七星扩散炉
半导体设备的基地——北京七星华创
“ 多Ｔ何 自动清洗机 ”属于半 导体清洗 中的高 ｒ ｃ Ｅ Ｖ 技术为基础，从而具有较高 可谁性， ｅ Ｐ Ｃ Ｄ Ｌ 端产 品 。研发 的 日的足用 于 中 ２ ０ｍ ０ ｍ硅 片、 １ ０ｎ 埘结构 重 新设 计， 使之满 足人 阳 能 电池 行业 大 批骨 ｍ ８
湿法 自动去胶 机 。 为北 京 、 重庆等 单他 的 中１０ ｍ ５ ｍ 集 较 充 分 的 比较 和研 究 。为 避 免 小 必耍 的披 术 风险 ， 成 电路 ， 上产线 提供 了 、 卜自动 石 英管 清洗 机 。 拟 丌发 的人阳能 电池 ０用 ＰＣ Ｄ 以现 有成熟 的 ｄ ＿ 。 ＥＶ 应 ．
术人 员 ４０余人 。 ４ ２ ０ ｍ立 式炉 产业 化生产和 ３０ ｍ立 式炉 的研 ０ ｍ ０ ｍ
＿ 』 ． 公司拥有一个博十后流动站和 ７个产 品研究 制。我们 ｌ求国际合作，学习国外的先进技术和经 验 ， 不能 依赖 别人 ，我们成 立 了专 项项 目组 ， 快 但 所 ， 中 ２ 为北 京 ｒ认 定 的市 级科研 中心 ，拥有 科 其 个 １ 丁 研 开发人 员 ２ ０ 名 ，享受政 府津 贴专 家 １ 。公 把 我们 的产 品推 进 市场 。 以适 应我 国集 成 电路大 生 ０余 ５人 司的卧式扩散炉 ，ＬＣ Ｄ ＰＶ ，小型刻蚀、去胶设备，丁 产线 发展 需要 。 动、 自 动清洗机系列 已经广泛应用于国内半导体Ｊ 家；扩散炉的 口径 已经从 １ ０ｍ （ 英寸）做到 ２ 半导体清洗清洗设备要 向高端发展 Ｏ ｉ ４ ｌ 了 ３ ｍ （ 寸 ） ３ ｍ （ ０ ｍ １ ０ ２英 。 ０ ８英 寸 ） ０ ｍ 、
特 征 尺 、 仃 【 过干 （ Ｅ Ｌ）中 ，扩 敞 ６ 、氧 生产 的要求 。具体性 能指标 为 ：彩管热 肇式 ｄ Ｆ ｅ 段 艺 旱 Ｆ ０ 订 ｉｅ ｔ 化 、 问 隔 （ ｃ ｎ Ｓ ａ ｒ）淀 积 之 、Ｐ Ｐ ｅ 』 Ｒ胶 ， 剥 离 Ｐ Ｃ Ｄ，可 处理 硅 片 的尺 、 １ ０ ｌ ｒ （ ＥＶ Ｊ 一 ０ ｎ 边长 ） ０ ５ ｍ ， 等 清洗 艺 步骤 。并 依此 为基 础 ， 向深 纳米 清洗 Ｔ 每 管一 次可 处理 １ Ｏ片 右 的硅 片 ， 个 Ｔ 岂过桦 Ｏ 艺技 术扩 展 。 包 括 装 载 、 加 热 、 抽 真 、 戚 膜 、 卸 载 Ｉ ４０ 需
扩散炉原理
扩散炉原理
扩散炉是一种重要的核反应堆，它利用核裂变产生的中子来维持链式反应，从
而产生热能。
扩散炉原理主要涉及中子的产生、中子的传输与中子的吸收三个方面。
首先，让我们来了解中子的产生。
中子是一种无电荷的粒子，它可以通过核裂
变或核衰变的方式产生。
在扩散炉中，通常采用铀-235或钚-239等核燃料作为裂
变材料，当这些核燃料受到中子轰击时，会发生核裂变反应，释放出大量的中子。
这些中子将成为维持链式反应的“火种”。
接下来，让我们来看中子的传输。
中子在核反应堆中的传输过程中，会与反应
堆结构材料发生碰撞，从而失去能量。
为了提高中子的传输效率，通常会在反应堆中填充一些中子减速剂，如重水、轻水或石墨等，通过与中子的碰撞来减慢中子的速度，从而增加中子与核燃料发生裂变反应的几率。
最后，让我们来探讨中子的吸收。
在扩散炉中，中子与核燃料发生裂变反应后，会释放出大量的能量，同时产生新的中子。
除此之外，部分中子也会被反应产物或其他核素吸收，从而减少中子的数量，控制核反应的速率。
这种吸收作用是扩散炉实现稳定运行的重要机制。
总的来说，扩散炉的原理涉及中子的产生、传输和吸收三个方面。
通过合理设
计反应堆结构和控制中子的数量，可以实现扩散炉的稳定运行，并产生大量的热能。
这种热能可以用于发电、供暖等多种领域，对人类社会的发展具有重要意义。
扩散炉文档
