DES制程培训教材
蚀刻教材(3F)
一、DES拉工艺流程：显影→蚀刻→褪膜（注：显影也称冲板）目的：将曝光时由菲林转移到干膜上的图形在铜面上表现出来。
即：干膜曝光区域的铜会留下来，未曝光区域的铜会蚀刻掉。
二、DES拉开机注意事项及参数控制1.开机前检查药水缸及水缸液位是否足够，检查冷却水、压缩空气是否打开。
2.开机后检查各段药水温度压力是否在要求范围。
3.参数控制药水参数控制：药水名称浓度显影： PC2034B 0.6~1.2%蚀刻： Cu2+ 110~170g/lH+ 1.6~2.8 N褪膜： NaOH 2~4%酸洗： H2SO4 1~3%溶液浓度配制：显影缸：A5：10LT A6：25LT A7：25LT褪膜缸：A5：27kg A6：30kg A7：30kg酸洗缸：A5：3LT A6：3LT A7：3LT配药房：显影开料缸：PC2031B 25LT褪膜开料缸：NaOH 25kg三、冲板注意事项：1.在批量冲板前，首先必须做首板，待拉长恢复，首板OK后方可生产。
2.对板面铜厚不一以及光面板/细线板，一定要按照拉长所要求的方式去放板，同时注意板的型号、层次，必须保证不放错板。
3.对于冲大背板，必须站起来冲板；对于板厚小于5mil、H/H以下的板（根据拉长要求）必须带板条冲板。
4.冲板时，板与板之间的距离保持大于2inch（即5.08cm）5.在撕膜时，板两面保护膜要同时撕下。
不允许撕了一面然后再撕另一面，避免菲林碎粘到板面，导致蚀板不净现象。
6.在撕膜时，一定要注意严防撕膜不净的问题发生，且刀片不能划入图形，以防划伤，导致报废。
7.放板时，必须双手拿板，轻拿轻放，发现有板弯或板角翘，一定将其抚平，并放好放正以防卡板。
8.对每够一批量LOT卡时，用一胶片隔开，作为该批板已完的标识。
四、执漏注意事项：1.在检查板面时，必须戴黑色胶手套，手拿板边。
严防显影不净，显影过度，撕膜不净的板流入蚀刻。
2.在操作过程中，必须做到小心操作，不要划伤板面，发现显影不净等不良板时，即时通知冲板员工停放，然后通知拉长解决。
环保产品培训--无卤
三、卤素控制标准
对于卤素的控制标准限值，国际组织或大厂如IEC、IPC、JPCA及三星等 均已定义其无卤素材料的规格，其中IEC 61249-2-21规范要求溴、氯化物 之含量必须低於900 ppm，总卤素含量则必须低於1500 ppm，IPC之无卤 素定义与IEC相同；JPCA之规范则定义溴化物与氯化物含量限制均为900 ppm，并未要求总卤素含量。三星除规定溴化物与氯化物含量限制各为 900 ppm外，亦要求锑含量必须低於900 ppm方符合其无卤素材料之要求。
培训教材
四、无卤的标识
“卤素” ----- 用英文Halogen表示 “无卤”----用英文Halogen Free表示
欣瑞连“无卤”的统一标识 为： HF Halogen Free
培训教材
五、工厂内部管控一：合约审查
1、业务在收到客户有关无卤要求的信息时，应以联 络书通知品保、工程、生产及开发部，并在合约 上盖上“HF ”章。(索样流程相同，应在索样单 注明无卤要求） 2、开发部在收到无卤要求的信息后，应变更相关的 文件如BOM表等，有需要变更新型材料时，应提 出新材料需求信息给采购寻找新型的替代材料， 并需注明是无卤材料，在新的无卤材料送样承认 时，采购部应要求供应商同时将“符合ROHS及无 卤的SGS检测报告“、“成份表” 一起送工程承 认。 3、生产部在收无卤要求的信息后，生管应在相应的 工单及领料单上都需要盖上“HF”印章。
培训教材
THE END
培训教材
表1. 国际电工协会 IEC 61249-2-21 :2003 之无卤素材料规格 培训教材
三、卤素控制标准
台捷无卤控制标准 Br<900PPM CL<900PPM 且Br+Cl<1500ppm 同时，对于替代阻燃剂，不允许以下三种物质用于无卤产品中： --Antimony Trioxide(Sb2o3) 三氧化二锑 --Tripheny1 Phosphate(TPP) 磷酸三苯酯 --Red Phosphorus 红磷
DES线教材
PCEBG-CBD(營口)事業處 結業報告
部 門﹕內层課DES線 報告人﹕盧 岩
報告日期: 09/01/05
2013/7/26
1
宏群勝精密電子(營口)有限公司
富士康（營口）科技工業園
報告大綱
一.目的 二.方法 三.工作參數 四.主要原物料 五.日常保養 六.參考資料
2013/7/26 2 宏群勝精密電子(營口)有限公司
合成之電路板控制。 利用電生磁、磁生電原理，以 非接觸的方式量測溶液之導電 率而計算溶液的濃度。(溶液的 濃度越大，則導電離子越多， 相對的導電率則越高)。 當測定值低于設定值時﹐定量 泵浦動作﹐供給鹽酸
2013/7/26
23
宏群勝精密電子(營口)有限公司
富士康（營口）科技工業園
比重感應器
利用標準浮球之浮力效應，轉換 成位移，並使用精密光學之發射 及接收器(非接觸光學)，增加比 重之再現性，以達到精確測量液 體比重。 測定值比設定值高時﹐電磁閥和 泵浦動作
富士康（營口）科技工業園
三﹑工作參數
項次 1 2 3 4 5 管制項目 顯影速度 顯影溫度 顯影濃度 顯影噴壓 顯影段水洗溢 流量 顯影液添加 設定值 3.5m/min 30℃ 1.10% 1.5kg/cm2 12L/min 每6PNL添加一次每 次添30sec 公差 ±0.5m/min ±2℃ ±0.2% ±0.5kg/cm2 ±1L/min 備注
作用﹕ 阻塞PC板帶上大 量藥水或水流至下一 槽.
