和销售中通 过了 DIN EN ISO 9001 ( 认证号:N o . D E 000357 QM))和DIN EN ISO 14001(认证号:No. 0813420 UM 和 EMS 57390)。认证证书在所 有的 IQNet 国家都已注 册。
主要特征
调试简单
模块化的结构,因而组态 具有最大的灵活性
具有三个完全可编程的隔 离的数字输入
一个可标定的模拟输入 (0V 至 10V) ;它也可以作为第 4 个数字输入来使用。
一个可编程的模拟输出 (0mA 至 20mA)
一个完全可编程的继电器 输出 (30V ,直流 /5A,电阻 负载或 250V,交流 /2A, 感 性负载)
3
MICROMASTER420/430/440
一般介绍
选件
MICROMASTER 4 系列变频 器有以下选件可供用户选用:
滤波器 电抗器 操作面板 PROFIBUS 通讯模块 DeviceNet 通讯模块 CAN open 通讯模块 脉冲编码器脉冲计数模块 密封盖板 安装组合件等
变频器各个系列适用的操作面板和功能模块的配置
节能运行方式 负载转矩监控 ( 水泵的无水空转运行检测) 电动机的分级 (多泵循环) 控制
有 3 组驱动数据可供选择 集成的制动斩波器 (75 kW 以下) 转矩控制 具有二进制互联连接(BiCo)功能
MM430 变频器
110kW 至 250kW(VT)MM430 变频器是 MICROMASTER 变频器系列新的扩展型号。它的主要特点有:

ISD4004 中文资料与基本程序

ISD4004 中文资料与基本程序

ISD4004 中文资料与基本程序-语音芯片1.ISD4000系列语音录放电路分为以下三个系列:2.4002-120/150/180/240 2、2.5、3、4分钟3.4003-04/05/06/08M 4、5、6、8分钟4.4004-08/10/12/16M 8、10、12、16分钟4004系列独有的特性除前面介绍的ISD语音电路主要特性外,4000系列独有的特性为:1. 3v单电源供电。

2.内置微机串行通信接口。

五、典型应用线路图/********************************************************************ISD4004基本程序 AVR meag16Pafone SPI端口 1M内部晶振13th April 2007 It took me about 3 days********************************************************************/#i nclude<iom16v.h>#i nclude<macros.h>#define uchar unsigned char#define DDR_SPI DDRB#define DD_MOSI 5#define DD_SCK 7#define DD_SS 4//*******************************延时100ms*****************************void delay100ms(){unsigned char i,j;for(j = 0;j<316;j++)for(i = 0;i<316;i++);//1MHz的晶振}//************************初始化SPI***********************************void SPI_MasterInit(){DDR_SPI = (1<<DD_MOSI)|(1<<DD_SCK)|(1<<DD_SS);//设置MOSI,SCK,SS为OUTPUT,其它为INPUTSPCR = (1<<SPE)|(1<<MSTR)|(1<<SPR0)|BIT(SPR1)|BIT(DORD);//SPI使能,主机方式,设置SCK为fosc/1 28,上升沿,LSB First}//****************************数据传送函数**********************************void SpiTransmit(unsigned char data){SPDR = (unsigned char)data;while(!(SPSR&(1<<SPIF)));//Wait for transmission finish}//****************cmdSend*********************************void cmdSend(unsigned int Addr,unsigned char cmd){PORTB = PORTB&(~(1<<DD_SS));//变低SSNOP();//为保证那个500nsSpiTransmit(Addr); //传地址低位SpiTransmit(Addr>>8); //传地址高字节SpiTransmit(cmd); //传命令PORTB = PORTB|(1<<DD_SS);//变高SSNOP();//为保证那个500ns}//*************************放音函数**********************void play(unsigned int addrs){cmdSend(0x0000,0x20);//Power updelay100ms();//上电延时cmdSend(addrs,0xe0);//发地址值为addr的Setplay命令cmdSend(0x0000,0xf0);//发Play命令}//************录音函数*******************************void rec(unsigned int addrs){cmdSend(0x0000,0x20);//发POWER UP命令;delay100ms();//等待TPUD(上电延时);cmdSend(0x0000,0x20);//发POWER UP命令cmdSend(addrs,0xa0);//发地址值为00的SETREC命令;cmdSend(0x0000,0xb0);//发REC命令。

