半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点模拟考试.doc
半导体芯片制造中级工试题
1、单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。
外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
A.热阻B.阻抗C.结构参数2、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
3、单项选择题反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理B.物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
B.扩散C.光刻5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
6、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量B.设计C.光刻7、单项选择题溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
B.中性粒子C.带能离子8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
13、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
14、问答题什么叫晶体缺陷？15、问答题简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？16、问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？17、单项选择题双极晶体管的高频参数是（）。
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试练习.doc
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试练习考试时间：120分钟 考试总分：100分题号 一 二 三 四 五 总分 分数遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning （SADP ）的工艺流程图。
本题答案：2、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line ，姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
本题答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。
电子在导电过程中会撞击导本题解析：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。
电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。
该现象称为电迁移。
在导电过程中，电迁移不断积累，并最终在导体中产生分散的缺陷。
这些缺陷随后集合成大的空洞，造成断路。
因此，电迁移直接影响电路的可靠性。
采用铜互连可大幅降低金属互连线的电阻从而减少互连造成的延迟。
铜的电迁移比铝材料小很多：铜的晶格扩散的激活能为2.2eV，晶界扩散结合能在0.7到1.2eV之间；而铝分别为1.4eV和0.4-0.8eV.采用低介电常数材料填充平行导线之间的空间可降低金属互连线之间的电容从而减少延迟。
采用铜/low-k互连可大幅减小互连pitch，从而减少互连金属层数。
3、问答题简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
本题答案：APCVD一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的，由于反应速率快，CVD 系统简单，适于较厚的介质淀积。
半导体芯片制造高级工题库4-2-10
半导体芯片制造高级工题库4-2-10问题：[单选]双极晶体管的高频参数是（）。
A.hFEVcesB.BVceC.ftfm问题：[单选]金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属问题：[单选]外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。
A.电性能B.电阻C.电感/ 家具品牌问题：[单选]金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。
底盘、管帽和引线的材料常常是（）。
A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐问题：[单选]超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。
A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形问题：[单选]在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。
A.80％～90％B.10％～20％C.40％-50％问题：[单选]常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂问题：[单选]恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A.高斯B.余误差C.指数。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体器件中，以下哪个材料是制作晶体管的最佳选择？A、硅（Si）B、锗（Ge）C、砷化镓（GaAs）D、碳化硅（SiC）2、在半导体工艺中，以下哪个步骤用于形成晶体管的有源区？A、光刻B、扩散C、蚀刻D、离子注入3、题干：在半导体制造过程中，下列哪种设备用于在硅片上形成绝缘层？A. 溶胶-凝胶法B. 气相沉积法C. 化学气相沉积法D. 离子注入法4、题干：下列哪种材料在制造芯片时用作硅片的基板？B. 蓝宝石C. 硅D. 玻璃5、题干：在半导体制造过程中，以下哪个步骤是用于形成晶体管的沟道区域？A. 源极/栅极/漏极扩散B. 化学气相沉积（CVD）C. 光刻D. 离子注入6、题干：以下哪个选项不是半导体器件性能退化的主要因素？A. 氧化B. 金属污染C. 温度D. 磁场7、以下哪种技术不属于半导体制造中的光刻技术？A. 具有曝光光源的接触式光刻B. 具有投影光源的接触式光刻C. 具有曝光光源的投影式光刻D. 具有投影光源的扫描式光刻8、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是用来形成半导体器件中的掺杂层的？A. 离子注入B. 化学气相沉积D. 硅烷刻蚀9、在半导体制造过程中，下列哪一种工艺主要用于晶体管的掺杂？A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 光刻 10、以下哪一项不是半导体芯片制造过程中的关键环节？A. 材料制备B. 设备测试C. 晶圆加工D. 封装测试二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 沉积C. 刻蚀D. 化学气相沉积E. 离子注入2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制造工艺D. 封装技术E. 电源电压3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 溅射C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 硅片切割4、以下哪些是影响半导体器件性能的主要因素？A. 杂质浓度B. 静电放电C. 温度D. 电压E. 射线辐照5、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 硅片切割E. 激光打标6、在芯片设计过程中，以下哪些工具或方法有助于提高设计效率？A. 逻辑综合B. 硅基模拟C. 动态仿真D. FPGA原型E. 硅验证7、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A. 光刻B. 刻蚀C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 线宽控制8、以下哪些因素会影响芯片的性能？（）A. 集成度B. 电压C. 温度D. 材料E. 制造工艺9、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 晶圆切割E. 热处理 10、以下哪些是影响半导体器件性能的关键参数？（）A. 集电极电压B. 跨导C. 开关速度D. 噪声电压E. 耗散功率三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。
半导体面试题目(3篇)
第1篇一、基础知识部分1. 请简述半导体材料的基本概念及其分类。
2. 解释什么是本征半导体、n型半导体和p型半导体，并说明它们之间的区别。
3. 什么是掺杂？为什么掺杂对于半导体的应用至关重要？4. 什么是载流子？请分别说明电子和空穴载流子的性质。
5. 什么是能带？简述价带、导带和禁带的概念。
6. 什么是能级？请解释能级与能带之间的关系。
7. 什么是施主和受主？它们在半导体中的作用是什么？8. 请解释半导体中的电导率是如何受到温度影响的。
9. 什么是霍尔效应？它在半导体中的应用有哪些？10. 什么是PN结？简述PN结的形成过程、特性和应用。
二、器件原理部分1. 请简述晶体管的工作原理，包括NPN和PNP晶体管。