EPDM
不銹鋼
HCPP
滾輪片組
材質有不銹鋼、 HCPP 、 EPDM等
功能:傳動板件、阻水、擋 水功能
擋水滾輪
2013/7/26 16 宏群勝精密電子(營口)有限公司
微影制程简介解析
設備能力檢核
5.1擇取測試裸板三片(長15cm、寬10cm、雙面)。
5.2使用#600砂紙將板邊四周之銅屑磨平，以避免掉屑造成 量測上之誤差。
5.3烘乾(120℃、30min), 置乾燥器冷卻至室溫, 秤重並記 錄A (g)。
5.4將測試板依正常流程微蝕處理。 5.5烘乾(120℃、30min) , 置乾燥器冷卻至室溫, 秤重並記 錄B(g)。 5.6計算E.A.(Etching Amount)值。
1 DES制程的目的
先將沒有被UV光照射到的干膜洗掉,再將
露出的銅蝕刻掉,最后將被UV光照到的干
膜洗掉,從面制作出需要制作的線路.
2 流程簡介
顯影
水洗
蝕刻
水洗
水洗
酸洗
水洗
烘干
送AOI
去膜
DES線顯影段的原理
基板在作線路前可以在其上下兩面壓上干膜,然后
用紫外光對要制作的線路部分進行照射,干膜中 的單體成分在受到紫外光照射時會產生聚合反 應,形成交聯體,沒有受到光照的部分仍為單体.
显影后板面是否有余胶，肉眼很难看出，可用1％甲基紫酒 精水溶液或l一2％的硫化钠 或硫化钾溶液检查，染十甲基 紫颜色和浸入硫化物后没有颜色改变说明有余胶。
DES線蝕刻段的原理
蝕刻段的主要反應為:
CuCl2 + Cu
2CuCl
利用氯化銅的氧化性將單質銅氧化成氯化 亞銅.再用HCl,H2O2再生成CuCl2
理 ME值管控:ME SOP管控在+-12.5UM ME為A/W定位於實際曝光的差異.
曝光對位
2.PE值{PCB對底片CCD連線中心距離之差異[(P-A)/2+機台對位 誤差]}： 40um 3.ME值(底片CCD變化量)：50um
显影、蚀刻、去膜(DES)工艺指导书
一.目的：本指导书规定显影、蚀刻、去膜（DES）工位的工作内容和步骤。
二.X围：本指导书适用于内层和掩孔法外层的显影、蚀刻、和去膜的工作过程。
三.设备：IML DES线四.材料：碳酸钠、盐酸、双氧水、氢氧化钠、去泡剂、软化水、该工位的生产板。
五.工艺：5．1操作步骤5．11启动将“MAIN SWITCH ”转至“ON”的位置，送入主电力电源，在按下控制面板上“POWER”钮，此时“POWER”钮内之显示灯亮，并注意“END STOP”灯是否亮着，若有应即将控制面板上或机台上之紧急停止按钮予以复归.5.12开机操作顺序首先确定所有的开关均置OFF状态；将CONTROL SOURCE的旋钮旋开,使电源输入；将所有的加热系统依流程顺序压下,先使其预热；再将所有的温度设定器,依流程顺序,设定在所需的作业温度；压上CON钮使其输送,再调整CON SP ADJ旋钮并调整适当的作业速度；待温度到达所设定之温度时再将所有的PUMP钮依顺序压下即完成作业前的开机程序；放板前10分钟润湿辊轮。
5．13关机操作顺序依显影、蚀刻、去膜顺序依次关掉PUMP钮，关掉所有加热，热风车继续送风，观察蚀刻段温度有否升高趋势。
当热风车自动停止，且蚀刻段温度没有升高趋势时，压下STOP按钮，关掉总电源POWER，将MAIN SWITCH 转至OFF。
5.14警报发生系统故障警报系统依停机与否分二大类:a.停机:此项警报定义为主机或其一电器元件发生异常而无法运做或为保护人体安全而设置,如其一故障或保护条件成立便会使系统停止,须将故障或异常问题排除后再启动系统否则启动无效。
b.不停机:此项警报定义为预先警报或周边设备警报发生不会影响主机系统生产,所以异常发生本身停止运转,而不会停止主系统运转。
故障紧急处理方式:步骤:当紧急状况发生是时,须先按"紧急停止"钮,瞬间停止设备之一切动作,以保安全；停机后如内部尚有板子在内时,先行确认输送系统无异常后,可用"EMG CON"钮以寸动的方式强行使输送部分运转,将板子送出；将其板子全部输送后,再将操作箱上之电源开关关闭然后再检查故障区域；依指示区检查确认故障区的警示灯是何处故障；待将所有的故障区全部检修完毕,再开机；开机时请遵守操作顺序开机；接板时不允许有叠板现象。
DES技术手册
DES工站技術手冊版別: A 版撰寫日期： 4/2’02撰寫人：陳江忠審核﹕目錄1﹑FPC制造流程簡介- - ———— - —— - — - ——— - —— - — - ——- - — - - - - 31。
