模电习题4
黄丽亚编模电 习题答案4
压相位差为 ____（A、45°，B、－45°，C、－135°，D、－225°） ；当电路
& um 、上限截止频率 f H 和下 中的 Rg 减小后，放大电路的中频电压放大倍数 A
限截止频率 f L 将分别____、____、____（A、增大，B、减小，C、基本不变） 。
+VDD (+12V) Rd 10kΩ Rg 1MΩ ui VGG C 0.1µF RL 20kΩ uo
4.3.20 4.3.21 4.3.22
1
10
10 2
10 3
10 4
10 5
10 6
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学院
姓名
班级
学号
4.4 习题
4.4.1 已知某放大器的幅频特性如题图所示。
（1）ui (t) = 0.1sin (2π×104t) (V)； （2）ui (t) = 10sin (2π×3×106t) (mV)； （3）ui (t) = 10sin (2π×400t) + 10sin (2π×106t) (mV)； （4）ui (t) = 10sin (2π×10t) + 10sin (2π×5×104t) (mV)； （5）ui (t) = 10sin (2π×103t) + 10sin (2π×107t) (mV)。 解 ： 解： （1）输入信号为单一频率正弦波，所以不存在频率失真问题。但由于输 入信号幅度较大（为 0.1V）,经 100 倍的放大后峰峰值为 0.1×2×100＝20V，
−100 &u = （式中 f 的单位为 Hz） A f f 1+ j 1+ j 6 100 10
则该放大电路的中频增益为________dB，中频段输出电压和输入电压相位差 为_______度，上限截止频率为_______Hz，下限截止频率为________Hz。 4.3.4 由两个频率特性相同的单级直接耦合放大电路组成的两级放大电路的 上限截止频率____，下限截止频率____。 A、变高， 的是____。 A、共射接法， B、共集接法， C、共基接法 4.3.6 已知题图（a）所示电路的幅频响应特性如题图（b）所示。影响 fL 大小 的因素是____，影响 fH 大小的因素是____。试选择正确答案，用 A、B 或 C 填空。 A、晶体管极间电容， B、晶体管的非线性特性， C、耦合电容 B、变低， C、不变 4.3.5 在双极型晶体管三种基本接法中，高频响应特性最好的是______，最差
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模拟电子技术基础(国防科技大学出版社第四章习题答案(大题)
习题4.1选择填空1、选用差分放大电路的原因是 A 。
A 、克服温漂B 、 提高输入电阻C 、稳定放入倍数2、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的 B 。
A 、差模放大倍数数值增大 B 、抑制共模信号能力增强 C 、差模输入电阻增大3、差动放大器中的差模输入是指两输入端各加大小___相等_____、相位___相反____的信号。
4、设差放电路的两个输入端对地的电压分别为v i1和v i2，差模输入电压为v id ，共模输入电压为v ic ，则当v i1=50mV ，v i2=50mV 时，v id =_0mV __，v ic =_50mV __；当v i1=50mV ，v i2=-50mV 时，v id =_100mA __，v ic =_0mA__；当v i1=50mV ，v i2=0V 时，v id =_50mV __，v ic =_25mA __。
5、电流源常用于放大电路，作为_A ___（A.有源负载，B.电源，C.信号源），使得放大倍数__A __（A.提高，B.稳定）。
6、电压放大电路主要研究的指标是 a 、 b 、 c ；功率放大电路主要研究的指标是 d 、 e 、 f 、 g 、（a 电压放大倍数 b 输入电阻 c 输出电阻 d 输出功率 e 电源提供的功率 f 效率 g 管耗）7、功率放大电路中，___甲类____功率放大电路导通角最大；_____乙类___功率放大电路效率较高。
（甲类、乙类、甲乙类） 8、甲类功放效率低是因为 B 。
A 、只有一个功放管B 、 静态电流过大C 、管压降过大4.1对称差动放大电路如题图 4.1所示。
已知晶体管1T 和2T 的50=β，并设U BE (on )=0.7V,r bb ’=0,r ce =∞。
(1)求V 1和V 2的静态集电极电流I CQ 、U CQ 和晶体管的输入电阻r b’e 。
(2)求双端输出时的差模电压增益A ud ，差模输入电阻R id 和差模输出电阻R od 。
模电习题
模拟电子技术课程习题第一章习题1-1 PN 结上存在内电场，用导线将P 区端和N 区端短接起来，导线中是否有电流流过？若加光照或加热，导线中是否有电流？为什么？1-2 如用万用表的电阻档测量二极管的正向电阻时，发现用R ×10档测出的电阻值较用R ×100档测得的电阻值小，试用伏安特性曲线解释。
1-3 如图题1.3所示，试判断电路中哪个二极管导通，哪个二极管截止?设各二极管导通时的正向压降为0.7V ，求U 0。
(a) （b ）题1-3图1-4一个二极管工作在正向导通阶段是否有稳压作用?稳压管工作在正向导通阶段是否有稳压作用。
