固体中的原子扩散优秀课件

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固体无机化学6固体中的扩散

固体无机化学6固体中的扩散
2
在固体中,也会发生原子的输运和不断混合的 过程。但是,固体中原子的扩散要比气体或液体中 慢得多。这主要是由于固体中原子之间有一定的结 构和很大的内聚力的原故。
尽管如此,只要固体中的原子或离子分布不均 匀,存在着浓度梯度,就会产生使浓度趋向于均匀 的定向扩散。
3
二、晶格中原子或离子的扩散过程
1、由于热起伏的存在,晶体中的某些原子 或离子由于剧烈的热振动而脱离格点,从而进 入晶格中的间隙位置或晶体表面,同时在晶体 内部留下空位;
例如: AgCl晶体中Ag+; 具有萤石结构的UO2+x晶体中的O2-的扩散。
30
间隙原子的扩散机理势能曲线
间隙原子的势垒如右图 所示:
间隙原子在间隙位置上
处于一个相对的势能极小值,
两个间隙之间存在势能的极 大,称作势垒( )。
间隙原子的势垒
31
通常情况下,间隙原子就在势能极小值附 近作热振动,振动频率 = 1012 ~ 1013 s –1, 平均振动能 E kT 。
18
②原子在格位上的迁移
振动着的原子相互交换着能量,偶尔某个原 子或分子可能获得高于平均值的能量,因而有可 能脱离其格点位置而跃迁到相邻的空位上去。
19
③原子在新平衡位置的振动
在新格位上,跃迁的原子又被势能陷阱束缚 住,进而又开始在新平衡位置中振动。直到再发 生下一次的跃迁。

第七章 固体材料中的原子扩散课件

第七章 固体材料中的原子扩散课件

3.晶体结构的影响
a. 同素异晶转变的金属中, D随晶体结构改变。 如: 910℃ ,Dα-Fe/Dγ-Fe=280 α-Fe致密度低,且易形成空位。
b. 晶体各向异性使D有各向异性。
铋扩散的各向异性,菱方系Bi沿C轴的自扩散为垂直C 轴方向的1/106
六方系的Zn:平行底面的自扩散系数大于垂直底面的, 因底面原子排列紧密,穿过底面困难。
VD <VR , 通常是在化合物层厚度较厚时,浓度梯度 减小扩散减慢,此时呈抛物线关系, x2=K′t
第七节、扩散问题的实例
1.铸锭均匀化
铸锭中枝晶偏析,高温均匀化,溶质原子成分可近似为正弦波
均匀化后浓度表达: C=Coexp(-Dtπ2/L2)
Co、C均匀化前、后峰谷间浓差, L:枝晶间距, t:均匀化时
晶体的对称性越低,扩散系数各向异性越明显。
4.固溶体类型:间隙原子扩散激活能小于置
换式原子扩散激活能,扩散易进行。
5.扩散元素性质:扩散原子与溶剂金属差别
越大,扩散系数越大,差别指原子半径、熔点、 固溶度等
6.扩散元素浓度 溶质扩散系数随浓度增加而增大 相图成分与扩散系数的关系,溶质元素使合金熔点降 低, D增加,反之, D降低
Cu-Ni扩散对(Diffusion couple)模型
固态扩散的分类
(1) 按浓度均匀程度分: 有浓度差的空间扩散叫互扩散;没有浓

第三章固态扩散优秀课件

第三章固态扩散优秀课件

C-薄膜层的浓度
(1)扩散过程中扩散元素的质量保持不变其质量为M
(2)扩散开始时扩散元素集中在表面象一层“薄膜”x=0
(3)初始条件:t=0 c=0 ;
边界条件:x → ∞ c=0 ; Adx=M
0
第二章
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第8页
例题:
制作半导体元件时,常在Si表面沉积一薄层硼,
然后加热使之扩散.测得1100℃时硼的扩散系
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CC 1C 2erf()C 1C 2
2
2
x 2 Dt
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第11页
(2)对于半无限长棒的扩散偶 CA erf()B
第二节 扩散定律
1 菲克(Fick A)第一定律 (1)第一定律描述:单位时间内通过垂直于扩散方向的某
一单位面积截面的扩散物质流量(扩散通量J)与浓度梯度成 正比。