1 FPC基本概念- — - — - - - - - —— - - — - - ——— - - - ————- ——— 31。
2 FPC制造流程—— - ——— - - - ——— - — - - - — - - - — - ——- - - - - 32﹑D。
E.S工站簡介—— - —— - — - —————— - —— - — - — - —- - - - - - - 32。
1 概述- —— - - - ————— - ————————— - — - —- - — - - ——— -32。
2 D.E.S流程簡介- — - ————— - - — - —— - - —— - - ——- —— - - — - 32.2。
1 單面板流程- - - - —— - - - —— - - — - ———————- ——— - — -42。
2.2 雙面板流程- —— - — - - — - - - —— - - — - — - —— - —- —— - - -42。
3 D.E.S操作條件設定- - - - ——— - - - - — - — - - — - - — - - — - —- - 43﹑D.E.S原理— - - —— - —— - — - — - —— - — - - - —— - ———- ———— - - 53。
1 顯影原理- - - - - - - — - — - - — - ——— - ———— - ————- — - — -53.2 蝕刻原理— - — - — - - - — - —— - - - ————— - - — - - ——— - ———63.3 剝膜原理- —————— - — - — - —— - — - — - - - —— - - — - —————74﹑D。
DES操作规范
5工作程序5.1.1说明5.1.1.1流程：放板→显影→水洗×3→中检→预蚀刻→蚀刻→水洗×3→中检→去膜→放流水洗→循环水洗→酸洗→水洗×3→吸干→吹干→烘干→收板5.1.1.2作业尺寸：最大宽度不超过620mm5.1.1.3所需设备、工具、物料：显影蚀刻去膜线胶带及胶台座、导引板、导引框工业级碳酸钠、氯化铜、盐酸、氯酸钠、去膜液、消泡剂、液碱、硫酸5.5注意事项5.5.10热滚压膜制品曝光后的需经过15分钟的存放才可显影,但不可超过72小时；湿法压膜制品从压膜至显影放置不可超过24小时5.5.12“Break Point”测试：5.5.12．2显影断点40～60%：调整传送速度，贴好干膜未曝光的板子从入料端放入显影槽，当板子在走到显影槽的60%处停止显影喷淋，板子走出显影槽后观察，确保板子在40～60%处显影完全。
5.5.12．3去膜断点40%-60%。
调整传送速度，曝光后的板子在走到去膜槽的40%-60%处去膜干净。
5.5.12．4蚀刻断点控制：90～100%。
测试方法同显影断点测试。
5.5.13显影槽及去膜槽配制时按0.05%量加入消泡剂，在生产时据需要添加（需先用水稀释后加入槽中）5.5.14长时间(三天以上)停机后的处理方法首先将显影段主槽、水洗槽，蚀刻段水洗槽，去膜段主槽、酸洗槽、水洗槽中的槽液依次排尽，然后依次注入清水，分别开启各段泵浦喷淋30分钟，再将各段槽液排尽，用清水将各段出入口处的阻水滚轮冲洗干净，然后依次将各槽体用清水注满。
（此项动作不包括蚀刻槽）5.5.16 DES线自动添加的添加校正槽体添加药液槽液规格校正方法/频率校正结果处理显影Na2CO38-12（g/L）化学分析/每周1次1.药液添加后对槽液进行化学分析2.分析结果在规格内为OK3.分析结果不在规格内时，显影，去膜槽调整添加量，至添加后的分析结果在规格内为止。
4.Aquar系统的校正：蚀刻药液始终是处于Aquar的调控下的，对蚀刻药液进行分析，当分析结果在规格内时认为Aquar的调控为ok，当分析结果不在规格内时，按分析结果对Aquar进行校正。
制程培训课件ppt
制程流程监控与改进
要点一
总结词
实时监控、数据分析、定期评估、持续改进
要点二
详细描述
为了确保制程流程的稳定性和可靠性，需要对流程进行实 时监控和数据分析。通过安装传感器、采集数据、分析异 常等手段，及时发现流程中存在的问题和隐患。同时，定 期对流程进行评估和审计，了解流程的实际运行情况和效 果。根据监控和数据分析的结果，对流程进行持续改进和 优化，提高流程的效率和可靠性，降低风险和成本。