EM4305和4205中文数据手册

EM4305和4205中文数据手册

512位读/写多用途非接触式识别装置译者:杭州电子科技大学杨四郎2013 /04 /07概述EM4205/4305是CMOS集成电路,主要用于电子射频读写应答器,它适用于低代价的动物标签应用的解决方案。

这款芯片的通信协议与EM4469/4569系列兼容。

EM4205与EM4305最主要的区别如下:◆EM4305为两个线圈输入增大了凸起的焊盘,EM4305的这个加大的凸起焊盘用于直接与天线相连,从而避免了需要使用一个模块。

◆EM4305提供了一个330p的谐振电容。

这款芯片通过外部线圈与内部集成电容一起组成的谐振电路,从连续的125kHz磁场中获取能量启动。

芯片从内部的EEPROM中读出数据,并通过与线圈并联的负载电阻的开断产生深幅调制,将数据发送出去。

通过对125kHz磁场的幅度调制,可以执行各种命令并更新EEPROM中的数据。

EM4205/4305支持双相编码和曼彻斯特编码。

EM4205/4305的运行模式储存在EEPROM的配置字中。

通过设置保护位,所有的EEPROM 字都可以被写保护。

这款芯片包含了工厂编程的32位唯一识别码(UID)。

特点◆16个32位的数据块组成512位EEPROM◆32位的唯一识别码(UID)◆32位的密码读写保护◆ISO11784/11785标准兼容◆可以将EEPROM锁定于只读状态◆两种数据编码方式:曼彻斯特和双相◆多种数据率:8,16,32,64个RF时钟◆读卡器(reader)先发话特点◆通信协议与EM4469/4569系列兼容◆100到150kHz的频率范围◆芯片自带整流器和限压器◆无需提供外部电容◆﹣40℃到+80℃的温度范围◆非常低的功耗◆增大的焊点(200μm×400μm)直接连接线圈(EM4305)◆EM4205:2个谐振电容210pF或250pF可掩膜选择,谐振电容可以做到工厂级,容忍3%的精度误差◆EM4305:3个谐振电容210pF、250pF或330pF可掩膜选择应用◆根据ISO FDX-B 用于动物识别◆鸽子的比赛标准◆废料管理标准◆门禁控制◆工业典型的运行配置图1绝对最大额定值Vss=0V表1超出上述所列的最大额定值将会导致器件永久性的损坏,超出特定的工作条件可能会影响器件的可靠性或导致故障。