扩散炉1. 引言扩散炉是半导体工业中常用的一种设备，用于在半导体材料上进行掺杂和扩散等工艺步骤，以改变半导体材料中的杂质浓度分布和电性能。
目前，扩散炉已成为半导体制造过程中不可或缺的重要工具之一。
本文将介绍扩散炉的原理、工作流程、应用领域以及常见的扩散炉类型。
2. 原理扩散炉利用高温下杂质的扩散现象，将掺杂材料转移到半导体材料中，从而改变半导体材料的导电性能。
其中，杂质通过炉膛中的气氛传输到半导体材料的表面，然后通过热扩散进入半导体材料内部。
半导体材料被放置在炉膛中，通过加热使其达到适当温度，此时杂质会从高浓度区向低浓度区扩散。
3. 工作流程一般情况下，扩散炉的工作流程包括以下几个步骤：3.1. 加热在工作开始之前，首先需要将炉膛加热到设定的温度。
一般扩散炉采用电阻加热或辐射加热的方式。
炉膛内的半导体材料会随着加热温度的提高逐渐达到设定的工作温度。
3.2. 清洗清洗是非常重要的一步，它可以去除炉膛和载物台表面的杂质和污染物，以确保后续工艺步骤的顺利进行。
3.3. 载入样品当炉膛温度达到设定值后，将需要处理的半导体样品（通常是硅片）放置在炉膛内的载物台上。
加载样品时需要注意避免与其他样品或器件发生接触或损坏。
3.4. 控制气氛控制炉膛内的气氛非常重要。
不同的掺杂要求不同的气氛，这一步骤确保炉膛内的气氛符合工艺要求。
常用的气体有氮气、氢气、氩气等。
3.5. 控制温度和时间根据具体的工艺要求，控制炉膛温度和工作时间，使扩散过程发生在特定的条件下。
温度和时间是扩散过程中影响掺杂效果的重要因素之一。
3.6. 冷却扩散过程完成后，需要将炉膛冷却到室温。
冷却过程需要逐渐降温，以避免由于急剧温差引起的热应力对材料的损伤。
4. 应用领域扩散炉在半导体工业中应用广泛，主要用于以下几个方面：4.1. 掺杂扩散炉可以用于对半导体材料进行掺杂，改变其电学特性。
掺杂可以增加或减少半导体的导电性能，由此改变器件的性能。
4.2. 薄膜生长扩散炉可用于半导体材料的薄膜生长。
扩散炉的优势
扩散炉的优势扩散炉有什么优势？合肥日新高温技术有限公司为您解答。
合肥日新高温技术有限公司成立于1998年是专业设计、研发、生产、销售高温热处理设备的民营高新技术企业。
扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，即将元素磷、硼扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。
扩散炉的工作原理：真空扩散炉是热处置的大型设备,可编多个不同程序,能操控和编入上百个热处置曲线点,分上、下、左右、前后六区控温,能够进行真空钎焊、真空退火、真空时效等多种加工.有多点和单点温度记录仪以及过温保护装备,炉温均衡性可操控在恒定温度范围以内,另配有高纯氮高流量强冷装备.真空扩散炉的结构特点：真空扩散炉隔热屏有两层钼、四层不锈钢组成的全金属辐射屏结构.加热元件为宽钼带,沿前后左右四壁均匀布置,以保证炉温的均匀.压力装置有液压站、油缸、压头、称重传感器、压力控制器和压力支架组成,可实现油压保压、压力设定控制.电控系统采用PLC与可编程温度控制器的方式,实现全自动、半自动、手动三种控制方式,操作灵活.高温扩散炉的优势有哪些呢？合肥日新高温技术有限公司生产的RGL系列高温扩散炉具有这些优势：RGL系列高温扩散炉采用高纯石英管作为内炉膛，具有良好的洁净度；RGL系列高温扩散炉耐火、保温材料全部采用先进的轻质纤维制品，整机能耗低，升温快；RGL系列高温扩散炉加热元件采用真空成型FEC陶瓷纤维加热器；RGL系列高温扩散炉温控系统采用进口多段智能程序温度控制仪控制，温度控制具有良好的稳定性、重复性。
合肥日新高温技术有限公司成立之初，就确定了依托技术开拓市场空间的经营策略，在秉承传统工艺的基础上，不断引进新技术，消化再吸收新工艺，持续发展，开拓创新。
半导体制备扩散炉