为什么?1-5两只稳压管的稳定电压分别是4V 和6V ，它们的正向导通电压为O ．7V ，试问用它们串联和并联可以得到几种稳压值?1-6 如图1-6所示，若电源电压的有效值为12V ， A 、B 、C 为三只相同的灯泡，问哪只灯泡最亮，并求各灯泡两端电压的平均值。
题1-6图1-7 有人用万用表测量二极管反向电阻时，为了使表棒和二极管引线接触好一些，用双手把两端捏紧，结果测得二极管的反向电阻比较小，认为不合格，但在设备上却正常工作，这是什么原因？这样的操作和判断是否正确?为什么?1-8要使稳压性能好，稳压管的稳压值是大一些好还是小一些好?工作电流是大一些好还是小一些好?温度系数是大一些好还是小一些好?1-9既然三极管有两个PN 结，可否用两个二极管相联以构成一只三极管？说明理由。
1-10 一只NPN型的三极管，具有e、b、c三个电极，能否将e、c两个电极交换使用？为什么？1-11一块正常工作的放大电路板上，测得某晶体管的三只管脚对地电压分别为-6V,-6.2V,-9V，试问这只晶体三极管是PNP型还是NPN型？是锗管还是硅管？并确定各管脚哪个是基极、发射极、集电极。
1-12 测量某硅三极管的各极对地电压值如下：1）V C=6V，V B=7V，V E=0V；2）V C=6V，V B=67V，V E=5.4V; V C=3.6V，V B=47V，V E=3.40V 试判别管子工作在什么区域?1-13能不能用鉴别晶体管的简易方法来鉴别场效应管的三个电极和它的性能好坏?1-14 场效应管的跨导是大一些好还是小一些好？如果管子已经确定，为了使跨导大一些应该如何改变U GS的变化范围？第二章习题2-1 说明如图2-1放大电路中的R B和R C的作用。
模电复习选择题(4)
模电复习选择题（4）一 、选择题（本大题共29小题，每小题0分，共0分。
在每小题给出的四个选项中，只有一个选项是符合题目要求的） 1.集成运放的互补输出级采用 ( )A 共基接法B 共集接法C 共射接法D 差分接法2.放大电路中三极管的发射结反偏、集电结反偏，则三极管处于：（）A.饱和状态B.截止状态C. 放大状态D.不确定 3.N 型半导体主要是依靠（ ）导电的半导体。
A ．电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价锑元素4.某放大电路在负载开路时的输出电压为18V ，当接入2K Ω负载后，其输出电压降为16V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ）。
A 、0.5K ΩB 、0.2K ΩC 、1K ΩD 、0.25K Ω 5.电路如图1所示, 所有二极管均为理想元件，则 D 1、D 2、D 3的工作状态为（ ）。
A 、 D 1导通，D 2、D 3截止B 、 D 1、D 2截止 ， D 3 导通C 、D 1、D 3截止， D 2导 通 D 、 D 1、D 2、D 3均截止6.同相比例运算电路的一个重要特点是（A ．反相输入端为“虚地”B ．输入电阻较反相比例运算电路的小C ．电流并联负反馈D ．存在共模输入电压 7.图示电路是能够提供±15V 电压的稳压电路，选择正确答案填入空内。
（1）整流滤波后电压平均值≈-=I2I1U U ； A 、72V B 、54V B 、36V（2）整流二极管流过的平均电流F I ＝ ， A 、2I R B 、I R B 、21I R 承受的最大反向电压U RM ≈ ； A 、85V B 、42V B 、30V （3）若VD 4开路，则I1U I2U 。
A 、等于 B 、大于 B 、小于+8.某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 8V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 4V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
模电第四章答案
第四章习题解答4-1如题4-1图所示MOSFE转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？答：（a）P-EMOSFET，开启电压V GSM2V（b）P-DMOSFET，夹断电压V Gsoff （或统称为开启电压V GS Q 2V（c）P-EMOSFET，开启电压V Gsth 4V（d）N-DMOSFET，夹断电压V GS Off （或也称为开启电压V GS Q4V4-2 4个FET的转移特性分别如题4-2图（a）、（b）、（c）、（d）所示。
设漏极电流i D的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET?分别指出i D的实际方向是流进还是流出？答：（a）P-JFET，i D的实际方向为从漏极流出。
（b）N-DMOSFET，i°的实际方向为从漏极流进。
（c）P-DMOSFET，i D的实际方向为从漏极流出。
（d）N-EMOSFET, i D的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的卩n C ox=100y A/V2，V GS（th）=0.8V, W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a）V GS=5V，V DS=1V ; （b）V GS=2V，V DS=1.2V ;（c）V GS=5V，V DS=0.2V; （d）V GS=V DS=5V。
