内存型号说明
看如何识别电脑内存条型号
看如何识别电脑内存条型号电脑内存条是计算机中非常重要的组件之一，它对于计算机的运行速度和性能起着至关重要的作用。
然而，对于一些非专业人士来说，识别电脑内存条的型号可能并不容易。
本文将介绍一些简单的方法和技巧，帮助大家快速准确地识别电脑内存条的型号。
一、通过物理检查识别型号通过物理检查来识别电脑内存条的型号是最常见也是最直接的方法之一。
下面将介绍几种常见的物理检查方法：1. 查看标签大多数内存条上都会有一个标签，上面会标明内存品牌、型号和容量等信息。
通常情况下，这些信息都可以帮助识别内存条的型号。
用户只需打开电脑机箱，仔细观察内存条上的标签，就能够找到所需的信息。
2. 查看序列号有些内存条上可能没有明确的型号标签，但会有一个唯一的序列号。
用户可以通过将序列号输入到内存厂商的官方网站上，来获取该内存条的型号等详细信息。
3. 查看物理外观不同型号的内存条往往在外观上有所不同。
例如，DDR2和DDR3内存条的物理外观就有显著的区别。
通过比对内存条的外观和参考资料，用户也可以初步获得内存条的型号信息。
二、通过软件识别型号除了通过物理检查来识别内存条型号外，还可以通过一些软件工具来获取内存条的相关信息。
下面将介绍两种常用的软件工具。
1. CPU-ZCPU-Z是一款免费的软件工具，可以提供详细的硬件信息，包括内存条的品牌、型号、频率和容量等。
用户只需下载并安装CPU-Z，然后打开该软件，选择“Memory”选项卡，就可以查看到内存条的详细信息。
2. HWiNFOHWiNFO是一款功能强大的硬件信息检测工具，可以提供详细的硬件报告。
用户只需要将软件下载并安装后，打开软件，选择“Memory”选项，即可查看到内存条的型号、频率等详细信息。
三、通过官方网站查询型号信息如果上述方法都不能准确识别内存条的型号，用户也可以通过内存厂商的官方网站来查询相关信息。
大多数内存厂商都会在其官方网站上提供产品型号、规格和用户手册等详细信息。
如何看懂内存条上的型号
个人收集整理-ZQ
参数内存条都是以（厂家名）（容量）（容量系数）（类型）（速度）地形式来表示地.中间可能夹着电压（）特殊标识在里面.
要知道它是什麽内存，只要从“”标记往前数，第一个数字就是内存类型标识，是普通，单数是，双数是.
以？？？？为例.? ?就是厂家；容量（是，不是）；表示地内存；是跟容量相关地系数.表示这块小芯片地位数是，所以位总线地机至少要用片这样地小芯片才能构成可用地内存条.这时候这条由片小芯片构成地内存条容量是*（也就是我们所说地一条地内存）.如果内存条上有片这样地小芯片，就是一条地内存条.另一方面，如果内存条上只有片这样地小芯片，就必须两条内存条同时使用才能满足总线宽度.*片*两条（总线宽度）.而总线地，只要有两片这样地小芯片就可以构成完整可用地内存组了.这时候地容量是*.是厂家地内部标识，没有固定地判别方法.是双数，所以这是一条.
再举一个实例：我地一条内存上印着.
是指由韩国现代生产；
是表示工作电压；
表示容量是；
表示小芯片是*；
表示是；
表示速度为；
和都是厂家地内部标识，通常包括内存地封装方式、内存刷新时块地大小等等.
据此，大家可以算出：如果条上只有片这样地小芯片，就只有*宽度，上可以单用一条，容量是*；而上必须用两条，容量是*；如果条上有片这样地小芯片，就是一条可以在上单用地条.
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如何看内存条型号(容量)
金士顿1.KVR代表kingston value RAM2.外频速度单位：兆赫3.一般为X4.64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是效劳器内存6.一般为C C3：CAS=3；C2.5：CAS=2.5；C2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验CAS=2.5256M内存HY〔现代HYNIX〕现代是韩国著名的内存消费厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规那么：HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白那么是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白那么为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC〔TSOP〕11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS〔CL2&3〕，10S：10NS，〔PC100，CL3〕，10：10NS，12：12NS，15：15NSLGS(LG Semicon)LGS的内存编码规那么：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白那么是普通，L是低功10、封装形式：一般为T〔TSOP〕11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS〔CL2〕，7J〔10NS，CL2&3〕，10K〔10NS[一说15NS]，PC66〕，12〔12NS，83HZ〕，15〔15NS，66HZ〕SEC〔三星SAMSUNG〕做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规那么：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装形式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS〔CL2&3〕，L：10NS〔CL3〕，10：10NS.Micron〔美光〕以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规那么.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M〔地址〕×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB〔兆字节〕.Winbond〔华邦〕含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond消费2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel〔台湾茂矽〕台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5nsNANY A〔南亚〕、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S〞表示是SDRAM 显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量进步三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热途径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3〔有些能上CL=2〕的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：局部是-8的〔例如编号KSV884T4A0-08〕，局部是-7的〔例如编号KSV884T4A0-07〕.Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝〞五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133效劳器系统，合适双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族〔6=SDRAM〕；16M8是设备号码〔深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB〕；4表示版本；TG是封装代码〔DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP 〔第二代〕，U=μBGA〕；-7是存取时间〔7=7ns〔143MHz〕〕；AMIR是内部标识号.MT〔MICRON美凯龙〕美凯龙是美国著名的计算机消费商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品出名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2那么代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装形式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS〔其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322，222，222，所以D和E较好〕，10：10NS10、如有L那么为低功耗，空白那么为普通.HITACHI〔日立HITACHI〕日立是日本的著名的微电子消费厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51那么为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白那么为普通8、TT为TSOP封装形式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS〔CL2&3〕，B60：10NS〔CL3〕SIEMENS〔西门子〕西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一〔另一是PHILIPS〕.