上海电机学院专升本PPT-模拟电子技术基础习题1
模拟电子技术基础习题精品
A．等于0.7V
B．小于0.7V
C．大于0.7V
7. 二极管电路如图2-51所示，V，二极管均为理想元件，则 输出电压为（ A ）。
A．0V
B．3V
C．6V
D．9V
图2-51
8. 二极管电路如图2-52所示，二极管均为理想元件，则输 出电压为（ A ）。
A．-2V
B．0V
C．4V
D．10V
9. 稳压管电路如图2-53所示，稳压管VS1的稳压值为9V， VS2的稳压值为15V，输出电压等于（ B ）。
B．等于 2U 2 C．大于 2U 2
12. 图2-55所示三个整流电路(a)、(b)、(c)，变压器二次 电压，负载电压的波形如图(d)所示，符合该波形的电路 是（ C ）。
图2-55
三、判断题
1. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型 为P型半导体。 （ √ ）
2. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（× ）
四、分析计算题
解：
第三章 思考题与习题 一、 填空 1. 晶体管从结构上看可以分成___PNP____和___NPN___两种类型。 2. 晶体管工作时有___两种___载流子参与导电，因此晶体管又称为___
双极型___晶体管。 3. 晶体管具有放大作用的外部条件是____发射____结正向偏置，____集
（ C ）。
A．基本不变
B．增加
C．增加以上
4. 硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增加，它的电流 （ C ）。
A．基本不变
B．的反向饱和电流将（ A ）。
A．增大
B．不变
C．减小
6. 当温度为时，二极管的导通电压为0.7V，若其他参数不 变，当温度升高到时时，二极管的导通电压将（ B ）。
模拟电子技术基础(复习)PPT课件
3. 通频带 4. 定量计算
9
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖二、设置静态工作点的必要性
为什么放大的对 象是动态信号，却 要晶体管在信号为 零时有合适的直流
动态信号 驮载在静 态之上
电流和极间电压？ 设置合适的静态工
与iC变化 方向相反
作点，首先要解决 失真问题，但Q点几 乎影响着所有的动 态参数！
3
❖复习与考试
模拟电子技术基础
❖三、怎样复习
❖ 重点是基础知识：基本概念、电路、方法 ❖ 识别电路是正确分析电路的基础 ❖ 特别注意基础知识的综合应用，融会贯通。
4
❖第1 章 常用半导体器件（复习）
模拟电子技术基础
问题
❖ 为什么要把半导体材料变成本征半导体？ 再掺杂？如何控制杂质半导体导电性能？
8
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
u放大的对象：变化量 u放大的本质：能量的控制 u放大的特征：功率放大 u放大的基本要求：不失真——放大的前提
1. 放大倍数：输出量与输入量之比
Au u
Au
Uo Ui
Aii
Ai
Io Ii
2. 输入电阻和输出电阻
A ui
U o Ii
A iu
Io U i
12
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖三、三种接法的比较：空载情况下
接法
Au Ai Ri Ro 频带
共射 大
β 中 大 窄
共集 小于1 1＋β
大 小 中
共基 大
α 小 大 宽
13
第三章 多级放大电路（复习）
§3.1 多级放大电路的耦合方式 §3.2 多级放大电路的动态分析 §3.3 差分放大电路 §3.4 互补输出级
模拟电子技术基础习题ppt课件
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。
上海电机学院专升本PPT-模拟电子技术基础习题1
3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 U O 。
截止5 .3 V 钳位 U 0V D1 0.7V 导通 导通
U D 2 5.3V
U o 5.3V
-12V
-6V
VD导通
VD1截止，VD2导通
U O 11.3 V
U O 5.3 V
阴极并接 ,阳极高优先导通.