2. 什么是场效应晶体管（FET）？请解释其工作原理和特性。
3. 什么是MOSFET？请说明其结构、工作原理和优缺点。
4. 什么是二极管？请解释二极管的基本特性和应用。
5. 什么是三极管？请说明三极管的基本特性和应用。
6. 什么是整流器？请列举几种常见的整流器类型及其工作原理。
7. 什么是稳压器？请说明稳压器的工作原理和应用。
8. 什么是放大器？请解释放大器的基本特性和应用。
9. 什么是滤波器？请列举几种常见的滤波器类型及其工作原理。
10. 什么是振荡器？请解释振荡器的基本特性和应用。
三、电路设计部分1. 请简述半导体电路设计的基本流程。
2. 什么是模拟电路和数字电路？请分别说明它们的特点。
3. 什么是电路仿真？请列举几种常见的电路仿真软件。
4. 什么是版图设计？请说明版图设计的基本流程和注意事项。
5. 什么是集成电路封装？请列举几种常见的集成电路封装类型。
6. 什么是测试与验证？请说明测试与验证在半导体电路设计中的重要性。
7. 什么是电路优化？请列举几种常见的电路优化方法。
8. 什么是电源设计？请说明电源设计的基本原则和注意事项。
9. 什么是信号完整性？请解释信号完整性对电路设计的影响。
10. 什么是电磁兼容性？请说明电磁兼容性在电路设计中的重要性。
半导体芯片制造工考试试题
半导体芯片制造工考试试题半导体芯片制造高级工考试试题•一、填空题•1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
•2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用( 硫酸 )系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
•3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
•4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。
•5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧•（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。
•15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（氧化）、（气相）淀积、PECVD淀积。
•16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（Pn结介质）（Pn结隔离）（Pn 结介质混合）隔离等三种基本方法. •17、最常用的金属膜制备方法有（电阻）加热蒸发、（电子束）蒸发、（溅射）。
•18、热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（含有硅的化合物）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
•19 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（替位）扩散和（间隙）扩散两种。
•20 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为（元素）半导体、（化合物）半导体、固溶半导体三大类。
•延生长方法比较多，其中主要的有（化学气相）外延、（液相）外延、金属有机化学气相外延、（分子束）外延、原子束外延、固相外延等。
半导体制造技术考试答案(考试必看
1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
6、问答题说明影响氧化速率的因素。
7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
14、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
15、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g 各段的名称。
可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
16、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
17、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
18、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？19、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
20、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。
21、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？22、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
半导体芯片制造工：半导体制造技术考试答案.doc
半导体芯片制造工：半导体制造技术考试答案考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
本题答案： 2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？ 本题答案： 3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
本题答案： 4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line ，BEOL ）采用铜（Cu ）互连和低介电常数（low-k ）材料的必要性。
本题答案： 5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
本题答案： 6、问答题说明影响氧化速率的因素。
本题答案：姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？本题答案：8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
本题答案：9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
本题答案：10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
本题答案：11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
本题答案：12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？本题答案：13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
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《半导体芯片制造高级工》 考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
（ ） 2、硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
（ ） 3、铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
（ ） 姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线-------------------------4、在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（）。
（）5、钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。
（）6、金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。
（）7、芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
（）8、如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。
（）9、钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
（）10、外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。
（）11、厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。
（）12、微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。
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半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试卷考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题说明影响氧化速率的因素。
本题答案： 2、问答题个投影曝光系统采用ArF 光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。
本题答案： 3、填空题研究细胞结构和功能异常与疾病关系的细胞生物学分支称为（ ）。
