Ba6-3xNd8+2xTi18O54晶体结构与微波介电性能的研究
水热法制备Ba6-3xNd8+2xTi18O54微波介质陶瓷
（ ） 有较 大 的提高 ，谐振 频率 温度 系数 （） 有所 改善 ，当 ｘ ２３时 ，水 热法 制备 的 Ｂ ｄ＋ Ｉ ４ 瓷具 有最 佳微 波介 电性 能 ：ｅ ８ ，Ｑ 与谐 振 Ｑ也 ｆ也 ｆ －， ａ ３ ８２ ８ 陶 ＪｉＯ５ ｒ８ ＝
Ｂａ６３Ｎｄ８ ２ ￣Ｏｓ Ｉ ｘ ＋ ｓ ４Ｍ ＣＲｏ 、Ｉ ） ＶＥ ＥＬＥＣＴＲＩ ＣＥＲＡ＾ⅡＣＳ ＰＲＥＰＡＲＥＤ ＤＩ Ｃ ＢＹ Ｅ ＴＨ Ｈ ＹＤＲｏＴＨＥＲＭ ＡＩ Ｍ ＥＴＨｏＤ ．
Ｗ ＮＧＨｕ ，ＸＵＪａ ｍ ｉ Ｕ Ｙ ｎ ｅ Ｇ ＮＧ ， Ａ ｉ ｉｎ ｅ ，Ｓ ａ ｆ ， Ｏ ｌ ｉ ｇ （ａｕｔ ｆ ｔｒ ｌ ｃ ｎ ｅ ｎ ｈｍｉ ｌ ｎ ｉ ｅｉｇ Ｃ ｉａ ｉｅｓ ｆ ｅ ｓｉ ｃｓＷｕ ａ ３ ０ ４ Ｃ ｉａ Ｆ ｃ ｌ ｏ Ｍａｅｉ ｉ ｃ ｄＣ ｅ ｃ ｇ ｅｒ ， ｈｎ ｖｒｉ ｏ Ｇ ｏｃｅ ｅ， ｈ ｎ４ ０ ７ ， ｈｎ ） ｙ ａＳ ｅ ａ ａＥ ｎ ｎ Ｕｎ ｙ ｔ ｎ Ａｂ ｔ ａ ｔ Ｔ ｒ ａｙＢ ６ ｘ ８ Ｊｉ Ｏ５ ｃ ｒｍｉｓ ｌ ｐ ｅ ａ ｄｂ ｈ ｙ ｒｔ ｅｍａ ｍｅ ｏ ． ｔ ｈ ｓ ｃ ｍｐ ｓ ｉｎ ｏ ｔｅｃ ｒｍｉ ｓ ｃ： ｅｎ ｒ ａ－ Ｎｄ ＋ ￣ ４ ｅａ ｃ ｗｅ￣ ｒｐ ｒ ｙｔｅｈ ｄｏｈ ｒ ｌ ｒ ３ ２ ｓ ＇ ｅ ｔ ｄ Ｔ ｌ ａ ｅ ｏ ｏｉ ｏ ｓ ｆ ａ ｃ ｈ ｅｐ ｔ ｈ ｅ ｓ
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晶态IGZO_薄膜晶体管的研究进展
第 38 卷第 8 期2023 年 8 月Vol.38 No.8Aug. 2023液晶与显示Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays晶态IGZO薄膜晶体管的研究进展姜柏齐1，刘斌1，刘贤文1，张硕1，翁乐1，史大为2，郭建2，苏顺康2，姚琪3，宁策3，袁广才3，王峰1，喻志农1*（1.北京理工大学光电学院，北京市混合现实与先进显示技术工程研究中心，北京 100081；2.重庆京东方显示技术有限公司，重庆 400714；3.北京京东方显示技术有限公司，北京 101520）摘要：随着显示技术的不断发展，对高性能、高稳定性的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）的需求日趋增加，通过结晶改善薄膜晶体管性能的方法受到大量关注。
当前，铟镓锌氧化物（IGZO）材料由于具有迁移率高、柔性好、透明度高等优势，被广泛用于薄膜晶体管的沟道中，而改善IGZO沟道层的结晶形态也成为研究热点。
本文总结了晶态IGZO薄膜晶体管器件的研究进展，详细介绍了IGZO系化合物的晶体结构，重点阐述了单晶、c轴取向结晶、六方多晶型、尖晶石型、纳米晶型和原生结晶型IGZO的结构和各晶态IGZO薄膜晶体管的制备方法、器件性能和稳定性，深入分析其微观结构，总结物理特性，阐述不同晶系结构的结晶机理，建立不同晶体结构与电学特性的关系，最后对晶态IGZO薄膜晶体管的发展进行展望。
关键词：晶态IGZO薄膜；薄膜晶体管；晶体结构；研究进展中图分类号：TN321+.5 文献标识码：A doi：10.37188/CJLCD.2023-0121Research progress on crystalline IGZO thin film transistor JIANG Bai-qi1，LIU Bin1，LIU Xian-wen1，ZHANG Shuo1，WENG Le1，SHI Da-wei2，GUO Jian2，SU Shun-kang2，YAO Qi3，NING Ce3，YUAN Guang-cai3，WANG Feng1，YU Zhi-nong1*（1.School of Optics and Photonics， Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display， Beijing Institute of Technology， Beijing 100081， China；2.Chongqing BOE Display Technology Co.， Ltd.， Chongqing 400714， China；3.Beijing BOE Display Technology Co.， Ltd.， Beijing 101520， China）Abstract： With the development of display technology， the demand for high-performance and high-stability thin film transistors （TFTs） is increasing. The method of improving the performance of thin film transistors through crystallization has received a lot of attention. Currently， indium gallium zinc oxide （IGZO） materials are widely used in the channels of thin film transistors due to their advantages such as high mobility， flexibility，and high transparency. Improving the crystalline morphology of the IGZO channel layer has become a research hotspot.This article summarizes the research progress of crystalline IGZO thin film transistor devices，文章编号：1007-2780（2023）08-1031-16收稿日期：2023-04-04；修订日期：2023-05-10.基金项目：国家重点研发计划（No.2021YFB3600703）Supported by National Key Research and Development Program of China（No.2021YFB3600703）*通信联系人，E-mail： znyu@第 38 卷液晶与显示introduces in detail the crystal structure of IGZO compounds， and focuses on the structure of single crystalline，c-axis-aligned crystalline，hexagonal polycrystalline，spinel，nanocrystalline，and protocrystalline IGZO，as well as the preparation methods，device performance，and stability of various crystalline IGZO thin-film transistors.We also analyze the microstructure of crystalline IGZO，summarize the physical properties，describe the crystallization mechanism and establish the relationship between crystal structure and electrical properties. At last， the development of crystalline IGZO thin film transistor is prospected.Key words： crystalline IGZO film； thin film transistor； crystal structure； research progress1 引言薄膜晶体管（TFT）是使用半导体材料制成的绝缘栅极场效应管。
六方晶系钛合金织构测定与分析综述资料.
