模电试题及答案

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模电试题及答案(大学期末考试题)

模电试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题:(每空1分共40分)

1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而

与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电

阻为(无穷),等效成断开;

4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电

流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=

(1/ F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),

()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小

相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;

OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所

以常用在输入级,输出级或缓冲级。

模电试题及答案(大学期末考试题).

模电试题及答案(大学期末考试题).

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题:(每空1分共40分)

1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。

2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电

压()。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻

为(),等效成断开;

4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用

()负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),

()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大

小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;

OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,

所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路

中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息

模拟电子技术基础试题汇总附有答案

模拟电子技术基础试题汇总附有答案

模拟电子技术基础试题汇总

一.选择题

1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大

B 减小

C 不变

D 等于零

2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D )

A. 处于放大区域

B. 处于饱和区域

C. 处于截止区域

D. 已损坏

3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.区域不定

4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性

5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生

( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真

6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。

A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。

C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。

D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可

能的原因是。

A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高

C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C )

A. 存在于RC耦合电路中的负反馈

B. 放大直流信号时才有的负反馈

模电工作考试题及答案解析

模电工作考试题及答案解析

模电工作考试题及答案解析

一、选择题

1. 以下哪个元器件的功能是将输入电压放大并产生输出信号?

A. 电阻

B. 电容

C. 晶体管

D. 发光二极管

答案:C. 晶体管

解析:晶体管是一种半导体器件,具有放大信号的功能。当输入信号施加在晶体管的基极上时,通过控制电流的变化,晶体管可以放大信号并将其输出。

2. 加深电流放大系数可以采取以下哪种措施?

A. 减小输入电阻

B. 增大输入电阻

C. 减小输出电阻

D. 增大输出电阻

答案:A. 减小输入电阻

解析:当输入电阻较小时,输入电流变化对晶体管的控制能力更强,可以使得电流放大系数增大。

3. 以下哪个电路可以用于将交流信号转化为直流信号?

A. 单级晶体管放大电路

B. 双级晶体管放大电路

C. 电容滤波电路

D. 反相放大电路

答案:C. 电容滤波电路

解析:电容滤波电路可以通过对输入信号的滤波作用,将交流信号

转化为平稳的直流信号。

二、分析题

请根据以下电路图回答问题。

[电路图]

4. 请分析并写出电路图中电阻R的阻值。

答案:根据欧姆定律,电路中的总电阻等于电流和电压的比值,即

R = V / I。

5. 请计算并写出电路图中电容C的电容值。

答案:根据电容的定义,电容的电容值等于电荷量和电压的比值,

即C = Q / V。

三、应用题

请根据以下场景回答问题。

6. 小明需要设计一个音响系统,要求能够放大输入信号并产生清晰

的音乐声音。请问他应该选用哪种电路?

答案:小明应该选用晶体管放大电路。晶体管具有放大信号的功能,可以将输入的音频信号放大并输出。

7. 小红正在制作一个电子钟,需要将交流电信号转化为直流电信号

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一

一、填空(16分)

1.半导体二极管的主要特性是___________ 。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)

1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,V,则这只三极管是( )。

A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管

2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。

B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。

C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。

模拟电子技术期末试卷及答案5套

模拟电子技术期末试卷及答案5套

学院 202 -202 学年第 学期

《模拟电子技术》试卷(A 卷 专业 级)

考试方式: 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %

(本题共5小题,每小题4分,共 20 分)一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用 耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用

合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用 耦合方式。

2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I

1=1.23mA 。由此可知:电极1是 极,电极2是 极,电极3是

极。若已知I 1电流方向流入晶体管,则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I

1电流方向 。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ;NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管;PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于 失真;幅频失真和相频失真属于 失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为 反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为 反馈。放大电路通常采取 反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。

(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 ( ) 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

模拟电子技术考试试题大全及答案

模拟电子技术考试试题大全及答案

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题:(每空1分共40分)

1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。

2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电

压()。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电

阻为(),等效成断开;

4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用

()负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=

()。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),

()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大

小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;

OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,

所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息

模电考试试题10套和答案(打印版)

模电考试试题10套和答案(打印版)