第六章 固体中的扩散 材料科学基础课件

第六章  固体中的扩散 材料科学基础课件
在含有浓度梯度的置换固溶体中,埋入一个惰性 标记,由于两组元扩散能力不相等,经过扩散后会引起 标记的移动。这个现象以后就成为柯肯达尔 (Kirkendall)效应。
第五节 影响扩散系数的因素
扩散过程引起的物质流量除了与浓度梯度(和化学位梯 度)有关外,另一个重要的因素就是扩散系数。
•温度
无论是间隙机制,还是空位机制,都遵循热激活规律, 温度提高,能超过能垒的几率越大,同时晶体的平衡空位浓度 也越高,这些都是提高扩散系数的原因。扩散系数与温度T 成 指数关系,在以下因素中这个影响最为明显。
代位扩散基本现象
• 基本现象 • 柯肯达尔(Kirkendall)效应 • 代位扩散的方程(达肯Darken方程)
代位扩散基本现象Fra Baidu bibliotek
这种扩散与间隙扩散不 相同的是,一方面一种原子 进入另一种原子的晶格要另 一种原子扩散运动离开才能 达到节点位置;
另一方面,在晶体中两种原子的大小、性质不 相同,扩散迁移的速度也不一样,一种原子离开 的个数与另一种原子进入的个数不相等时就会形 成新的晶格(或部分晶格消失),因此代位扩散过 程中会引起某种材料晶格数量的变化。
解:可以用半无限长棒的扩散来解 :
扩散方程的误差函数解应用例二
例二:上例中处理条件不变,把碳含量达到0.4%C处 到表面的距离作为渗层深度,推出渗层深度与处理时 间之间的关系,层深达到1.0mm则需多少时间?

材料物理化学固体中的扩散课件

材料物理化学固体中的扩散课件
1.金属离子空位型
Fe1-xO(5-15%)
2.氧离子空位型
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16
• 1. 金属离子空位型 Fe1-xO 造成这种非化学计量空位的原因往往是
环境中氧分压升高迫使部分Fe2+、Ni2+、 Mn2+等二价过渡金属离子变成三价金属离 子,如:
2M M1 2O 2(g)O OV M '' 2M M •
10-13
10-15
受控于杂 质扩散
10-17 0.8
在高温区活化能大 的应为本征扩散
D/m2 s·-1
高温区 低温区
受控于本 征扩散
1.2
1.6
103/T /K-1
在低温区的活化能较小
的应为非本征扩散。
掺Ca2+ NaCl的扩散系数-温度曲线
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12
• 无机材料中的扩散
• (离子晶体、共价晶体) • 主要机制:空位机制 • 个别:开放结构(空隙大而多),阴离子扩
空位形成熵
迁移熵
空位形成能
迁移熵
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4
D a 0 2 v 0 e x p ( S f/2 R S m )e x p ( H f/R 2 T H m )
D 0a02v0exp(Sf /2 RSm)
DD0exp(Hf /R 2THm)
频率因子

固体中原子的扩散

固体中原子的扩散

Fick第二定律(Fick’ s second law)描述非 稳态扩散(non—steady state diffusion)。 在扩散过程中各处的浓度都随时间变化而变化,因 而通过各处的扩散流量不再相等而随距离和时间 发生变化。
表达式: 4.2式(P130)
※ 若D与浓度无关则表达式: 4.3式(P130)
17
24分13秒
4.3.2 原子的跳跃和扩散系数
1.原子跳跃频率(jump frequency) 原子扩散必须克服一定的能垒,其大小 △G = G2
-G1,只有的原子才能发生跳跃(jump migration) 。 经推倒在T温度下具有条约条件的原子分数(称为几率
jump probability)n/N为: n/N = exp(-△G / kT)
例题教材133
补充
(2)若想将渗碳厚度增加一倍,需增加多少渗碳时 间?
2019年6月14日星期五4时
7
24分13秒
备注
(1)对于同一扩散系统、扩散系数D与扩散时间t 的乘积为一常数。
例题3:已知 Cu在 Al中扩散系数D,在 500ºC和 600ºC 分别 为 4.8×10-14m²s-1和 5.3×10-13m²s-1, 假 如 一个工件在600ºC需要处理10h,若在500ºC处理时,要 达到同样的效果,需要多少小时?(需110.4小时)