1923年德国物理学家提出
理想板织构极图
取向分布函数（ODF）---突破了极图的局限性
极图是在二维平面上投影三维空间晶体取向，不可能包含晶体 取向的全部信息。
Euler角定义
1960年代后期提出
ห้องสมุดไป่ตู้
Eular角和Eular空间
ODF
尤拉环调整及参数选择
衍射峰选择
α-Ti √
形成原因
=F/Acoscos
冷变形金属在再结晶热处理 后织构仍不会消除，会形成 再结晶织构
织构对性能的影响
制耳
深冲用铜板形成制耳而成为 废品，浪费材料
原因：Cu冷轧退火后形成 {100}<001>织构
轧向和横向是<001>,延伸率 40%
与轧向成45°是<110>，延伸率 高达70%
钛合金各向异性显著！！
图，转换成rrr文件
5m
作散斑强度校正用
m
倾动样品后，尤其是大角度倾动 后，掠射角减小，造成焦斑拉长， 产生散焦,偏离聚焦状态。0维探测 器无法全部接受衍射线，使衍射 强度降低，导致强度损失
Chi=70°
Chi=0°
影响织构分析与合成的因素
准直管偏离中心点
未调好准直管
调好准直管
无散焦修正
未修正
减少一个（0002）极图
5个极图
减少一个（10-12）极图
去掉 10-12 极图对 处理结 果影响 最小
5个极图
3个极图的合成
3个极图绝对不行！
3个极图合成
5个极图合成
线焦+1准直管
衍射峰强度下降3倍以上！
5mm
Chi=70°
金刚石肖特基二极管的研究进展
between different metals and diamond crystals are studied. Then the preparation processes of transverse, vertical and pseudovertical device structures and their effect on forward, reverse and breakdown characteristics of the SBDs are analyzed. The
等特性持续受到研究人员的关注。 然而,传统的半导体材料仍存在导热性能不足、击穿电压较低,以及器件
功率和频率之间难以同时提升的问题。 特别是对于功率半导体器件来说,其作为电力系统中电能控制与转
换的核心部件,直接影响系统的电力损耗。 因此,开展新型功率半导体器件的研究十分必要。 超宽禁带半导
体金刚石具有热、电、声、光、机械等优异的材料特性,以及最优的器件品质因子,在高功率电子器件等方面有
基接触而得到。 目前,高性能金刚石肖特基二极管的研发仍有一些难题亟待解决。 首先,硼掺杂浓度和精度
难以控制;其次,金刚石难以形成异质 pn 结,不利于复杂器件结构的制备。 此外,高温条件下还可能引起肖
特基金属与 p 型金刚石之间的界面反应,进而影响器件的反向击穿特性。 本文从 p 型金刚石薄膜生长、金
qV i ≈W M - W S ,如图 2( b) 所示,其中 qV i 为扩散电势,W S 为真空能级到半导体费米能级的距离。 施加正向偏
压 V F 时,扩散电势减小[ qV′i = q( V i - V F ) ] 。 正偏时势垒高度变低,因此有利于从半导体向金属注入载流子,
形成了从半导体指向金属的电流( J SM ) ,如图 2( a) 所示。 图 2( c) 展示了施加反向偏压 V R 时的情形,扩散电
自粘型聚硼硅氧烷复合材料性能
自粘型聚硼硅氧烷复合材料性能商旭静*, 薛志博, 沈尔明, 王 刚, 滕佰秋, 朱崇伟（沈阳发动机研究所 制造工程技术研究室，沈阳 110015）摘要：聚硼硅氧烷属于超分子材料，材料本身具备物理交联网络结构，具有耐高低温、耐候、电绝缘、自修复等特性，但现有方法制备的聚硼硅氧烷材料力学性能差，限制了其在一些领域的应用。
本工作采用高分子量聚甲基乙烯基硅氧烷（VMQ）与硼酸（BA）在高温环境下反应，制备一种含乙烯基的聚硼硅氧烷，通过引入乙烯基结构和气相法白炭黑，经热硫化处理，得到具有表面自粘性的聚硼硅氧烷复合材料。
测定聚硼硅氧烷复合材料的结构、动态力学性能、热稳定性、力学性能以及自粘性能，通过红外反射光谱确认B—O—Si结构。
结果表明：聚硼硅氧烷复合材料的内部形成了B∶O动态键，材料表面具有一定的自粘性能，自粘形成的剥离强度能达到4 N/cm，拉伸强度可达4.154 MPa，5%热失重温度为394.8 ℃，具有良好的力学性能和热稳定性。
关键词：聚硼硅氧烷复合材料；损耗因子；力学性能；自粘性doi：10.11868/j.issn.1005-5053.2023.000046中图分类号：TQ333 文献标识码：A 文章编号：1005-5053(2023)04-0122-07Properties of self-adhesive polyborosiloxane compositeSHANG Xujing*, XUE Zhibo, SHEN Erming, WANG Gang, TENG Baiqiu, ZHU Chongwei（Manufacturing Engineering Technology Department , Shenyang Engine Design Institute, Shenyang 110015, China）Abstract: Polyborosiloxane（PBS） is a supramolecular material， the material itself has a physical cross-linked network structure, and has the characteristics of high and low temperature resistance, weather resistance, electrical insulation and self-healing. However, the mechanical properties of polyborosiloxane material prepared by existing methods are poor, which limits its application in some fields. In order to improve the mechanical properties of polyborosiloxane and broaden the application field of the material, in this paper, a vinyl-containing polyborosiloxane was prepared by reacting high-molecular-weight polymethylvinylsiloxane（VMQ）with boric acid（BA）at high temperature. The polyborosiloxane composite material with surface self-adhesiveness was obtained by introducing vinyl structure and fumed white carbon black and undergoing thermal vulcanization