半导体制备扩散炉：工艺、应用与发展一、引言随着科技的飞速发展，半导体产业已成为当今世界最为重要的产业之一。
在半导体产业链中，扩散炉是关键设备之一，其制备工艺和应用对于半导体的性能和可靠性具有至关重要的影响。
本文将对半导体制备扩散炉的工艺、应用和发展进行深入探讨。
二、半导体制备扩散炉的工艺1.扩散原理在半导体制造过程中，扩散是一种重要的工艺技术。
通过扩散工艺，可以将杂质元素掺入到半导体材料中，从而改变其导电性能。
扩散的原理基于原子或分子的迁移和分布，通过高温和化学反应实现。
2.扩散炉的构成半导体制备扩散炉通常由以下几个部分组成：加热系统、气氛控制系统、温度控制系统、传送系统等。
其中，加热系统是扩散炉的核心部分，它负责提供高温环境以促进杂质的扩散。
气氛控制系统负责控制炉内的气氛，如氧气、氮气等。
温度控制系统则负责对炉内温度进行精确控制。
传送系统则负责将硅片送入和取出炉膛。
3.扩散工艺流程半导体制备扩散的工艺流程主要包括以下步骤：清洗硅片、源气体处理、装片、抽真空、加热、扩散反应、冷却和取出硅片。
在这个过程中，每一个步骤都有其特殊的作用和要求，都需要精确控制和操作。
三、半导体制备扩散炉的应用1.在集成电路中的应用在集成电路制造中，扩散工艺是必不可少的环节。
通过扩散工艺，可以将不同元素掺入到硅片中，形成不同性质的半导体区域，从而实现电路的划分和连接。
扩散炉在集成电路制造中的应用广泛，是保证芯片性能和可靠性的关键设备之一。
2.在太阳能电池中的应用太阳能电池是一种利用光生伏特效应将太阳能转化为电能的装置。
在太阳能电池制造中，扩散工艺也是关键环节之一。
通过扩散工艺，可以将磷元素掺入到硅片中，形成PN结，从而实现光生电流的收集和输出。
扩散炉在太阳能电池制造中的应用也十分广泛。
四、半导体制备扩散炉的发展趋势随着科技的不断发展，半导体制备扩散炉也在不断进步和完善。
未来，半导体制备扩散炉的发展将主要集中在以下几个方面：1.高温扩散技术的研究与应用：高温扩散技术可以提高杂质元素的激活率，从而提高半导体的性能。
扩散炉 (2)
扩散炉简介在半导体工业中，扩散炉是一种用于在半导体材料表面制造掺杂层的设备。
扩散是将杂质原子引入半导体晶体中的一种常用方法，通过掺杂可以改变半导体的电学性质，例如改变其导电性或改变材料的能隙。
扩散炉使用高温加热的方式将掺杂物传输到半导体晶体中。
高温条件下，掺杂物原子具有足够的能量和活动性，使其在晶体表面上进行扩散。
扩散炉通常采用气氛法来控制扩散过程。
在扩散炉内，可以通过输入不同的气氛气体来控制掺杂物的传输和扩散速度。
扩散方法气相扩散气相扩散是最常见的扩散方法之一，它利用高温下气体分子的热运动性质来实现掺杂。
扩散炉中的半导体晶体暴露在掺杂气体的环境中，通过辐射加热或热电偶加热等方式升高温度，使得掺杂物原子在晶体表面上进行扩散。
气相扩散需要精确控制扩散气体的浓度、温度和时间，以保证掺杂的准确性和均匀性。
扩散炉通常配备有温度控制系统、气体流量控制系统和扩散控制系统等，以实现对扩散过程的精确控制。
液相扩散液相扩散是另一种常见的扩散方法，它利用液体溶液中的掺杂物离子通过晶体表面的扩散来实现掺杂。
液相扩散通常用于对半导体晶体进行浸泡或涂覆等处理。
液相扩散的优点是能够实现更高的掺杂浓度和更均匀的掺杂分布。
然而，与气相扩散相比，液相扩散的工艺复杂性更高，并且液相掺杂后需要进行深度清洗和干燥等后续处理。
扩散炉设备扩散炉设备通常由以下几个主要部分组成：1.加热腔体：加热腔体是扩散炉的主要部分，用于放置待处理的半导体晶体。
加热腔体通常由耐高温材料制成，例如石英或石墨。
加热腔体通常具有良好的温度均匀性和稳定性，以保证扩散过程的准确性。
2.气氛控制系统：气氛控制系统用于提供相应的扩散气氛气体，并控制气氛的流量、压力和浓度等参数。
常见的扩散气氛气体有氮气、氢气、氧气等。
3.温度控制系统：温度控制系统用于精确控制加热腔体的温度。