坑爹的模电

试卷编号01

………………………………………………………………………………………………………………

一、填空(本题共20分,每空1分):

1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。

2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。

4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。

6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。

8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。

9.某放大电路的对数幅频特性如图1所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。

图1

二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一

一、填空(16分)

1.半导体二极管的主要特性是___________ 。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)

1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管

2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。

B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。

C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。

《模电》经典题目,含答案

《模电》经典题目,含答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案

试卷三及其参考答案

试卷三

一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号)(共16分)

1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()

a. 输入电阻大

b. 输入电阻小

c. 输出电阻大

d. 输出电阻小

2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。

a. 放大倍数越稳定

b.交流放大倍数越大

c. 抑制温漂能力越强

d. 输入信号中的差模成分越大

3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。

a. 变宽

b. 变窄

c. 不变

d. 与各单级放大电路无关

4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。

a. 43dB

b. 40dB

c. 37dB

d. 3dB

图1-4 图1-5

5.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。

a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡

b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡

c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡

d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡

6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时,V o =V c1-V c 2=0,设差

模电压增益100vd =A ,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为()。

a. 125mV

b. 1000 mV

c. 250 mV

d. 500 mV

图1-6 图1-7

模电试题及答案

模电试题及答案

模电试题及答案

【注意】本文为正文部分,不再重复题目或其他内容。

第一部分选择题

1. 在放大器输出四个限制区域中,是导通区域导通时间应该:

A. 最短

B. 最长

C. 平均

D. 都有可能

答案:A. 最短

2. 当晶体管工作于放大区时,其发射极电流的变化范围为:

A. 0% - 50% Ib

B. 50% - 100% Ib

C. 100% - 150% Ib

D. 150% - 200% Ib

答案:B. 50% - 100% Ib

3. 一般晶体管的集电极输出电流最大值不能超过:

A. 0.1 A

B. 1 A

C. 10 A

D. 100 A

答案:C. 10 A

4. 常用的信号源与功放级之间接驳的方式主要有:

A. 直接耦合

B. 变压器耦合

C. 阻容耦合

D. 全部都包括

答案:D. 全部都包括

第二部分填空题

1. 运算放大器最基本的运算电路是________。

答案:差动放大器

2. 参数作动元件的变量之间的关系可以用________描述。答案:函数

3. 双稳态多谐振荡电路的输出波形为________。

答案:方波

4. 端子触发器是一种________。

答案:数字电路

第三部分简答题

1. 请简要介绍运放的基本性质和特点。

答案:运放是一种高增益的电子放大器,具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点,可以实现线性放大、滤波、求和等功能。

2. 请简述大信号放大器和小信号放大器的区别。

答案:大信号放大器可以在放大器中处理大幅度的输入信号,输出信号可以是负载的整个动态范围;小信号放大器则处理小幅度的输入信号,输出信号通常只在线性范围内变化。

(完整版)模拟电路试卷及答案(十套)

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模拟综合试卷

一. 填充题

1集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a , b 。2•通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b

3. 在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大

电路的输入电阻。

4. 一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。

5. 工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工

作于甲乙类时,导通角为。

6. 甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般

功率输出级应工作于状态。

7. 若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压U ii =U2,则输出电压为—匚; 若山=1500皿U i2=500N,则差模输入电压u id为N,共模输入信号u ic为V

8 .由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻

较。

9. 晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。

10. 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二. 选择题

1 .晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的B,I CBO U BE的变化情况为(

)。

)

A.B 增加,I CBO 和u BE 减小

B. B 和I CBC 增加,U BE 减小

C.B 和U BE 减小,I CBO 增加

D. B 、I CBC 和U BE 都增加 2. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是(

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题10套及答案

.

《模拟电子技术》复习题一

一、填空题

1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由,,和

四部分组成。

二、选择题

1、利用二极管的()组成整流电路。

A 正向特性

B 单向导电性C反向击穿特性

2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑

3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型

B P沟道耗尽型MOS型

C N沟道增强型MOS型

D N沟道耗尽型MOS型

E N沟道结型

F P沟道结型

.