固体化学固体中的扩散课件

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26
③ 间接非直线间隙扩散
处于间隙位置的杂质原 子把相邻的基质原子以曲线 的方式推开到间隙,取而代 之地占据格位的位置,如图 (c)所示。
27
从上面三个示意图的比较可看出,直接间隙 扩散(a)的晶格变形较小,而间接间隙扩散(b)、 (c)的晶格变形较大。
28
间接间隙扩散的晶格变形虽然较大。但是还有 很多晶体中的扩散,属下这种间接间隙扩散机理。
扩散质点的无规行走轨迹 9
流体的质点密度 越低(如在气体中), 质点迁移的自由程也就越大。
因此发生在流体中的扩散传质过程往 往总是具有很大的速率和完全的各向同性。
10
②固体中的扩散
A、固体中明显的质点扩散 常开始于较高的温 度,但低于固体的熔点。
原因:构成固体的所有质点均束缚在三维周期 性势阱中,质点之间的相互作用强,故质点的每一 步迁移必须从热涨落或外场中获取足够的能量以克 服势阱的能量。
其中,为振动的频率 33
由上式
W e kT百度文库
可知:
间隙原子的运动相对于温度来说,成指数函 数关系,说明原子的运动将随温度的升高而急剧 增大。
20
通常情况下,扩散机理可分为三种: (1)、间隙扩散机理 (2)、空位扩散机理 (3)、环形扩散机理
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(1)间隙扩散机理
处于间隙位置的质点从一间隙位移入另一邻近 间隙位,必然引起质点周围晶格的变形。

材料科学基础课件 6.固体中的扩散

材料科学基础课件  6.固体中的扩散
(3)根据是否出现新相 原子扩散(atomic diffusion):扩散过程中
不出现新相。 反应扩散(reaction diffusion):由之导致
形成一种新相的扩散。
6.2 扩散机制
6.2.1 空位扩散机制
(vacancy diffusion)
6.2.2间隙扩散机制
(interstitial diffusion)
变化。) 互(异)扩散(mutual diffusion):原子通过进入
对方元素晶体点阵而导致的扩散。 (有浓度变化)
(2)根据扩散方向 下坡扩散(downhill diffusion):原子由高浓度处
向低浓度处进行的扩散。 上坡扩散(uphill diffusion):原子由低浓度处向
高浓度处进行的扩散。
固态扩散不像气态和液态扩散那样直观和明 显,速度也非常慢,但是固态金属中确实同样存在 着扩散现象。许多金属加工过程都与固态扩散有 关,例如,钢的化学热处理,高熔点金属的扩散焊 接等。因此,研究固体扩散具有重要的意义。
6.1.1 扩散现象
Fig. 7.1 (a) A copper–nickel diffusion couple before a high-temperature heat treatment.
(c) Concentrations of copper and nickel as a function of position across the couple.

《固体中的扩散》PPT课件

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令D=(1/2)(dx)2f,则 J= -(1/2)(dx)2(dc/dx)
= -D (dc/dx)
编辑ppt
20
例:没有一条内径为30 mm的厚壁管道,被厚度为0.1mm的铁膜 隔开。通过向管子的一端向管内输人氮气,以保持膜片一侧氮气 浓度为1200 mol/m2,而另一侧的氮气浓度为100 mol/m2 。如 在700℃下测得通过管道的氮气流量为2.8×10-4mol/s,求此时 氮气在铁中的分散系数。
编辑ppt
11
间隙机制(直接间隙机制)
扩散的原子在晶格间隙的位置之间的运动。
在间隙固熔体中,溶质原子可以从一个间隙位置跳到
相邻间隙位置,跳动时,必须把点阵上间隙原子左右和
其上下侧相邻阵点的原子挤开,使晶格发生局部的瞬时
畸变,这部分畸变能便是溶质原子跳动时所必须克服的
势垒。
H、N、O、C等原子都是以间隙机制在金属中扩散。
编辑ppt
27
误差函数解
在t时间内,试样表面扩散组元i的浓度Cs被维持为常数, 试样中i组元的原始浓度为C0,厚度为数学上的“无限”厚 被称为半无限长物体的扩散问题。
此时,方程的初始、边界条件应为:
(7.7)
误差函数解
适用条件:无限长棒和半无限长棒。
如:恒定扩散源的渗碳过程编辑p。pt
28
高斯解
金中 (4)出现。