解：已知N-EMOSFET 的n C ox 100 A/V2, V GSth 0.8V W L 10（a）当V GS 5V,V DS 1V 时，MOSFET 处于非饱和状态V°s V GS V GS thI D /2V GS V Gsth V DS V2DS今0.1mA V2 102 5 0.8 1 12 3.7mA（b）当V GS2V,V DS 1.2V 时，J S V GS th 1-2V V DS，MOSFET 处于临界饱和I D i n C ox ¥V GS V GS th 弓0.1叫 2 10 2 0.8 20.72mA（c）当V GS5V,V DS0.2V 时，% V GS th 4.2V V DS，MOSFET 处于I D ； nC oxWL 2V GSV GS th J SV DS4 0.1mA V 2 1025 0.80.2 0.220.82mA(d )当 V GSV DS5V 时,V DSV GSV GS th,MOSFET 处于饱和状态1nC oxWV GS V GS th20.1mA v 2 105 0.8 2 8.82mA4-4 N 沟道 EMOSFET 的 V GS(th)=1V ，卩 n C ox (W/L ) =0.05mA/V 2，V GS =3V 。
2016中级维修电工四级模拟练习题(4)电子技术与电气测量知识讲解
四、电子技术与电气测量1.测量电压时应将电压表（B）电路。
A、串联接入B、并联接入C、并联接入或串联接入D、混联接入2.测量电流时应将电流表（A）电路。
A、串联接入B、并联接入C、并联接入或串联接入D、混联接入3.当二极管外加电压时，反向电流很小，且不随（D）变化。
A.正向电流B.正向电压C.电压D.反向电压4.点接触型二极管应用于（C ）。
A、整流B、稳压C、开关D、光敏5.点接触型二极管可工作于(A )电路。
A、高频B、低频C、中频D、全频6.三极管是由三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（A）。
A、基区B、栅区C、集电区D、发射区7．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管(A)。
A、已经击穿B、完好状态C、内部老化不通D、无法判断8．2.0 级准确度的直流单臂电桥表示测量电阻的误差不超过(B )。
A、±0.2%B、±2%C、±20%D、±0.02%9.调节电桥平衡时，若检流计指针向标有“-”的方向偏转时，说明（C）A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻B、通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻C、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻D、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻10.调节电桥平衡时，若检流计指针向标有“+”的方向偏转时，说明(A)。
A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻B、通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻C、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻D、通过检流计电流大、应减小比较臂的电阻11.直流双臂电桥的测量误差为（）A、B、C、D、12.直流单臂电桥测量几欧姆电阻时，比率应选为(A )。
A、0.001B、0.01C、0.1D、113.直流单臂电桥测量十几欧电阻时，比率应选为（B）A.0.001B.0.01C.0.1D.114.直流单臂电桥用于测量中值电阻，直流双臂电桥测量电阻在（B）欧以下A.10B.1C.20D.3015.直流单臂电桥测量小阻值电阻时，不能排除(A)，而直流双臂电桥则可以。
模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模电第四章习题答案
模电第四章习题答案模电第四章习题答案模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门学科，它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。
第四章是模拟电子技术中的一个重要章节，主要讲解了放大器的基本原理和应用。
本文将为大家提供模电第四章习题的详细解答，希望能对大家的学习有所帮助。
1. 题目：一个共射放大器的电流增益为50，负载电阻为2kΩ，输入电阻为1kΩ，求其电压增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 负载电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 2kΩ / 1kΩ = 100所以，该共射放大器的电压增益为100。
2. 题目：一个共集放大器的电压增益为30，输入电阻为10kΩ，输出电阻为1kΩ，求其电流增益。
解答：共集放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电流增益= 30 × 1kΩ / 10kΩ = 3所以，该共集放大器的电流增益为3。
3. 题目：一个共基放大器的电流增益为50，输入电阻为1kΩ，输出电阻为10kΩ，求其电压增益。