总结词
团队协作与沟通
03
总结词
持续改进与反馈机制
05
04
详细描述
在制程改进过程中，该公司注重团队 协作和跨部门沟通，确保了改进工作 的顺利进行和有效实施。
06
详细描述
该公司建立了持续改进机制和反馈渠道，鼓励 员工提出改进意见和建议，不断完善制程管理 体系。
案例二：某公司制程安全事故处理案例
总结词
安全意识与培训
制程的重要性
01
02
03
提高产品质量
制程的优化可以提高产品 的质量和稳定性，减少不 良品和废品率。
降低生产成本
合理的制程设计可以降低 生产成本，提高生产效率 ，减少浪费。
提升市场竞争力
优质的制程可以提升产品 的市场竞争力，满足客户 需求，赢得市场份额。
制程的种类和特点
连续制程
连续制程是指物料在制程中连续 不断地流动，如流水线生产。连 续制程的特点是生产效率高，适 合大规模生产。
排。
培训内容设计
针对制程人员的岗位职责和技能要 求，设计培训课程和教材，注重理 论与实践相结合。
培训实施与管理
组织培训活动，确保培训的顺利进 行，并对参训人员进行跟踪管理， 及时调整培训计划。
(数据加密标准DES)PPT课件
1 58 50 42 34 26 18 7 62 54 46 38 30 22
10 2 59 51 43 35 27 14 6 61 53 45 37 29
19 11 3 60 52 44 36 21 13 5 28 20 12 4
2021/3/9
授课：XXX
15
4、循环移位：
①、作用 • 对C0 ，D0 分别循环移位。
①、作用
• 把64位中间密文打乱重排。
• 形成最终的64位密文。
②、相逆性
• IP与IP－1互逆。
• 例：在IP中把输入的第1位置换到第40
• 1974年第二次征集； • 1975年选中IBM的算法，公布征求意见； • 1977年1月15日正式颁布； • 1998年底以后停用。 • 1999年颁布3DES为新标准。
2021/3/9
授课：XXX
4
一、DES的概况
2、标准加密算法的目标
①用于加密保护政府机构和商业部门的 非机密的敏感数据。
2、64位明文经初始置换IP，将数据打乱重排
并分成左右两半。左边为L0 ，右边为R0 。 3、第一次加密迭代：
在子密钥K1的控制下，由加密函数 f对R0加密：
L0⊕f（R0 ，K1 )
以此作为第二次加密迭代的R1，以R0作为第二
次加密迭代的L1。
2021/3/9
授课：XXX
10
三、加密过程
4、第二次加密迭代至第十六次加密迭代分别 用子密钥K2 ，...，K16进行，其过程与第一次 加密迭代相同。
62 54 46 38 30 22 14 6
64 56 48 40 32 24 16 8
57 49 41 33 25 17 9 1
经典电镀制程技术培训课件(PPT 54页)
3
投板
磨刷
高壓水洗
超音波水洗
水洗 水洗
烘干
插板
4
5
上料
膨鬆
回收
雙水洗
除膠
回收
水洗
預中和
水洗
中和
雙水洗
整孔 微蝕
熱水洗 雙水洗
雙水洗 酸洗
水洗 6
預浸
活化
純水洗
化學銅
雙水洗 雙水洗
速化 下料
水洗
抗氧化
下料
7
8
9
10
11
12
13
Pd H2O
SnCL-
SnO2
Pd Pd
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
Pd
14
15
16
17
18
19
上料 抗氧化
水洗
酸浸 水洗 上料
鍍銅 下料
水洗 硝掛架
20
21
22
23
24
25
第三章
Patten Palted(二次銅)
目的:將孔銅厚度鍍至0.8~1.0mil,同時將所需保留的線路部 分以錫(或錫鉛)保護
流程:
上料
清潔
水洗
微蝕
水洗
酸浸
鍍銅
水洗
酸洗
鍍錫
水洗(二)
下料
硝挂架
水洗
上料
26
27
28
29
制程能力培训课件
长
期
制
程
与短
期
的
相
同，
说
明
制
程
如 程
果 应
该SLT采>S用STS，PC在方长法期进情行况控下制，；制
程
失控
，
说
明
制
如 性 较
果 较 其
数 好 是
据 。 否
是在一 可以在 稳定。
个 不
较 同
长期间 的时间
内 或
收集的， 结果计算
S S
LLTT的，
可 以
靠 比
s与s2