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS〔CL2〕，8B：10NS〔CL3〕，10：10NS FUJITSU〔富士通FUJITSU〕富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供给OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS〔CL2&3〕，103：10NS〔CL3〕，100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA〔东芝〕东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装形式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS〔CL3〕MITSUBISHI〔三菱〕三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化开展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供给商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS〔CL2&3〕，8：10NS〔CL3〕，10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。
从内存条芯片编号看内存条的大小
从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)转载▼标签：刷新速度tsop封装字段ddr266台湾itSDRAM 内存芯片的新编号HY XX X XX XX X X XX X X X-XX XA B C D E F G H I J K L MA字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。
V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。
16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。
4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。
1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。
0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。
空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。
空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。
快速认识内存型号教案
快速认识内存型号教案教案标题：快速认识内存型号教学目标：1. 学生能够理解内存的基本概念和作用。
2. 学生能够区分和识别不同类型的内存。
3. 学生能够了解内存型号的命名规则和特点。
4. 学生能够应用所学知识，选择适合的内存型号。
教学重点：1. 内存的基本概念和作用。
2. 不同类型的内存。
3. 内存型号的命名规则和特点。
教学准备：1. 讲义和PPT。
2. 内存模型的实物或图片。
3. 案例分析和练习题。
教学过程：引入：1. 创设情境，引起学生对内存的兴趣。
例如，展示一个计算机启动时内存的快速读取过程的视频。
2. 提出问题，激发学生思考。
例如，你知道计算机的内存有哪些不同的类型吗？探究：1. 介绍内存的基本概念和作用。
解释内存是计算机用来存储数据和指令的地方，类比人的大脑存储信息的功能。
2. 分类内存的不同类型，例如RAM（随机访问存储器）和ROM（只读存储器）。
3. 分析不同类型内存的特点和用途。
例如，RAM适合临时存储数据，而ROM用于存储固定的程序和数据。
4. 介绍内存型号的命名规则和特点。
解释内存型号通常由字母和数字组成，数字表示容量和速度，字母表示代表品牌或制造商。
实践：1. 分发案例分析和练习题，让学生运用所学知识，识别和选择适合的内存型号。
2. 引导学生观察内存模型的实物或图片，让他们尝试识别出型号和容量。
3. 组织小组讨论，让学生分享自己对内存型号的理解和应用。
总结：1. 总结内存的基本概念和作用。
2. 强调内存型号的命名规则和特点。
3. 激发学生对内存的进一步学习兴趣。
拓展：1. 鼓励学生自主学习更多关于内存型号的知识，包括新型号的出现和发展趋势。
2. 提供相关网站和资源，供学生进一步研究和了解。
评估：1. 通过案例分析和练习题，检查学生对内存型号的识别和选择能力。
2. 观察小组讨论和学生的参与程度，评估他们对内存概念和特点的理解程度。
教学反思：1. 检查学生在引入环节的兴趣引起程度，是否能够激发学生的学习兴趣。
+帮我查下这是什么型号的内存。HY5DU56822BT
~电压~ddr1 是2.5 ddr2是1.8 ddr3是1.6***************现代：HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14整个DDRSDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR4003-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDRSDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
G.SKILL DDR3内存型号参考清单说明书
G.SKILL F3-3000C12Q-16GTXDG16GB (4 x 4GB )SS--- 1.65V●●●G.SKILL F3-2933C12D-8GTXDG8GB (2 x 4GB )SS--12-14-14-35 1.65V●●G.SKILL F3-2933C12Q-16GTXDG16GB (4 x 4GB )SS--12-14-14-35 1.65V●●●G.SKILL F3-2800C11Q-16GTXD(XMP)16GB(4GBx4)DS--11-13-13-35 1.65V●●CORSAIR CMD16GX3M4A2666C11 (XMP)4GB DS--11-13-13-35 1.65V●●●G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD(XMP)16GB(4GBx4)DS--11-13-13-35 1.65V●●●Team TXD34G2666HC11CBK8GB ( 2x 4GB )SS--11-13-13-35 1.65V●●●Team TXD38G2666HC11CBK16GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●G.SKILL F3-2600CL10Q-16GBZMD(XMP)16GB(4x 4GB)DS--10-12-12-31 1.65V●●G.SKILL F3-2600CL11Q-32GBZHD(XMP)32GB(8GBX4)DS--11-13-13-35 1.65V●●ADATA AX3U2600GW8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●CORSAIR CMGTX8(XMP)8GB (2GBx 4)SS--10-12-10-27 1.65V●●G.SKILL F3-2400C10D-8GTX(XMP)8GB(2x 4GB)SS--10-12-12-31 1.65V●●●G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--11-11-11-31 1.65V●●G.SKILL F3-19200CL 10Q-32GBZHD(XMP)8GB DS--10-12-12-31 1.65V●●●KINGMAX FLLE88F-C8KKAA HAIS(XMP)2GB SS--10-11-10-30 1.8V●●●KINGSTON KHX24C11T2K2/8X(XMP)4GB DS--- 1.65V●●●ADATA AX3U2400GW8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●ADATA AX3U2400G4G10-DG2(XMP)4GB DS--10-12-12-31 1.65V●●Team TXD38G2400HC10QBK8GB