产品名称电率方块电阻测试仪

VOHL-100A回路电阻测试仪

VOHL-100A回路电阻测试仪使用说明书武汉微欧电力设备有限公司Wuhan Weiou Power Equipment Co., Ltd尊敬的顾客感谢您使用本公司产品。

在您初次使用该仪器前，请您详细地阅读本使用说明书，将可帮助您熟练地使用本仪器。

我们的宗旨是不断地改进和完善公司的产品，因此您所使用的仪器可能与使用说明书有少许的差别。

若有改动，我们不一定能通知到您，敬请谅解！如有疑问，请与公司售后服务部联络，我们定会满足您的要求。

由于输入输出端子、测试柱等均有可能带电压，您在插拔测试线、电源插座时，会产生电火花，小心电击，避免触电危险，注意人身安全！◆慎重保证本公司生产的产品，在发货之日起三个月内，如产品出现缺陷，实行包换。

一年（包括一年）内如产品出现缺陷，实行免费维修。

一年以上如产品出现缺陷，实行有偿终身维修。

如有合同约定的除外。

◆安全要求请阅读下列安全注意事项，以免人身伤害，并防止本产品或与其相连接的任何其它产品受到损坏。

为了避免可能发生的危险，本产品只可在规定的范围内使用。

只有合格的技术人员才可执行维修。

—防止火灾或人身伤害使用适当的电源线。

只可使用本产品专用、并且符合本产品规格的电源线。

正确地连接和断开。

当测试导线与带电端子连接时，请勿随意连接或断开测试导线。

产品接地。

本产品除通过电源线接地导线接地外，产品外壳的接地柱必须接地。

为了防止电击，接地导体必须与地面相连。

在与本产品输入或输出终端连接前，应确保本产品已正确接地。

注意所有终端的额定值。

为了防止火灾或电击危险，请注意本产品的所有额定值和标记。

在对本产品进行连接之前，请阅读本产品使用说明书，以便进一步了解有关额定值的信息。

请勿在无仪器盖板时操作。

如盖板或面板已卸下，请勿操作本产品。

使用适当的保险丝。

只可使用符合本产品规定类型和额定值的保险丝。

避免接触裸露电路和带电金属。

产品有电时，请勿触摸裸露的接点和部位。

在有可疑的故障时，请勿操作。

四探针方块电阻原理

四探针方块电阻原理
四探针方块电阻原理是一种非常重要的表征材料电学性能的方法，广泛应用于物理、化学、材料等领域。

通过四探针原理，我们可以得到材料的电阻、导电性、膜的厚度等信息。

以下是对四探针方块电阻原理的详细介绍。

第一步，介绍仪器结构和工作原理：四探针仪器由四个平行排列的针头组成，针头间距相等且间隙很小。

除了外侧两个针头用于加电流和读取电压外，内侧的两个针头用于读取电压。

通过一个外部电源和一个电压检测仪器，可以将直流电流引入两个外侧针头中，并且每两个内侧针头之间的电势差可以测量。

第二步，讲解材料的准备。

研究材料必须是块状的，并且贴在平坦且一面打磨平整的表面上。

第三步，说明实验中的操作步骤。

首先，需将四探针放在材料上，四针头与材料表面垂直并紧密贴合。

接下来，通过电源引入设定好的直流电流，然后测量四个针头间的电势差。

电压计算公式为：V=IR。

其中，V是电压，I是电流，R是电阻。

第四步，分析结果。

通过测量四个针头间的电势差，可以计算出板材的电阻，导电性等信息。

其中，电阻随着材料的组成成分和结构变化而变化，因此可以测量不同条件下材料的电阻变化，进而研究材料结构和性能的关系。

总体来讲，四探针方块电阻原理在材料研究中起着重要作用。

通过这种方法，我们可以快速而准确地测量材料的电学性质，并进一步研究
不同条件下的材料差异，为物理、化学，材料等领域的研究提供更加准确、全面的数据。

方块电阻

方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。

方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单位为Siements/sq，后增加欧姆/sq表征方式，该单位直接翻译为方块电阻或者面电阻，用于膜层测量又称为膜层电阻。

Sheet resistance [1]蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铜箔膜等薄膜状导电材料，衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。

什么是方阻呢？方阻就是方块电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻，如图一所示，即B边到C边的电阻值。

方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。

方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单位为Siements/sq，后增加欧姆/sq表征方式，该单位直接翻译为方块电阻或者面电阻，用于膜层测量又称为膜层电阻。

特性方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形测量值都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关，表征膜层致密性，同时表征对热红外光谱的透过能力，方块电阻测量数值愈大，则隔离热红外性能越差，方块电阻测量数值愈小则隔离热红外性能越好，对于建筑行业来讲低辐射玻璃的热红外性能测量的快速测量就必须选用方块电阻测量仪，测量值愈小则建筑材料就愈节能，在建筑材料行业具有很大的作用。