固体化学--固体中的扩散 ppt课件

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2
精品资料
• 你怎么称呼老师?
• 如果老师最后没有总结一节课的重点的难点,你 是否会认为老师的教学方法需要改进?
• 你所经历的课堂,是讲座式还是讨论式? • 教师的教鞭
• “不怕太阳晒,也不怕那风雨狂,只怕先生骂我 笨,没有学问无颜见爹娘 ……”
• “太阳当空照,花儿对我笑,小鸟说早早早……”
62sthg?????0kar?考虑热力学关系以及空位跃迁距离r与晶胞参数a0成正比式式2expexp602rtgrtgvradfm??????????????????????????rthhrssvadmfmf2exp2exp020?33式中为新引进的常数它因晶体的结构不同而不同故常称为几何因子
第五章 固体中的扩散
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59
四、 扩散系数
通过爱因斯坦扩散方程所赋予扩散系数的物 理含义,则有可能建立不同扩散机构与相应扩散 系数 的关系。
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60
在空位机理中,结点原子成功跃迁到空位中 的频率,应为原子成功跃过能垒的次数和该原子 周围出现空位的几率的乘积所决定:
f A0vNVex pR (GM T) (3-1)
例如,借助于分割技术测得了高温下多晶银的 扩散机理是体扩散,而低温下的扩散机理是晶粒间 界扩散
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三、 短程扩散
固体内的扩散是指以晶体内部的空位 或间隙原子等点缺陷作为媒介的原子运动, 原子的这种运动叫做体扩散或内扩散。

第四章固体中原子的扩散

第四章固体中原子的扩散

设低碳钢的密度为ρ,上式左边的分子和分母同除以ρ,可将质量浓
度转换成质量分数,得
ws-wx,t=erf x
ws-w0
2 Dt
代入数值,可得
erf 224 0.68 t
由误差函数表可查得: 224 0.71, t
t27 .6h
由上述计算可知,当指定某质量浓度ρ(x,t)为渗碳层深度x的 对应值时,误差函数 erf x 为定值,因此渗碳层深度x和 扩散时间t有以下关系: 2 Dt
初始条件
边界条件
解微分方程,得质量浓度ρ随距离x和时间t变化的解析式为:
x,t=12 1-2
2
exp
-2
2
2 0
=12 1-2 erf( x )
2
2
2 Dt
在界面处(x=0),则erf(0)=0,所以
s
=
1
2
2
即界面上质量浓度ρs始终保持不变。
若焊接面右侧棒的原始质量浓度ρ1为零时, 则
x,t=221-erf(2xDt)
x,t=s-s-0erf2xD t
• 例 碳质量分数为0.1%的低碳钢,置于碳质量分数为1.2%的渗碳
气氛中,在920℃下进行渗碳,如要求离表面0.002m处碳质量分数为0.45 %,问需要多少渗碳时间?
解 已知碳在γ-Fe中920℃时的扩散系数D= 2.5×10-11m2/s,可得
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Cs Cx erf ( x )
Cs C0
2 Dt
0.90%0.40% erf ( 5104 ) 0.90%0.20% 2 1.281011 t
5 0.7143 erf (69.88)
7
t
令 z 69 .88 t
查表可知:
z 0 .75 ; erf ( z ) 0 .7112 z 0 .80 ; erf ( z ) 0 .7421
8atom /ces ll
• 所以,以atoms/cm3为单位的浓度为:
Ci 21a1t0o1(6cP m)m3 0.0051018ato(m P)s/cm3 Cs 4201a00t1o6c(P m m3)21018ato(m P)s/cm3
C Cs Ci Ci Cs x (00.1)cm 0.1 0.005108 2108atoms(P) / cm3
I(x) M Dex p4(xD 2)
即lnI(x)与x2的关系为一条斜率为1/4D 的直线
例7.3 恒定源扩散
扩散物质在扩散过程中在 物体表面的浓度保持恒定
Cs
解:
C t
D
2C x2
令:z x 2 Dt
则 : C C z z C
t z t
2t z
2C x2
x
(C ) x
x
( C z
例7.4 对含碳0.20%的碳钢在 927ºC时进行渗碳 处
理。设表面碳的含量为 0.90%,求当距离表面 0.5mm处的碳含量达到0.40%时所需要的时间为 多少?(已知D927=1.2810-11 m2/s)
解:已知:Cs=0.90%; C0=0.20%; x=0.5mm; Cx=0.40%; D=1.2810-11 m2/s
C i 101a 00 ta(oP 0t)m o 0 (Sm 0 )i0 0s.00a 0% t0P1
解:计算原始及表面浓度:以原子百分比表示
Cs
400atoms(P) 10000000atoms(Si)
0.004at%P
C Cs Ci Ci Cs x (0 0.1)cm 0.1
0.00001 0.004 0.0399at%P / cm 0.1
表明扩散物质浓度的变化率等于扩散通量 随位置的变化率
Fick’s First Law易解(一阶偏微分方程) Fick’s Second Law难解(二阶偏微分方程