通常采用热电偶或辐射加热器等方式来测量和调节温度。
4.控制系统：扩散炉设备通常配备有控制系统，用于自动控制扩散过程的各项参数，例如温度、时间、流量等。
扩散炉介绍
扩散炉结构原理
炉体各技术参数：
1.1可配石英管最大外经： φ300mm 1.2工作温度范围： 400~1100℃ 1.3恒温区长度及精度： 工作温度：600℃~1100℃ 1070mm /±1℃ 1.4单点温度稳定性： 工作温度：600℃~1100℃ ±2℃/24h 1.5升温时间：（从室温升至1100℃） ≤60min 1.6温度斜变能力： 最大可控升温速度： 15℃/min 最大降温速度(1100~1000℃ ) 5℃/min 1.7最大升温功率： 43KVA/每管 1.8保温功率： 15KVA/每管 1.9送料装置： 行程： ~2160mm 速度： 20~1000mm/min 承重： 15Kg
扩散炉结构原理
扩散炉结构原理 2.2控制柜
控制柜是整个设备的控制核心，所有的操作动作都在控制柜中实现
控制器功能简介
2.2.1采用进口智能控制器,对炉温、阀门进行自动控制,并管理全部工艺时序。每 个炉管有一套独立的控制系统。 a具有可编程的升、降温功能。 b具有PID自整定功能。 c可输出四个开关量。 d具有超温报警、工艺结束报警功能。 e具有极限超温报警功能,同时能自动切断炉丝加热电源。 f可存储十条工艺曲线。每条工艺曲线最多有十五步。曲线间可以任意链接、重 复。 g可同时显示控制热偶温度值及PROFILE热偶温度值。 h留有通讯接口，可通过专用软件进行工艺编制和数据采集。 2.4.2 流量控制与监测系统： 选用英国进口智能控制器及流量报警控制电路对质量流量控制器进行工艺气体的 实时，控制与监测具有在线报警与调节功能，同时能对每一路气体阀门很方便的 进行手动，自动切换，并留有通讯接口，可通过电脑显示与设定流量。
扩散炉产品规格书
3 详细的状态和事件记录，有利于问题追溯。可以图形方式查看 数据。
温度控制使用先进的双PID级联控温技术，选用高档的双通道高精度 温控仪，并使用自主开发的级联算法。优点是：直接控制炉内的温度， 使得反应温度控制更准确稳定，从而工艺更加稳定，在不同炉管间可直 接移植，亦省去频繁校正平坦区温度的工作。
除了扩散工艺外，本设备也可用于氧化、退火及合金等高温常压工 艺。
主要性能
处理硅片：大到156mm×156mm的单多晶硅片 产能：＞900片/小时（3管） 温度性能：
工艺温度：800℃～1000℃ 平坦区长度：1080mm 平坦区稳定性：正常生产状态下，进舟闭炉15分内稳定，波动 ≤1℃。 升降温性能：爬升率15℃/min（最大），下降率5℃/ min（最大） 工艺性能：（工艺默认不提供，如有需求可配套购买）方块电阻50Ω 的基准工艺下，一炉30点采样（5点/片×6片），极差≤5Ω。
产品规格书
名称 型号 修订
产品规格书 目录
设备简介 主要技术指标 系统要求 系统组成
控制部分 推舟净化部分 炉体部分 气柜部分
扩散炉 DHC53A-03 陆威，2的基本程序。对于晶硅光电池来说，扩散 形成的PN结是其核心功能结构，扩散的质量基本决定了电池的电性 能。DHC53A-03型扩散炉针对晶硅光电池生产的扩散制程设计，以对制 程的深刻理解为基础，吸收国内外水平管式扩散炉的设计经验，在闭管 扩散的基础上，实现了关键的内外级联控温技术，从而以较低的系统成 本达到了媲美昂贵的进口扩散炉的性能，其效果已经在客户的实际使用 中得到验证。
(扩散炉)结构功能原理情况说明OK
产品结构功能情况说明扩散炉4 STACK FURN（旧），具体情况如下：一、结构用途扩散炉4 STACK FURN是纳米半导体元器件研制中的工艺之一，主要是由高温炉反应室、温度控制系统及进排气系统组成，其用各种于各种化学气相沉积工艺将氧化剂以扩散方式在高温炉腔内制备高度稳定性的化学性和电绝缘性的二氧化硅等材料，所以将其归在“氧化、扩散、退火及其他热处理设备(制造半导体器件或集成电路用的)”（HS编码：8486201000）。