测定计算方法方块电阻：Rs=ρ/t(其中ρ为块材的电阻率,t为块材厚度）或者写成电导率的表达式：Rs = 1/(σt)这样在计算块材电阻的时候，我们就可以利用方块电阻乘以长宽比例得到，计算过程与维度无关：R=Rs*L/W(L为块材长度，W为块材宽度）测试方法方块电阻如何测试呢，可不可以用万用表电阻档直接测试图一所示的材料呢？不可以的，因万用表的表笔只能测试点到点之间的电阻，而这个点到点之间的电阻不表示任何意义。

重锤式静电电阻测试仪的具体参数介绍

重锤式静电电阻测试仪的具体参数介绍静电电阻测试仪是一种检测物料表面表面电阻和体积电阻的仪器。

它广泛应用于电子、半导体、航空、航天、化工、纺织、医药、食品等各个领域，随着近年来各行业对防静电控制要求越来越严格，重锤式静电电阻测试仪应运而生。

重锤式静电电阻测试仪是一种使用重锤在物料表面敲击后，通过测量其体积电阻和表面电阻大小，判定物料是否符合防静电要求的仪器。

接下来，我们将分别介绍它的具体参数。

1. 体积电阻测试参数1.1 测试范围重锤式静电电阻测试仪可以测量物料的体积电阻范围为0.1Ω·cm ~ 10^12Ω·cm，适用于不同种类的物料，包括塑料、橡胶、涂料、油漆、金属、陶瓷等。

1.2 精度测试精度可以达到 ±10% 或 ±1 量级，具有高度的可靠性和准确性。

1.3 测试电极重锤式静电电阻测试仪的测试电极分为内部电极和外部电极，外部电极由导电材料制成，并覆盖了一层绝缘材料，用于测试表面电阻，内部电极则是放置在物料中的，用于测量体积电阻。

1.4 电流测试电极的电流为50nA，可靠并可控制，确保测试过程的安全性。

2. 表面电阻测试参数2.1 测试范围重锤式静电电阻测试仪测试表面电阻的范围为1Ω ~ 1×10^14Ω，可以应用于各种材料的表面测试，如塑料、橡胶、涂料、油漆、地面材料等。

2.2 精度测试精度可以达到 ±10% 或 ±1 量级，成为防静电控制的重要保证。

2.3 测试电极重锤式静电电阻测试仪的测试电极分为内部电极和外部电极，外部电极由导电材料制成，并覆盖了一层绝缘材料，用于测试表面电阻，内部电极则是放置在物料中的，用于测量体积电阻。

2.4 电流测试电极的电流为20nA，可靠并可控制，确保测试过程的安全性。

3. 附加功能除了基本的体积电阻和表面电阻测试功能，重锤式静电电阻测试仪还有一些附加功能：3.1 数据存储测试结果可以存储在测试仪中，做到数据的集中存储和查阅，方便用户随时随地进行数据分析和比对。

四探针测试电阻率和方块电阻的实验教案

四探针测试电阻率和方块电阻的实验教案第一篇：四探针测试电阻率和方块电阻的实验教案《四探针测试电阻率和方块电阻》的实验教案一、实验教学目的通过该实验，通过让学生测试不同样品的电阻率和方块电阻。

增强学生的实际动手能力，加深对电阻率和方块电阻的认识，为将来从事微电子相关的研究和测试方面的工作打好基础。

二、实验教学原理及要求1、实验教学原理电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，它为自由载流子浓度和迁移率的函数。

半导体材料电阻率的测量方法有多种，其中四探针法具有设备简单、操作方便、测量精度高，以及对样品的形状无严格的要求等优点，是目前检测半导体材料电阻率的主要方法。

直线型四探针法是用针距为s（通常情况s=1mm）的四根金属同时排成一列压在平整的样品表面上，如图1所示，其中最外部二根（图1中1、4两探针）与恒定电流源连通，由于样品中有恒电流I通过，所以将在探针2、3之间产生压降V。

图1测量方阻的四探针法原理对半无穷大均匀电阻率的样品，若样品的电阻率为ρ，点电流源的电流为I，则当电流由探针流入样品时，在r处形成的电势V(r)为V(r)=Iρ………………………(1)2πr同理，当电流由探针流出样品时，在r处形成的电势V(r)为V(r)=-Iρ...........................(2)2πr可以看到，探针2处的电势V2是处于探针点电流源+I 和处于探针4处的点电流源-I贡献之和，因此：Iρ11V2=(-) (3)2πs2s同理，探针3处的电势V3为V3=Iρ11(-)……………………(4)2π2ss 探针2和3之间的电势差V23为V23=V2-V3=Iρ………………..(5)2πs由此可得出样品的电阻率为V ρ=2πs23 (6)I从式（1）至式（6），对等距直线排列的四探针法，已知相连探针间距s，测出流过探针1和探针4的电流强度I、探针2和探针3之间的电势差V23，就能求出半导体样品的电阻率ρ。