解答：共基放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 10kΩ / 1kΩ = 500所以，该共基放大器的电压增益为500。
4. 题目：一个共射放大器的输入电阻为1kΩ，输出电阻为2kΩ，求其电压增益和电流增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 2kΩ / 1kΩ = 2共射放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输入电阻 / 输出电阻代入已知数据，得到：电流增益= 2 × 1kΩ / 2kΩ = 1所以，该共射放大器的电压增益为2，电流增益为1。
模电试卷与答案4
一、 选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（第3、6小题各4分，其余每小题2分，共28分）1． 在一个PNP 管组成的基本共发射极放大电路中，当输入幅度为5mV ，频率为1kHz 的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平失真（1）这种失真是 ( )A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真（2）为了消除这种失真应 ( ) A. 增大集电极电阻R C B. 减小电源电压U CCC. 增大基极电阻R B 或减小集电极电阻R CD. 减小基极电阻R B2． 输入电阻大，输出电阻小的电路 ( ) A. 共射极放大器 B. 共基极放大器 C.共集电极放大器 3．已知交流负反馈有四种组态：A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈 （1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 （ ）（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在电路中引入 （ ） （3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（ ） （4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 （ ） 4．欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用 ( ) A.反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路 C.微分电路 D.积分电路5．三端稳压电源输出正电源并可调的是 （ ）A ．CW78XX 系列B ．CW337系列C ．CW317系列6．已知变压器副边电压有效值U 2为10V ，测得输出电压平均值U O 可能的数值为A. 14VB. 12VC. 9VD. 4.5V（1）正常情况U O ≈ （ ） ； （2）电容虚焊时U O ≈ （ ）；（3）负载电阻开路时U O ≈ （ ）（4）一只整流管和滤波电容同时开路，U O ≈ （ ）7． 在一块正常放大的电路板上，测得某三极管的三个极对地电位如图所示，则管子的导电类型以及管脚自左至右的顺序分别为 （ ） A ．NPN 型、bec B ．NPN 型、ebcC ．NPN 型、ecbD ． NPN 型、bce8．如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“VOLTS/DIV ”的指示值是2V ，则所测正弦波的有效值为（ ）A ．9.2VB ．4.6VC ．6.5VD ．3.25V9. 振荡器与放大器的区别是 （ ） A ．振荡器比放大器电源电压高 B ．振荡器比放大器失真小C ．振荡器无需外加激励信号，放大器需要外加激励信号D ．振荡器需要外加激励信号，放大器无需外加激励信号10. 如图所示电路，以下说法正确的是 （ ）A ． 该电路可以产生正弦波振荡B ． 该电路不能产生正弦波振荡，原因在于振幅平衡条件不能满足；C ． 该电路不能产生正弦波振荡，原因在于相位平衡条件不能满足； D. 该电路不能产生正弦波振荡，原因在于振幅平衡、相位平衡条件均不能满足；11. 用双踪示波器观察到下图所示的波形，此波形是哪种类型的调幅波 （ ）A ．VSB B ．SSBC ．DSBD ．AM12. 用万用表欧姆档辨别二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到 （ ） A ．R ×100或R ×1k 档 B ．R ×1档 C ．R ×10档 D ．R ×10k 档二、填空题（每空1分，共15分）1．互补对称功率放大器中OCL 电路是 电源供电,OTL 电路是 电源供电。
模电第四章部分习题答案
模电第四章部分习题答案模拟电子技术是电子工程中的重要分支，它研究模拟电路的设计、分析和应用。
在模拟电子技术的学习过程中，习题是检验学生理解和掌握程度的重要方式。
在模电第四章中，有许多习题需要我们认真思考和解答。
本文将对模电第四章部分习题进行解答，帮助读者更好地理解和应用模拟电子技术。
1. 题目：已知一个放大电路的输入电压为1V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：放大倍数是指输出电压与输入电压之间的比值。
根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为10。