二、功能：扩散炉4 STACK FURN，其主要功能是将反应气体在高温炉管内和硅片表面发生化学反应，从而生成二氧化硅材料，也是用于制备各种特种纳米半导体工艺器件之一。
三、工作原理：扩散炉4 STACK FURN，由于二氧化硅被广泛用于半导体元器件的保护层和钝化层，以及电性能的隔离、绝缘材料和电容器的介质膜等。
当硅置于含洋气的环境下，氧分子将通过一层边界层达到硅的表面，并与硅原子反应生成二氧化硅，以形成的二氧化硅层阻止了氧化剂与Si表面的直接接触。
与此同时氧化剂以扩散的方式通过二氧化硅层到达SiO2—Si界面与硅原子反应，生成新的SiO2层，从而使SiO2膜不断生成增厚。
四、工艺流程：将反应气体由气相传输至硅表面生成SiO2，然后将位于SiO2表面的氧化剂穿透已经生成的SiO2膜扩散到SiO2—Si界面，最后将到达的SiO2—Si界面与硅原子反应，进而最终生成新的SiO2层。
五、品牌型号：品牌：SVG 型号：5200六、动力情况：因为设备运行需要完整的水电气等动力条件，该设备已经拆机并存放在仓库中，不具备通电检查的条件，故进口后会在现场准备完整的动力条件后恢复设备的正常功能。
苏州赛森电子科技有限公司2017年4月。
扩散炉炉膛制作方法
扩散炉炉膛制作方法1.引言1.1 概述概述:扩散炉是一种用于扩散材料的热处理设备，广泛应用于半导体、光电子、磁性材料等领域。
其炉膛是扩散炉的重要组成部分，扮演着扩散过程中材料的加热和反应的关键角色。
本文将重点介绍扩散炉炉膛的制作方法，包括设计思路、选材和制作工艺等方面的内容。
在扩散炉的炉膛制作中，关键因素有很多，如炉膛的耐高温性能、温度分布的均匀性以及对材料扩散过程的影响等。
为了满足这些要求，制作高质量的扩散炉炉膛需要仔细选择材料，并结合合理的设计和制作工艺。
首先，炉膛制作所选材料需要具有较高的耐高温性能。
因为在扩散过程中，炉膛需要承受高温环境下的热胀冷缩和高温气体的腐蚀，因此材料要能够保持稳定的性能和结构。
一般常用的炉膛材料有石英、陶瓷、硼酸钙等，这些材料具有优异的耐高温性能和化学稳定性。
其次，炉膛的温度分布需要具有良好的均匀性。
在扩散过程中，炉膛内的温度分布不均匀会导致反应的不均匀性，影响产品的质量。
因此，在炉膛的设计和制作中，需要注意考虑加热元件的布置和热量传导的控制，以实现温度的均匀分布。
最后，炉膛的制作工艺对扩散炉的性能和使用寿命也有重要影响。
炉膛的制作包括材料的加工和组装过程，需要严格保证每个环节的质量。
一些常用的制作工艺包括热处理、焊接、胶合等，这些工艺应根据具体情况来选择和优化。
总之，扩散炉炉膛的制作是扩散炉性能的重要保证，它直接影响着产品质量和生产效率。
通过选择合适的材料和制作工艺，并结合良好的设计思路，制作出高质量的炉膛是扩散炉制造中的关键环节。
本文将在接下来的内容中详细介绍扩散炉炉膛制作方法的具体步骤和注意事项。
1.2 文章结构文章结构本文将按照以下结构展开对扩散炉炉膛制作方法的讲解。
首先，在引言部分对本文的主要内容进行概述，总结扩散炉炉膛制作方法的重要性和应用领域。
接着，介绍文章的结构和各个章节的内容，以便读者能够清晰地了解整篇文稿的脉络。
其次，在正文部分，将详细介绍扩散炉炉膛制作方法的两个主要要点。
扩散炉 (2)
扩散炉
扩散炉是一种用于半导体制造的设备，主要用于将掺杂源中的杂质扩散到硅晶圆表面的过程。
在半导体制造中，掺杂是一种重要的工艺步骤，它可以改变材料的导电性能。
扩散炉通过高温加热和控制气氛，使得杂质从掺杂源中扩散到硅晶圆的表面，并形成掺杂区域。
扩散炉通常由以下主要部分组成：
1. 炉体：用于容纳硅晶圆和掺杂源，并提供高温环境。
2. 加热系统：用于提供高温加热。