DS--10-12-12-31 1.65V●●●KINGSTON KHX2250C9D3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●●GEIL GET34GB2200C9DC(XMP)2GB DS--9-10-9-28 1.65V●●GEIL GET38GB2200C9ADC(XMP)4GB DS--9-11-9-28 1.65V●●KINGMAX FLKE85F-B8KJAA-FEIS(XMP)2GB DS--- 1.5V●●CORSAIR CMT16GX3M4X2133C9(XMP 1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-11-10-27 1.50V●●●CORSAIR CMT4GX3M2A2133C9(XMP)4GB(2x 2GB)DS--9-10-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMT4GX3M2B2133C9(XMP)4GB(2x 2GB)DS--9-10-9-27 1.50V●CORSAIR CMT8GX3M2B2133C9(XMP)8GB ( 4GB x 2)DS--9-11-9-27 1.50V●●●G.SKILL F3-17000CL9Q-16GBZH(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-11-10-28 1.65V●●●G.SKILL F3-17000CL11Q2-64GBZLD(XMP)8GB DS--11-11-11-31 1.5V●●●G.SKILL F3-2133C11Q-32GZL(XMP)8GB DS--11-11-11-31 1.5V●●●GEIL GE34GB2133C9DC(XMP)2GB DS--9-9-9-28 1.65V●●GEIL GU34GB2133C9DC(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-28 1.65V●●KINGSTON KHX2133C11D3K4/16GX(XMP)16GB ( 4GB x4 )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX2133C11D3T1K2/16GX(XMP)16GB(8GB x 2)DS--- 1.6V●●●KINGSTON KHX21C11T1BK2/16X(XMP)16GB(8GBx2)DS--- 1.6V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3X2K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-11-9-27 1.65V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3T1K4/8GX(XMP)8GB(4 x 2GB)DS--9-11-9-27 1.65V●KINGSTON KHX21C11T1BK2/8X(XMP)8GB(4GBx2)DS--- 1.6V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3T1FK4/8GX(XMP)8GB(4x 2GB)DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX21C11T3K4/32X8GB DS--- 1.65V●●●ADATA AX3U2133XW8G1016GB ( 2x 8GB )DS--10-11-11-30 1.65V●●●ADATA AX3U2133XC4G10-2X(XMP)4GB DS--10-11-11-30 1.65V●●●ADATA AX3U2133XW8G10-2X(XMP)8GB DS--10-11-11-30 1.65V●●●Team TXD34096M2133HC11-L4GB SS--- 1.5V●●●Team TLD38G2133HC11ABK8GB DS--11-11-11-31 1.65V●●●Apacer78.AAGD5.9KD(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●●CORSAIR CMZ4GX3M2A2000C10(XMP)4GB(2 x 2GB)SS--10-10-10-27 1.50V●●●CORSAIR CMT6GX3M3A2000C8(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--8-9-8-24 1.65V●●●G.SKILL F3-16000CL9D-4GBFLS(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●G.SKILL F3-16000CL9D-4GBTD(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●G.SKILL F3-16000CL6T-6GBPIS(XMP)6GB (3x 2GB )DS--6-9-6-24 1.65V●●●GEIL GUP34GB2000C9DC(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-28 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3W1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3W1K3/6GX(XMP)6GB ( 3x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3T1K3/6GX(XMP)6GB (3x 2GB )DS--- 1.65V●●CORSAIR CMT4GX3M2A1866C9(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMT6GX3MA1866C9(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●CORSAIR CMZ8GX3M2A1866C9(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--9-10-9-27 1.50V●●●CRUCIAL BLE4G3D1869DE1TXO.16FMD(XMP)4GB DS--9-9-9-27 1.5V●●●CRUCIAL BLT4G3D1869DT1TX0.13FKD(XMP)4GB DS--9-9-9-27 1.5V●●●CRUCIAL BLT4G3D1869DT2TXOB.16FMR(XMP)4GB DS--9-9-9-27 1.5V●●G.SKILL F3-14900CL9Q-16GBZL(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-10-9-28 1.5V●●●G.SKILL F3-14900CL10Q2-64GBZLD(XMP1.3)64GB ( 8GBx 8 )DS--10-11-10-30 1.5V●●●G.SKILL F3-14900CL9D-8GBXL(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--9-10-9-28 1.5V●●G.SKILL F3-14900CL9Q-8GBXL(XMP)8GB(2GBx4)DS--9-9-9-24 1.6V●●●KINGSTON KHX1866C9D3K4/16GX(XMP)16GB ( 4GB x4 )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX1866C11D3P1K2/8G8GB ( 4GB x 2)DS--- 1.5V●●●KINGSTON KHX1866C9D3K2/8GX(XMP)8GB(4GBX2)DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX18C10T3K4/32X8GB DS--- 1.5V●●●ADATA AX3U1866XW8G1016GB ( 2x 8GB )DS--10-11-10-30 1.5V●●●Team TLD38G1866HC10SBK8GB DS--10-11-10-30 1.5V●●●APACER4GB UNB PC3-12800 CL114GB SS APACER AM5D6008BQQSCK--●●●Apacer78.B1GE3.9L10C4GB DS Apacer KZZC AM5D5908DEQSCK--●●●APACER8GB UNB PC3-12800 CL118GB DS APACER AM5D6008BQQSCK--●●●CORSAIR CMD12GX3M6A1600C8(XMP)12GB(6x2GB)DS--8-8-8-24 1.65V●●●CORSAIR CMZ32GX3M4X1600C10(XMP)32GB(8GBx4)DS--10-10-10-27 