二、应用举例
下面举例说明一些特殊情况下的解决方法
例7.2 限定源扩散问题 Au197
扩散物质总量恒定
Au198
在Au197的表面有Au198的薄层 考察Au198在Au197的内部的扩散问题
• For silicon crystal, the structure is diamond structure, there are 8 atoms in a cell.
Vcell (5.4301708)31.61022cm3/cell 10000个 00硅 0 原子占据 :的体积为 V10000a0to0m (01.6s1022cm3/ce)ll 21016cm3
ln u 2 zdz z 2 A
u A1 exp( z 2 )
dC dz
A1 ex p ( z 2 )
C
A1
z ez2dz
0
A2
A1
2
erf (z)
A2
其 中 : erf ( z ) 2 z e z2 d z
0
为高斯误差函数
恒定源扩散的边界条件为: t=0 x=0 C=Cs
x>0 C=C0 t>0 x=0 C=Cs
x>0 C=C(x, t)
A12(Cs C0);A2C0
CsC(x,t)er(f x )
CsC0
2 Dt
Cs—扩散物质在固体表面的浓度 C0—扩散物质在固体内部的起始浓度 C(x,t)—扩散物质在时间t时,距离表面距离x处的
浓度
D—扩散系数(diffusion coefficient)
解:已知:t=0时,x=0, C= x=, C=0
t>0时,x=0, J=0, C/x=0 x=, C=0

C t
D
2C x2
可以证明有特解:
C(x,t) M De t xp 4 (xD 2 )t
其中,M为样品表面单位面积上的Au198的涂覆量
M 0 Cdx
如经过扩散处理的时间为 ,则对处理后的试件 的扩散逐层做放射性强度I(x)的测定, 则I(x)C
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§7.1 扩散定律及其应用
一、扩散定律
1855年, A.Fick总结了扩散规律
第一定律:(Fick’s First Law) 单位时间内通过垂直扩散方向的单位截面积的扩 散物质量(扩散通量)与该截面处的浓度梯度成 正比。
如扩散沿x轴进行, 则
J D dC dx
其中,D为扩散系数(m2/s) C为体积浓度(g/m3 或mol/m3) J为扩散通量(g/(cm2s) 或mol/(cm2s))
z ) x
2C z 2
z x
2
1 4Dt
2C z 2
z C
1 2C
2t
z
4Dt
z2
注 意 到 : C D 2 C
t
x2
2C z2
2 z C z
0
d 2C dz 2
2 z dC dz
0 (与 t 无关
)
令 u dC du 2 zu 0 dz dz
du 2 zdz u
0.1cm 1.9951019atoms(P) / cm3 cm
第二定律(Fick’s Second Law)
主要处理非稳态(Nonsteady-State Diffusion)问题
如C=C(t,x) 则有:
C (DC) t x x
• 如D为常数,则:
C t
2C D x2
Baidu Nhomakorabea
• 一般形式:
C t D x C x2 2D y C y2 2D z C z2 2
负号表示扩散方向与dC/dx方向相反,即从 高浓度向低浓度方向扩散
Fick’s First Law主要处理稳态扩散(steady— state diffusion)问题, 此时,C=C(x), 与 时间t无关
例7.1 如硅晶体中原来每10,000,000个原子含1个 磷原子,经过掺杂处理后其表面为每10,000,000 个原子含400个磷原子。假设硅晶片厚0.1cm。试 求其浓度梯度。以1)at%/cm;2)atoms/cm3·cm表示。 硅的晶格常数为0.54307 nm。
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