本题答案： 4、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？ 本题答案： 5、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
本题答案： 6、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
本题答案： 7、问答题姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
本题答案：8、问答题分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
本题答案：9、问答题简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
本题答案：10、问答题下图为一个典型的离子注入系统。
（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。
（2）阐述部件2的工作原理。
本题答案：11、问答题采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？本题答案：12、问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？本题答案：13、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反l18、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
半导体芯片制造高级工测试题
1、填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
2、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
3、单项选择题双极晶体管的高频参数是（）。
A.hFEVcesB.BVceC.ftfm4、单项选择题反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理B.物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合5、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
6、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属7、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。
8、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
9、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。
A.小于0.1mmB.0.5～2.0mmC.大于2.0mm10、填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
11、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A.高斯B.余误差C.指数12、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。
底盘、管帽和引线的材料常常是（）。
A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐13、填空题禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
14、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。
A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形15、问答题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？16、单项选择题外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工模拟考试.doc
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工模拟考试考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、单项选择题双极晶体管的高频参数是（ ）。
A.hFEVces B.BVce C.ftfm 本题答案： 2、问答题粘封工艺中，常用的材料有哪几类？ 本题答案： 3、填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（ ）、（ ）淀积、PECVD 淀积。
本题答案： 4、填空题厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（ ），氮化铝（A1N ）陶瓷。
本题答案： 5、填空题金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（ ）同类电极系统的楔刀焊接。
本题答案： 6、问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------本题答案：7、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
本题答案：8、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
本题答案：9、填空题外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。
本题答案：10、填空题禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
本题答案：11、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。
底盘、管帽和引线的材料常常是（）。
A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐本题答案：12、填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
半导体芯片制造工：半导体制造技术知识点模拟考试卷.doc
半导体芯片制造工：半导体制造技术知识点模拟考试卷考试时间：120分钟 考试总分：100分题号 一 二 三 四 五 总分 分数遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
本题答案：SiCL4浓度较小，SiCL4被氢还原析出硅原子的速度本题解析：SiCL4浓度较小，SiCL4被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原子在衬底上生成单晶硅速度，化学反应速度控制外延层的生长速率；增加SiCL4浓度，化学反应速率加快，生长速度提高。
浓度大到一定程度，化学反应释放硅原子速度大于硅原子在衬底表面的排列生长速度，此时生长速姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------率受硅原子在衬底表面排列生长的速度控制。
进一步增大SiCL4浓度（Y=0.1）生长速率减小；当Y=0.27时，逆向反应发生硅被腐蚀；反向腐蚀越严重，生长速率下降，当Y0.28时，只存在腐蚀反应。
2、问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
本题答案：无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示：本题解析：无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示：其中，Rp为投影射程，Rp为投影射程的标准偏差，为剂量。
以上为浓度与深度的函数变化关系。
由于离子注入过程的统计特性，离子也有穿透掩蔽膜边缘的横向散射，因此分布应考虑为二维的，既有横向也有纵向的标准偏差。
半导体芯片制造中、高级工考试题
半导体芯片制造中、高级工考试题1、填空（江南博哥）大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。
解析：复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列2、单选人们规定：（）电压为安全电压.A.36伏以下B.50伏以下C.24伏以下答案：A3、问答题对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。
解析：（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。
采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN 结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。
（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。
因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。
同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。
4、填空在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。
解析：划片槽5、填空半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