treatment. The structure, dynamic mechanical properties, thermal stability, mechanical properties and self-adhesive properties of polyborosiloxane composite were measured, and the formation of B—O—Si structure was confirmed by infrared reflection spectroscopy. The results show that the B∶O dynamic bond is formed inside the polyborosiloxane composite material, and the surface of the material has certain self-adhesive properties. The peel strength formed by self-adhesion can reach 4 N/cm, the tensile strength is 4.154 MPa, and 5 % thermal mass loss temperature is 394.8 °C, which means that the sample has good mechanical properties and thermal stability.Key words: polyborosiloxane；loss factor；mechanical properties；self-adhesion随着航空装备的高速发展，对硅橡胶复合材料的功能性提出更高的要求，如耐高温特性、自修复性、粘接性、电磁屏蔽性和阻尼性，传统的硅橡胶材料难以满足材料的使用需求，在硅橡胶分子主链上引入特定的杂原子能赋予材料更多的功能性。
第一性原理研究硼酸铋锌晶体的电子结构和光学性质
重叠布局数/e 1.61～1.65 1.04 0.82～0.84
图 3 沿 Z 方向上的电子局域函数图证实共价键合的存在，可以看出，Bi，Zn，B 原子和 O 原子是非球形分 布，这是具有共价键相互作用系统的特征 .
图 3 Bi2ZnOB2O6晶体沿 Y 方向上的电子局域函数图
第2期
王思源等：第一性原理研究硼酸铋锌晶体的电子结构和光学性质
收稿日期：2021-03-21 基金项目：新疆维吾尔自治区自然科学青年基金项目（2018D01C005）. 作者简介：王思源（1995—），男，伊犁师范大学在读研究生，主要研究方向：凝聚态物理 . *通信作者：苏欣，女，副教授，研究方向：凝聚态物理 .
第2期
王思源等：第一性原理研究硼酸铋锌晶体的电子结构和光学性质
2021 年 6 月 第 15 卷 第 2 期
伊 犁 师 范 学 院 学 报（自 然 科 学 版） Journal of Yili Normal University（Natural Science Edition）
Jun.2021 Vol.15 No.2
第一性原理研究硼酸铋锌晶体的电子结构和光学性质
价行为大于 Zn-O 键 .
表 1 Bi2ZnOB2O6 中各原子的布局分析数值/e
原子
Bi
Zn
B
O
布局数
1.61～1.65
1.04
0.82～0.84
0.72
原子对键结 Bi-O Zn-O B-O
表 2 Bi2ZnOB2O6晶体中原子键结 Mulliken 重叠布局分析
键长 d/Å 2.6814（6）～ 2.3930（3） 1.5277（0）～ 1.3683（7） 1.8444（5）～ 1.6604（2）
复合陶瓷(Ba1-xSrx)5Nb4O15-B2O3的结构和微波介电性能
复合陶瓷(Ba1-xSrx)5Nb4O15-B2O3的结构和微波介电性能何茗【摘要】采用传统的固相烧结工艺制备了复合(Ba1-xSrx)5Nb4O15-B2O3微波介质陶瓷.研究了A位离子Sr2+摩尔占有比率x(x=0,0.2,0.4,0.8)对陶瓷的微观结构、烧结以及微波介电性能的影响.结果表明:在复合(Ba1-xSrx)5Nb4O15-B2O3微波介质陶瓷中,除主晶相Ba5 Nb4 O15外,还出现了Ba4 SrNb4 O15;相比未掺杂的Ba5 Nb4 O15陶瓷的烧结温度1400℃而言,复合陶瓷(Ba1-xSrx)5Nb4O15-B2O3的烧结温度降低500℃左右,且没有显著损害该陶瓷的微波介电性能;当B2O3掺杂质量分数为2.0％,Sr2+替代Ba2+的摩尔比率x=0.4时,900℃烧结的(Ba1-xSrx)5Nb4O15-B2O3复合陶瓷具有良好的微波介电性能:εr=48.4,Q×f=45895 GHz,τf=35.5×10-6/℃.【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2018(037)011【总页数】5页(P46-50)【关键词】(Ba1-xSrx)5Nb4O15-B2O3;复合陶瓷;微观结构;烧结;微波介电性能;Ba5Nb4O15【作者】何茗【作者单位】成都工业学院电子工程学院, 四川成都 610031【正文语种】中文【中图分类】TM28近年来,由于现代无线通信的快速发展,微波介质陶瓷的应用备受关注,大量的陶瓷电介质材料也应运而生。
高介电常数(εr)、高品质因子(Q值)和低温度系数(τf)是微波谐振器材料的三个关键要素[1-4]。
化学通式为AnBn-1O3n(n=3,4,5,6,8)的六方阳离子缺位型钙钛矿化合物,由于具有优异的介电性能和光学性能,已得到广泛的研究[5]。
其中n=5的A5B4O15(A=Ba,Sr,Mg,Ca;B=Nb,Ta)介质陶瓷具有良好的微波介电性能:介电常数εr为11～51,Q×f值为2400～88000 GHz,τf值为 (-73～+232) ×10-6/℃[6]。
用水热法制备的Ba1-xPbxWO4微晶及其发光性能研究
过 固相 工艺进 行 ［ ］ 但该 工艺 对产 品 的结 构 和形 貌均 ４ ， 。
晶 的晶相 结构 、 面形 貌 及 室 温光 致 发 光 特 性 。结 果 表 表 明 ， 从 ０ １ ０变化 时 ， ａ…Ｐ 固溶体 微 当 ～ ． Ｂ 。 ｂ ＷＯ
晶的表 面 形 貌 由 四方 锥 型 向 树 枝 状 变化 。在 ２ ０ ｍ ７ｎ 紫外光激 发 下， 其发 射光谱 均 呈现 两 个发射 峰 ， 即位 于
在 应用 。 白钨 矿 型 钨 酸 盐 主 要 是 碱 土 金 属 钨 酸 盐 （ — Ｍｅ ｗＯ ， ： ａ Ｓ 、 ａ 晶体 ， ＭｅＣ 、 ｒＢ ） 其单 晶体 呈 近 于 八 面体 的
四方双 锥 ， ｛ １ ｝ 面择 优 生 长 ； 以 １２晶 而集 合 体 多 为 不规
则 粒状 或 致 密 块 状 ， 面 常 有 斜 纹 或 蚀 象 。在 Ｍｅ 晶 －
中图分 类号 ： ＴＢ ８ ３３
文献标 识码 ： Ａ
文章编 号 ：０ １９ ３ （０ ０ ０ －５ ２０ １ ０ －７ １ ２ １ ）９１ ３ －４
工试 剂 厂 ） ＮａＷＯ 、 ・２ ＡＲ， ９ ． ， 都 市 Ｈ Ｏ（ ≥ ９５ 成 科龙 化工 试 剂 厂 ） Ｐ （ 和 ｂ ＮＯ。 ＡＲ， ９ ． ， 津 ）（ ≥ ９０ 天