常用的加热方式包括辐射加热、电阻加热等。
3. 气氛控制系统：用于控制炉内的气氛，通常包括气体供应和流量控制等。
4. 温度控制系统：用于监测和控制炉内的温度，以确保扩散过程的稳定性和一致性。
5. 控制系统：用于实时监测和控制整个扩散过程的参数，如温度、气氛等。
在扩散过程中，常用的掺杂源包括磷、硼、砷等杂质，这些杂质可以通过扩散炉的加热和气氛控制被扩散到硅晶圆的表面，并形成掺杂区域，从而改变硅晶圆的导电性能。
扩散炉是半导体制造中的关键设备之一，它在半导体器件制造的各个阶段都扮演着重要的角色。
扩散炉的性能和工艺参数的控制对于半导体器件的性能和质量至关重要。
《扩散CT炉子》课件
结构和组成部件
炉膛
温度控制系统 ️
承载和加热材料的部分，通常由耐高温材料制
监测和调节炉子内的温度，确保达到所需的扩
成。
散条件。
气体供应系统
传输系统
提供不同气氛的气体，如氮气、氢气等，以控
将待加工的材料从一个环境转移到另一个环境，
老化的部件。
结论和总结
通过本课件的学习，你应该对扩散CT炉子的作用、原理、组成部件和操作流
程有了更深入的了解。此外，你还了解到了其优势、应用领域以及使用注意
事项和维护保养方法。
制扩散过程中的化学反应。
保持温度和气氛的稳定。
操作流程
1
准备与装载
将待加工材料装载到炉膛内的夹具中，
预热
2
并配置所需气氛。
逐渐升高温度，以达到所需的热扩散条
件。
3
扩散过程
控制温度和气氛，使材料之间发生化学
冷却
4
反应。
5
卸载与清洗
逐渐降低温度，使材料固化并保持所需
特性。
从炉膛中取出材料，并进行后续清洗和
《扩散CT炉子》PPT课件
本课件将介绍扩散CT炉子的作用、原理、结构和组成部件以及操作流程。了
解它的优势、应用领域和使用注意事项。最后，讨论维护和保养方法，并进
行结论和总结。
作用和原理
1
作用 ️
扩散CT炉子用于半导体器件的扩散过程，使得材料与非材料之间发生化学反应并作为电
子元器件的关键步骤。
2
原理
检查。
优势和应用领域
1
高效性
2
精确性
扩散炉工作原理
CUC 扩散炉简介
• • • •
扩扩扩扩
散散散散
炉炉炉炉
各总主工
组体要作
成结性原
部构 能理
分
参
数
扩散炉工作原理
• 扩散炉扩散原理简介 • 扩散炉控制原理
扩散炉扩散原理简介
由于硅太阳电池实际生产中均采用Ｐ型硅片， 因此需要形成Ｎ型层才能得到ＰＮ结，这通常是 通过在高温条件下利用磷源扩散来实现的。
扩散炉总体结构
• 设备总体结构图 • 主要组成部分
扩散炉总体结构图
扩散炉平面图
• 电气控制部分、加热炉体部分、推舟净化 机构和气源部分
扩散炉各组成部分
• 电气控制部分 • 推舟净化机构 • 加热炉体部分 • 气源部分
扩散炉——电气控制部分
电 气 控 制 部 分
控 制 柜
电气控制柜
• 整个控制柜分为四层，工控机控制部分分 为上、中和下层3个独立部分，每层分别控 制对应层的舟、炉温及气路部分，是整个 系统的控制中心。
太阳电池制造工艺中，磷扩散一般有三种方 法，一是三氯氧磷（POCl3）液态源扩散，二是 喷涂磷酸水溶液后链式扩散，三是丝网印刷磷浆 料后链式扩散，本公司目前采用的是第一种方法。
POCl3液态源磷扩散系统示意图
• 用保护性气体，通过恒温的液态源瓶（鼓 泡或吹过表面），把杂质源蒸汽带入高温 扩散炉中，经高温热分解同硅片表面反应， 还原出杂质原子，并向硅片内扩散。
扩散炉主要性能参数（续）
• 具有超温、断偶、短路报警和保护功能。 • 具有自动斜率升降温及恒温功能。 • 送片方式：
采用SiC桨悬臂自动送片机构，舟速20～ 500mm/min连续可调；
定位精度:≤±2mm，SiC桨最大载片承 重:16Kg,建议不超过14Kg。 • 炉门当悬臂完全进入炉管，达到极限位置的时候 会自动关闭。 • 工艺过程由工控计算机全自动控制，直接在触摸 屏上操作。