ST2253数字式四探针测试仪技术使用说明书

欢迎使用 ST2253 型数字式四探针测试仪！由衷地感谢您加入本公司的用户队伍！
一、概述
ST2253 型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置，它可以测量片状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率，测量扩散层的薄层电阻（亦称方块电阻）。换上特制的四探针测试夹具，还可以对金属导体的低、中值电阻进行测量。
ST2253 型数字式四探计测试仪能够测量普通电阻器的电阻（修正系数 1.000）、体电阻率、薄片电阻率、扩散层的方块电阻，（后三项需调整不同的修正系数）。 1. 操作概述：
⑴测试准备：将电源插头插入电源插座，电源开关置于断开位置，。将测试探头的插头与主机的输入插座连接起来，测试样品应进行喷砂和清洁处理，（选配测试台的将样品放在样品架上），调节室内温度使之达到要求的测试条件。将电源开关置于开启位置，数字显示亮。 ⑵测量：将探针与样品良好接触，注意压力要适中。选择显示电流，置于样品测量所适合的电流量程范围，电流调节电位器调到适合的电流值（方法见“注意事项”）。选择显示电阻率或方块电阻，即可由数字显示窗直接读出测量值，如果显示“F”，表示超出量程范围，应降低电流量程。按下电流极性按键，从数字显示窗和单位显示灯可以读出负极性的测量值；将两次测量获得的电阻率值取平均，即为样品在该处的电阻率或方块电阻值。 2. 注意事项： (1)棒状、块状样品电阻率测量(厚度>3.5mm):
品的厚度、形状和测量位置的修正系数。
其电阻率值可由下面公式得出：
V
W
d
W
d
ρ=C I G（ S ）D（ S ）=ρ0G（ S ）D（S ） ……………（3-3）
式中：ρ0——为块状体电阻率测量值
W G（ S ）——为样品厚度修正函数，可由附录 1A 或附录 1B 查得。

方块电阻测试仪

方块电阻测试仪简介方块电阻测试仪是一种用于测试电路中元器件电阻值的仪器。

它可以通过测量电路中特定位置的电压、电流，计算出元器件的电阻值，并显示在仪器的显示屏上。

原理方块电阻测试仪的原理是基于欧姆定律的。

欧姆定律指出，电阻为常数，电流与电压成正比，即电流和电压之比等于电阻。

因此，我们可以通过测量电路中特定位置的电压、电流，计算出元器件的电阻值。

具体地说，在测试元器件电阻时，我们将元器件与方块电阻测试仪的测试引脚连接起来。

通过调整方块电阻测试仪的工作模式，让它在测试电阻时，将元器件作为电路的一部分，通过电流计、电压计等传感器，测量电路中的电流和电压值。

通过欧姆定律，我们就可以计算出元器件的电阻值，并将其显示在方块电阻测试仪的屏幕上。

特点方块电阻测试仪具有以下几个特点：1.精度高。

方块电阻测试仪采用高精度的传感器来测量电流和电压值，因此测试出的电阻值比较准确。

2.显示直观。

方块电阻测试仪通过直观的数字显示，将测试出的电阻值直接呈现在屏幕上，方便用户观察。

3.操作简便。

方块电阻测试仪的操作界面简单明了，用户只需要按照提示操作即可完成测试。

4.适用范围广。

方块电阻测试仪可以测试多种元器件的电阻值，包括电阻、电容、电感等。

使用方法使用方块电阻测试仪进行电阻测试，需要注意以下几点：1.连接测试引脚。

将方块电阻测试仪的测试引脚连接到元器件的两端，确保测试引脚与元器件接触良好。

2.调整工作模式。

将方块电阻测试仪的工作模式调整为电阻测试模式，并设置相关参数（如电流值、电压值）。

3.测量电阻值。

根据提示，进行测量操作，并读取测试结果。

需要注意的是，在进行测试时，应注意避免以下情况：1.测量时发生短路。

在测试元器件电阻时，应避免测试引脚发生短路，否则会影响测试结果。

2.测量时电路断开。

在测试元器件电阻时，应确保电路是完整的，否则也会影响测试结果。

结论方块电阻测试仪是一种实用的测试仪器，可以用于测试电路中的元器件电阻值。

PC36c直流电阻测试仪

PC36c直流电阻测试仪使用说明书上海汉仪电气科技有限公司一、用途PC36 c直流低电阻测试仪是一种由高稳定精密恒流源、带自校的高精度数字电压表和CPU 微处理器组成的5位半台式数字式直流电阻测试仪，其测量结果用6位VFD荧光显示。

该仪器具有价格低廉、测量精度高、性能稳、使用方便等特点，它适用于测量各种电线、电缆的电阻值、各类线圈、电动机、变压器绕组的电阻，特别是具有自校功能（用户备用BZ3标准电阻，就可以校准），提高仪器的精度，省去了操作人员的送检时间。