1、需要提交年度进展报告的人员如下
1
2018
2
2018
23
负责人未提交
3
11504153,含能材料冲击 Hugoniot 曲线的 分子动力学方法理论研究 郭锋 , 物理科学与信息工程学院 青年科学基金项目,A040305,20 11504386,利用电子能量损失谱研究纳米 碳材料的电子动量密度分布 冯振豹 青年科学基金项目,A040210,21 11505090,非线性数学物理方程非局域对 称、可积离散化的研究 辛祥鹏 青年科学基金项目,A050101,18 21473084,新型温度响应型智能蠕虫状胶 束体系构筑的相化学和热化学研究 魏西莲 , 化学化工学院 面上项目,B030203,83 21473085,儿茶素类天然生化调节剂-抗 癌药物协同体系与蛋白质相互作用的量 热学-谱学研究 刘敏 , 化学化工学院 面上项目,B030203,86 21501086,烷基多胺共价修饰的 MOFs 材料 及其对烟气中 CO2 的捕获 姚清侠 , 化学化工学院 青年科学基金项目,B010503,20 21502084,含磷手性富勒烯的设计合成及 性质研究 辛纳纳 , 化学化工学院 青年科学基金项目,B010307,21 21503104,杂环卤代物电化学羧化固定 CO2 的研究 陈宝丽 , 化学化工学院 青年科学基金项目,B020404,21 21505063,基于磁性金属有机骨架材料的 低丰度蛋白/肽段高效选择分离分析新方 法研究 马荣娜 , 化学化工学院 青年科学基金项目,B040402,21 31672499,基于抗炎活性成分群的中国 “杨树型”蜂胶质量评价体系研究 玄红专 , 生命科学学院 面上项目,C171003,25
2018-12-28 2018 1
等待依托单 位审核
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2018
210978225_不同表面基团的纤维素纳米晶体薄膜在不同磁场下的光学特性响应
王天卉，卢舒瑜，周宇星，等. 不同表面基团的纤维素纳米晶体薄膜在不同磁场下的光学特性响应[J]. 食品工业科技，2023，44（7）：226−233. doi: 10.13386/j.issn1002-0306.-2022060021WANG Tianhui, LU Shuyu, ZHOU Yuxing, et al. Effect of Magnetic Field on Optical Properties of CNC Films with Different Surface Groups[J]. Science and Technology of Food Industry, 2023, 44(7): 226−233. (in Chinese with English abstract). doi:10.13386/j.issn1002-0306.-2022060021· 包装与机械 ·不同表面基团的纤维素纳米晶体薄膜在不同磁场下的光学特性响应王天卉1,2,3，卢舒瑜1,2,3，周宇星1,2,3，马 涛1,2,3, *，宋 弋1,2,3（1.中国农业大学食品科学与营养工程学院，北京 100083；2.农业农村部果蔬加工重点实验室，北京 100083；3.国家果蔬加工工程技术研究中心，北京 100083）摘 要：本文探究了磁场对不同表面基团的纤维素纳米晶体（Cellulose Nanocrystal ，CNC ）薄膜光学特性的影响。
以硫酸化纤维素纳米晶体（S-CNC ）为原料，通过2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基自由基（TEMPO ）氧化制备表面带有羧基的纳米纤维素（T-CNC ），并采用傅里叶红外光谱、扫描电子显微镜和Zeta 电位对其基本结构进行表征。
并在无磁场、垂直磁场、倾斜磁场、水平磁场四种模式下观察磁场对不同表面电荷CNC 薄膜的影响。
结果表明，T-CNC 表面带有羧基，S-CNC 表面带有硫酸酯基。
Ba6—3xEu8+2xTi18O54介电陶瓷XRD及XPS研究
ｐ ｒ ｔ ｒ ｓｄ ｔ ｒ ｎ ｄ ａ ｄ ｉｓ ｐ ｔｅ ｎ ｉ ｉ ｄ ｘ ｄ ｅａ ｕ ｅｉ ｅ ｅ ｍｉ ｅ ｎ ｔ ａ ｔ ｒ ｓ ｎ ｅ ｅ ．Ｔｈ ０ ｙ ｒ ｓａ １ ｅ Ｘ— ａ ｉ ｒ ｃ ｉｎ ｄ ｔ ｒ ｌｏ ｌ ｔ ｄ ｅ ｐ １ ｃ ｙ ｔ ｌ ｎ ｒ ｙ ｄ ｆ ａ ｔ ａ ａ ａ ｅ ａｓ ｉ ｅ ．ＸＰＳ ４ ｉ ｆ ｏ ｓ ｄ ｓ ｅ ｔａ ｏ ｕ ｏ ｉ ｍ ｎ ＢＥ ｉ ａ ｒｅ ｕ ｎ ｈ ｉ ｄ ｎ ｎ ｒ ｙ ｏ ３ Ｖ ｓｇ ｉ ｅ ．Ｔｈ ａ ｕ ｆＥｕ ｉｎ ｓｄ ｔ ｒ ｐ ｃ ｒ ｆｅ ｒ ｐ ｕ ｉ Ｔ ｓｃ ｒ ｉｄ ｏ ｔａ ｄ ｔ ｅ ｂ ｎ ｉ ｇ ｅ ｅ ｇ ｆ１ ５ ｅ ｉ ａｎ ｄ ｅ ｖ ｌ ｅ ｏ ｏ ｓ ｉ ｅ ｅ －
维普资讯
第３卷第３ ０ 期
２ ８ ６ ００ 年 月
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光
ห้องสมุดไป่ตู้
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文 章编 号 ： ０ ４２ ７ （ ０ ８ ０ — ３ ８０ １ ０ — ４ ４ ２ ０ ） ３０ ２ — ４
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（ ． Ｃｏ ｌ ｇ ｆ Ｍ ａ ｅ ｉｌ ｃ ｅ ｃ ｎ ｇ ｎｅ ｒｎ ，Ｃｈｉ ａ Ｊｌ ｎ ｉ ｅ ｓｔ １ ｌ ｅ ｏ ｔ ｒ ｓ Ｓ ｉｎ ｅ ａ ｄ Ｅｎ ｉ ｅ ｉ ｇ ｅ ａ ｎ ｉ ａ ｇ Ｕｎ ｖ ｒ ｉｙ．Ｈａ ｚ ｏ １ ０１ ，Ｃｈ ｎ ｉ ｎｇ ｈ ｕ ３ ０ ８ ｉ ａ；
六硼化镧厚膜电阻材料的研究
六硼化镧厚膜电阻材料的研究
研究表明，氧化硼具有优异的导电性能，因此具有很大的应用潜力，特别是在电子器件和电阻材料中。
本研究重点在于以Hypa（氢氟酸）和TCSA（三氯乙酸）为原料，以水热法制备六元硼化镧（LaB6）厚膜电阻材料，采用X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）和四探头电阻温度曲线测试（4-PNTR）对材料的形貌、晶体结构和物理性能进行表征和实验分析。
六元硼化镧材料的XRD表征表明，在900℃处其主要单元结构为LaB6，其最大晶粒大小约为16 nm。
SEM观测结果表明，硼化镧表面具有规则的沟槽和凹坑，晶体粒子大小约为13 nm。
实验性分析结果表明，氧化镧的电阻值在温度范围25-150℃之间为上升，其最大电阻值达到22.1 kΩ，耐腐蚀性好，拓扑性良好，非常适合制定高电阻器件。
低温烧结Ba3Ti5Nb6O28陶瓷及其微波介电性能
Ｚ ＯＵ ｎ ，Ｚ Ｄｏ ｇ ＨＡＮＧ Ｑｉｌｎ —ｏ ｇ，ＹＡＮＧ ｉ Ｚ Ｈｕ ， ＯＵ ｉ－ｉ Ｊ ａｌ
（ ｏｌｇ ｆ ｔｒ ｌ ｃ ｎ ｅａ ｄ Ｃ ｅ ｃ ｌ ｎ ｉｅ ｒ ｇ Ｚ ｅｉ ｇ Ｕｎｖ ｒｉ ， ｎ ｚ ｏ １ ０ ７ Ｃ ｉ ａ Ｃ ｌ ｅｏ ｅ Ｍａ ｅｉ ｉ ｃ ｎ ｈ ｍｉ ｇ ｅ ｉ ， ｈ ｊ ｎ ｉｅ ｓ ｙ Ｈａ ｇ ｈ ｕ３ ０ ２ ， ｈｎ ） ａＳ ｅ ａＥ ｎ ｎ ａ ｔ