炉体简介
其功能为监控变压器的温度，当温度出现异常时向 CMS控制系统发送错误报告。
2. 控温系统
2.4 冷却水的超温报警
当盖板和散热板的温度过高，加热电流会被关闭，并向CMS控 制系统发送错误报告。
3.更换炉管
更换炉管分为拆卸和重新安装
3.1拆卸和安装加热箱
注意事项： 1.先断开电源停止加热，在更换完毕前必须保证 电源不会被再次接通。 2.新手安装的加热箱的电源线可能会导致火灾的 发生，在安装完成后确保电线连接得够紧。 3.带电部件若接触到冷却水，则可能会造成短路， 所以在拆卸前应适当的关闭冷却水。
维修间隔 每周
检查点 水平炉
每月
水平炉 控制/操作系统
半年
水平炉
维修项目 检查水平炉 工艺炉管泄漏测试
检查绝缘 检查加热炉的温度曲线
数据备份 检查石英管和浆的位置
检查冷却水系统 清洁冷却水器、电源和电子控制器
4.日常维护及报警处理
4.1.1检查水平炉
为了预防微小颗粒的产生，设备中损坏的SiC和石英部件 必须要全部清除掉；在设备正常运转过程中，所有的外盖要全 部盖上，以保证冷却系统良好的工作。
rs232和can总线实现对温度控制器reg97的控制温度控制器geg97的硬件部分是模块式的结构硬件部分可以分为控制器块式的结构硬件部分可以分为控制器检测器tmm6和阶跃脉冲模块本系统中温度控制器reg97连接了1个阶跃脉冲模块rdio824和2个tmm6分别用于检测炉外spike温度和炉内profile温度通过这些模块实现了炉管内温度的精确控制和自动拉温控制器可连接多达8个tmm6温度检测模块和8个阶跃脉冲模块rdio824能实现对多达32个温区的进行精确控温
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七星老斗神炉工作原理
七星老斗神炉工作原理
七星老斗神炉是一种传统的炼药工具，它被广泛用于中医药制药过程中。
这种炉子的工作原理是通过将药材放入炉子中，然后利用炉子内部的燃烧热源来加热药材，从而使其产生化学反应，最终制得药物。
七星老斗神炉的工作原理基于传统的火炉原理，但是它在设计时考虑了许多中医药制药的特殊需求。
炉子的设计和制造采用了高质量的材料，以确保炉子的稳定性和耐用性。
此外，炉子的结构也非常精细，以确保药材能够均匀地加热，从而产生高质量的药物。
在使用七星老斗神炉时，需要将药材放入炉子中，并使用燃烧热源将其加热。
炉子的燃烧热源可以是木炭、木柴、煤炭或天然气等物质。
炉子内部的温度可以通过调节热源的大小和位置来控制，以确保药材被适当地加热。
此外，炉子内还可以设置不同的温度区域，以便在制药过程中进行不同的处理。
七星老斗神炉的制药效果非常显著，被广泛用于中医药制药过程中。
它不仅可以制得高质量的药物，而且还可以在制药过程中保持药材的天然特性，从而保证药物的安全性和有效性。
因此，七星老斗神炉在中医药制药行业中是一种非常重要的工具。
水气化HOOK UP标单
11.1 压缩空气
12
昆山台顺石墨舟烘干箱 PGO201
DN40
DN50 DN50 DN25 DN50 DN25 1/2'PFA 1/2'PFA 1/2'PFA
ф10 ф10 DN25 DN25 DN50 DN50 DN25 1/2'PFA
外径d=32mm 外径d=40mm
d=50mm DN40 DN40 DN40
49.1 CDA
49.2 N2氮气
49.3 DI水
1/4" 3/8"
ф40
ф10 ф10 ф10 ф30
ф10 ф10 ф10 ф30
ф10 ф10 ф10 ф30
ф10 ф10 ф10 ф30
ф10 ф10 ф10 ф30
ф10 ф10 ф10 ф30
ф10 ф10 ф10 ф30
ф10 ф10 ф10
5.9 IPA
5.10 HF
5.11 HCL
6
捷佳创磷硅玻璃清洗机 KPS201
6.1 N2氮气
6.2 CDA