赛米控丹佛斯 SEMITRANS IGBT模块 SKM400GB12T4 数据表

赛米控丹佛斯 SEMITRANS IGBT模块 SKM400GB12T4 数据表

SEMITRANS ®3Fast IGBT4 ModulesSKM400GB12T4Features•IGBT4 = 4. generation fast trench IGBT (Infineon)•CAL4 = Soft switching 4. generation CAL-diode•Isolated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper) •Increased power cycling capability •With integrated gate resistor•For higher switching frequenzies up to 20kHz•UL recognized, file no. E63532Typical Applications*•AC inverter drives •UPS•Electronic welders at fsw up to 20 kHzRemarks•Case temperature limited to T c = 125°C max.•Recommended T op = -40 ... +150°C •Product reliability results valid for T j = 150°CAbsolute Maximum Ratings SymbolConditions Values UnitIGBT V CES T j =25°C 1200V I C T j =175°CT c =25°C 616A T c =80°C474A I Cnom 400A I CRMI CRM = 3xI Cnom 1200A V GES -20...20V t psc V CC =800V V GE ≤ 15V V CES ≤ 1200VT j =150°C10µs T j-40...175°C Inverse diode I F T j =175°CT c =25°C 440A T c =80°C 329A I Fnom400A I FRM I FRM = 3xI Fnom1200A I FSM t p =10ms, sin 180°, T j =25°C1980A T j -40 (175)°C Module I t(RMS)T terminal =80°C500A T stg -40...125°C V isolAC sinus 50 Hz, t =1min4000VCharacteristics SymbolConditions min.typ.max.UnitIGBT V CE(sat)I C =400A V GE =15V chiplevel T j =25°C 1.80 2.05V T j =150°C 2.20 2.40V V CE0chiplevel T j =25°C 0.80.9V T j =150°C 0.70.8V r CE V GE =15V chiplevel T j =25°C 2.50 2.88m ΩT j =150°C3.754.00m ΩV GE(th)V GE =V CE , I C =15.2mA55.86.5V I CES V GE =0V V CE =1200V T j =25°C 5mA T j =150°C mA C ies V CE =25V V GE =0Vf =1MHz 24.6nF C oes f =1MHz 1.62nF C res f =1MHz1.38nF Q G V GE =- 8 V...+ 15 V 2260nC R Gint T j =25°C 1.9Ωt d(on)V CC =600V I C =400A V GE =±15V R G on =1ΩR G off =1Ωdi/dt on =9700A/µs di/dt off =4300A/µs T j =150°C 220ns t r T j =150°C 47ns E on T j =150°C 33mJ t d(off)T j =150°C 505ns t f T j =150°C 78ns E off T j =150°C 42mJ R th(j-c)per IGBT0.072K/WCharacteristics SymbolConditionsmin.typ.max.UnitInverse diodeV F = V EC I F =400AV GE =0V chiplevelT j =25°C 2.20 2.52V T j =150°C 2.15 2.47V V F0chiplevel T j =25°C 1.3 1.5V T j =150°C 0.9 1.1V r FchiplevelT j =25°C 2.3 2.5m ΩT j =150°C3.1 3.4m ΩI RRM I F =400A di/dt off =8800A/µs V GE =±15VV CC =600VT j =150°C 450A Q rr T j=150°C68µC E rr T j =150°C 30.5mJR th(j-c)per diode0.14K/W Module L CE 1520nH R CC'+EE'terminal-chip T C =25°C 0.25m ΩT C =125°C0.5m ΩR th(c-s)per module 0.020.038K/W M s to heat sink M635Nm M t to terminals M62.55Nm Nm w325gSEMITRANS ® 3Fast IGBT4 ModulesSKM400GB12T4Features•IGBT4 = 4. generation fast trench IGBT (Infineon)•CAL4 = Soft switching 4. generation CAL-diode•Isolated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper) •Increased power cycling capability •With integrated gate resistor•For higher switching frequenzies up to 20kHz•UL recognized, file no. E63532Typical Applications*•AC inverter drives •UPS•Electronic welders at fsw up to 20 kHzRemarks•Case temperature limited to T c = 125°C max.•Recommended T op = -40 ... +150°C •Product reliability results valid for T j = 150°CFig. 1: Typ. output characteristic, inclusive R CC'+ EE'Fig. 2: Rated current vs. temperature I C = f (T C )Fig. 3: Typ. turn-on /-off energy = f (I C )Fig. 4: Typ. turn-on /-off energy = f (R G )Fig. 5: Typ. transfer characteristic Fig. 6: Typ. gate charge characteristicFig. 7: Typ. switching times vs. I C Fig. 8: Typ. switching times vs. gate resistor R GFig. 9: Transient thermal impedance Fig. 10: Typ. CAL diode forward charact., incl. R CC'+ EE'Fig. 11: CAL diode peak reverse recovery current Fig. 12: Typ. CAL diode peak reverse recovery chargeThis is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, Chapter IX* The specifications of our components may not be considered as an assurance of component characteristics. Components have to be tested for the respective application. Adjustments may be necessary. The use of SEMIKRON products in life support appliances and systems is subject to prior specification and written approval by SEMIKRON. We therefore strongly recommend prior consultation of our staff.。