Ｋｅ ｒ ｓ：ｏ ｔｍ ｐ ｒ ｔ ｒ ｏ ｆｒ ｄ； Ｃｕ ；ｍ ｉｒ ｙ ｗｏ ｄ ｌ ｗ ｅ ｅ ａ ｕ ｅ ｃ －ｉｅ Ｏ ｃ ｏｗａ ｅ ｅ ｔ ｉ ｏ ｒｉｓ ｖｅｄｉｌｃ ｒｃ ｐｒ ｐｅ ｔｅ
Ｃ Ｏ 助 剂 能 使 Ｂ 。 ｉ 。 。陶瓷 的烧 结 温 度从 １３ ０℃ 降到 ９ ０℃ 以下 。部 分 Ｃ Ｏ 会 固 溶 于 Ｂ 。 ｂ Ｏ８ 改 ｕ ａＴ Ｏ８ Ｎｂ ０ ５ ｕ ａＴｉ ｅ Ｎ 并 变其 晶粒 形 状 ， 出现 少 量 长 条 状 晶 粒 。 随着 Ｃ Ｏ含 量 增 加 ， 电常 数 （ ） 明显 变 化 ， ｕ 介 ￡无 品质 因数 与 频 率 之 乘 （ 厂 Ｑ×． ）
Ｌｏ Ｔｅ ｐ ｒ ｔ ｒ ｉ ｔ ｒ ｎ ｎ ｉ ｒ ｗａ ｅ Ｄｉ ｌ ｃ ｒ ｃ Ｐｒ ｐ ｒ ｉ ｓ ｏ ｗ ｍ ｅ ａ ｕ ｅ Ｓ ｎ ｅ ｉ ｇ ａ ｄ Ｍ ｃ ｏ ｖ ｅ ｅ ｔ ｉ ｏ ｅ ｔｅ ｆ Ｂａ ５ ６ ８Ｃｅ ａ ｉ ３ ｒｍ ｃ ＴｉＮｂ ０２
Ba6-3xLn82xTi18O54体系微波介质陶瓷研究
research and development of microwave dielectric systems with high dielectric
constant because the size of microwave resonance takes in inverse proportion to the
1.1.1 微波介质陶瓷材料的应用及性能要求 ............................................................ 1 1.1.2 微波介质陶瓷的介电特性 ................................................................................ 4 1.2 微波介质陶瓷的历史及现状.................................................................................... 8 1.2.1 微波介质陶瓷的历史 ........................................................................................ 8 1.2.2 高介微波介质陶瓷 ............................................................................................ 9 1.2.3 低温烧结微波介质陶瓷 .................................................................................. 13 1.2.4 BaO-Ln2O3-TiO2 系统研究发展状况.............................................................. 14 1.3 论文课题的提出...................................................................................................... 18 1.3.1 Ba6-3xLn8+2xTi18O54 系统（Ln=Sm，Nd）微波介质陶瓷研究依据.............. 18 1.3.2 Ba6-3xLn8+2xTi18O54 系统（Ln=Sm，Nd）微波介质陶瓷研究内容.............. 19 第二章 实验方案 ........................................................................................................ 20 2.1 主要实验原料.......................................................................................................... 20 2.2 主要实验仪器.......................................................................................................... 20 2.3 实验配方设计.......................................................................................................... 20 2.3.1 BNST 四元微波陶瓷配方设计....................................................................... 21 2.3.2 BNT 陶瓷掺杂配方设计 ................................................................................. 22 2.4 工艺路线及烧结参数.............................................................................................. 22 2.5 陶瓷性能测试.......................................................................................................... 26 2.5.1 介电性能测试 .................................................................................................. 26 2.5.2 频率温度系数测试 .......................................................................................... 27 2.5.3 密度测量 .......................................................................................................... 27 2.6 陶瓷结构分析.......................................................................................................... 27
高散热性能TGV转接板