6.3 纯水
6.4 废水drain
6.5 废水drain
6.6 废酸
6.7 废酸
6.8 HF
7
SMD多晶制绒机 CTE202
7.1 CDA
7.2 纯水
7.3 废酸排放 7.4 废水排放 7.5 废酸排放 7.6 废碱排放
40.3 SiH4硅烷
40.4 NH3氨气
CT Pump
40.5 硅烷尾气排放
40.6 N2氮气
41
七星PECVD PPE201
41.1 CDA
41.2 SIH4
41.3 NH3
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详细操作
首先观察记录是否有压差报警 观察记录内同小氮情况下的控制氮补氮最 小值 打开V1与V2阀门，关闭其他阀门 设定大氮流量为2W，等压差稳定为50时 观察补氮量 根据对比数据进行判断是否需要重新定压
温度曲线优化
稳定炉管内温度 温度补偿更加精确 生产重复性更好
优化温度曲线目前只有2种 自整定：重新整定加热功率与设定值的一 致性 拉恒温区：重新指定恒定温区大小
工艺相关的各项系统
温控系统
石英管如何升温? 在石英管外绕有很多匝加热电阻丝，通电后加热电阻丝
发光发热（原理同白炽灯发光发热），从而对石英管加热。
炉管加热系统
工艺相关的各项系统
温控系统
石英管如何控温?
由外部SPIK热偶探测加热电阻丝的温度，通过下位机和温控器来达到外偶控温和设定 温度一致性。 由内部PROFILE热偶探测石英管内部温度，通过下位机和温控器来控制内偶与外偶温度 的一致性。 石英管外壁有均匀分布的5个SPIK热偶，5个热偶对应石英管内的一根PROFILE热偶管相 应位置。 通过每次工艺过程5个外偶与内偶的相互补偿从而达到对恒定温区精确控温的目的。
自整定
配置页面 对1.3.5温区重新自整定 1.3.5结束对2.4温区重新自整定 自整定完成后重新拉温区
拉温区
配置页面 清空冷端补偿值 温区分布 清空热端补偿值 温区分布 拉温完毕
影响均匀性的主要因素
密封 压力 温度 位置
密封
各类接头
炉门
七星扩散设备介绍
整体结构
操作区整体结构
灰区整体结构
工艺相关的各项系统
气路系统
控制软件气路图示
工艺相关的各项系统
气路系统
灰区气路详解
压缩空气
过滤器
管
TC套管接头
管道风压
风压大小指示器（风压表）
风压调节器，自制
风压窗，开口大小可调节风压
排酸管道风压
磷 源 气 路
喷淋管气路
件 N2 /s lpm 13.5 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes O2/s lpm 1.5 × Yes Yes Yes × × × N2s /s lpm 0.92 × × Yes Yes × × × C-N2/s lpm 自动调节流量 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
压力压差 风压来自气流量温度
温度曲线 温区分布
位置
SIC桨
均流板 石英托架 石英管
注入管
扩散常见问题分析步骤
略……
炉管密封性检查
密封性主要检查以下2个部位 1.炉门与石英管的贴合 2.尾气排放的连接情况
详细操作
关闭V8保护氮 观察报警窗口此时排酸管道风压大小 根据风压大小观察压差传感器的压差数值 根据对比风压与压差判断是否有密封性问 题
炉管内压力的设定
根据实际方阻的均匀性和大小分析炉内压 力的情况是否需要重新定压
炉管控温系统
Profile热偶
生产工艺
扩 散 条 s tep name load s table1 diffus ion s table2 drive in purge unload s tep time /min 15 10 15 15 25 10 15 810 810 s et temp. /℃ 810 810 810 actural temp. /℃