因此该仪器广泛应用工厂、科研单位的工作场地和实验室。

二、技术指标2．1 使用条件：2．1．1环境温度：20±15℃（校准温度：20±1℃）2．1．2相对湿度：不大于75％RH2．1．3供电电源：220V±10%，50Hz±1Hz2．1．4无剧烈震动和机械冲击2．1．5环境周围无强电磁场干扰2．1．6空气中不含腐蚀气体、灰尘和有害杂质2．1．7通风条件良好2．1．8总技术指标2．2 量程、测量范围、分辨力及基本误差产品在标准条件(20±1℃)下符合表 1规定2．3 温度的影响产品在(20±5℃)条件下，误差如表 2所示如用BZ3标准电阻进行现场标定，PC36c的精度可以大大提高2．4 温度附加误差产品在偏离20±1℃的情况下工作，环境温度每变化多端10℃所引起的附加误差应不超出基本误差值。

2．5 倍功率的影响（×0.707I、×1.414I）产品在(20±5℃)条件下，误差如表 2所示2．6 极性、量程过载指示2．6．1在电阻测量时不显示极性2．6．2当输入电阻值超过仪表测量范围时仪表显示 <LCE>2．7 采样速度：2～3次/s2．8 消耗功率：≤30W2．9 重量：≤7kg三、工作原理和特点本仪器是由5 1/2位，具有0.1μV灵敏度的数字电压表和一个精密恒流源组成，如图 1所示：I00.1m A～10A图1由精密恒流源流出的电流I0在被测电阻RX产生一电压降，同时用5 1/2位数字电压表去测试这个电压降，其测量结果用电阻值反应出来。

四探针使用手册

1.仪器结构与原理1.1结构仪器适用于测量片状半导体材料电阻率以及硅扩散层、离子注入层、异型外延层等半导体器件和液晶玻璃镀膜层、电热膜……等导电膜的方块电阻(或称簿层电阻和面电阻)。

仪器由四探针测试仪主机、探针测试台、四探针探头、计算机等部分组成，通过RTS-9双电测四探针软件测试系统对四探针测试仪主机发出控制指令来获得用户需要的测量数据，主机在接收到指令后按照测量程序进行测量(如四探针头探头电流探针和电压探针的组合变换测量、电流量程切换、采集测量数据回主机等），并把采集到的数据反馈回计算机中加以运算、分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。

1.2原理双电测组合四探针法采用了以下二种组合的测量模式（见图1）。

图1将直线四探针垂直压在被测样品表面上分别进行I 14V 23和I 13V 24组合测量，测量过程如下： 1. 进行I 14V 23组合测量：电流Ｉ从１针→４针，从２、３针测得电压V23+；电流换向，Ｉ从４针→１针，从２、３针测得电压V23-；计算正反向测量平均值：V23＝(V23+ ＋V23- )／2；2. 进行I 13V 24组合测量：电流Ｉ从１针→３针，从２、４针测得电压 V24+；电流换向，Ｉ从３针→１针，从２、４针测得电压 V24-；计算正反向测量平均值：V24＝(V24+ ＋V24- )／2；3. 计算（V23／V24）值；（以上V23、V24均以 mV 为单位）；4. 按以下两公式计算几何修正因子Ｋ：若 1.18＜（V23 ／V24）≤1.38 时；K ＝－14.696＋25.173(V23／V24)－7.872(V23／V24)2 ； (1)若 1.10≤（V23／V24）≤1.18 时；I 14V 23组合↓V1 2 3 4 ↑I 13V 24组合↓V1 2 3 4↑K＝－15.85＋26.15(V23／V24)－7.872(V23／V24)2； (2)5.计算方块电阻R□：Ｒ□＝Ｋ.(V23／Ｉ) (单位：Ω／□) ； (3)其中：Ｉ为测试电流，单位：mA；V23为从２、３针测得电压V23+和V23-的平均值，单位：mV；6.若已知样品厚度W，可按下式计算样品体电阻率ρ：ρ＝R□.W.F(W/S)／10 (单位：Ω.cm)； (4)其中：Ｒ□为方块电阻值，单位：Ω／□；W为样片厚度，单位：mm（W ≤3mm）；S为探针平均间距，单位：mm；F(W/S) 为厚度修正系数；7.计算百分变化率（以测试样品电阻率ρ为例）：ρM －ρm最大百分变化（％）＝─────×100％ (5)ρm│ρa －ρc │平均百分变化（％）＝─────────×100％ (6)ρc２（ρM －ρm ）径向不均匀度Ｅ（％）＝──────────×100％ (7)ρM ＋ρm以上式中：ρM 、ρm 分别为测量的电阻率最大值与最小值，单位：Ω.cm；ρc 为第1、2 点（即圆片中心测量点）测量平均值，单位：Ω.cm；ρa 为除第1、2 点外其余各点的测量平均值，单位：Ω.cm；（若测量样品的方块电阻值,则将(5)、(6)、(7)式中的ρM 、ρm 、ρa 、ρc 分别改成ＲM 、Ｒm 、Ｒa 、和Ｒc 。