2. 题目：一个放大电路的放大倍数为20，输入电压为2V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即20乘以2V，等于40V。
3. 题目：一个放大电路的输出电压为20V，放大倍数为10，求输入电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输入电压为输出电压除以放大倍数，即20V除以10，等于2V。
4. 题目：一个放大电路的放大倍数为50，输入电压为1V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即50乘以1V，等于50V。
5. 题目：一个放大电路的输入电压为0.5V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为输出电压除以输入电压，即10V除以0.5V，等于20。
通过以上的习题解答，我们可以看出放大倍数是一个重要的概念，它描述了放大电路中输入和输出之间的关系。
在实际应用中，我们可以根据放大倍数的大小来选择合适的放大电路，以满足特定的需求。
除了放大倍数，模拟电子技术还涉及到许多其他的概念和知识点，如放大电路的频率响应、输入输出阻抗等。
通过解答习题，我们可以更好地理解和应用这些概念。
总之，模拟电子技术是电子工程中的重要内容，习题的解答是我们学习和掌握模拟电子技术的重要方式。
通过对模电第四章部分习题的解答，我们可以加深对放大倍数等概念的理解，并能够更好地应用于实际工程中。
模电试题及答案(大学期末考试题)22406
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时( 截止），所以PN结具有( 单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）.3、所谓理想二极管，就是当其正偏时,结电阻为（0 ）,等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷)，等效成断开；4、三极管是( 电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件.5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小）,发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是( 共基）、( 共射)、（共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/(1/A+F）)，对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ).10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（)BW，其中BW=( ），（)称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为( )信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为( ）信号.12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的( ）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路;OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（)等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制( ）漂移，也称（)漂移，所以它广泛应用于（)电路中.16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（)。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（),电路符号是（）.二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在( ）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于( ）状态。
[童诗白版]模拟电子技术 习题答案 第4章 集成运算放大电路[童诗白版]模拟电子技术 习题答案 第4
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第四章 集成运算放大电路自 测 题一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
A ．可获得很大的放大倍数B . 可使温漂小C ．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大 。
A ．高频信号B . 低频信号C . 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。
A . 指标参数准确B . 参数不受温度影响C ．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。