s2 :样本方差
s2 =[(x1-x)2+(x2-x)2+…+(xn-x)2]/(n-1)
抽样—批的形式
稳定批：指产品可以整批贮放在一起，使 批中所有单位产品可以同时提交检验。
例如：某批待进料检验的螺丝、外壳等
流动批：由一段时间不断完工的产品构成。
例如：生产线上正生产的产品
抽样—样本的选择
样本选择的原则：随机抽样 随机抽样的方法
简单随机抽样法 系统随机抽样法（等距抽样法） 分层抽样法 整群抽样法
标准正态分布
假设以σ为取值 的规格限,在正 态分布前题下, 产品的不合格
率就是定值
+/-σ 区间：68.26%； +/-2σ 区间：95.46% ； +/-3σ 区间：99.73%； +/-4σ 区间：99.99327%； +/-5σ 区间：99.9999427% ； +/-6σ 区间：99.9999998%；（无偏状态下）
计量抽样检验针对计量值；
如样品的电压值，抽样方案n=10,k=1.81(根据已知的 质量水平，特性值范围得到)
培训教材Designinprotectionpart10
•产品抗静电设计的准则
•2。使用绝缘隔离或制造间隙；
•PCB Spark gaps
• 较旧的使用历史，对静电承受能力 •较好的器件有效
• 使用在 2,000V 至 2,5000V 或更高 •的保护情况
• 保护电压： •VB 3000 d + 1350V •其中 d = 间隙距离 mm
PPT文档演模板
•1。减少对接口的接触机会；
•平衡照顾 操作的方 便性和 ESD 风险
•避免使 ESDS 器件直 接和外界接口
•使用足够‘内陷’设计的接插器件
PPT文档演模板
培训教材Designinprotectionpart10
•产品抗静电设计的准则
•2。使用绝缘隔离或制造间隙；
PPT文档演模板
培训教材Designinprotectionpart10
•1st breakdown < 2nd breakdown
•设计直接简单
•1st breakdown > 2nd breakdown
•并联设计困难
•1st breakdown = 2nd breakdown
•不能采用
PPT文档演模板
培训教材Designinprotectionpart10
•测试分析的条件
PPT文档演模板
培训教材Designinprotectionpart10
PPT文档演模板
•电子器件的抗静电能力
•( 无内置保护电路 )
•采用半导体技术
•抗静电能 力范围
•抗静电能 力(平均)
•NMOS
•50 ~ 800V
•450V
•CMOS
•250 ~ 1,400V
•600V
DES制程培训教材
•
每天都是美好的一天，新的一天开启。20.11.2320.11.2312:3812:38:0312:38:03Nov-20
•
相信命运，让自己成长，慢慢的长大。2020年11月23日星期一12时38分3秒Monday, November 23, 2020
•
爱情，亲情，友情，让人无法割舍。20.11.232020年11月23日星期一12时38分3秒20.11.23
使用显影机由于溶液不断地喷淋搅动，会出现大 量泡沫，因此必须加入适量的消泡剂。如 正丁醇、 食品及医药用的消泡剂、印制板专用消泡剂AF一3等
DES线蚀刻段的原理
蚀刻段的主要反应为:
CuCl2 + Cu
2CuCl
利用氯化铜的氧化性将单质铜氧化成氯
化亚铜.再用HCl,H2O2再生成CuCl2
2CuCl+2H2O2+HCl
谢谢大家！
E过程检查，蚀刻后检查板面情况，有无蚀刻过度及蚀刻不 净现象，如有及时知会当班领班及组长。
F领班（品质）及IPQC员工跟进过程控制，发现问题及时处 理。
G去膜后检查板子不能有去膜不净、板面氧化的情况。 H生产过程注意药水添加情况，有异常及时排除。
操作顺序：
1. 合上电箱面板上的总电源。 2. 将触摸屏上各开关按钮置于工作状态位置（此时按钮闪烁 显示） 3. 设定各电热段的工作温度至工艺要求。 4. 按下触摸屏上“启动按钮”，各流程的液泵分段延时启动 工作。 5.速度可通过调节“调频器”面板下的各旋钮进行调整 ６.停机时先按下触摸屏上的“停止按钮”，然后再关闭总电 源。 ７.工作中如有突发故障（如卡板）出现，应即刻按下就近处 的“紧急停止”按钮，待故障排除后再按开机程序重新开机。
DES原理简介
课程完毕! 课程完毕! 谢谢! 谢谢!