简易导电薄膜方块电阻测试仪

式决定：。＝＝（）３
【关键词】导电薄膜；方块电阻
再根据运放 “ 开路 ” 虚的特性，进运放输入端的电流近似为流１引言、零。由于负载与Ｒ３组成通路．所以负载中的电流与Ｉ相等。由式。近年来随着平面显示器、阳能电池、镜、能窗和薄膜电太热智（）以看出，过调节电位器Ｒ就可得到不同大小的恒定电流。３可通。池的发展，涌现出了大量的透明半导体薄膜材料。而导电薄膜因这种电路使用稳压器件设置电压，利用带有深度负反馈的集具有一系列独特性能，从而得到了广泛的应用。成运放来输出电流，这些都有利于提高恒流源电流的稳定性；而２系统结构与测量原理、且，电路中的集威运放用拉电流驱动负载，其充分利用了运放使此测试仪可以由电池供电，可以Ａ／Ｃ开关电源供电，也ＣＤ主的负载驱动能力。通过Ｌ１Ｔ４１Ｍ３７和Ｌ３的精调电阻可以对它们要分为恒流源部分、电压采集电路、程转换电路、模转换电路量数的输出电压进行精密调节，从而提高了恒流度。和显示部分。测试仪的测量范围为Ｏ至２Ｘ１口。０Ｑ／由于范围较因此，以采用减法电路。可取得样品两端的电压差，从而来得大，以可以满足大多数导电薄膜的方块电阻测量。所到采样电压。３关键测试部分设计、最常用的减法电路有以下两种，恒流源设计由测试仪的结构可以看出，流源是最重要的一恒第一个电路的缺点是同相输入和反相输入阻抗小而且不相个环节。流源的精度直接影响到测量的精度，流源的性能在恒恒等，这就要求驱动放大器的信号源的输出阻抗要低。四个电阻必很大程度上决定了整个测试仪的性能。须精确匹配，则难以获得优良的共模抑制性能。而第二个电路否对恒流源有以下要求：克服了前都的缺点。其输入阻抗高，许信号源为不平衡输出阻允（）１精度要高，测量时电流要始终保持恒定：抗；点是共模电压输入范围随增益影响较大。但是在低增益时缺（）２电流的不能太小，则．能Ｉｅ流过样品；否不ｄｒｋ如果输入共模电压范围大幅度降低，容易导致Ａ很１饱和，且同样（）注入样品时会产生少子注人问题，３电流电流的注入还会使存在电阻匹配的问题。样品发热，品的被测区域的温度会升高。一般的掺杂半导体在样仪表放大器与减法电路相比优点：输入电阻更高，模抑制共温度升高（在室温附近）。流子的晶格散射作用会加强，时载引起比更大，称性更好。对本测试仪采用仪表放大器Ａ６０采样样品Ｄ２。电阻率增加。所以注入电流的数值也不能过大。的电压。（）４随被测样品电阻率的不同，要选择不同的注入电流来进行Ａ６０能确保高增益精密放大所需的低失调电压、失调电Ｄ２低测量，即恒流源的输出电流必须可调。压漂移和低噪声等性能指标；用一只外部电阻就能设置放大倍只但是也有其难以克服的不足之处：数，积小，体只有８个引脚；低功耗．最大供电电流为１ｍＡ．。３（）１电路的工作范围受到限制。由“ 串联型稳压电路 ” 原理的由于该电路结构上的对称性．输入放大器的共模信号最终会可知，为了使电路的输出稳定，其静态工作点必须处于调整管的在输出级的减法器中被消除，从而具有放大差模信号的同时抑制线性放大区。但在电路输出的调节范围很大的情况下，态工作静共模信号的功能。点会发生改变。当输出电流Ｉ减小时，。负载上的电压减小，造成调作为仪表放大器，Ｄ２Ａ６０由于经过优化处理，以具有更高所整管的Ｕ增大，静态工作点向截止区移动，极端情况下工作点在精度和更低噪声的性能。另外在整个温度范围内都能使元件保持会进入截止区使电路失去稳定的功能。反之。当输出电流增大ｌ匹配，从而保证在宽温度范围内的性能优良。时。负载上的电压增大．造成调整管的Ｕ减小，态工作点向饱静Ｖ＝１）ＶＩＶ）ｏ（＋（＋ｚ和区移动。极端情况下工作点会进入饱和区，在从而使电路失去稳定的功能。Ａ６０的共模输入和差分输入阻抗均为１Ｇ欧姆远远大于Ｄ２０（）２输出效率低，大部分电流浪费在调节管上。输入的电压需被测样品最大值，以用来采样电压是没有问题的。所要经过三极管的调节再加到负载上，即三极管需要分担负载上不为了高精度的显示方块电阻值，测试仪采样１本２的ＡＤ转换需要的电压。当输出电流需求较小时，三极管上就承担了较多的芯片ＩＬ１９及与ＩＬ１９配套的４半液晶显示器。Ｃ７２Ｃ７２位电压。整个电路的转化效率比较低。综合考虑，恒流源与Ａ的量程转换进行优化设计，他们将Ｄ使但是，由于晶体管均工作在放大状态，晶体管串入了样品且共用一个量程转换电路，得量程转抽换快速一致。使测量电路之中．了保证晶体管工作在放大状态，必须保证Ｕ这则３３测量结果及分析．大于Ｕ否则，匪。它们将进入饱和状态。这意味着各晶体管的集电最后，测试仪对不同阻值的导电薄膜的方块电阻进行了测此极与发射极之间要有０７ｌＶ左右的电压差。在电源电压有限的情量。况下，如果被测样品的电阻较高。集射集上分压小。满足上述则要测量结果表明，此测试仪能对方块电阻值在０２Ｘ１６／ — ０Ｑ条件就比较困难。口范围内的导电薄膜进行较准确测量。用运算放大器构成恒流源电路由运算放大器Ａ、２及其外１Ａ【参考文献】接电阻组成．、２采用高阻型运放。算放大器Ａ１ＡＡ１Ａ运、２按理想［孙以材，福等．区薄层电阻四探针测试以及其应用［．１】刘新微Ｊ固］参数及忽略基准电压源ｖ内阻对恒流源输出特性影响时，了解ｏ为体电子学研究与进展，０２２（）３９２０，１： — ９２９决上述问题，用了一种恒流源．采［】凯良．流源及其应用电路［．江科学技术出版社，９２２陈恒Ｍ］浙１９．Ｌ１Ｍ３７的输出端经过电位器Ｒ３接到集成运放的反相输入【】．导体的检测与分析［．京：学出版社．８．７３周洁半Ｍ】北科１４３３— ９端。可调式精密稳压源Ｔ４１的输出端接到集成运放的同相输入３８１Ｌ３端。Ｌ１Ｍ３７的输出设为１５Ｔ４１的输出设为２５。Ｌ，２．Ｌ３Ｖ，Ｖ１Ｌ分