解析：半导体；化合物6、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。
解析：在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层。
化学方程式如下：7、填空化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
解析：酸性；氧化性8、问答题集成电路封装有哪些作用？解析：（1）机械支撑和机械保护作用。
（2）传输信号和分配电源的作用。
（3）热耗散的作用。
（4）环境保护的作用。
9、填空外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
解析：化学气相；液相；原子束外延10、填空半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。
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半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考试题预测模拟考试练习考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、填空题如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（ ）。
本题答案：不合格 本题解析：不合格 2、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（ ）做绝缘和密封。
A.塑料 B.玻璃 C.金属 本题答案：B 本题解析：暂无解析 3、问答题简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？ 本题答案：外延要求：1.集电极击穿电压要求 2.集电本题解析：外延要求：1.集电极击穿电压要求 2.集电极串联电阻要小. 3.高频大功率小型化.姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------刻蚀要求：1.图形转换的保真度高2.选择比高.3.刻蚀速率高.4.刻蚀剖面.5.刻蚀偏差.6.刻蚀因子大.7.均匀性.4、单项选择题反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理B.物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合本题答案：C本题解析：暂无解析5、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。
底盘、管帽和引线的材料常常是（）。
A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐本题答案：B本题解析：暂无解析6、单项选择题双极晶体管的高频参数是（）。
A.hFEVcesB.BVceC.ftfm本题答案：C本题解析：暂无解析7、单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。
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1、问答题 简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？ 本题答案：1、能很好的阻挡材料扩散； 2、高电导率，低 本题解析：1、能很好的阻挡材料扩散； 2、高电导率，低欧姆接触电阻； 3、在半导体和金属之间有很好的附着能力； 4、抗电迁能力强； 5、在很薄和高温下具有很好的稳定性； 6、抗侵蚀和抗氧化性好。
7、具有高的导电率和纯度。
8、与下层存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。
9、与半导体材料连接时接触电阻低。
10、能够淀积出均匀而且没有空洞的薄膜，易于填充通孔。
11、易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形。
12、很好的耐腐蚀性。
13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性。
2、问答题 什么叫晶体缺陷？姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________ --------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------本题答案：晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。
又称晶格缺本题解析：晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。
又称晶格缺陷。
3、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A.掩膜版B.扩散C.光刻本题答案：C本题解析：暂无解析4、问答题洁净区工作人员应注意些什么？本题答案：保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来本题解析：保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝，禁止用手表，首饰，指甲油，吸烟，化妆，工作只能在洁净面上进行。
半导体芯片制造工半导体芯片制造中级工考试卷模拟考试题.docx
《半导体芯片制造中级工》考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、下列材料属于N 型半导体是（）。
（ ）A.硅中掺有元素杂质磷（P ）、砷（As ）B.硅中掺有元素杂质硼、铝（Al ）C.砷化镓掺有元素杂质硅（Si ）、碲（TE ）D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁2、属于绝缘体的正确答案是（）。
（ ）A.金属、石墨、人体、大地B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷C.硅、锗、砷化镓、磷化铟D.各种酸、碱、盐的水溶液3、说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：（ ）A.逻辑设计B.物理设计C.电路设计D.系统设计4、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）（ ） A.盐酸 B.硫酸 C.硝酸 D.氢氟酸姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线-------------------------5、下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）（）A.单基极条图形B.双基极条图形C.基极和集电极引线孔都是马蹄形结构D.梳状结构6、位错的形成原因是（）。
（）A.位错就是由弹性形变造成的B.位错就是由重力造成的C.位错就是由范性形变造成的D.以上答案都不对7、硅外延生长工艺包括（）。
（）A.衬底制备B.原位HCl腐蚀C.生长温度，生长压力，生长速度D.尾气的处理8、硅外延片的应用包括（）。
（）A.二极管和三极管B.电力电子器件C.大规模集成电路D.超大规模集成电路9、离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
（）A.能量B.剂量10、离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
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半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点模拟考试考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？本题答案：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除 本题解析：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。
决定了芯片的性能，成品率，可靠性。
2、填空题铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（ ），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
本题答案：氧化物 本题解析：氧化物 3、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。
底盘、管帽和引线的材料常常是（ ）。
A.合金A-42 B.4J29可伐 C.4J34可伐姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------本题答案：B本题解析：暂无解析4、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
本题答案：湿度本题解析：湿度5、单项选择题双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。
A.基区宽度B.外延层厚度C.表面界面状态本题答案：C本题解析：暂无解析6、问答题什么叫晶体缺陷？本题答案：晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。
又称晶格缺本题解析：晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。