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Part number 7-1415054-1 8-1415054-1 9-1415054-1 0-1415055-1 1-1415055-1 2-1415055-1 3-1415055-1 4-1415055-1 5-1415055-1 6-1415055-1 7-1415055-1 8-1415055-1 9-1415055-1 5-1415053-1 6-1415053-1 7-1415053-1 8-1415053-1 9-1415053-1 0-1415054-1 4-1415053-1 1-1415054-1 2-1415054-1 3-1415054-1 4-1415054-1 5-1415054-1 6-1415054-1
Technical data of approved types on request
Contact data
Contact configuration Contact set Type of interruption Rated current Rated voltage / max.switching voltage AC Maximum breaking capacity AC Utilization class (AC-15) acc. IEC 60947-5-1 NO contact NC contact Contact material Minimum contact load Contact resistance 3 N/O contacts and 1 N/C contact or 2 N/O contacts and 2 N/C contacts single contact, forcibly guided type A according to EN 50205 micro disconnection 8A 240/400 VAC 2000 VA
Ie 3 A / Ue 250 VAC (inrush 30 A) Ie 1.5 A / Ue 250 VAC (inrush 15 A) AgSnO2 10 mA / 5 V w 100 mOhm / 1 A / 24 VDC w 20 Ohm / 10 mA / 5 VDC Mechanical endurance 10x106 cycles Rated frequency of operation with / without load 6 min-1 / 150 min-1
Coil data
Rated coil voltage range DC coil Coil power DC coil Operative range 5...110 VDC appr. 800 mW 2
Coil versions, DC-coil Coil Rated Operate Release Coil Rated coil code voltage voltage voltage resistance power VDC VDC VDC Ohm mW 005 5 3.8 0.5 31+10% 806 006 6 4.5 0.6 45+10% 800 009 9 6.8 0.9 101+10% 802 012 12 9.0 1.2 180+10% 800 015 15 11.3 1.5 281+10% 801 018 18 13.5 1.8 405+10% 800 021 21 15.8 2.1 551+10% 800 024 24 18.0 2.4 720+10% 800 036 36 27.0 3.6 1620+10% 800 040 40 30.0 4.0 2000+10% 800 048 48 36.0 4.8 2880+10% 800 060 60 45.0 6.0 4500+10% 800 085 85 63.8 8.5 9031+10% 800 110 110 82.5 11.0 15125+10% 800 All figures are given for coil without preenergization, at ambient temperature +23°C
Insulation
Insulation resistance coil-contact circuit Dielectric strength coil-contact circuit open contact circuit adjacent contact circuits Clearance / creepage coil-contact circuit adjacent contact circuits adjacent contact circuits (UL840) Material group of insulation parts Tracking index of relay base Insulation to IEC 60664-1 Type of insulation coil-contact circuit open contact circuit adjacent contact circuits Rated insulation voltage Pollution degree Rated voltage system Overvoltage category Insulation to EN 50178 Type of insulation coil-contact circuit adjacent contact circuits > 100x106 Ohm 4000 Vrms 1500 Vrms 2500 Vrms W 10 / 10 mm W 3 / 3.5 mm W 1.3 / 3.5 mm W IIIa CTI 250 reinforced functional basic 250 V 2 230/400 V III reinforced basic 3 NO and 1 NC contacts 2 NO and 2 NC contacts
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General Purpose Relays
Safety Relay SR4 D/M (Continued)
Product key SR4D4005 SR4D4006 SR4D4009 SR4D4012 SR4D4018 SR4D4021 SR4D4024 SR4D4036 SR4D4040 SR4D4048 SR4D4060 SR4D4085 SR4D4110 SR4M4005 SR4M4006 SR4M4009 SR4M4012 SR4M4018 SR4M4021 SR4M4024 SR4M4036 SR4M4040 SR4M4048 SR4M4060 SR4M4085 SR4M4110
1)
S0413-BA
please contact technical support for washing parameters
Dimensions
S0412-BH
Product key Type Contact configuration D 2 NO + 2 NC contacts M 3 NO + 1 NC contacts Contact material 4 AgSnO2 Coil Coil code = rated coil voltage (e.g. 024=24 VDC) Other types on request
Applications Emergency shut-off, machine control, elevator and escalator control, light barrier control
F0244-A
Approvals
V REG.-Nr. 40005334, Z E214024, T 968/EL 230.00/03
S0413-BC
S0413-BB
Other data
RoHS - Directive 2002/95/EC compliant as per product date code 0407 Ambient temperature range -25...+70°C Vibration resistance (function) NO / NC contact > 10 / 2 g, 10....200 Hz Shock resistance (function) NO / NC contact > 10 / 2 g, 11 ms half sine Category of protection RT III 1) Resistance to soldering heat 260°C / 5 s Relay weight 16 g Packaging unit 10 pcs
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General Purpose Relays
Safety Relay SR4 D/M (Continued)
Other coil voltages on request
PCB layottom view on solder pins
S R 4
4
2
Datasheet Rev. EK1 Issued 2005/11 Dimensions are in mm unless otherwise specified and are shown for reference purposes only. Product specification according to IEC 61810-1. Product data, technical parameters, test conditions and processing information only to be used together with the 'Definitions' at in the ‘Schrack’ section. Specifications subject to change.
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