A ．减小温漂 B . 增大放大倍数C . 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。
A ．共射放大电路 B . 共集放大电路C ．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。
( )（2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。
( )（3）运放的共模抑制比cd CMR A A K ( ) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( )（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( )解：（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。
图T4.3解：分析估算如下：100BE1BE2CC =--=R U U V I R μAβCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+====1001C =≈⋅+=R R I I I ββμA四、电路如图T4.4所示。
图T4.4（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻……）。
模拟电子技术测试题四(参考答案)
I A = 0.41mA
ro=2k AU=－β(RC// RL) / [rbe+(1+β) RE2]≈－2
【评分标准】求出每个参数给 2 分，共 6 分 1 1 九、解： （1） vi = 0 ， VE = VCC = × 20 = 10V 2 2 （2）在信号正半周时， T1 导通， T2 截止，通过 T1 向 C 充电。在信号负半周时 T1 截 止， T2 导通，C 通过 T2 放电，电容 C 在此起到电源的作用。 1 ( VCC VCES ) 2 1 2 1 82 = = × = 4W 2 RL 2 8
10 V0 = = 1 Kω 10 I0
由 AV0 AV = 又 AI =
=
V0 Ri I i
=
10 = 1 × 10
1000，得
RL 4 AV0 = × 103 = 800，相当于 58 dB RL + R0 4 +1
AIS =
I0S = IS
10 1
=
10 4
RL AIS = 2000，相当于 66 dB RL + R0
（3） Po max
【评分标准】(1)3 分；(2)3 分;（3）4 分。
《模拟电子技术》测试题四（参考答案） 测试题四 参考答案） 测试题
一、填空题（共 23 分，每空 1 分） 1.可掺杂性 热敏性 光敏性 2.正向 正向 3.1200 4.前后级电位互相影响 零点漂移 差分 5.结型 绝缘栅型 结型 绝缘栅型 6．电压 输入电阻高、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强 7.输入级 中间增益级 输出级 偏置电路 8 放大电路 正反馈网络 选频电路 稳幅环节 二、选择题（共 20 分，每题 2 分） 1.b ；2.b a c；3.a ；4.d ；5.b；6.c ；7.b ；8.c ；9.a ；10.b 三、判断正误（共 7 分，每题 1 分;正确的画“√” ，错误的画“×” ） 1.× ; 2. √ ; 3. × ; 4. ×; 5. √ ; 6.√ ;7.× ; 四、判断下列放大电路中的反馈类型（共 6 分，每题 2 分） 图 a.R3: 并串联电流负反馈（交直流） ； 图 b:R.f1: 并联电压正负反馈（交直流） f2: 并联电压正负反馈（直流） ；R 图 3:Rf5:并联电流负反馈（交直流） 五、判断下面电路能否振荡（共 6 分，每题 2 分） 电路(a)不能振荡. 电路(b)可能振荡,电容三点式 电路(c)可能振荡,电容三点式 六、解：R。=
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习题4
4-1 电路如图题4-1所示，1K ΩR
=，测得D 5V U =，试问二极管D 是否良好（设外电路无虚焊）？
答：内部PN 结或电极已开路，D 已损坏。
+
_
5V
D
U
图题4-1 图题4-2
4-2 电路如图题4-2所示。
已知：直流电源的端电压5V U =，测得1mA I =。
若将直流电源的电压U 提高到10V ，
试问这时的I 是等于、大于、还是小于2mA 。
答：大于2mA
4-3 分析判断图题4-3所示各电路中二极管是导通还是截止，并计算电压ab U 。
设图中的二极管都是理想的。
b
b
(a)
(b)
(c)
(d)
图题4-3
答：（a ）VD 导通 U ab =-5V ；（b ）VD 截止 U ab =2V ：（c ）VD 1导通，VD 2截止，U ab =0V ； (d) VD 1截止，VD 2导通，U ab = -5V 。
4-8 （略）
图题4-8
4-9图题4-9中各电路的稳压管VD z1和VD z2的稳定电压值分别为8V 和12V ，稳压管正向导通电压U DZ =0.7V ，稳定电流是5mA 。
判断VD z1和VD z2的工作状态并求各个电路的输出电压ab U 。
b
b
(a)
(b)
ab
ab
图题4-9
答：(a) VD Z1反向导通，处于稳压状态，VD Z2正向导通，ab
8.7V U =
（b ）VD Z1反向导通，处于稳压状态，VD Z2反向截止，ab 8V U =
4-10 （略）
图题4-10。