又称晶格缺陷。
7、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
本题答案：平均投影射程；平均投影标准差本题解析：平均投影射程；平均投影标准差8、填空题禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
本题答案：电子从价带跳到导带本题解析：电子从价带跳到导带9、单项选择题变容二极管的电容量随（）变化。
A.正偏电流B.反偏电压C.结温本题答案：B本题解析：暂无解析10、填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.本题答案：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合本题解析：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合11、问答题洁净区工作人员应注意些什么？本题答案：保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来本题解析：保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝，禁止用手表，首饰，指甲油，吸烟，化妆，工作只能在洁净面上进行。
12、单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。
A.准备工具B.准备模塑料C.模塑料预热本题答案：C本题解析：暂无解析13、问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？本题答案：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率，低本题解析：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率，低欧姆接触电阻；3、在半导体和金属之间有很好的附着能力；4、抗电迁能力强；5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；6、抗侵蚀和抗氧化性好。
7、具有高的导电率和纯度。
8、与下层存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。
9、与半导体材料连接时接触电阻低。
10、能够淀积出均匀而且没有空洞的薄膜，易于填充通孔。
11、易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形。
12、很好的耐腐蚀性。
13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性。
14、单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。
A.80％～90％B.10％～20％C.40％-50％本题答案：A本题解析：暂无解析15、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
本题答案：对本题解析：暂无解析16、单项选择题溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.电子B.中性粒子C.带能离子本题答案：C本题解析：暂无解析17、填空题延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
本题答案：化学气相；液相；分子束本题解析：化学气相；液相；分子束18、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A.高斯B.余误差C.指数本题答案：B本题解析：暂无解析19、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。
A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形本题答案：B本题解析：暂无解析20、填空题最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。
本题答案：电阻；电子束；溅射本题解析：电阻；电子束；溅射21、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属本题答案：B本题解析：暂无解析22、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。
A.小于0.1mmB.0.5～2.0mmC.大于2.0mm本题答案：B本题解析：暂无解析23、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量B.设计C.光刻本题答案：A本题解析：暂无解析24、填空题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
本题答案：硫酸本题解析：硫酸25、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂本题答案：B本题解析：暂无解析26、单项选择题双极晶体管的高频参数是（）。
A.hFEVcesB.BVceC.ftfm本题答案：C本题解析：暂无解析27、填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
本题答案：氧化；气相本题解析：氧化；气相28、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。
本题答案：导电胶粘接；银浆烧结本题解析：导电胶粘接；银浆烧结29、填空题如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。
本题答案：不合格本题解析：不合格30、问答题粘封工艺中，常用的材料有哪几类？本题答案：常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类本题解析：常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
31、填空题厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。
本题答案：氧化铍陶瓷本题解析：氧化铍陶瓷32、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
本题答案：剪切强度本题解析：剪切强度33、问答题引线焊接有哪些质量要求？本题答案：可靠性好，易保持一定形状，化学稳定性好。
尽量少形成金属本题解析：可靠性好，易保持一定形状，化学稳定性好。
尽量少形成金属间化合物，键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触。
平整度倾斜度，平行度焊接时间焊接界面的清润。
34、填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
本题答案：替位；间隙本题解析：替位；间隙35、单项选择题厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。
A.降低B.升高C.保持不变本题答案：A本题解析：暂无解析36、单项选择题禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
A.越不容易受B.越容易受C.基本不受本题答案：A本题解析：暂无解析37、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
本题答案：完整；成品；可靠性本题解析：完整；成品；可靠性38、问答题简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？本题答案：外延要求：1.集电极击穿电压要求2.集电本题解析：外延要求：1.集电极击穿电压要求2.集电极串联电阻要小.3.高频大功率小型化.刻蚀要求：1.图形转换的保真度高2.选择比高.3.刻蚀速率高.4.刻蚀剖面.5.刻蚀偏差.6.刻蚀因子大.7.均匀性.39、填空题外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。
本题答案：可靠性本题解析：可靠性40、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A.掩膜版B.扩散C.光刻本题答案：C本题解析：暂无解析41、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
本题答案：不够；质量差本题解析：不够；质量差42、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
本题答案：含有硅的化合物本题解析：含有硅的化合物43、问答题单晶片切割的质量要求有哪些？本题答案：晶向偏离度总厚度误差，平衡度，翘曲度等本题解析：晶向偏离度总厚度误差，平衡度，翘曲度等44、问答题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？本题答案：常压化学气相淀积（APCVD.，低压化学气本题解析：常压化学气相淀积（APCVD.，低压化学气相淀积（LPCVD.，等离子体辅助CVD。
45、单项选择题平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。
焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（）。
压力太大，电阻值下降，对形成焊点不利，焊轮压力太小，则造成接触不良，不但形不成良好点。
A.电流值B.电阻值C.电压值本题答案：B本题解析：暂无解析46、单项选择题反应离子腐蚀是（）。