图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e、2:b、3:c

B 1:c、2:e 、3:b

C 1:c、2:b、3:e

D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能

模电试卷题库(含答案)

模电试卷题库(含答案)

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放⼤状态的电路,当输⼊电压为10mV,输出电压为,输⼊电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直

流电压),它的电压增益为( C )

a、700

b、650

c、100

d、-100

2.当输⼊信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中

频时的( B )

a、05.

b、

c、

d、1

3.当输⼊信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。

A、2 dB

B、3dB

C、4dB

D、6dB

4.某放⼤电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载

电阻后输出电压降为3V,这说明放⼤电路的输出电阻为( C )

a、10KΩ

b、2KΩ

c、1 KΩ

d、Ω

5.⽤两个AU相同的放⼤电路A和B分别对同⼀个具有相同内

阻的电压

信号进⾏放⼤,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A⽐B ( B )

a、⼀样

b、差

c、好

d、⽆法判别

b、输⼊电阻⼩

c、输出电阻⾼

d、输出电阻低

理想运放

7.在线性区内,分析理想运放⼆输⼊间的电压时可采⽤(A )

a、虚短

b、虚断

c、虚地

d、以上均否

8.如图⽰,运放A为理想器件,则其输出电压V0为(A )

a、0V

b、3V

c、6V

d、9V

9.如图⽰,运放A为理想器件,则其输出电压VO为( C )

a、9V

b、6V

c、0V

d、3V

10.设V N、V P和V0分别表⽰反相输⼊端、同相输⼊端和输

出端,则V0与V N、V P分别成( D )

a、同相、同相

b、反相、反相

c、同相、反相

d、反相、同相

11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三⾓波,则应选⽤(D )

12.A、反相⽐例运算电路

模拟电路考试试题10套和答案(打印版)

模拟电路考试试题10套和答案(打印版)

坑爹的模电

试卷编号 01 ………………………………………………………………………………………………………………

一、填空(本题共20分,每空1分):

1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。

2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。

4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。

6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。

8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。

9.某放大电路的对数幅频特性如图1所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。

图1

模电试题及答案

模电试题及答案

模拟电子技术基础试题A 卷

学号

姓名 .

一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果; 10分 1在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”; 2电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流; 3使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈; 4产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响; 5利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管; 6本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等; 7未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区; 8集成运放在开环情况下一定工作在非线性区; 9只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡; 10直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路; 二、选择填空 10分

1为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 ; A 电流负反馈 B 电压负反馈 C 直流负反馈 D 交流负反馈 2RC 串并联网络在RC

f f π21

0=

=时呈 ; A 感性 B 阻性 C 容性 3通用型集成运放的输入级多采用 ;

A 共基接法

B 共集接法

C 共射接法

D 差分接法 4两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ; A β B β2 C2β D1+β

5在A 、B 、C 三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 ; A 共基放大电路 B 共集放大电路 C 共射放大电路

6当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E ; A > B < C = D ≤ 7硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 ; A 大 B 小 C 相等

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试题一

一、选择题:(每小题2分,共24分)

(1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 (2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 (3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。

A.共射电路

B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。

A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 (5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。

A.采用了双极型电源

B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 (6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。 A.i2i1u u - B .i1i2u u -

C. i2i1u u +

(7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,

即增益下降( A )。

A .3d

B B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。

A .同相比例

B .微分

C .同相求和 (9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。

A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。 A . T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。

A . 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 (12)电路如图所示,二极管D 为理想元件,输入信号u i 为如图所示的三角波,则输出电压u o 的最大值为(

B )。

A. 5 V B . 7 V C. 2 V

二、填空题:(总 16 分,每空 2 分)

(1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A 脚为12伏,B 脚为11.7伏,C 脚为6伏,则该管为PNP 型 锗 管,A 为e 极,B 为 b 极,C 为 c 极。

(2)工作在放大区的晶体管,当I B 从10μA 增大到20μA ,I C 从1mA 增大到2mA ,它的β为 100 。

(3)由于不易制造大容量电容,集成电路采用 直接 耦合放大方式。

(4)自激振荡的幅值平衡条件为 1AF

=&& 。 (5)在放大电路中,晶体管工作在乙类状态导通角θ= π 。 三、(8分)电路如图所示,电路中晶体管的β=100,r be =1k Ω,U BEQ =0.7V 。 (1)现已测得静态管压降 U CEQ =6V ,估算 R b 约为多少千欧;(2)若测得U I 和U O 的有效值分别为 1mV 和 100mV ,则负载电阻 R L 为多少千欧?