第58卷第2期 2021年2月微鈉电子技术Micronanoelectronic TechnologyVol. 58 No. 2F eb ru ary2021D O I: 1U. 13250/j. cnki. wndz. 2021 •02. 013|加工、測量与设备%高散热性能TGV转接板王强文，郭育华，刘建军，王运龙(中国电子科技集团公司第三十八研究所，合肥 230088)摘要：随着玻璃通孔（T G V)转接板在微波系统集成中的应用越来越广泛，其微波大功率应用 情况下的散热性能成为研究重点。
针对T G V转接板高效散热性能的要求，进行T G V散热结构 的设计和性能分析。
建立T G V转接板封装集成结构的有限元模型，设计T G V转接板铜柱阵列 散热结构。
通过T G V工艺制作T G V高密度阵列。
在4.82〜14.47 W功率范围内对T G V转接 板的散热性能进行测试，相应的T G V散热结构区域的热流密度为40. 03〜12(1. 18 W/cm2，测得 热阻芯片表面温度高达54. 0〜126. 5 °C,低于微波功率芯片最高结温150 °C，可以满足大功率微 波系统集成高效散热的需求。
关键词：微波系统集成；玻璃转接板；玻璃通孔（T G V);散热；热导率中图分类号：T N305.94文献标识码：A 文章编号：1671-4776 (2021) 02-U177-07 High Heat Dissipation Performance of the TGV InterposerW ang Q iangw en, Guo Y u h u a，Liu Jian ju n, W ang Y unlong(T h e38,h Research In stitu te C hina Electronics T echn o lo g y G roup C orporation ^H e fe i230088, C h in a)A bstract：T h e th ro u g h glass via (T G V) interposer is m ore and more widely used in the in teg ration of the microwave s y s te m, so the heat dissipation perform ance of the T G V interposer for high microwave pow er becom es the research focus. According to the requirem ents of the high heat dissipation perform ance of the T G V interposer, the design and perform ance analysis of the T G V heat dissipation s tru c tu re were carried out. A finite elem ent model of the packaging integrated structure of the T G V interposer was built to design the copper colum n array heat dissipation structure of the T G V interposer. Then the high density T G V array was fabricated by the T G V process. T h e heat dissipation performance of the T G V interposer was tested under the pow er range of 4.82 _ 14. 47 W, and the corresponding therm al flux of the T G V heat dissipation s tru cture area was 40. 03 ~ 120. 18 W/c m2. T h e m easured tem p eratu re on the therm al resistance chip surface was up to 54. () -126. 5 〇C，lower than the highest junction tem p eratu re of the microwave power chip, i. e. 150 °C , meeting the high efficient heat dissipation requirem ents of the in te g ration of high pow er microwave systems.Key words：microwave system in teg ratio n；glass in te rp o se r；through glass via (T G V)；heat dissipation；therm al conductivityEEACC：2550F收稿日期：2020-08-20E-mail：wangqiangwen()***********177微鈉电子故术〇引言随着集成电路工艺不断进步和各种先进制造技 术蓬勃发展，目前电子设备正朝着小型化、轻型 化、集成化、通用化和综合化方向发展。
BaZnxCo(2-x)Fe15.5O27六角铁氧体微波物性研究的开题报告
BaZnxCo(2-x)Fe15.5O27六角铁氧体微波物性研究
的开题报告
题目：BaZnxCo(2-x)Fe15.5O27 六角铁氧体微波物性研究
背景：
六角铁氧体被广泛应用于微波设备中的磁性器件，如隔离器、耦合器、滤波器、放大器等。
其具有高对称性、高矫顽力、高稳定性和良好的热稳定性等优良性能，因此在无线通信、雷达、卫星通信等领域得到了广泛应用。
然而，目前六角铁氧体的微波性能还有一定的提升空间，如带宽、Q值、灵敏度等方面需要进一步研究和探讨。
研究内容：
本次研究将通过化学共沉淀法合成BaZnxCo(2-x)Fe15.5O27 六角铁氧体微粉，并利用X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）等对其晶体结构和形貌进行表征，同时通过磁化强度实验测得其磁性能。
接着，将采用微波波导法和谐振法测量材料的微波性能，并进一步分析其复介电常数、矢量磁导率和磁损耗等相关参数，探究不同配比的BaZnxCo(2-x)Fe15.5O27六角铁氧体的微波性能差异以及优化方案。
预期成果：
通过对BaZnxCo(2-x)Fe15.5O27 六角铁氧体微粉的合成、晶体结构和磁性能的测试以及微波性能的测量和分析，将得出该材料的微波性能及其影响因素，为其在微波器件中的应用提供理论依据和实验依据，同时为其在相关领域的应用推广打下基础。
钛酸钾晶须的微波合成
K2Ti2O5 晶体，970oC 得到 K2Ti4O9 晶体，1120oC 得到 K2Ti6O13 晶体. 在频率 2.45 GHz、功率 1 kW 微波辐射下，CuO 粉末在 6.25 min 后温度达到 1012oC，Fe3O4(磁铁矿)粉末在 2.75 min 后温度达到 1258oC，此后，温度基本不变[8,9]. 结合相图可知，利用这两种介质可分别制备出不同的钛酸钾.