二、选择题： V )，（忽略导通压降） 1．所示电路图中 u i 1.0 sin t ( 用示波器观察 u o 的波形正确的是_______。
2.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽 灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。 A. B. C. B C A
3．理想二极管桥式整流，电阻性负载电路中，二极管 承受的最大反向电压为_______。 A．小于 2U 2 B.等于 2U 2 C.大于 2U 2 ，小于 2 2U 2 D.等于 2 2U 2
V：12V A1：14mA A2：6mA
2.电路如图所示，试估算输出电压 U o 1 和 U o 2 ， 并标出输出电压对地极性。
-45V
+
+9V
3．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示 u 2 10 2 sin t ( V )试求： （1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）； （2）正常工作时，Uo =？ 12V 9V （3）若电容脱焊，Uo=？ 14V （4）若RL开路，Uo =？ （5）若其中一个二极管开路，Uo =？10V
场效应管 1 N沟道 P沟道
双极型晶体管 场效应管
单极 P沟道 N沟道
栅
短接
P沟道
增强型
－2V
模拟电子技术基础习题答案
ID
10 - 0.7
10 103
0.93 （mA）
（2）小信号工作情况分析。二极管采用交流小信号模型，等效电路如解图 1.3.6（b）
所示。此电路中只有交流分量，称为交流通路，它反映电路的动态工作情况。
当ui 17V时，D1截止，D2导通，uO 17V 17V ui 18V时，D1导通，D2导通，uO ui ui 18V时，D1导通，D2截止，uO 18V
图略
1.4.1 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为 6V 和 8V，正向导通电压为 0.7V。试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V 和 14V 等四种稳压值。
中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压 Uo。
1
图 P1.3.1
解：二极管 D1 截止，D2 导通，UO=-2.3V 1.3.2 电路如图 P1.3.2 所示，已知 ui＝10sinω t(v)，试画出 ui 与 uO 的波形。设二极管正向导
通电压可忽略不计。
图 P1.3.2
解：当 ui>0V 时，D 导通，uo =ui；当 ui≤0V 时，D 截止，uo=0V。ui 和 uo 的波形如解图 1.3.2 所示。
模拟电子技术基础习题答案
电子技术课程组 2016.9.15
目录
第 1 章习题及答案 ................................................................................................................... 1 第 2 章习题及答案 ................................................................................................................. 14 第 3 章习题及答案 ................................................................................................................. 36 第 4 章习题及答案 ................................................................................................................. 45 第 5 章习题及答案 ................................................................................................................. 55 第 6 章习题及答案 ................................................................................................................. 70 第 7 章习题及答案 ................................................................................................................. 86 第 8 章习题及答案 ............................................................................................................... 104 第 9 章习题及答案 ............................................................................................................... 117 第 10 章习题及答案 ............................................................................................................. 133 模拟电子技术试卷 1 ............................................................................................................ 146 模拟电子技术试卷 2 ............................................................................................................ 152 模拟电子技术试卷 3 ............................................................................................................ 158
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u与u O的波形，并标出幅值。
i图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术习题(部分).pptx
RL )
2 (vi1
) R谢谢e你的阅读
vi 2
)
288mV
36
4. Rid=2[rbe+(1+)Re1]=26K
Ric=[rbe+ (1+) Re]/2+(1+)ro=10M Ro=11.2K
2019年10-24
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2. Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K)， RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;
3. Vom=1.5V,
4. ibMAX=20µA
2019年10-24
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17
习题3.4.2
1. IBQ=0.04mA, ICQ=2mA, VCEQ=4V 2. H参数等效电路 3. rbe=300+26×β/ICQ=950 4. AV=-50×RL’/rbe=-105 5. AVS=-AVRi/(Ri+RS)=-68.8
2019年10-24
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42
第七章习题解答 反馈放大器
2019年10-24
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43
习题7.1.1, 7.1.2 (P314） (a): 电压并联交直流负反馈，反馈元件R2
2019年10-24
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44
习题7.1.1, 7.1.2 (P314）
(b)：Rf1 , Rf2 , C 电压并联直流负反馈 Re1 电流串联交直流负反馈
10
模拟电子习题3
P 140 3.1.1
解题要点:先确定发射结(三极管放大，则正 向电压0.2——0.3V或0.6——0.7V)及集电极,就 可以知道管子的材料及类型。
模拟电子技术基础习题解答 (1)
图解：U O1=, U O2=0V , U O3=, U O4=2V , U O5=, U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，?=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表 所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
图 解图解：i u 与o u 的波形如解图所示。
电路如图所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图 解图解：波形如解图所示。
电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：；14V ；；。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为（）'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为（）a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
模拟电子技术基础完整ppt课件
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 本征半导体
纯净的具有晶体结构的半导体
一、导体、半导体和绝缘体
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。
半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。
PN 结
当电压加大，np (或 pn)会升高， N
P
如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。
nP
2
正向电压变化时，变化载流子积
Q
累电荷量发生变化，相当于电容器充
1