HPS2523镀膜方块电阻测试仪使用说明书

HPS2523镀膜方块电阻测试仪使用说明书Rev3.5适用于仪器系统Rev.1.3及以上版本HPS2523用户手册2安全须知警告危险：当用户发现以下任何异常情况时，请立即终止操作并切断电源线，与海尔帕取得联系进行检修，如果不对仪器进行检修而继续使用，则可能会给操作者带来失火或触电隐患。

●仪器操作异常。

●操作过程中，仪器发出异常噪音、异味、冒烟或电火花。

●操作过程中，仪器产生高温或出现电击现象。

●电源线、插头或仪器的插座受损。

●外界物质或液体流入仪器。

安全信息警告危险：在操作、检修和修理本仪器的任何阶段，请务必遵守以下一般安全防范措施。

不遵守这些防范措施或本手册中的特定警告，仪器提供的保护可能会大打折扣。

这种违规行为违反了仪器的设计、制造和预期使用的安全标准。

对于因用户不遵守这些防范措施而导致的后果，海尔帕不承担任何责任。

免责声明在开始使用仪器前请仔细阅读以下安全信息，由于用户未遵守下列条款而造成的人身安全和财产损失，海尔帕不承担任何责任。

仪器接地为了避免电击，必须用所附三相电源线的接地插脚将仪器底盘和机壳接地。

不可在爆炸性气体环境使用仪器切勿在易燃易爆气体、蒸汽或多灰尘的环境下使用仪器。

在此类环境使用任何电子设备，都存在安全隐患。

不可打开仪器外壳非专业维护人员不可打开仪器外壳以试图维修仪器。

仪器在关机后一段时间内仍存在未释放干净的电荷，这可能对人身造成电击危险。

不要使用损坏或工作异常的仪器如果仪器已损坏或者工作异常，其危险不可预知，请断开电源线，不可再使用，也不要试图自行维修。

不要超出说明书指定的方式使用仪器超出范围，仪器所提供的保护措施将失效。

警告：不要加直流电压或电流到测试端，否则会损坏仪器。

HPS2523用户手册3法律事项声明本使用说明书内容如有变更，恕不另行通知。

本公司并不对本使用说明书之适用性、适合做某种特殊用途之使用或其他任何事项作任何明示、或其他形式之保证或担保。

故本公司将不对手册内容之错误，或因增减展示或以其他方法使用本手册所造成之直接、间接、突发性或继发性之损害负任何责任。

电阻率测试仪技术参数

电阻率测试仪技术参数
电阻率测试仪是一种广泛应用于电力、电子、锂电池等行业的测试仪器，用于测量材料的电阻率、电导率等参数。

其主要技术参数包括测
量范围、分辨率、准确度、稳定性等。

1. 测量范围：
电阻率测试仪的测量范围通常是根据测量对象来设定的。

不同型号的
电阻率测试仪的测量范围大小不尽相同，常见的测量范围有1×10^-
6Ω·m至1×10^7Ω·m等。

2. 分辨率：
电阻率测试仪的分辨率通常是指其显示的数据在小数点后的有效位数。

一般情况下，分辨率越高，测试结果越精确。

常见的分辨率有
0.0001Ω·m、0.001Ω·m等。

3. 准确度：
电阻率测试仪的准确度通常是指测量结果与实际值之间的差距。

由于
各种因素的影响，电阻率测试仪的准确度往往不是绝对准确的。

通常
情况下，电阻率测试仪的准确度越高，测试结果越可靠。

常见的准确
度有±0.5%、±1%等。

4. 稳定性：
电阻率测试仪的稳定性通常是指测试结果的重复性。

一般情况下，电阻率测试仪的稳定性越高，测试结果越稳定可靠。

常见的稳定性有0.1S、0.2S等。

总之，电阻率测试仪的技术参数对其测试结果的准确性和可靠性都有着重要影响。

在选择电阻率测试仪的时候，应根据需要选择合适的测量范围、分辨率、准确度和稳定性，并尽可能选择知名品牌和品质可靠的产品。

方块电阻和电阻率的关系

方块电阻和电阻率的关系
块电阻又称为分压电阻，它是电气系统中重要的控制部件，可以调节电压、调
节功率、测量电流及电压、限制峰值功率以及分配电源负载等。

这些用途令块电阻广泛应用于电气系统中，尤其是在输电和工业现场中。

不同的块电阻有不同的电阻率，电阻率是指电阻的大小，它受材料的影响而得出的结论。

碳块电阻是由碳焦粉或硅碳微粉和碳化硼制成的，其典型电阻率在10-8欧姆