∆
••
••∆ ∆
∆
∆ ∆
C2-3
10
20
30
40
50
60
2θ (o )
图 4 不同反应时间的产物 XRD 比较 Fig.4 Effect of reaction time on products
３．３ 起始 Ｔｉ／Ｋ 比的影响 从相图可知，Ti/K 比决定了可能出现的相态，当然这里也要考虑到液态 K2O 的挥发所造成的
下
7
min
左右，得到
K2Ti6O13
晶体，如图
2
所示，未知物为含水的二钛酸钾
Intensity Intensity
+
ο
+
++ +
Ti/K=1.5
K Ti O 2 25
Unknown
+
C1-1.5
+
+
ο + ++
+
F1-1.5
Intensty
• •
• • ו•
C1-4
Ti/K=4 K2Ti 6O 1 3 TiO
Vol.3 No.3 June 2003
钛酸钾晶须的微波合成
俞 刚， 刘 畅， 杨祝红， 冯 新， 陆小华
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第３卷第１ ０ 期
２０ ０ ８年 ２月
压
电
与
声
光
Ｖｏ ． Ｏ Ｎｏ １ １３ ．
Ｆｅ ２０ ｂ． ０８
Ｐ ＥＺ Ｉ ０ＥＬＥＣ ＣＴＲＩ Ｓ ＆ ＡＣＯＵＳ ＴＥ Ｃ Ｔ０ＯＰ ＣＳ ＴＩ
文章 编 号 ： ０ ，２ ７ （ ０ ８ ０ ０ １０ １ ０ —４ ４ ２ ０ ） １０ ７ —４ １
３ ｅ ｔｒｏ ａｙ ｉ 、Ｃ ｎ ｅ ｆ Ａｎ ｌｓ ｓ＆ Ｍｅ ｓ ｒｍｅ ｔ ｎ Ｘｉｉ Ｚ ｅｉ ｇ Ｕｎ ｖ ｒｉ ，Ｈａ ｇ ｈ ｕ ３ ０ ２ ， ｈｎ ） ａｕ ｅ ｎ ｘ ， ｈ ｊ ｎ ｉｅｓｔ ｉ ａ ｙ ｎ ｚ ｏ ０ ８ Ｃ ｉａ １ Ａｂ ｔａ ｔ ｅ ｆｃ ｌ － ｉ ｔ ｒ ｄ Ｂａ ８ ２ Ｔｉ Ｏ５ （ ｓｒ ｃ ：Ｐ ｒ ｅ ｔｙ ｓｎ ｅ ｅ ６ Ｎｄ 十 １ ４ ＢＮＴ）ｍｉｒ ｗａ ｅ ｄ ｅｅ ｔｉ ｅ ａ ｃ ｓ ｆｂ ｉａ ｅ ｔ ａ ｏ ３ ８ ｃ ｏ ｖ ｉ ｌｃ ｒｃｃ ｒ ｍｉｓｗａ ａ ｒｃ ｔ ｄ ｗｉ ｎ ｎ ｈ Ｎｄ ｔｌ ｗｅ ｅ ｅ ａ ｕ ｅｂ ｒ ｄ ｔ ｎ ｌ ｔ ｏ ．Ｔｈ ａ ｔｃ ａ ａ ｔ ｒ ｆ ＮＴ ｅ ａ ｃ ｐ ｗｄ ｒ ｒ ｅ ｅ ｍｉ ｅ ２ Ｏ３ ａ ｏ ｒｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ｙ ｔａ ｉ ｏ ａ ｍｅ ｈ ｄ ｉ ｅｌｔ ｉｅ ｐ ｒ ｍｅ ｅ ｓｏ Ｂ ｃ ｒ ｍｉ ｏ ｅ ｓｗｅ ｅｄ ｔ ｒ ｎ ｄ ｂ ｔ ｏ ｆＸ ｒ ｙ ｄ ｆｒ ｃ ｉｎ ｉ ｒ ｉ ａ ｙ ｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ，ａ ｄ ｉ ｒｈ ｒ ｏ ｉ ａ ｔｃ ｙ ｅ（ ｐ ｃ ｒ ｕ ａ ）ｗａ ｙ ｍｅ ｈ ｄ ｏ － ａ ｉｆａ ｔ ｏ ｄ ｎ ｒ ｅ ｅ ａ ｕ ｅ ｎ ｔ ｏ ｔ ｏ ｈ ｍｂ ｃ ｌｔｉｅ ｔ ｐ ｓ ａ ｅ ｇ ｏ ｐ Ｐｂ ｍ ｏ ｎ ｓ ｓ
Ｂ ６３ ８２ ｉ ４ ａ－ｘ ＋ｘ 。 晶体 结构 与 微 波 介 电性 能 的研 究 Ｎｄ ８ Ｔ Ｏ５
李 正 法 葛 洪 良 ， ， 王春 雷 崔 玉 建 陈荣 升。 ， ，