褪膜原理介绍
褪膜原理介绍
褪膜：用碱液剥离曝光干膜。在碱性环境下， 褪膜：用碱液剥离曝光干膜。在碱性环境下，利 用碱类物质的爬墙效应，使干膜脱落， 用碱类物质的爬墙效应，使干膜脱落，属 于一种物理反应。 于一种物理反应。
NaOH 溶液缸
测量NaOH 溶液电导率
药液过滤
褪膜原理
• 现行使用之光阻设计剥除大部份为水溶性的化学药剂，以 顾及环保之要求 • 大部份之光阻而言，剥膜液等于是更强烈之显影溶液，如 在55度左右之2%浓度氢氧化钠溶液 • 剥膜液与干膜反应时，先是膨胀分裂(swell)，然后经过 机台之喷压将干膜屑剥离铜面，便完成剥膜之程序 • 如为正相光阻之剥离:需以丙酮、酮类或其它有机溶剂剥 离，过度烘烤将使剥膜过程更加困难 • 负相液态光阻之剥离:需适度之烘烤以增加高分子之聚合 程度，过度烘烤将造成绝缘物质的损害
CO32- →
反应平衡式: K = [HCO3-][OH-] / [CO32-] PH = 14 + log｛K．[CO32-]/[HCO3-]｝ 为掌握显影之质量，制程中需严格控制[CO32-]/[HCO3-]的浓度 比值(PH值控制)，以得最佳之线路显影效果
显像原理
显影参数控制: 显影参数控制 Na2CO3浓度为1.0±0.1% 温度30±2℃ 压力1.5KG/CM2(30PSI) 显影点50%~75%之间
Cl-含量的影响
1.在氯化铜蚀刻液中Cu2+和Cu1+实际上是以络离子的形 式存在。在溶液Cl-中较多时， Cu2+是以[Cu2+Cl4]2-络 离子存在， Cu1+是以[Cu1+Cl3]2-络离子存在，所以蚀刻 液的配制和再生都需要Cl-参加反应. 2.盐酸溶度升高时，蚀刻时间减少，但超过6 N酸其盐 酸，挥发量大，且对造成对设备的腐蚀，并随着酸浓 度的增加，氯化铜的溶解度迅速降低。
des的课程设计
des的课程设计一、教学目标本课程的教学目标是使学生掌握XX学科的基本概念、原理和方法，培养学生运用XX知识解决实际问题的能力。
具体来说，知识目标包括：1.掌握XX学科的基本概念和原理。
2.了解XX学科的发展历程和现状。
3.学会使用XX学科的相关方法分析解决问题。
技能目标包括：1.能够运用XX知识解决实际问题。
2.能够独立完成XX实验并分析实验结果。
3.具备良好的科学思维和团队合作能力。
情感态度价值观目标包括：1.培养对XX学科的兴趣和好奇心。
2.养成严谨的科学态度和持续学习的习惯。
3.强化创新意识和环保意识。
二、教学内容根据课程目标，本课程的教学内容主要包括以下几个方面：1.XX学科的基本概念和原理：通过讲解和案例分析，使学生了解并掌握XX学科的基本知识。
2.XX学科的发展历程和现状：介绍XX学科的历史背景、重要事件和当前发展趋势。
3.XX学科的方法与应用：讲解XX学科的相关方法，并引导学生运用这些方法解决实际问题。
教学大纲将根据上述教学内容进行详细安排，确保内容的科学性和系统性。
三、教学方法为了达到课程目标，本课程将采用多种教学方法，包括：1.讲授法：用于讲解XX学科的基本概念和原理。
2.讨论法：通过小组讨论，引导学生深入思考和探讨问题。
3.案例分析法：通过分析真实案例，使学生了解XX学科在实际中的应用。
4.实验法：学生进行实验，培养学生的实践操作能力和科学思维。
通过多样化的教学方法，激发学生的学习兴趣和主动性，提高教学效果。
四、教学资源为了支持教学内容和教学方法的实施，丰富学生的学习体验，我们将选择和准备以下教学资源：1.教材：选用权威、实用的教材，为学生提供系统的学习材料。
2.参考书：提供丰富的参考书籍，帮助学生拓展知识面。
3.多媒体资料：制作精美的多媒体课件，增强课堂教学的趣味性。
4.实验设备：配置齐全的实验设备，确保学生能够进行实践活动。
通过合理利用教学资源，提高教学质量，达到课程目标。
DES技术发展介绍.pptx
第三部份:品質控制(蝕刻)
自動監控添加系統的使用,使蝕刻液各 成分濃度維持在系統要求範圍內,以保證蝕 刻品質. 目前使用CuCl2酸性蝕銅水平設備 者,大半都裝置Auto dosing設備,以維持蝕 銅速率,控制因子有五:
1. 比重 2. HCl 3. H2O2 4. 溫度 5. 蝕刻速度
第三部份:品質控制(剝膜)
無
賀泰科 無
技
無
2.0%-3.0% 信泰電 無
子材料 無
商行 無
50-90g/L
名泰化 無
工原料 無
行
無
第三部分:品質控制(顯影)
顯像點Break point ( 從設備透明外罩看到已經完全顯現出圖樣 的該點的距 離稱之 )應落於50~70%間，不及,銅面有scun殘留,太過, 則線邊有膜屑或 undercut(與C/D值有關)過大.