到10-3欧姆之间，灵活性较好、特征宽容，在精密电路控制器中常被应用。

另外，锂块电阻是由锂钛聚合物制成，其电阻率在10-7欧姆到10-2欧姆之间，是目前电阻率最低的一种块电阻。

金属膜块电阻也被称为金属氧化物电阻，这种块电阻通常用于滤波器、限幅器等，其电阻率的范围从10-3欧姆到10-6欧姆不等，金属氧化物电阻具有精确度高、耐压和热阻特性较好、体积小等优点。

以上是块电阻和电阻率之间的一些情况，电阻率是根据材料的影响而得出的，
而块电阻可以用于调节电压，测量电流及电压，限制峰值功率等。

因此，块电阻的电阻率对于电气系统的正常运行非常重要。

RTS-4四探针测试仪规格书

RTS-4型四探针测试仪
可连接电脑使用也可以不连接电脑使用，连接电脑使用带自动测量功能，自动选择适合样品测试电流量程；
高速并口通讯接口，连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要 1.5秒；
RTS-4型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。

该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。

仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。

仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。

具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。

RTS-4型四探针测试仪前面板
RTS-4型四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。

测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。

用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析
技术指标：。

方块电阻测试仪操作规程

2、计量标签为计量检定/校准的标识，使用时应注意保护；如有标签损坏或者仪器异常反应请立即通知质量部计量管理员。
3、本仪器属贵重仪器，请严格按本操作规程执行，任何使用本仪器的操作人员应妥善保管。
4、探头较细小，使用时应注意轻轻放置，防止其弯折、断裂。
5、XX-2型仪器测量范围:有基本量程，方块电阻为 1.00-199.99Ω/□；有扩展量程，方块电阻为 10.0-1999.9Ω/□、从包装盒内取出手提式XX-2型方块电阻测试仪。
二、操作：
1、将电源开关关闭（开关上位）。
2、打开机壳后小盖，装上一节9V电池，装上后盖。
3、将探头电缆与主机连接好。
4、测量时，将电源开关打开（开关下位）。
5、用探头平压在待测物电阻面上，即可测量。
6、测量过程中，当面板上“回路正常指示”LED灯发亮时，表示该次测量有效，读取显示屏的数值。
编制
日期
校对
日期
标准化
日期
批准
日期
版次
实施日期
7、当测量显示屏LCD显示“ ”时，表示电池欠压，请予以更换。
8、完成测量后，请将电源关闭（开关上位）。
9、若电池、探头已经连接好，则操作步骤从第4步开始。
10、长期不使用本仪器时，请将电池从机内取出。
三、结束：
1、测试完毕，断开电源，将手提式方块电阻测试仪轻轻放入包装盒内。
（二）注意事项
1、由于该仪器采用干电池供电，换电池会较频繁。只要在使用后注意立即关闭电源，将会大大延长电池寿命。
6、XX-2型仪器使用量程设置为出厂设置10.0-1999.9Ω/□档位上，如需更改请按下面三步操作:①、拧开机壳三颗螺丝，拿下机壳；②、把机内线路板上的压帽拿起，取出线路板；③、把线路板正面的六位DIP开关的1、3、6拨到ON，2、4、5拨到OFF，二位DIP开关的1拨到ON，2拨到OFF即好（非专业人士，请不要随便拆卸本仪器）。