（． 中 国计 量 学 院 材 料 科 学 与 工 程 学 院 ， 江 杭 州 ３ ０ １ ；．山东 大 学 物 理 与微 电子 学 院 晶体 材 料 国家 重 点 实 １ 浙 １０８２ 验 室 ， 东 济 南 ２０ ０ ；．浙 江 大 学 西 溪 校 区 分 析 测 试 中 心 ， 江 杭 州 ３ ０ ２ ） 山 ５ １０ ３ 浙 １ ０ ８
ｗｉ ｒ ｙ ｄ ｆｒ ｃ ｉ ｎ ｄ ｔ ｆ ６ ｍ８ ２Ｔｉ Ｏ５ （ Ｔ）ａ ｄ Ｂ ６ ３ Ｅｕ ＋ １Ｏ （ ＥＴ） Ｔｈ ｅ ｕ ｔ ｈ ｗ ｈ ｔｔ ｅ ｔ Ｘ—ａ ｉ ａ ｔ ａ ａｏ ３ Ｓ ＋ １ ４ ＢＳ ｈ ｆ ｏ Ｂａ ８ ｎ ａ — ８ ２ Ｔｉ ８ Ｂ ． ｅ ｒ ｓ ｌｓｓ ｏ ｔ－ ｉ， Ｕ ｕｊａ Ｃ Ｅ ｏ ｇｓｅ ｇ Ｉ ｅ ｇｆ ＧＥ Ｈ ｎ － ａ ｇ ， Ｚ ｉ Ｎ ｈ ｎｌ Ｃ ＩＹ －ｉ ， Ｈ Ｎ Ｒ ｎ －ｈｎ 。 ｅ ｎ
（ ．Ｃｏｌｇ ｆＭ ａ ｅｉｌ ｃｅ ｓ ｎ ｇｎ ｅｉｇ，Ｃｈｎ ｉａ ｇ Ｕｎｉｅｓｔ １ ｌｅ ｅｏ ｔｒａｓＳ ｉｎ ｅａ ｄ Ｅｎ ｉｅ ｒｎ ｉａＪｌ ｎ ｉ ｖｒｉ ｙ，Ｈａ ｇ ｈ ｕ ３１ ０ ８，Ｃｈｉａ ｎ ｚｏ ０ １ ｎ； ２ ｃ ｏ ｌ ｆＰｈｙｉｓａ ｄ Ｍ ｉｒｅｅ ｔｏ ｉｓ ｔ ｔ ｙ Ｌ ｂ ｏ ｙ ｔ ｌＭ ａｅ ｉｌ ｈａ ｄ ｎ ｉｅ ｓｔ 、Ｓ ｈ ｏ ｏ ｓｃ ｎ ｃ ｏ ｌｃ ｒ ｎｃ ，Ｓ ａｅ Ｋｅ ａ ． ｆＣｒ ｓａ ｔ ｒ ｓＳ ｎ ｏ ｇ Ｕｎｖ ｒｉｙ，Ｊｎ ｎ ２ ０ Ｏ ａ ｉａ ５ １ ０，Ｃｈｉ ； ｎａ
中图 分 类 号 ： ＴＭ５ ４ ３ 文献标识码 ： Ａ
Ｓ ｕ ｙ ｏ ｙ ｔ ｌＳ ｒ ｃ ｕ ｅ ａ ｄ Ｍ ｉ ｒ ｗａ ｅ Ｄｉ ｌ ｃ ｒ ｃ Ｐｒ ｐｅ ｔｅ ｆ ｔ ｄ ｆ Ｃｒ ｓ ａ ｔ ｕ ｔ ｒ ｎ ｃ ｏ ｖ ｅ ｅ ｔ ｉ ｏ ｒ ｉ ｓ ｏ Ｂａ — ８ ｌｏ５ ｒ ｍ ｉ ｓ ６ ３ Ｎｄ ＋２Ｔｉ８ ４Ｃｅ ａ ｃ
摘
要 ： 用 纳 米 ＮｄＯ 采 。 以 较 低 温 度 烧 结 出性 能优 良的 Ｂ Ｎ 。ｚＴｉ Ｂ ）微 波介 质 陶 瓷 。 以 Ｘ射 ａ一 ｄ＋ Ｏ。（ ＮＴ －
线衍射法测定 了 Ｂ Ｔ陶瓷粉末的室温点阵常数， 定其空 间群为 Ｐ ａ Ｎ 确 ｂ ｍ。分 析 了 Ｂ Ｔ 品格 结 构 随 配 比 的 变 化 Ｎ 情 况 ， Ｂ Ｓ ＋ Ｔ Ｏ。（ Ｓ 、ａ Ｅ 。ｚＴ Ｏ Ｂ Ｔ）进 行 比较 ， 果 表 明 各 离 子 在 Ⅱ 与 ａ ｍ。： ｉ Ｂ Ｔ）Ｂ 。 ｓ ｕ＋ ｉ （ Ｅ 结 ６晶 面 内 的分 布 对 Ｂ 。 Ｒ。 Ｔｉ Ｂ Ｔ） 波 介 电性 能 的 影 响 较 大 。给 出 了 Ｂ Ｔ 介 电 常 数 和 品 质 因 数 变 化 的 可 能 解 释 ， Ｂ Ｔ ａ～ ＋ Ｏｓ（ Ｒ 微 Ｒ 即 Ｒ 因配 比 及稀 土元 素 的不 同 而产 生 晶格 变 化 所 致 。 关 键 词 ： ａ Ｒ。 Ｔ Ｏ 晶 格 结 构 ； 波 介 电性 Ｂ 一 ＋ ｉ 微
ａ ｓ ｔ ｒ ｉ ｄ Ｔｈｅｃ ｎｇ ｌｏ ｄｅ ｅ ｍ ｎｅ ． ｈａ ｅ ｏｆＢＮＴ ｒ ｔ ｌ ｔ ｕｃ ｕ ｅ ｗ ｉｈ ｔ ｔｏｆｐａ ａｍ ｅｅ ｃ ｙｓ ａ ｓ ｒ ｔ ｒ ｔ ｈａ ｒ ｔｒ ｗ ａ ｎ ｌ ｚ ｄ， ａ ａ ｏｍ ｐ ｒ ｄ ｓａ ａｙ ｅ ｎｄ ｗ ｓ ｃ ａ ｅ