1.50V●●●CORSAIR CMP4GX3M2A1600C8(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8-8-8-24 1.65V●●●CORSAIR CMP4GX3M2A1600C9(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMP4GX3M2C1600C7(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--7-8-7-20 1.65V●●●CORSAIR CMX4GX3M2A1600C9(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR TR3X6G1600C8 G(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--8-8-8-24 1.65V●●●CORSAIR TR3X6G1600C8D G(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--8-8-8-24 1.65V●●●CORSAIR TR3X6G1600C9 G(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMP8GX3M2A1600C9(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMZ8GX3M2A1600C7R(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--7-8-7-20 1.50V●●CORSAIR CMX8GX3M4A1600C9(XMP)8GB(4 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMZ8GX3M1A1600C10(XMP)8GB DS--10-10-10-27 1.50V●●●Crucial BL25664BN1608.16FF(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--- 1.65V●●●G.SKILL F3-12800CL7D-4GBRH(XMP)4GB(2 x 2GB)SS--7-7-7-24 1.6V●●●G.SKILL F3-12800CL7D-4GBRM(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--7-8-7-24 1.6V●●●G.SKILL F3-12800CL8D-4GBRM(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8-8-8-24 1.60V●●G.SKILL F3-12800CL9D-4GBECO(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24XMP 1.35V●●G.SKILL F3-12800CL9D-4GBRL(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.5V●●●G.SKILL F3-12800CL7D-8GBRH(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--7-8-7-24 1.6V●●●G.SKILL F3-12800CL8D-8GBECO(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--8-8-8-24XMP 1.35V●●●G.SKILL F3-12800CL9D-8GBRL(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--9-9-9-24 1.5V●●●G.SKILL F3-12800CL10S-8GBXL(XMP)8GB DS--10-10-10-30-●●●GEIL GET316GB1600C9QC(XMP)16GB ( 4x 4GB )DS--9-9-9-28 1.6V●●●HYNIX HMT351U6CFR8C-PB4GB DS HYNIX H5TQ2G83CFR PBC--●●●KINGMAX FLGE85F-B8KJ9A FEIS(XMP)2GB DS--- 1.5V●●●KINGMAX FLGE85F-B8MF7 MEEH(XMP)2GB DS--7 1.8V/1.9V●KINGSTON KHX1600C9D3P1K2/4G4GB(2 x 2GB)SS--- 1.5V●●●KINGSTON KHX1600C9D3K3/12GX(XMP)12GB(3x4GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C9D3T1BK3/12GX(XMP)12GB(3x4GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●KINGSTON KHX1600C9D3K4/16GX(XMP)16GB ( 4GB x4 )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX16C9K2/1616GB(8GBx2)DS--- 1.5V●●KINGSTON KHX1600C9AD3/2G2GB DS--- 1.65V●●●KINGSTON KVR1600D3N11/2G-ES2GB DS KTC D1288JPNDPLD9U11-11-11-28 1.35V-1.5V●●●KINGSTON KHX1600C7D3K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C8D3K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C8D3T1K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C9D3K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C9D3LK2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9XMP 1.35V●●●KINGSTON KHX1600C9D3X2K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●●KINGSTON KVR16N11/4(矮版）4GB DS KINGSTON D2568GEROPGGBU- 1.5V●●●KINGSTON KHX1600C9D3T1K3/6GX(XMP)6GB ( 3x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX1600C9D3K3/6GX(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9 1.65V●●KINGSTON KHX1600C9D3T1BK3/6GX(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●●KINGSTON KHX1600C9D3K2/8GX(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX1600C9D3P1K2/8G8GB(2 x 4GB)DS--- 1.5V●●●KINGSTON KHX16C10B1K2/16X(XMP)8GB DS--- 1.5V●●●KINGSTON KHX16C9P1K2/16(XMP)8GB DS--- 1.5V●●●PSC AL9F8L93B-GN2E4GB SS PSC XHP284C3G-M--●●●PSC ALAF8L93B-GN2E8GB DS PSC XHR425C3G-M--●●●Transcend8G DDR3 1600 DIMM CL118GB DS SEC 222 HYKO6MD9639W--●●●Transcend8G DDR3 1600 DIMM CL118GB DS Transcend E223X8BO648S--●●●ADATA AD3U1600C2G11-B2GB SS-N/A--●●●ADATA AD3U1600W4G11-B4GB SS ADATA F209X8BR6413--●●●ADATA AX3U1600GW8G916GB ( 2x 8GB )DS--9-9-9-24 1.5V●●●ADATA AX3U1600W8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-11-11-28 1.5V●●●ADATA AXDU1600GW8G9B16GB ( 2x 8GB )DS--11-11-11-28 1.5V●●●ADATA AD3U1600C4G11-B4GB DS-N/A--●●●ADATA AD3U1600W8G11-B8GB DS ADATA F211X8B0640A--●●SanMax SMD-4G68HP-16KZ4GB