碳酸钠
顯影液MT868
消除顯影剝膜內泡沫
防止銅箔氧化 1#2#線顯影 3#4#5#線顯影
界面活性劑/洗 滌助劑(醚類) 異丙醇 丁基溶劑
甲醇
碳酸钠 12%碳酸鉀 5%乳化劑 10%安定劑 50 %硫酸
DES1#,2#,3 #,4#,5#及微 蝕1#,2#,4# 硫酸
鹽酸 DES1#,2#,3 #,4#,5#
Resist-COOH + CO32－ HCO3－ + Resist-COO-
本反應實際為一種皂化作用，故於程中會產生類似肥皂狀 的泡沫,未聚合之干膜中負型自由基式的聚合物溶入溶液
H20
+ CO32-
反應的平衡式為:
HCO3- + OH –
K = [HCO3- ][OH-] / [CO32- ] PH = 14 + log｛K．[CO32- ]/ [HCO3- ]｝
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DES线去膜段的原理
已聚合的干膜能够溶于强碱. 目前DES线用的是 2.5%左右的KOH. (在去膜段后为去除表面残留的KOH需经酸洗制程.)
顯影
蝕刻
蝕刻后板
去膜
去膜后板
蚀刻板面质量限度样本
蚀刻板面质量限度样本
蚀刻板面质量限度样本
蚀刻板面质量限度样本
蚀刻板面质量限度样本
蚀刻板面质量限度样本
DES 制程简介
ＤＥＳ简介
一：ＤＥＳ原理简介 二：品质管控 三：生产注意事项
DES 定义：
本生产线为显影、蚀刻、去膜之连续生产，是 线路形成的关键工序。 Developping ：显影，用化学的方法去掉未曝光 的干膜，露出待蚀刻的铜。 Etching ：蚀刻，用化学的方法蚀刻掉在显影段 露出来的铜。 Stripping ：去膜，用强碱去掉板面上的剩余干 膜，露出所需要的线路。
1 .DES制程的目的 先将没有被UV光照射到的干膜洗掉,再将露 出的铜蚀刻掉,最后将被UV光照到的干膜洗掉, 从面制作出需要制作的线路. 2 .流程简介
显影
水洗 烘干 水洗 酸洗 送AOI 蚀刻 水洗 水洗 去膜
DES线显影段的原理
基板在作线路前可以在其上下两面压上干膜,然后 用紫外光对要制作的线路部分进行照射,干膜中的单体 成分在受到紫外光照射时会产生聚合反应,形成交联体, 没有受到光照的部分仍为单体. 没有聚合的单体在碰到碳酸钠溶液时可以被溶解成溶于 水的钠盐. DES显影段用到的药液的成份就是1%左右的碳酸钠, 液温30—40℃。 显影操作一般在显影机中进行，控制好显影液的温 度，传送速度，喷淋压力等显影参数，能够得到好的显 影效果。
ＤＥＳ工安注意事项
１．换槽加药时要佩戴防护用具，避免药液溅入眼中 ２．烘干段温度较高，不可随意打开盖板，用手触摸 风刀避免烫伤 ３．在运转中作保养是非常危险的,务必停机后才可进 行 4．确认紧急停止开关作用正常
END TKS!
DES线蚀刻段的原理
蚀刻段的主要反应为: CuCl2 + Cu 2CuCl 利用氯化铜的氧化性将单质铜氧化成氯 化亚铜.再用HCl,H2O2再生成CuCl2 2CuCl+2H2O2+HCl 2CuCl2+2H20
由于干膜光阻本身的平均厚度在1.0~1.5mil之间， 对水平输送式蚀刻线上之板面而言，会造成细密线区 的“水沟效应”（Puddle Effect），使得所喷射新鲜 蚀刻液的强力水点，打不到待蚀的铜面，而且连空气 中的氧气也被阻隔。此"氧气"的角色是协同将金属铜 （Cu0）氧化成可水溶的铜离子（Cu++），是一种不可 或缺的氧化剂。氧化力减弱蚀刻不足将造成线底两侧 之残足，成为细线工程的一大隐忧。至于另一种半氧 化的Cu+则很难水溶，常附着在线路腰部流速较低的侧 壁上，可当成护岸剂Banking Agent），而使侧蚀（Undercut） 得以减低。蚀刻因子&蚀刻速率
1.蚀刻因子（Etch Factor） Etch Factor即为蚀刻质量的一种指针。需制作 Microsection微切片，针对影像中线路之状况代入 V/X之公式计算出蚀刻因子即可。Etch Factor必须要大 于2.5。 2. 蚀刻速率（Etch Rate） 用以测试板子经过微蚀段时，铜面被微蚀剂所咬蚀的程 度。可将板面上氧化铜、油污等藉由此种 方式去除。板子不可走微蚀太多次，以免造成铜厚不足 的情形发生。将样品板称重，再拿去走微 蚀、烘干后再称重，两种重量相减，即可得知被蚀刻掉 铜之厚度。
DES线显影段的原理