(1)220565CC CEQ CQ C CQ BQ CC BEQ

b BQ V U I mA R I I A V U R k I μβ⎧-⎫

==⎪⎪

⎪⎪

⎪⎪⎪⎪

==⎨⎬⎪⎪

⎪⎪-=

=Ω⎪⎪⎪⎪⎩⎭

——4分

(2)1001111 1.5O L u L I be

L C L U R A R k U r R k R R β'⎧⎫

'===⇒=Ω⎪⎪⎪⎪⎨⎬⎪⎪+=⇒=Ω⎪⎪⎩⎭

&

四、(10分)分析并画出如图所示电路的电压传输特性,然后根据电压传输特性画电路输入正弦波时的输出波形。

3T U V

=-

u o

u i

+6V

-6V

——4分 ——2分

五、(10分)求解如图所示电路的运算关系。

六、(10分)判断如图所示电路中引入了哪种组态的交流负反馈,计算它的反馈系数,并估算其在深度负反馈条件下的电压放大倍数。

电压串联负反馈

——6分 1

f o

13

uu R F U U R R ==+&&& ——2分

o o 3 f i f

11u U U R A U U R =≈=+&&&&& ——2分

七、(10分)用一级运算放大器设计电路完成运算122 2.5o i i u u u =--,要求反馈电阻使用100k ,并使电路外接电阻平衡。

——6分

1250,40R k R k ==

——2分

八、(12分)在如图所示电路中,R 1=240Ω,R 2=0~3.6k Ω可调;W117输入

端和输出端电压允许范围为2~35V ,输出端和调整端之间的电压U R 为1.25V 。求解:

(1)输出电压的调节范围;

(2)输入电压允许的范围;

(1)211.251 1.25~20o o R U U R ⎛

=+

⇒= ⎪⎝

——6分 (2)()()202~1.253522~36.25i U V =++=

——6分

试题二

一、选择题:(总 30 分,每小题 2 分)

(1)下列符号中表示发光二极管的为( c )。

(2)P 型半导体是在本征半导体中加入( b )后形成的。

A.电子

B.三价硼元素

C.五价磷元素 (3)直耦放大电路初级选用差分放大电路的原因是( c )。

A.提高输入电阻

B.稳定放大倍数

C. 抑制零点漂移 (4)所谓放大器工作在闭环状态,是指( b )。

A.考虑信号源内阻

B.有反馈网络

C.接入负载 (5)长尾式差动放大电路R E 引入的负反馈主要是为了( a )。

A.抑制零点漂移

B.使电路和参数对称性好

C.增大输入电阻 (6)表明晶体管质量优劣的主要参数是( a )。 A. β、CBO I 、CEO I B. I CM 、P CM C. U (BR )CEO ,I CM

(7)、欲将正弦波电压叠加上一个直流量,可以选用( b )运算电路。 A. 比例 B. 加减 C. 积分 (8)直流稳压电源中滤波电路的目的是( c )。

A.将高频变为低频

B.将交流变为直流

C.减小脉动,使输出电压平滑

(9)已知变压器二次电压为22sin u t ω=V ,负载电阻为R L ,则桥式整流电路中二极管承受的反向峰值电压为( b )。

A. 22U 2 C. 20.9U (10)( b )运算电路可将方波电压转换成三角波电压。

A .同相比例

B .积分

C .同相求和 (11)功率放大电路的转换效率是指( b )。 A .输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B .最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C .晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 (12)稳压二极管外加正偏电压时处于( a )状态。 A.导通 B.截止 C.放大 (13)负反馈放大电路中,反馈信号( a )。

A. 仅取自输出信号

B. 取自输入信号或输出信号

C. 仅取自输入信号 (14)集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数( a )电路。 A.直接耦合多级放大 B.阻容耦合多级放大 C.变压器耦合多级放大

(15)PNP 型或NPN 型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N 型或P 型)。所

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