DS HYNIX H5TQ2G83BFR PBC--●●●TEAM TED34G1600HC11BK4GB DS--11-11-11-28-●●●TEAM TLD34G1600HC9BK(XMP)4GB DS--9-9-24 1.5V●●●Team TED38G1600HC11BK8GB DS--11-11-11-28-●●●A-DATA AD3U1333C2G92GB SS A-DATA3CCD-1509HNA1126L--●●●A-DATA AX3U1333C2G9-BP2GB SS----●●●A-DATA AD31333G002GMU2GB DS--8-8-8-24 1.65-1.85V●●Apacer78.A1GC6.9L12GB DS Apacer AM5D5808DEWSBG--●●●Apacer78.A1GC6.9L12GB DS Apacer AM5D5808FEQSBG9-●●●Apacer AU02GFA33C9NBGC2GB DS Apacer AM5D5808APQSBG--●●●Apacer78.B1GDE.9L10C4GB DS Apacer AM5D5908CEHSBG--●●●CORSAIR TR3X6G1333C9 G6GB(3x 2GB)SS--9-9-9-24 1.50V●●●CORSAIR CMD24GX3M6A1333C9(XMP)24GB(6x4GB)DS--9-9-9-24 1.60V●●CORSAIR TW3X4G1333C9D G4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.50V●●●CORSAIR CM3X4GA1333C9N24GB DS CORSAIR256MBDCJGELC04011369-9-9-24-●●●CORSAIR CMX4GX3M1A1333C94GB DS--9-9-9-24 1.50V●●●CORSAIR CMD8GX3M4A1333C78GB(4 x 2GB)DS--7-7-7-20 1.60V●●●Crucial CT25664BA1339.16FF2GB DS Micron9KF27D9KPT9-●●●Crucial BL25664BN1337.16FF (XMP)6GB(3 x 2GB)DS--7-7-7-24 1.65V●●●ELPIDA EBJ21UE8EDF0-DJ-F2GB DS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F- 1.35V(low voltage)●●●G.SKILL F3-10666CL8D-4GBECO(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8-8-8-8-24XMP 1.35V●●●G.SKILL F3-10666CL7T-6GBPK(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--7-7-7-18 1.5~1.6V●G.SKILL F3-10666CL7D-8GBRH(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--7-7-7-21 1.5V●●●GEIL GG34GB1333C9DC4GB(2 x 2GB)DS GEIL GL1L128M88BA12N9-9-9-24 1.3V(low voltage)●●●GEIL GV34GB1333C9DC4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.5V●●●GEIL GVP34GB1333C7DC4GB(2 x 2GB)DS--7-7-7-24 1.5V●●●Hynix HMT325U6BFR8C-H92GB SS Hynix H5TQ2G83BFRH9C--●●●Hynix HMT125U6TFR8A-H92GB DS Hynix H5TC1G83TFRH9A- 1.35V(low voltage)●●●Hynix HMT351U6BFR8C-H94GB DS Hynix H5TQ2G83BFRH9C--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KF9 CAES2GB SS KINGMAX KFC8FMFXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KL9 NAES2GB SS KINGMAX KFC8FNLXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KM9 NAES2GB SS KINGMAX KFC8FNMXF-BXX-15A--●●KINGMAX FLFE85F-B8KL9 NEES2GB DS KINGMAX KKB8FNWBFGNX-26A--●●●KINGMAX FLFF65F-C8KL9 NEES4GB DS KINGMAX KFC8FNLXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFF65F-C8KM9 NEES4GB DS KINGMAX KFC8FNMXF-BXX-15A--●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G(矮版)2GB SS Hynix H5TQ2G83AFRH9C9-●●●KINGSTON KVR1333D3S8N9/2G2GB SS Micron IID77 D9LGK- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3S8N9/2G-SP(矮版)2GB SS ELPIDA J2108BCSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G(矮版)2GB DS ELPIDA J1108BFBG-DJ-F9 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G-SP(矮版)2GB DS KTC D1288JEMFNGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G-SP(矮版)2GB DS KINGSTON D1288JPSFPGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KHX1333C7D3K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--7 1.65V●●●KINGSTON KHX1333C9D3UK2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9XMP 1.25V●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G(矮版)4GB DS ELPIDA J2108BCSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G4GB DS KTC D2568JENCNGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G4GB DS Hynix H5TQ2G83AFR--●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G-SP(矮版)4GB DS KINGSTON D2568JENCPGD9U- 1.5V●●●Micron MT8JTF25664AZ-1G4D12GB SS Micron OJD12D9LGK--●●●Micron MT8JTF25664AZ-1G4M12GB SS MICRON IJM22 D9PFJ--●●●Micron MT16JTF51264AZ-1G4D14GB DS Micron OLD22D9LGK--●●●NANYA NT4GC64B8HG0NF-CG4GB DS NANYA NT5CB256M8GN-CG--●●●PSC AL8F8G73F-DJ22GB DS PSC A3P1GF3FGF--●●●SAMSUNG M378B5773DH0-CH92GB SS SAMSUNG K4B2G0846D--●●●SAMSUNG M378B5673FH0-CH92GB DS SAMSUNG K4B1G0846F--●●●SAMSUNG M378B5273CH0-CH94GB DS SAMSUNG K4B2G0846C--●●●SAMSUNG M378B1G73AH0-CH98GB DS SAMSUNG K4B4G0846A-HCH9--●●Super Talent W1333UB2GS2GB DS SAMSUNG K4B1G0846F9-●●●Super Talent W1333UB4GS4GB DS SAMSUNG K4B2G0846C--●●●Super Talent W1333UX6GM6GB(3x 2GB)DS Micron0BF27D9KPT9-9-9-24 1.5V●●●Transcend JM1333KLN-2G2GB SS HYNIX