正确的显影时间通过显出点(没有曝光的干膜从 印制板上被显掉之点)来确定，显出点必 须保持在 显影段总长度的一个恒定百分比上。如果显出点离 显影段出口太近，未聚合的抗蚀膜 得不到充分的清 洁显影，抗蚀剂的残余可能留在板面上。如果显出 点离显影段的入口太近，已 聚合的于膜由于与显影 液过长时间的接触，可能被浸蚀而变得发毛，失去 光泽。通常显出点控 制在显影段总长度的40％一60 ％之内。 使用显影机由于溶液不断地喷淋搅动，会出现大 量泡沫，因此必须加入适量的消泡剂。如 正丁醇、 食品及医药用的消泡剂、印制板专用消泡剂AF一3等
蚀刻板面质量限度样本
DES 制 程 能 力
1.目前DES线能做出的线路的最小线宽为 2mil,(即 50微米,蚀刻间距最小2mil) 包括干膜解析能力,蚀刻铜厚管控,线路补偿 搭配) 2.干膜评估 干膜分辨率评估为重点. 3.设备能力检核: UNIFORMITY(蚀刻均匀性)
设备能力检核
1.试验板2/2OZ 20〞×24〞，板厚6mil(含) 以上。 2.用MRX-4000先量测一片基板两面各120点 之铜厚值，并记录于表E内。 3.蚀刻：蚀铜厚平均值需控制在 1.0~1.3mil。 4.蚀刻试验板三片，已量测板放中间。 5. 蚀刻后取中间一片先至前处理酸洗，再 量测Data。 6.量测方法：于板边留3cm的边，长边取12 点，短边取10点，共120点
生产操作要求:
A 生产前先做3块首件,检查线条边无残铜、板面蚀刻干净, 线距检测符合MI要求后，才能批量生产。 B 生产中，转换另一型号的板必须重新做首件板检查质量 OK后才可批量生产。 C 内层有阻抗的板，需优先保证阻抗线线宽在MI要求的中 值附近，图形内线宽在MI要求范围内即可。 D 连续生产每40panls必须在退膜后检查3块板的板面质量 及线宽，有蚀刻不尽、蚀刻过度或线宽不符合MI要求等质量问 题必须及时反馈并处理。 E过程检查，蚀刻后检查板面情况，有无蚀刻过度及蚀刻不 净现象，如有及时知会当班领班及组长。 F领班（品质）及IPQC员工跟进过程控制，发现问题及时处 理。 G去膜后检查板子不能有去膜不净、板面氧化的情况。 H生产过程注意药水添加情况，有异常及时排除。
操作顺序：
1. 合上电箱面板上的总电源。 2. 将触摸屏上各开关按钮置于工作状态位置（此时按钮闪烁 显示） 3. 设定各电热段的工作温度至工艺要求。 4. 按下触摸屏上“启动按钮”，各流程的液泵分段延时启动 工作。 5.速度可通过调节“调频器”面板下的各旋钮进行调整 ６.停机时先按下触摸屏上的“停止按钮”，然后再关闭总电 源。 ７.工作中如有突发故障（如卡板）出现，应即刻按下就近处 的“紧急停止”按钮，待故障排除后再按开机程序重新开机。
DES 定义：
本生产线为显影、蚀刻、去膜之连续生产， 是线路形成的关键工序。 Developping ：显影，用化学的方法去掉未曝光 的干膜，露出待蚀刻的铜。 Etching ：蚀刻，用化学的方法蚀刻掉在显影段 露出来的铜。 Stripping ：去膜，用强碱去掉板面上的剩余干 膜，露出所需要的线路。
计算公式&DATA记录
μ%＝ R/2X ×100% ( X: 蚀铜后蚀铜平均值，Ｒ: 最大蚀铜值－最小蚀 铜值) a Data记录： 1. 需分别记录Top side 、Bottom side 每一点量测 值 2. Top side、 Bottom side、 Both side 之 uniformity均需计算 3. 定义： Top side μ% = ×100％ Bottom side μ％ = ×100% Both side μ% = ×100%
生产维护
1. 每班清洁一次机身 2. 每班生产前检查喷嘴，如有堵塞及时疏通。 3. 每班更换一次水洗缸、酸洗缸。 4 .每清洗一次各网纱过滤筒。 5 .每班清洗一次吸水海绵，每月更换一次。 6 .各棉芯过滤器内的棉芯每周更换一次，新棉芯在使 用前必须先用水充分润湿才能使用 7 .每月清洁一次烘干段的风刀，传送轮。 8 .蚀刻缸、各水洗缸、各酸洗缸每月用清槽溶液清洗 一次
Cu0 蚀刻液 ────→ O2 Cu+ ………………… …………难水溶的中间物，可当成护 岸剂
DES线蚀刻段的原理
DES线蚀刻段的原理
Cu0 蚀刻液 ───→ O2 Cu+ 蚀刻液 ────→ O2 Cu++ „„„.成为可水溶的铜离子 为了降低水沟效应减少侧蚀与残足起见，5mil以下 的细线应尽可能将待蚀刻的铜层逼薄，同时也还应将抗 蚀阻剂逼薄。如此一来除可避免积水而方便氧气进入外， 还可加速新鲜药液更换的频率，有效的排除废铜液，逼 薄Z方向待蚀铜面上扩散层（Diffusion layer）的厚度， 以增快正蚀减缓侧蚀，使细线密线的品质更好