Q
电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 O
x
当加反向电压时，扩散运动被 x = 0 处为 P 与 耗
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它 具有不同于其它物质的特点。例如：
当受外界热和光的作用时，
它的导电能力明显变化。
光敏器件
往纯净的半导体中掺入某些杂质， 会使它的导电能力明显改变。
二极管
二、本征半导体的晶体结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体 称为本征半导体
将硅或锗材料提
+4
4. 漂移运动
内电场 有利于少子
阻挡层
P
空间电荷区
N
运动—漂移。
少子 的运动与 多子运动 方向相反
内电场 Uho
5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；
随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；
当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等 于零，空间电荷区的宽度达到稳定。
《模拟电子技术基础》习题答案
第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术例题习题ppt课件
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪 个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 （ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
模拟电子技术练习题(专升本)
《模拟电子技术》练习题一、填空题1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。
2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。
（a ）（b ）图1-13．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。
4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。
5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。
6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。
7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。
8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。
9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。
10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。
I O11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。
图1-3二、单项选择题（每小题3分，共15分）1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。
A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通D ．D 1和D 2均截止2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
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4．P型杂质半导体中多数载流子是__空__穴___，少数载流 子是__电__子___。
5．PN结加正向电压时__导_通____，加反向电压时 __截__止___，这种特性称为PN结的 单__向__导__电_ 特性。
6．PN结正向偏置时P区的电位__高__于___N区的电位。
选择题：
1．在本征半导体中掺入微量的( )价元素，形成N型杂 质半导体。
单向导电 6．稳压管工作在伏安特性的________区，在该区内的 反向电流有较大变化，但它两端的电压_______。
反向击穿 基本不变
7．理想二极管正向电阻为___0_____，反向电阻为
__无_穷__大__，这两种状态相当于一个__开_关____。
8．当温度升高时，二极管的正向特性曲线将 ___左_移____，反向特性曲线将__下__移___。
模拟电子技术基础习题
第一章 半导体二极管及其应用电路
第六章 运放应用电路
பைடு நூலகம்
第二章 半导体三极管及其放大电路
第七章 功率放大电路
第三章 场效应晶体管及其放大电路
第八章 波形发生和变换电路
第四章 集成运算放大器 第五章 负反馈放大电路
第九章 直流稳压电源 第十一章～第二十一章 应用篇
1-1半导体基础知识
ui
导通 截止
E uo ui
ui E
ui E
ui E
5.电路如图所示，设 E 6V， ui 12 sint (V )，二极管
的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 uo 的波形。
6.电路如图所示，设 E 6V， ui 12 sint (V )，二极管
的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 uo 的波形。
A、二 B、三
C、四
D、五
0.5
0.7 1-2半导体二极管：
填空：
1．二极管正向导通的最小电压称为______电压，使二 极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______ 电压.
死区 击穿
2．二极管最主要的特性是_______，使用时应考虑的 两个主要参数是_______和_______。
单向导电性 最大整流电流 最大反向工作电压
它的电流( )。 A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上 4.用万用表的 R 100档和 R 1K 档分别测量一个
正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为 R1和R 2，
则 R1 与 R 2 的关系为( )。
A. R1R2 B. R1 R2 C. R1R2
5.当温度为 20C 时，二极管的导通电压为0.7V ， 若其他参数不变，当温度升高到 40C 时，二极管的
A．二
B．三
C．四
D．五
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( )
A．温度 B．掺杂工艺 C．杂质浓度
3．在杂质半导体中，少数载流子的浓度则与( )有关。
A．温度 B． 掺杂工艺 C．杂质浓度
4．PN结反向偏置，其耗尽层会( )。
A．变窄 B．变宽 C．不变 D．不能确定
5．在N型杂质半导体中掺入浓度更大的( )价元素，变 为P型半导体。
0V截止5U.3DV1 钳位0.7V
导通 导通
U D2 5.3V
-12V -6V
Uo 5.3V
VD1截止，VD2导通
UO 5.3V
阴极并接 ,阳极高优先导通.
VD导通
UO 11.3V
4.电路如图所示，设 E 6V， ui 12 sint (V )，二极管
的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 uo 的波形。
1-3整流滤波电路
填空：
1.整流电路的作用是________，核心元器件是 _______。
将交流电变成脉动的直流电 二极管
2.滤波电路的作用是________，滤波电路一定包含 _______元件。
降低输出直流电中的脉动成分 储能
3.单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大的 是_______，整流效果好的是_______。
5V
8V 0V
VD 截止
2.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 UO 。
VD导通
UO 0.7V
导通 0.7V
截止
阳极并接,阴极低的优先导通.
VD1导通，VD2截止， VD3截止，VD4导通
UO 7.3V
3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 UO 。
为（ ）。
A．+12V
3k
B．+6V C．+0.7V
UO
12V 3k VD
D．-0.7V
8.在图示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V， VDZ2的 稳定电压为15V，输出电压VO等于( )。
A．15V B．9V C．24V
三、分析计算：
1.判断下列电路中二极管的工作状态。
-9V -12V 0V
VD1导通，VD2截止
9．当温度升高时，二极管的正向电压降___减__小__，反 向击穿电压___减__小___，反向电流___增__大___。
选择题：
1.二极管的导通条件是( )。
A. UD 0 B. UD 死区电压 C. UD 击穿电压。 2.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10％，
它的电流( )。
A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上 3.硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增大10％，
导通电压将( )。
A.等于0.7V B.小于 0.7V
C.大于0.7V
6.如图所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为( )。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止
7.图示电路中二极管导通压降UD 0.7V，则输出电压 UO
3．在常温下，硅二极管的死区电压约为_______V，导 通后在较大电流下的正向压降约为_______V 。
0.5 0.7
4．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V，导 通后在较大电流的正向压降约为_______V。
0.1 0.3 5．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越 小，说明二极管的_______性能越好。
填空： 1．半导体是导电能力介于__导__体___和_绝__缘__体__之间的物
质。
2．利用半导体的__掺__杂___特性，制成杂质半导体；利 用半导体的__光__敏___特性,制成光敏电阻，利用半 导体的__热__敏___特性,制成热敏电阻。
3．N型杂质半导体中多数载流子是__电__子___，少数载流 子是__空__穴___。