H5TQ2G83BZRH9C--●●●Transcend8G DDR3 1333 DIMM CL98GB DS Transcend E207X8BO643Y--●●Transcend8G DDR3 1333 DIMM CL98GB DS-N/A--●●●KINGSTEK KSTD3PC-106002GB SS MICRON PE911-125E--●●●TEAM TED34G1333HC9BK4GB DS--9-9-9-24-●●TEAM TED38G1333HC9BK8GB DS--9-9-9-24-●●●Crucial CT25664BA1067.16FF2GB DS Micron9HF22D9KPT7-●●●ELPIDA EBJ21UE8EDF0-AE-F2GB DS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F- 1.35V(low voltage)●●●KINGSTON KVR1066D3N7/2G2GB DS ELPIDA J1108BFSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1066D3N7/4G4GB DS Hynix H5TQ2G83AFR7 1.5V●●●4 DIMM Slots• 1 DIMM: Supports one module inserted in any slot as Single-channel memory configuration• 2 DIMM: Supports one pair of modules inserted into eithor the yellow slots or the dark brown slots as one pair of Dual-channel memory configuration• 4 DIMM: Supports 4 modules inserted into both the yellow and dark brown slots as two pairs of Dual-channel memory configuration-When installing total memory of 4GB capacity or more, Windows 32-bit operation system may only recognize less than 3GB. Hence, a total installed memory of less than 3GB is recommended.-It is recommended to install the memory modules from the yellow slots for better overclocking capability.-The default DIMM frequency depends on its Serial Presence Detect (SPD), which is the standard way of accessing information from a memory module.Under the default state, some memory modules for overclocking may operate at a lower frequency than the vendor-marked value.。
内存知识--颗粒编号
内存知识内存颗粒编号,内存知识具体含义解释：例：samsungk4h280838b-tcb0 主要含义：第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a 代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
内存芯片型号
内存芯片型号内存芯片是一种常见的集成电路芯片，用于存储和处理计算机数据。
在计算机系统中，内存芯片承担着临时存储和快速数据访问的功能，是计算机运行和数据传输的重要组成部分。
下面是一些常见的内存芯片型号的详细介绍：1. DDR3：DDR3是一种双数据速率3的SDRAM（同步动态随机存取存储器），在2007年首次推出。
DDR3内存芯片具有高带宽和低功耗的优点，广泛应用于个人电脑、工作站和服务器等计算设备。
2. DDR4：DDR4是DDR3的后继产品，在2014年发布。
DDR4内存芯片相比于DDR3芯片在带宽和能效方面有所提升，能够提供更快的数据传输速度和更低的功耗，适用于高性能计算和数据中心等领域。
3. LPDDR4：LPDDR4（低功耗高速动态随机存取存储器4）是一种专门用于移动设备的内存芯片。
相比于DDR4，LPDDR4芯片功耗更低，且具有更高的数据传输速度和更高的带宽，适合于手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备。
4. XDR：XDR（eXtreme Data Rate）内存芯片是由Rambus公司开发的一种高端内存技术。
XDR芯片在带宽和时钟速度上相比于其他内存技术有很大提升，适用于高性能计算和高要求多媒体应用等领域。
5. HBM：HBM（高带宽内存）是一种先进的堆叠式内存技术，提供了优异的带宽和能效。
HBM芯片具有多个独立的内存层次，可以实现大容量的数据存储和高速数据传输，广泛应用于显卡、服务器和人工智能等领域。
6. SLC NAND：SLC NAND（单层单元闪存）是一种高性能、高可靠性的闪存存储技术。
SLC NAND芯片以单层存储单元来存储数据，速度快、寿命长，适用于需要高速读写和长时间数据保持的应用，如车载导航、工业控制等。
总结起来，以上是一些常见的内存芯片型号。
每种型号的内存芯片都有其特定的优点和应用领域，根据不同的需求和预算，选择适合的内存芯片可以提升计算机系统的性能和稳定性。
说如何识别电脑内存条型号
说如何识别电脑内存条型号在如何识别电脑内存条型号方面，有几种常见方法可以帮助我们快速准确地获取相关信息。
下面将介绍这些方法，并提供一些实用技巧来实现电脑内存条型号的识别。
记住，正确识别电脑内存条型号对于升级或更换内存条至关重要，因此掌握这些技巧将有助于您进行更好的决策。
一、通过物理检查识别内存条型号首先，您可以通过进行物理检查来获取内存条型号信息。
在电脑关机的情况下，按照以下步骤操作：1. 打开电脑机箱2. 定位并找到内存插槽3. 仔细观察内存插槽上的标签或编号，通常会有型号信息这种方法需要您拥有一定的计算机硬件知识和操作能力，并且需要对电脑进行部分拆卸。
请在操作时注意安全，并确保您了解如何正确使用工具。
二、通过系统信息工具识别内存条型号除了物理检查，您还可以通过操作系统提供的系统信息工具来获取内存条的类型、容量和型号等信息。
以下是一些常见操作系统的方法：1. Windows系统：a. 按下Windows键+R，打开“运行”对话框b. 输入“msinfo32”并按下回车键c. 在打开的“系统信息”窗口中，点击“硬件资源”文件夹下的“内存”选项d. 在右侧的窗口中，您将看到安装在计算机上的内存条信息，包括型号、容量等2. macOS系统：a. 点击上方菜单栏中的“苹果”图标b. 选择“关于本机”c. 在打开的窗口中，点击“系统报告”d. 在左侧的“硬件”栏目下，点击“内存”e. 右侧窗口会显示已安装内存的详细信息，包括型号、容量等通过系统信息工具可以轻松获取内存条的详细信息，适用于不熟悉硬件拆卸的用户。
三、使用第三方软件识别内存条型号除了系统自带的工具，还有许多第三方软件可以帮助您获取电脑内存条的详细信息。
以下是一些常用的软件：1. CPU-Z：这是一款免费的系统信息工具，可以提供有关计算机硬件的详细信息，包括内存模块的型号、容量和时序等参数。
2. Speccy：这是一款功能强大的硬件信息工具，可以提供关于计算机内存的详细信息，并以直观的方式显示。
如何看内存条型号(容量)
金士顿KVR *** X ** （s）C* /***1 2外频3 4 5 6延迟时间7 8容量1.KVR代表kingston value RAM2.外频速度单位：兆赫3.一般为X4. 64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存6. 一般为C C3：CAS=3；C2.5：CAS=2.5；C2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验CAS=2.5256M内存HY（现代HYNIX）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC（TSOP）11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12：12NS，15：15NSLGS(LG Semicon)LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白则是普通，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）SEC（三星SAMSUNG）做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规则：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装模式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.Winbond（华邦）含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond生产2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel（台湾茂矽）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5nsNANY A（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM 显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）.Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP （第二代），U=μBGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号.以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.MT（MICRON美凯龙）美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装模式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322，222，222，所以D和E较好），10：10NS10、如有L则为低功耗，空白则为普通.HITACHI（日立HITACHI）日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51则为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白则为普通8、TT为TSOP封装模式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）SIEMENS（西门子）西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS FUJITSU（富士通FUJITSU）富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA（东芝）东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装模式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）MITSUBISHI（三菱）三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。
DDR2百度百科解析说明
DDR2 百度百科解析说明DDR2内存的频率目录DDR2了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。
也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。
举例来说，DDR 400和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。
实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
封装和发热量DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，属龙的和什么属相最配，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR 的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。
这也就是DDR 的核心频率很难突破275MHZ的原因。
而DDR2内存均采用FBGA封装形式。
不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
双通道内存的搭建需要INTEL芯片组的支持，内存的CAS延迟、容量需要相同。
不过，INTEL的弹性双通道的出现使双通道的形成条件更加宽松，不同容量的内存甚至都能组建双通道除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
内存芯片型号
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
内存条型号 各种内存是怎么定型号的 型号规则
4，DDR2 SDRAM金手指也是一个缺口，猛一看和DDR的差不多，这个要看内存的芯片，就是上面黑色的集成块，DDR的是长方形的，DDR2的为正方形。
理解了这些分类，你可以上网查下自己的主板型号。
而且：接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。
因为内存是插在主板的插槽上，所以内存的构造要能适应主板，就是能插进去的意思。
最常见的可以分4类
1，RDRAM 这个内存上面都带有散热片，也就是铝片。一般都是三星的。这种内存上有2个缺口，缺口之间的距离很近！
2，SDRAM，一般810或815的主板这种内存较多，也是有两个缺口，缺口之间的距离大些！
内存条编号意义--怎么看内存条型号大小
内存条编号意义--怎么看内存条型号大小A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。
B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。
第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。
如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。
C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。
由1-3位字母和数字共同组成。
其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。
其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B （133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。
D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。
具体详细内容如图二所示。
D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。
“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。
第3部分代表工作电压，由一个字母组成。
其中含义为V代表VDD=3.3V &VDDQ=2.5V；U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。
第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。
电脑硬件升级如何选择适合自己的内存条
电脑硬件升级如何选择适合自己的内存条电脑硬件的升级是提升电脑性能和使用体验的一种有效方式。
其中，内存条的选择对于电脑的运行速度和稳定性起着至关重要的作用。
本文将介绍如何选择适合自己的内存条，帮助读者更好地进行电脑硬件升级。
一、了解内存条的基本知识内存条是电脑用来存储数据的硬件组件，它作为临时存储器，能够快速读写数据以满足电脑运行需求。
了解内存条的基本知识，有助于我们在选择升级内存时做到心中有数。
1.1 容量内存条的容量通常以GB（Gigabyte）为单位，例如4GB、8GB、16GB等。
容量越大，电脑可以同时处理的任务和运行的程序就越多。
一般来说，8GB已经能满足大部分普通用户的需求，而对于专业设计师、游戏发烧友等高性能需求的用户来说，16GB或者更大的容量则更适合。
1.2 类型目前市面上常见的内存条类型有DDR3、DDR4等。
不同类型的内存条具有不同的升级兼容性，所以在选择时需要查看主板的说明书或者生产商网站，了解自己电脑主板所支持的内存条类型。
通常来说，DDR4内存条比DDR3内存条拥有更高的频率和更低的能耗，因此建议选择DDR4内存条进行升级。
1.3 频率内存条的频率指的是内存芯片读写数据的速度。
频率越高，内存条的性能就越好。
但需要注意的是，频率过高可能会超出主板的支持范围，导致内存条无法正常工作。
因此，在选择时需要结合主板的支持范围和自己的需求，选择适合的频率。
二、了解自己的需求在选择适合自己的内存条之前，我们需要了解自己的需求。
不同的用户有不同的使用场景和需求，从而对内存条的配置也会有所差异。
2.1 办公用户对于一般的办公用户来说，日常使用主要是进行文字处理、浏览网页和观看视频等，内存条的要求相对较低。
一般来说，8GB的内存已经足够满足这部分用户的需求。
2.2 游戏发烧友游戏发烧友对于电脑性能的要求较高，他们需要更大的内存容量，并且频率也要相对较高。