四探针法计算方块电阻

四探针方阻测试仪方块电阻是表征薄膜导电性能的物理量，通常采用四探针探测仪来测定，该方法原理简单，数据处理方便，测量时是非破坏性的，因此被广泛使用。

图2.3 是电流平行经过ITO 膜层的情形，其中：d 为膜厚，I 为电流，L1 为在电流方向的膜层长度，L2 为在垂直于电流方上的膜层长度。

图2.3 方块电阻示意图Fig. 2.3 Diagram of block resistance当电流流过如图所示的方形导电膜层时，该层的电阻为(2. 9)式中，ρ为导电膜的电阻率，对于给定的膜层，ρ和d 可以看成是定值。

L1=L2时，即为正方形的膜层，其电阻值均为定值ρ/d。

这就是方块电阻的定义，即(2. 10)式中，R□的单位为：欧姆/□(Ω/□) ；ρ的单位为欧姆(Ω)；d 的单位为米(m)。

由此可以看出方块电阻的特点：对于给定膜层，其阻值不随所采用正方形的大小变化，仅与薄膜材料的厚度有关。

四探针测试法如图2.4 所示，在半径无穷大的均匀试样上有四根等间距为S 的探针排列成一直线。

由恒流源向外面两根探针1、4 通入小电流I，测量中间两根探针2、3 间的电位差U，则由U、I、S 的值求得样品的电阻率ρ。

图2.4 四探针测试法示意图Fig. 2.4 Schematic diagram of four-probe method当电流I 由探针1 流入样品时，若将探针与接触出看成点电源，则等势面是以点电源为中心的一系列半球面，在距离探针r 处的电流密度为：(2. 11)由微分欧姆定律J=E /ρ可得出距探针r 处的电场强度为(2. 12)由于E=－dU/dr，而且，r→∞时，U→0。

则在距离探针r 处的电位U 为：(2. 13)同理当电流由探针4 流出样品时，在r 处的电位为：(2. 14)用直线四探针法测量电阻率时，电流I 从探针1 流入，探针4 流出，根据电位叠加原理，探针2，3 处的电位可分别写成：(2. 15)因此探针2，3 之间的电位差：(2. 16)即：(2. 17)是直线四探法测量电阻率的基本公式，它要求试样为无穷大，且半导体各边界与探针的距离大于探针的间距。

tin 方块电阻

tin 方块电阻
【原创版】
目录
1.Tin 方块电阻的定义和特点
2.Tin 方块电阻的应用领域
3.Tin 方块电阻的优点和局限性
正文
1.Tin 方块电阻的定义和特点
Tin 方块电阻，又称为锡方块电阻，是一种电子元器件，主要用于电路中的电阻值调整和匹配。

它由纯锡制成，具有良好的导电性能和较低的电阻率，因此被广泛应用于各类电子设备和电路中。

Tin 方块电阻的特点如下：
- 采用纯锡材料制作，具有良好的导电性能和较低的电阻率；
- 结构紧凑，体积小，易于安装和使用；
- 抗腐蚀性能好，适应各种环境；
- 电流噪声低，适合对噪声敏感的电路应用。

2.Tin 方块电阻的应用领域
Tin 方块电阻广泛应用于各类电子设备和电路中，如：
- 电源电路：用于限流、分压等功能，以保证电源电压的稳定性；
- 信号处理电路：用于放大、衰减、滤波等功能，以改善信号质量；
- 通信设备：用于实现数据传输速率和信号抗干扰能力；
- 仪器仪表：用于精确测量电阻值，以满足各类测量需求。

3.Tin 方块电阻的优点和局限性
Tin 方块电阻的优点：
- 良好的导电性能和较低的电阻率，能够满足各类电路的性能要求；
- 结构紧凑，易于安装和使用，提高了电路设计的灵活性和便捷性；
- 抗腐蚀性能好，适应各种环境，能够保证电路的长期稳定运行。

Tin 方块电阻的局限性：
- 温度系数较高，电阻值受温度影响较大，可能导致电路性能波动；
- 电流噪声相对较高，对于对噪声敏感的电路应用有一定的局限性。

综上所述，Tin 方块电阻作为一种电子元器件，在电路设计中有着广泛的应用。