16GB甚至32GB的内存条会更适合他们，可以确保游戏的流畅运行和更好的体验。
如何看懂内存条上的型号
如何看懂内存条上的型号参数内存条都是以（厂家名）（容量）（容量系数）（类型）（速度）的形式来表示的。
中间可能夹着电压（5V）特殊标识在里面。
要知道它是什麽内存，只要从“-”标记往前数，第一个数字就是内存类型标识，0是普通FP，单数是EDO，双数是SDRAM。
以？？064v160j10-10？？为例。
? ?就是厂家；64=64Mbit容量（是bit，不是Byte）；v表示的内存；16是跟容量相关的系数。
表示这块小芯片的位数是16，所以64位总线的Pentium机至少要用4片这样的小芯片才能构成可用的SIMM内存条。
这时候这条由4片小芯片构成的SIMM 内存条容量是64bit*4/8=32MB（也就是我们所说的32M一条的内存）。
如果SIMM内存条上有16片这样的小芯片，就是128M一条的内存条。
另一方面，如果SIMM内存条上只有2片这样的小芯片，就必须两条SIMM内存条同时使用才能满足总线宽度。
16bit*2片*两条=64bit（总线宽度）。
而32bit总线的486，只要有两片这样的小芯片就可以构成完整可用的SIMM 内存组了。
这时候SIMM的容量是64bit*2/8=16MB。
0j是厂家的内部标识，没有固定的判别方法。
10是双数，所以这是一条SDRAM。
再举一个实例：我的一条内存上印着HY57V168010ATC-10。
HY是指由韩国现代生产；V是表示工作电压；16表示容量是16Mbit；8表示小芯片是16/8=2M*8bit；10表示是SDRAM；-10表示速度为10ns；57和ATC都是厂家的内部标识，通常包括内存的封装方式、内存刷新时块的大小等等。
据此，大家可以算出：如果SIMM条上只有4片这样的小芯片，就只有8bit*4=32bit宽度，486上可以单用一条，容量是16Mbit*4/8=8MB；而586上必须用两条，容量是16Mbit*8/8=16MB；如果SIMM条上有16片这样的小芯片，就是一条可以在586上单用的32M条。
内存条的几种大小型号识别
我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标，例如DDR266 DDR333之类的。
但是你知道吗，同样的内存根据他的品牌，出厂时间以及批号不同，它具有着不同的性能和稳定性，本文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同品牌但批号不同的内存的性能差异。
另外，本文还将重点涉及内存的制假和售假的方法。
将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的鉴别方法。
(什么是油条？这里不卖豆浆，下文中将相信向您讲授油条的做法)鉴于SDRAM已经走到了生命的尽头，即将完全脱出市场，RDRAM应用不广DDRII内存还未量产。
所以本文将只涉及市场主流的DDR内存。
我们先来说一下内存的基本知识，归纳成一句话就是：什么是内存？内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为RAM）。
RAM分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM（DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。
SRAM是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。
SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。
SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。
采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本贵许多，因此，SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。
而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。
由于SRAM的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。
DRAM的应用比SRAM要广泛多了。
DRAM的结构较SRAM要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积，DRAM都比SRAM具有优势。
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具体含义解释
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。
第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
三星的编号还有第16、17、18三位，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。
容量计算
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
容量备注
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
第11位——连线“-”。
第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。
6Winbond（华邦）
含义说明：
A字段由W组成，代表华邦（Winbond）内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。98代表表示内存芯片的容量。16代表16Mbit（2MB）32代表32Mbit（4MB）64代表64Mbit（8MB）12代表128Mbit（16MB）25代表256Mbit（32MB）。要计算内存条的总容量，只需将内存芯片的容量乘上内存芯片的数量即可。D字段表示内存结构。08代表＊816或G6代表＊1632或G2代表＊32。
E字段表示内存芯片的修正版本。A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版。
F字段表示内存芯片的封装方式。B代表60balls BGA、90balls BGA或144-Ball LF BGA封装D代表100-Pin LQFP封装H代表50-Pin 400mil TSOP、66-Pin 400mil TSOP或86-Pin 400mil TSOP封装。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，一般很少在普及型内存上使用，因为三星比较注重稳定性和兼容性，并不想更多的发烧友超频带来危险。
H字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。空白或L代表正常温度（0℃～70℃），I代表工业温度（-40℃～85℃）或扩大温度（-25℃～85℃）。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
3Infineon（亿恒）
亿恒简介
Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。
G字段表示内存芯片的速度标识。对于SDRAM而言：-5代表200MHz（CL=3）-6代表166MHz（CL=3）-7代表143MHz（CL=3）或PC133（CL=2）-75代表PC133（CL=3）-8H代表PC100（CL=2）。对于DDR SDRAM而言：-4代表250MHz（CL=3/4）-5代表DDR400（CL=2.5）-5H代表200MHz（CL=3）-55代表183MHz（CL=3）-6代表DDR333（CL=2.5）-7代表143MHz（CL=2.5）或DDR266（CL=2）-75代表DDR266（CL=2.5）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
4KINGMAX内存的说明
简介
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量标示
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。DDR2起步频率是400MHz，主流最高频率是800MHz，也有品牌出过1066MHz，其实在DDR2的应用层面上已经没有多大的用处了，因此这段的两个字符“CC”表示DDR2-400（200MHz@ CL=3、tRCD=3、tRP=3）、“D5”表示DDR2-533（266MHz@ CL=4、tRCD=4、tRP=4）、“E6”表示DDR2-667（333MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）、“E7”表示DDR2-800（400MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）